JPH02220436A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH02220436A JPH02220436A JP4212289A JP4212289A JPH02220436A JP H02220436 A JPH02220436 A JP H02220436A JP 4212289 A JP4212289 A JP 4212289A JP 4212289 A JP4212289 A JP 4212289A JP H02220436 A JPH02220436 A JP H02220436A
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体結晶の原子層単位でのドライエツ
チング方法に関する。
チング方法に関する。
従来のドライエツチングは主として、反応性ガスの放電
プラズマによって生成されたイオンや、中性２ジカルと
、基板表面の、衝突・吸着・反応・脱離によって行われ
ていた。イオンは通常数１０ｅＶないし数１００ｅＶに
加速されて基板に突入するため、原子層単位で基板表面
層部を剥ぎ取るにはエネルギーが過剰である上、基板表
面の欠陥が無視できなかった。欠陥が極力抑制されたエ
ツチング方式としては、中性の反応性ガスに適当な波長
の光（電磁波）を照射し、生成された中性ラジカルと基
板表面との光化学反応を利用する光励起エツチングが知
られている。光励起エツチングは、過剰エネルギーによ
る基板表面での欠陥が避けられ、されに製造プロセスの
低温化も実現できる。また、エツチング過程の精密制御
の点からも放電励起よりも優れている。
プラズマによって生成されたイオンや、中性２ジカルと
、基板表面の、衝突・吸着・反応・脱離によって行われ
ていた。イオンは通常数１０ｅＶないし数１００ｅＶに
加速されて基板に突入するため、原子層単位で基板表面
層部を剥ぎ取るにはエネルギーが過剰である上、基板表
面の欠陥が無視できなかった。欠陥が極力抑制されたエ
ツチング方式としては、中性の反応性ガスに適当な波長
の光（電磁波）を照射し、生成された中性ラジカルと基
板表面との光化学反応を利用する光励起エツチングが知
られている。光励起エツチングは、過剰エネルギーによ
る基板表面での欠陥が避けられ、されに製造プロセスの
低温化も実現できる。また、エツチング過程の精密制御
の点からも放電励起よりも優れている。
ＧａＡｓの光励起エラキングの例がガルウムアーセナイ
ド・アンド・リレイテドコンバウンド・インターナショ
ナル・フィジイクス・コンファレンス・シリーズ、ナン
バー６０ （ＧａｌｌｉｕｍＡｒｓｅｎｉｄｅ ａｎｄ
Ｒｅ１ａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ、Ｉｎｔ、Ｐｈ
ｙｓ、Ｃｏｎｆ、ｓｅｒ、ＮＯ，６０）に掲載のニス・
ヨコヤマ、ティー・イノウニ、ワイ・ヤマカゲ、アンド
、エム・ヒロス（Ｓ、Ｙｏｋｏｙａｗ＋ａ、Ｔ、Ｙａｍ
ａｋａｇｅ、ａｎｄ Ｍ、Ｈｉｒｏｓｅ）による論文「
レーザーインデユースト・フォトケミカル・エツチング
・オブ・ガリウムアーセナイド・アンド・イッツ・キャ
ラクタライゼーション・パイ・エックスレイ・フォトエ
レクトロン・スペクトロスコピー・アンド・ルミネッセ
ンス」（Ｌａｓｅｒ−ＩｎｄｕｃｅｄＰｈｏｔｏｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｆ ＧａＡｓ ａｎｄ
Ｉｔｓ Ｃｈａｒａｃｔｉｚａｔｉｏｎ ｂｙ Ｘ−Ｒ
ａｙ ＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃ
ｏｐｙａｎｄ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）に報告され
ている。この例は、ＧａＡｓ結晶をＨＣＩ（５％）とＨ
ｅ （９５％）の混合ガス中で波長１９３ｎｍのＡｒＦ
エキシマレーザ光の照射によりエツチングする。混合ガ
ス圧６．６５Ｘ１０’ Ｐａ、基板温度２０℃の条件で
ＧａＡｓの絶縁性基板に対して約２００人／分のエツチ
ング速度が得られている。反応の素過程としては、ＨＣ
Ｉがエキシマレーザ−光の照射により解離してＣ１ラジ
カルが発生ずる。このＣＩラジカルが、ＧａＡｓと反応
し、 ＧａＡｓ＋６ＨＣ１ 一＊ＧａＣ１３＋ＡｓＣ１３＋３Ｈ２ の反応が進み、エツチングが進行する。
ド・アンド・リレイテドコンバウンド・インターナショ
ナル・フィジイクス・コンファレンス・シリーズ、ナン
バー６０ （ＧａｌｌｉｕｍＡｒｓｅｎｉｄｅ ａｎｄ
Ｒｅ１ａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ、Ｉｎｔ、Ｐｈ
ｙｓ、Ｃｏｎｆ、ｓｅｒ、ＮＯ，６０）に掲載のニス・
ヨコヤマ、ティー・イノウニ、ワイ・ヤマカゲ、アンド
、エム・ヒロス（Ｓ、Ｙｏｋｏｙａｗ＋ａ、Ｔ、Ｙａｍ
ａｋａｇｅ、ａｎｄ Ｍ、Ｈｉｒｏｓｅ）による論文「
レーザーインデユースト・フォトケミカル・エツチング
・オブ・ガリウムアーセナイド・アンド・イッツ・キャ
ラクタライゼーション・パイ・エックスレイ・フォトエ
レクトロン・スペクトロスコピー・アンド・ルミネッセ
ンス」（Ｌａｓｅｒ−ＩｎｄｕｃｅｄＰｈｏｔｏｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｆ ＧａＡｓ ａｎｄ
Ｉｔｓ Ｃｈａｒａｃｔｉｚａｔｉｏｎ ｂｙ Ｘ−Ｒ
ａｙ ＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃ
ｏｐｙａｎｄ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）に報告され
ている。この例は、ＧａＡｓ結晶をＨＣＩ（５％）とＨ
ｅ （９５％）の混合ガス中で波長１９３ｎｍのＡｒＦ
エキシマレーザ光の照射によりエツチングする。混合ガ
ス圧６．６５Ｘ１０’ Ｐａ、基板温度２０℃の条件で
ＧａＡｓの絶縁性基板に対して約２００人／分のエツチ
ング速度が得られている。反応の素過程としては、ＨＣ
Ｉがエキシマレーザ−光の照射により解離してＣ１ラジ
カルが発生ずる。このＣＩラジカルが、ＧａＡｓと反応
し、 ＧａＡｓ＋６ＨＣ１ 一＊ＧａＣ１３＋ＡｓＣ１３＋３Ｈ２ の反応が進み、エツチングが進行する。
従来の光励起エッ°キングでは、化合物半導体の１つの
元素のエツチングを起こす条件と別の元素のエツチング
を起こす条件は同じである。すなわちエツチング過程に
反応遇択性がない。このため、ＧａＡｓの場合でＧａ原
子層を１層はぎ取り、次にその下のＡｓ原子層をはぎ取
り、次々と原子層単位でエツチングを行っていくことは
できない。
元素のエツチングを起こす条件と別の元素のエツチング
を起こす条件は同じである。すなわちエツチング過程に
反応遇択性がない。このため、ＧａＡｓの場合でＧａ原
子層を１層はぎ取り、次にその下のＡｓ原子層をはぎ取
り、次々と原子層単位でエツチングを行っていくことは
できない。
本発明はこのような従来の閏題点を解決するためになさ
れたもので、化学物半導体のエツチング過程に制御性の
高い反応選択性を与えて原子層単位でのエツチング技術
を提供すること目的とする。
れたもので、化学物半導体のエツチング過程に制御性の
高い反応選択性を与えて原子層単位でのエツチング技術
を提供すること目的とする。
本発明は、二元素から構成される化合物半導体を、この
化合物半導体と反応する反応性ガスに、該反応性ガスと
前記化合物半導体の構成元素とから成る反応生成物のガ
スを混合したエッチャントガス（混合ガス）中で前記反
応性ガスと反応させる第１の工程と、第１の工程を経た
化合物半導体の温度を、当該添加反応生成ガスに加えら
れた分圧に等しい飽和蒸気圧を与える温度よりも高い状
態で前記化合物半導体表面上の第１の工程で生じた反応
生成物を脱離させる第２の工程とを交互にくり返すこと
を特徴とする原子層単位でのエツチング方式である。
化合物半導体と反応する反応性ガスに、該反応性ガスと
前記化合物半導体の構成元素とから成る反応生成物のガ
スを混合したエッチャントガス（混合ガス）中で前記反
応性ガスと反応させる第１の工程と、第１の工程を経た
化合物半導体の温度を、当該添加反応生成ガスに加えら
れた分圧に等しい飽和蒸気圧を与える温度よりも高い状
態で前記化合物半導体表面上の第１の工程で生じた反応
生成物を脱離させる第２の工程とを交互にくり返すこと
を特徴とする原子層単位でのエツチング方式である。
［作用］
本発明では、反応性ガスと化合物半導体の構成元素とが
反応する第１の工程で、エッチャントガスとして、反応
性ガスに該反応性ガスと化学物半導体の構成元素とが反
応した場合に生成される反応生成物と同じ組成のガスを
飽和蒸気圧量だけ混合したガスを用いる。このため、化
合物半導体表面ではエッチャントガスに含まれる反応ガ
スと同種の反応生成物が表面から脱離せず、該反応生成
物が表面をおおった状態でエツチングが停止する。
反応する第１の工程で、エッチャントガスとして、反応
性ガスに該反応性ガスと化学物半導体の構成元素とが反
応した場合に生成される反応生成物と同じ組成のガスを
飽和蒸気圧量だけ混合したガスを用いる。このため、化
合物半導体表面ではエッチャントガスに含まれる反応ガ
スと同種の反応生成物が表面から脱離せず、該反応生成
物が表面をおおった状態でエツチングが停止する。
次に第２の工程で化合物半導体の温度を十分高い温度と
することにより第１の工程で形成された化合物半導体表
面上の反応生成物が脱離する。この第１の工程と第２の
工程を１サイクルとして化合物半導体の原子層または分
子層が１層だけエツチングされる。
することにより第１の工程で形成された化合物半導体表
面上の反応生成物が脱離する。この第１の工程と第２の
工程を１サイクルとして化合物半導体の原子層または分
子層が１層だけエツチングされる。
従って基板温度の切り変えをくり返すことにより原子層
単位でのエツチングが可能となる。
単位でのエツチングが可能となる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は反発明の一実施例を示した加工装置の断面図で
あり、ＧａＡｓの分子層単位のエツチングを示す。Ｇａ
ＡｓとＣ１２ガスとの反応生成物ＧａＣｌ３とＡｓＣ１
３である。したがって低温側のエツチングチャンバー１
２および高温側のチャンバー１３内に導入するエッチャ
ントガスは、ＣＩ□ガス１６に加えＧａＣ１，ガス１７
をＧａＡｓ基板温度に対する飽和蒸気正分だけ混合する
。基板温度２５℃ではＣ１，ガス１６とＧａＣ１，ガス
１７の全圧をＩＴｏ ｒ ｒ、ＧａＣ１３ガス１７の分
圧をｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒに設定する。第２図にＧａＣ
１３とＡｓＣＩ、の平衡蒸気圧を示す、上記の設定は、
第２図の◎印で示したガス圧（ＩＴｏｒｒ）となり基板
温度２５℃でエッチャントガス圧はＡｓＣｌ３の蒸気圧
より低くＧａｃ１１蒸気圧より高い。
あり、ＧａＡｓの分子層単位のエツチングを示す。Ｇａ
ＡｓとＣ１２ガスとの反応生成物ＧａＣｌ３とＡｓＣ１
３である。したがって低温側のエツチングチャンバー１
２および高温側のチャンバー１３内に導入するエッチャ
ントガスは、ＣＩ□ガス１６に加えＧａＣ１，ガス１７
をＧａＡｓ基板温度に対する飽和蒸気正分だけ混合する
。基板温度２５℃ではＣ１，ガス１６とＧａＣ１，ガス
１７の全圧をＩＴｏ ｒ ｒ、ＧａＣ１３ガス１７の分
圧をｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒに設定する。第２図にＧａＣ
１３とＡｓＣＩ、の平衡蒸気圧を示す、上記の設定は、
第２図の◎印で示したガス圧（ＩＴｏｒｒ）となり基板
温度２５℃でエッチャントガス圧はＡｓＣｌ３の蒸気圧
より低くＧａｃ１１蒸気圧より高い。
またＧａＡｓ基板１１をエツチングチャンバー１２内の
上記エッチャントガス中で波長３０８ｎｍのＸｅＣ１エ
キシマレーザ−光１５を照射することにより、Ｃ１，ガ
ス１６とＧａＡｓのＧａまたはＡｓが反応しＧａＣ１３
、ＡｓＣ１３が生成される。このＡｓＣ１３の平衡蒸気
圧は２５℃でｌ ＱＴｏ ｒ ｒと、エッチャントガス
圧ＩＴｏｒより高いため、ＡｓＣ１３はＧａＡｓ基板表
面より脱離する。しかしＧａＣｌ３の平衡蒸気圧は２５
℃でｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒと低く、しかもエッチャント
ガスにはＧ ａ Ｃ１ｓガスが飽和蒸気正分のＩ Ｘ
１０−”Ｔｏ ｒ ｒだけ含まれているため、基板表面
に残留する。従って、Ａｓ層はＡｓＣ１３１９の形で除
去され、Ｇａ層はＣ１２ガスと反応しＧａＣｌ３１８の
形で表面に残留しエツチングが停止する。
上記エッチャントガス中で波長３０８ｎｍのＸｅＣ１エ
キシマレーザ−光１５を照射することにより、Ｃ１，ガ
ス１６とＧａＡｓのＧａまたはＡｓが反応しＧａＣ１３
、ＡｓＣ１３が生成される。このＡｓＣ１３の平衡蒸気
圧は２５℃でｌ ＱＴｏ ｒ ｒと、エッチャントガス
圧ＩＴｏｒより高いため、ＡｓＣ１３はＧａＡｓ基板表
面より脱離する。しかしＧａＣｌ３の平衡蒸気圧は２５
℃でｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒと低く、しかもエッチャント
ガスにはＧ ａ Ｃ１ｓガスが飽和蒸気正分のＩ Ｘ
１０−”Ｔｏ ｒ ｒだけ含まれているため、基板表面
に残留する。従って、Ａｓ層はＡｓＣ１３１９の形で除
去され、Ｇａ層はＣ１２ガスと反応しＧａＣｌ３１８の
形で表面に残留しエツチングが停止する。
次にＧａＣｌ３が表面に残留しているＧａＡｓ基板を、
温度が１００℃以上の高温側のチャンバー１３に移すと
、ＧａＣｌ３１８は沸騰し蒸発する。このようにＧａＣ
１３がＧａＡｓ基板表面から脱離すれば全面に次のＡｓ
層が現われることになり、単分子層エツチングの一サイ
クルが終わる０次のＡｓ層のエツチングは、ＧａＡｓ基
板１１を再びエツチングチャンバー１２にもどして前述
のプロセスを繰り返す、上記のエツチングプロセスを逐
次繰り返すことにより、チャンバー１３では常にＡｓ層
でエツチングを停止することができ、また１サイクルで
Ａｓ層とＧａ層の２層を除去できるのでエツチング層厚
もエツチングのサイクル数で制御できる。ＧａＡｓの（
１００）面の１サイクル当りのエツチング速度は２．８
３人／１サイクルであり、この値は分子層１層分に相当
し、分子層レベルのエツチングが実現されている。
温度が１００℃以上の高温側のチャンバー１３に移すと
、ＧａＣｌ３１８は沸騰し蒸発する。このようにＧａＣ
１３がＧａＡｓ基板表面から脱離すれば全面に次のＡｓ
層が現われることになり、単分子層エツチングの一サイ
クルが終わる０次のＡｓ層のエツチングは、ＧａＡｓ基
板１１を再びエツチングチャンバー１２にもどして前述
のプロセスを繰り返す、上記のエツチングプロセスを逐
次繰り返すことにより、チャンバー１３では常にＡｓ層
でエツチングを停止することができ、また１サイクルで
Ａｓ層とＧａ層の２層を除去できるのでエツチング層厚
もエツチングのサイクル数で制御できる。ＧａＡｓの（
１００）面の１サイクル当りのエツチング速度は２．８
３人／１サイクルであり、この値は分子層１層分に相当
し、分子層レベルのエツチングが実現されている。
本実施例では、１サイクルでＡｓ層とＧａ層の２層をエ
ツチングする場合を示したが、以下に示すように１サイ
クルでＧａ層とＡｓ層を１層ずつエツチングすることも
可能である。第１にＣＩ。
ツチングする場合を示したが、以下に示すように１サイ
クルでＧａ層とＡｓ層を１層ずつエツチングすることも
可能である。第１にＣＩ。
ガスにＡｓＣ１３飽和蒸気圧量だけ混合したエッチャン
トガスを用いてＧａＡｓの光励起エツチングを行い、Ａ
ｓ Ｃｌ ３を生成しＧａＡｓ表面に残留させる０次
にＧａＡｓ基板を高温側チャンバーに移してＡｓＣ１３
だけを脱離させてＡｓ層１層だけの原子層エツチングが
実現できる。第２にＧａ層が表面に露出しなＧａＡｓを
低温側チャンバー１２に移して前記の実施例と同じよう
にたＣ１２ガスにＧａＣ１３ガスを飽和蒸気圧だけ混合
したエッチャントガスを用いて光励起エツチングを行い
、ＧａＣｌ３を生成しＧａＡｓ表面に残留させる０次に
ＧａＡｓ基板を高温側チャンバーに移してＧａＣ１ｇだ
けを脱離させてＧａ層１層だけの原子層エツチングが実
現できる。上記の工程をくり返すことにより１サイクル
でＧａ層またはＡｓ層を１層だけエツチングする原子層
エツチングが可能である。
トガスを用いてＧａＡｓの光励起エツチングを行い、Ａ
ｓ Ｃｌ ３を生成しＧａＡｓ表面に残留させる０次
にＧａＡｓ基板を高温側チャンバーに移してＡｓＣ１３
だけを脱離させてＡｓ層１層だけの原子層エツチングが
実現できる。第２にＧａ層が表面に露出しなＧａＡｓを
低温側チャンバー１２に移して前記の実施例と同じよう
にたＣ１２ガスにＧａＣ１３ガスを飽和蒸気圧だけ混合
したエッチャントガスを用いて光励起エツチングを行い
、ＧａＣｌ３を生成しＧａＡｓ表面に残留させる０次に
ＧａＡｓ基板を高温側チャンバーに移してＧａＣ１ｇだ
けを脱離させてＧａ層１層だけの原子層エツチングが実
現できる。上記の工程をくり返すことにより１サイクル
でＧａ層またはＡｓ層を１層だけエツチングする原子層
エツチングが可能である。
また本実施例では、化合物半導体としてＧａＡｓの場合
を示したが、ＩｎＰ等の他の二元素で構成される化合物
半導体にも本発明は適用できる。
を示したが、ＩｎＰ等の他の二元素で構成される化合物
半導体にも本発明は適用できる。
尚、実施例では基板表面に残留した反応生成物を取り除
くのに温度の異なるチャンバーに基板を移したが、他の
方法、例えば、効率は悪くなるが、１つのチャンバー内
に基板を留め、ガスの供給を止めると共に基板温度変化
させる方法等によってもよい。
くのに温度の異なるチャンバーに基板を移したが、他の
方法、例えば、効率は悪くなるが、１つのチャンバー内
に基板を留め、ガスの供給を止めると共に基板温度変化
させる方法等によってもよい。
以上説明したように、本発明の原子層エツチングによれ
ば、化合物半導体のドライエツチングにおいて平衡蒸気
圧温度の違いにより反応生成物が蒸発するか残留するか
を制御することができ、１種類の元素をエツチングする
反応と別の種類の元素をエツチングする反応に明確な反
応選択性を与えることができる。
ば、化合物半導体のドライエツチングにおいて平衡蒸気
圧温度の違いにより反応生成物が蒸発するか残留するか
を制御することができ、１種類の元素をエツチングする
反応と別の種類の元素をエツチングする反応に明確な反
応選択性を与えることができる。
上記の理由により、半導体結晶の原子層単位でのエツチ
ングが可能となり、基板の移動やガスの切り替えの１サ
イクルで原子層が１１または２層だけ除去される。従っ
てサイクル数のみでエツチング量を決定することができ
、精密なエツチング量の制御が可能となる。
ングが可能となり、基板の移動やガスの切り替えの１サ
イクルで原子層が１１または２層だけ除去される。従っ
てサイクル数のみでエツチング量を決定することができ
、精密なエツチング量の制御が可能となる。
チャンバー、１３・・・低温側チャンバー １６・・・
ＣＩ２ガス、１７− Ｇ ａ Ｃｌ ３ガス、１８−・
・残留ＧａＣ１３，１９・・・ＡｓＣ１３。
ＣＩ２ガス、１７− Ｇ ａ Ｃｌ ３ガス、１８−・
・残留ＧａＣ１３，１９・・・ＡｓＣ１３。
Claims (1)
- 二元素から構成される化合物半導体を、当該化合物半導
体と反応する反応性ガスに、該反応性ガスと前記化合物
半導体の構成元素から成る反応生物のガスを添加した混
合ガス雰囲気中で、前記添加ガスの飽和蒸気圧を与える
温度よりも低温側で、前記混合ガスと反応させる第１の
工程と、前記混合ガス中の前記反応性ガスを遮断して第
１の工程を経た前記半導体の温度を、前記飽和蒸気圧温
度よりも高くして前記半導体表面上の第１の工程で生じ
た反応生成物を脱離させる第２の工程とを交互に繰り返
すことを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212289A JPH0821569B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212289A JPH0821569B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220436A true JPH02220436A (ja) | 1990-09-03 |
| JPH0821569B2 JPH0821569B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=12627145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4212289A Expired - Lifetime JPH0821569B2 (ja) | 1989-02-21 | 1989-02-21 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821569B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399230A (en) * | 1992-06-05 | 1995-03-21 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for etching compound semiconductor |
| JPH0897193A (ja) * | 1994-02-15 | 1996-04-12 | At & T Corp | 半導体素子の製造方法 |
| US5527417A (en) * | 1992-07-06 | 1996-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo-assisted CVD apparatus |
-
1989
- 1989-02-21 JP JP4212289A patent/JPH0821569B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399230A (en) * | 1992-06-05 | 1995-03-21 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for etching compound semiconductor |
| US5527417A (en) * | 1992-07-06 | 1996-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photo-assisted CVD apparatus |
| JPH0897193A (ja) * | 1994-02-15 | 1996-04-12 | At & T Corp | 半導体素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821569B2 (ja) | 1996-03-04 |
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