JPH02222185A - 光半導体素子用パッケージ - Google Patents
光半導体素子用パッケージInfo
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- JPH02222185A JPH02222185A JP1041516A JP4151689A JPH02222185A JP H02222185 A JPH02222185 A JP H02222185A JP 1041516 A JP1041516 A JP 1041516A JP 4151689 A JP4151689 A JP 4151689A JP H02222185 A JPH02222185 A JP H02222185A
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- Japan
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- pin
- optical semiconductor
- stem
- driving
- semiconductor element
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体レーザ（以下ＬＤと略称する）や、発
光ダイオード（以下ＬＥＤと略称する）などの光半導体
素子において、それらの高周波駆動を可能とし、かつ、
良好な気密封止歩留りが得られる光半導体素子用パッケ
ージに関するものてあ［従来の技術］ 従来、例えばコンパクトディスクなどに用いられるＬＤ
用のパッケージは、第２図に示すような構成を採ってい
た。即ち、第２図において、１はＬＤ、２はＬＤＩの出
力をモニタし、ＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅ
ｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ ）回路（図示せず）によりＬＤＩ
の出力を制御するためのモニタフォトダイオード（ＰＤ
） 、３はヒートシンク、４はステム、５はＬＤ駆動用
単線ピン、６はＰＤ駆動用単線ピン、７は接地用ピン、
８はワイアボンド、９はＬＤｌおよびＰＤ２を外気と遮
断するためのキャップ、１０はピン５およびピン６とヒ
ートシンク３の間の電気的絶縁を保ち、かつ、上記封止
の役割の一端を担う低融点ガラスである。
光ダイオード（以下ＬＥＤと略称する）などの光半導体
素子において、それらの高周波駆動を可能とし、かつ、
良好な気密封止歩留りが得られる光半導体素子用パッケ
ージに関するものてあ［従来の技術］ 従来、例えばコンパクトディスクなどに用いられるＬＤ
用のパッケージは、第２図に示すような構成を採ってい
た。即ち、第２図において、１はＬＤ、２はＬＤＩの出
力をモニタし、ＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅ
ｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ ）回路（図示せず）によりＬＤＩ
の出力を制御するためのモニタフォトダイオード（ＰＤ
） 、３はヒートシンク、４はステム、５はＬＤ駆動用
単線ピン、６はＰＤ駆動用単線ピン、７は接地用ピン、
８はワイアボンド、９はＬＤｌおよびＰＤ２を外気と遮
断するためのキャップ、１０はピン５およびピン６とヒ
ートシンク３の間の電気的絶縁を保ち、かつ、上記封止
の役割の一端を担う低融点ガラスである。
このような構成の場合、ピン５．ピン６は単線てあり、
純インダクタンス素子であるため、ピン５もしくはピン
６によって、 ■ ＬＤの上限駆動周波数が限られる、■ 上記ＡＰＣ
の制御方法として、例えばピり値検出法の如く、ＰＤ２
における高周波出力成分をもモニタする場合、ピン５−
ピン６間の相互誘導により、ＬＤの上限駆動周波数が限
られる、なとのほか、 ■ 封止を完全にするため、低融点ガラス１０の熱膨張
係数をステム４、およびピン５、ピン６のそれとほぼ一
致させる必要があり、そのため、使用可能な低融点ガラ
ス１０、およびピン５およびピン６の材料が限定される
ほか、該封止かＬＤ実装歩留りを低下させる］要因とな
るなどの欠点があった。
純インダクタンス素子であるため、ピン５もしくはピン
６によって、 ■ ＬＤの上限駆動周波数が限られる、■ 上記ＡＰＣ
の制御方法として、例えばピり値検出法の如く、ＰＤ２
における高周波出力成分をもモニタする場合、ピン５−
ピン６間の相互誘導により、ＬＤの上限駆動周波数が限
られる、なとのほか、 ■ 封止を完全にするため、低融点ガラス１０の熱膨張
係数をステム４、およびピン５、ピン６のそれとほぼ一
致させる必要があり、そのため、使用可能な低融点ガラ
ス１０、およびピン５およびピン６の材料が限定される
ほか、該封止かＬＤ実装歩留りを低下させる］要因とな
るなどの欠点があった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、ＬＤやＬ
ＥＤなどの光半導体素子において、それらの飛躍的な高
周波駆動を可能とし、かつ、高い気密封止歩留りを可能
とする光半導体素子用パッケージを提供することを目的
とする。
ＥＤなどの光半導体素子において、それらの飛躍的な高
周波駆動を可能とし、かつ、高い気密封止歩留りを可能
とする光半導体素子用パッケージを提供することを目的
とする。
［課題を解決するだめの手段と作用］
本発明は、高周波駆動を可能とし、かつ、高い気密封止
歩留りを可能とするために、上側に光半導体素子か設置
されるステムと、該ステム−にに設置した光半導体素子
と該光半導体素子を駆動させるための外部回路とを、互
いに電気的に結合するための該ステムに設置された１本
もしくは複数本のピンとを有する光半導体素子用パッケ
ージにおいて、少なくとも該光半導体素子を直接駆動さ
せるための該ピンを、硬質の同軸線で４７．ｉ成するこ
とを特徴とするものである。
歩留りを可能とするために、上側に光半導体素子か設置
されるステムと、該ステム−にに設置した光半導体素子
と該光半導体素子を駆動させるための外部回路とを、互
いに電気的に結合するための該ステムに設置された１本
もしくは複数本のピンとを有する光半導体素子用パッケ
ージにおいて、少なくとも該光半導体素子を直接駆動さ
せるための該ピンを、硬質の同軸線で４７．ｉ成するこ
とを特徴とするものである。
［実施例］
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明の１実施例を説明するための図であって
、第２図と同一の部位には同一番号を付した。
、第２図と同一の部位には同一番号を付した。
即ち、ステム４には硬質（いわゆるセミ・リジッド）の
同軸線より構成されるＬＤ駆動用同軸ピン５′、硬質（
いわゆるセミ・リジット）の同軸線より構成されるＰＤ
駆動用同軸ピン６′ および接地用ピン７か貫通される
と共に、各ピン５′６′、７はステム４に金属はんた１
０′によりはんだ（−Ｊけされて設置される。前記ＬＤ
駆動用同軸ピン５′はＬＤＩを駆動させるための外部回
路（図示せず）とＬＤｌとを電気的に結合するもので、
その芯線、および外管の材料は銅であり、第１図に示す
ように、その外管が、はんだ１０′により直接堅固にス
テム４に固定されている。前記ＰＤ駆動用同軸ピン６′
はＰＤ２を駆動させるための外部回路（図示せず）とＰ
Ｄ２とを電気的に結合するもので、その芯線、および外
管の材料は銅であり、第１図に示すように、その外管が
、はんた１０’ により直接堅固にステム４に固定され
ている。前記ステム４上の取付部］］にはヒートシンク
３を介してＬＤｌか設置され、このＬＤｌはワイアボン
ド８により前記ＬＤ駆動用同軸ピン５′の芯線に接続さ
れる。前記ステム４上の前記ＬＤ］の近傍にはＰＤ２か
設置され、このＰＤ２はワイアボンド８により前記ＰＤ
駆動用同軸ピン６′の芯線に接続される。前記ステム４
には前記ＬＤＩおよびＰＤ２等を覆うようにしてキャッ
プ９が取イ・１けられる。
同軸線より構成されるＬＤ駆動用同軸ピン５′、硬質（
いわゆるセミ・リジット）の同軸線より構成されるＰＤ
駆動用同軸ピン６′ および接地用ピン７か貫通される
と共に、各ピン５′６′、７はステム４に金属はんた１
０′によりはんだ（−Ｊけされて設置される。前記ＬＤ
駆動用同軸ピン５′はＬＤＩを駆動させるための外部回
路（図示せず）とＬＤｌとを電気的に結合するもので、
その芯線、および外管の材料は銅であり、第１図に示す
ように、その外管が、はんだ１０′により直接堅固にス
テム４に固定されている。前記ＰＤ駆動用同軸ピン６′
はＰＤ２を駆動させるための外部回路（図示せず）とＰ
Ｄ２とを電気的に結合するもので、その芯線、および外
管の材料は銅であり、第１図に示すように、その外管が
、はんた１０’ により直接堅固にステム４に固定され
ている。前記ステム４上の取付部］］にはヒートシンク
３を介してＬＤｌか設置され、このＬＤｌはワイアボン
ド８により前記ＬＤ駆動用同軸ピン５′の芯線に接続さ
れる。前記ステム４上の前記ＬＤ］の近傍にはＰＤ２か
設置され、このＰＤ２はワイアボンド８により前記ＰＤ
駆動用同軸ピン６′の芯線に接続される。前記ステム４
には前記ＬＤＩおよびＰＤ２等を覆うようにしてキャッ
プ９が取イ・１けられる。
このような構造になっているから、ＬＤ直接駆動のため
の可能」−限局波数か従来に比べ、飛躍的に大きくなっ
た。例えば、従来、ピン５の長さか５＋ｎｍの場合、そ
の帯域は約３ＧＨｚに制限されていたか、本発明の場合
、ピン５′の長さはその帯域に無関係、従って、その帯
域は８のワイアボンド長制限となり、ワイアボンド８の
長さが１．ｍｍの場合、該帯域は約２０ＧＨｚに拡大し
た。
の可能」−限局波数か従来に比べ、飛躍的に大きくなっ
た。例えば、従来、ピン５の長さか５＋ｎｍの場合、そ
の帯域は約３ＧＨｚに制限されていたか、本発明の場合
、ピン５′の長さはその帯域に無関係、従って、その帯
域は８のワイアボンド長制限となり、ワイアボンド８の
長さが１．ｍｍの場合、該帯域は約２０ＧＨｚに拡大し
た。
また、従来構造の場合、ＬＤ励起時のピン５からピン６
への電気漏話が大きく、そのため、従来、ＡＰ”Ｃ方式
として、低帯域ないわゆる平均値方式しか用いることが
出来なかった。しかしながら、本発明の場合、ピン５′
、およびピン６′が同軸構造であるため、ＬＤ励起時の
ピン５′からピン６′への漏話かほぼ無くなり、その結
果、ＡＰＣ方式として、広帯域なピーク値検出方式など
が可能となった。その結果、従来に比してより高精度の
ＡＰＣ動作が可能となった。
への電気漏話が大きく、そのため、従来、ＡＰ”Ｃ方式
として、低帯域ないわゆる平均値方式しか用いることが
出来なかった。しかしながら、本発明の場合、ピン５′
、およびピン６′が同軸構造であるため、ＬＤ励起時の
ピン５′からピン６′への漏話かほぼ無くなり、その結
果、ＡＰＣ方式として、広帯域なピーク値検出方式など
が可能となった。その結果、従来に比してより高精度の
ＡＰＣ動作が可能となった。
ここで、もしＬＤ出力のモニタが不要の場合、ピン６′
を除き、ＬＤ駆動用同軸ピン５′のみを設置すればよい
ことは勿論である。
を除き、ＬＤ駆動用同軸ピン５′のみを設置すればよい
ことは勿論である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明は、光半導体素子用パッケ
ージにおいて、ステム上に設置した光半導体素子と、該
光半導体素子を駆動させるための外部回路とを、互いに
電気的に結合するための、該ステムに設置された１本も
しくは複数本のピンにおいて、少なくとも該光半導体素
子を直接駆動させるための該ピンを、硬質の同軸線で構
成する構造となっているため、ＬＤやＬＥＤなどの光半
導体素子において、それらの飛躍的な高周波駆動を可能
とし、かつ、高い気密封止歩留りを可能とするなとの利
点がある。
ージにおいて、ステム上に設置した光半導体素子と、該
光半導体素子を駆動させるための外部回路とを、互いに
電気的に結合するための、該ステムに設置された１本も
しくは複数本のピンにおいて、少なくとも該光半導体素
子を直接駆動させるための該ピンを、硬質の同軸線で構
成する構造となっているため、ＬＤやＬＥＤなどの光半
導体素子において、それらの飛躍的な高周波駆動を可能
とし、かつ、高い気密封止歩留りを可能とするなとの利
点がある。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は従来
の光半導体素子用パッケージを示す斜視図である。 ］・・半導体レーザ、２・・・モニタフォトダイオード
、３・・ヒートシンク、４・・・ステム、５′・・・Ｌ
Ｄ駆動用同軸ピン、６′・・・ＰＤ駆動用同軸ピン、７
・・・接地用ピン、８・・ワイアホント、９・・キャッ
プ、１０′・・・金属はんだ。
の光半導体素子用パッケージを示す斜視図である。 ］・・半導体レーザ、２・・・モニタフォトダイオード
、３・・ヒートシンク、４・・・ステム、５′・・・Ｌ
Ｄ駆動用同軸ピン、６′・・・ＰＤ駆動用同軸ピン、７
・・・接地用ピン、８・・ワイアホント、９・・キャッ
プ、１０′・・・金属はんだ。
Claims (1)
- 上側に光半導体素子が設置されるステムと、該ステム上
に設置した光半導体素子と該光半導体素子を駆動させる
ための外部回路とを、互いに電気的に結合するための該
ステムに設置された１本もしくは複数本のピンとを有す
る光半導体素子用パッケージにおいて、少なくとも該光
半導体素子を直接駆動させるための該ピンを、硬質の同
軸線で構成することを特徴とする光半導体素子用パッケ
ージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041516A JP2709127B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 光半導体素子用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041516A JP2709127B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 光半導体素子用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222185A true JPH02222185A (ja) | 1990-09-04 |
| JP2709127B2 JP2709127B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=12610541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041516A Expired - Fee Related JP2709127B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 光半導体素子用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2709127B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003063309A3 (en) * | 2002-01-18 | 2004-05-13 | Oepic Inc | High-speed to-can optoelectronic packages |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| JP2005268362A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| WO2011092735A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| CN1525609B (zh) | 2002-11-26 | 2012-02-29 | 三星Led株式会社 | 用于光拾取器的激光二极管和保护方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219673A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Hitachi Ltd | 光電子装置 |
| JPS63244695A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1041516A patent/JP2709127B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219673A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Hitachi Ltd | 光電子装置 |
| JPS63244695A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| WO2003063309A3 (en) * | 2002-01-18 | 2004-05-13 | Oepic Inc | High-speed to-can optoelectronic packages |
| US6920161B2 (en) | 2002-01-18 | 2005-07-19 | Oepic Semiconductors, Inc. | High-speed TO-can optoelectronic packages |
| CN1525609B (zh) | 2002-11-26 | 2012-02-29 | 三星Led株式会社 | 用于光拾取器的激光二极管和保护方法 |
| JP2005268362A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
| WO2011092735A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2709127B2 (ja) | 1998-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |