JPH0222237A - 共役ポリエンインの製法 - Google Patents
共役ポリエンインの製法Info
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- JPH0222237A JPH0222237A JP63171839A JP17183988A JPH0222237A JP H0222237 A JPH0222237 A JP H0222237A JP 63171839 A JP63171839 A JP 63171839A JP 17183988 A JP17183988 A JP 17183988A JP H0222237 A JPH0222237 A JP H0222237A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕本発明は一般式
〔式中、R1,R1,R3は、アルキル基、アリール基
、又はアルケニル基、R4,R5,R6はアルキル基、
アリール基、アルケニル基、フッ素原子、臭素原子、又
は塩素原子であり、R1とR1およびR4とR8はそれ
ぞれ結合しているスズ又はケイ素原子を伴い一体となっ
て環を形成しうる。〕で表さ〔式中、R7、Ra、R9
,Rla、 R11,RIBは、アルキル基、アリー
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、ア
ルコキシカルボニル基、アルコキシ基、シアノ基、アシ
ル基、又は水素原子であり、R7とR1又はR1とR9
およびRlaとR”又はR”とR11は結合している炭
素原子を伴い一体となって環を形成しうる。〕で表され
る共役ポリエンインの製法に関する。
、又はアルケニル基、R4,R5,R6はアルキル基、
アリール基、アルケニル基、フッ素原子、臭素原子、又
は塩素原子であり、R1とR1およびR4とR8はそれ
ぞれ結合しているスズ又はケイ素原子を伴い一体となっ
て環を形成しうる。〕で表さ〔式中、R7、Ra、R9
,Rla、 R11,RIBは、アルキル基、アリー
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基、ア
ルコキシカルボニル基、アルコキシ基、シアノ基、アシ
ル基、又は水素原子であり、R7とR1又はR1とR9
およびRlaとR”又はR”とR11は結合している炭
素原子を伴い一体となって環を形成しうる。〕で表され
る共役ポリエンインの製法に関する。
更に詳しくは、本発明は、第8属金属およびフン化物イ
オン源存在下、一般式 %式% で表されるハロゲン化物、および一般式で表されるハロ
ゲン化合物(式中、R’lR”lR”IR”、R”l
R”は、前記と同様の意味を表す。
オン源存在下、一般式 %式% で表されるハロゲン化物、および一般式で表されるハロ
ゲン化合物(式中、R’lR”lR”IR”、R”l
R”は、前記と同様の意味を表す。
XIおよびx8は塩素、臭素又はヨウ素である。)とを
反応させることにより、前記一般式(1)で表される共
役ポリエンインを製造する方法である。
反応させることにより、前記一般式(1)で表される共
役ポリエンインを製造する方法である。
発明の方法によれば、殺虫活性を示す(2E。
6E)−1−アセトキシ−2,6−ゾカジエンー4−イ
ンCGazz、 Chis、 Ital、、 117.
481(1987)、)を始めとする生理活性な各種
ポリエンイン(Chew、 Ber、、 108.
739(1975)、)を種々合成できる。
ンCGazz、 Chis、 Ital、、 117.
481(1987)、)を始めとする生理活性な各種
ポリエンイン(Chew、 Ber、、 108.
739(1975)、)を種々合成できる。
従来、共役ポリエンイン類の合成法としては、■ 末端
エンインをパラジウム触媒、ヨウ化銅および塩基存在下
でハロオレフィンとクロスカップリングさせる方法CG
azz、 Chis、 Ital、、 1 i 7 。
エンインをパラジウム触媒、ヨウ化銅および塩基存在下
でハロオレフィンとクロスカップリングさせる方法CG
azz、 Chis、 Ital、、 1 i 7 。
■ パラジウム触媒存在下、トリメチルスタニルエチン
とハロオレフィンを反応させる方法(J、 As。
とハロオレフィンを反応させる方法(J、 As。
Chew、Sac、、109.2138 (1987)
)■ パラジウム触媒存在下、臭化アルキンとアルケニ
ルホウ素化合物を反応させる方法(Tetrahedr
on。
)■ パラジウム触媒存在下、臭化アルキンとアルケニ
ルホウ素化合物を反応させる方法(Tetrahedr
on。
37、 26 1 7 (1981)BTetrahe
dron、Lett。
dron、Lett。
■ コラ素存在下、アルケニルホウ素化合物とアルキニ
ルリチウム化合物を反応させる方法(Tetrahed
ron、 Lett、、 2土、 735(198
3))がある。
ルリチウム化合物を反応させる方法(Tetrahed
ron、 Lett、、 2土、 735(198
3))がある。
これらの方法のうち、■の方法では塩基性条件下で反応
を行うため、塩基に弱い基質を用いることができない上
、基質の共役エンインの合成が繁雑であるという欠点が
ある。■の方法では基質の1−トリメチルスタニル−3
−ブテン−1−イン誘導体の合成が多段階にわたり繁雑
であるという欠点がある。■の方法では、基質のハロア
ルキンが爆発性であるという欠点がある。■の方法では
アルキニルリチウム化合物が活性すぎて、反応の官能基
選択性が著しく悪く、カルボニル基等を有する基質には
保護が必要となり、低収率の原因となるという欠点があ
る。
を行うため、塩基に弱い基質を用いることができない上
、基質の共役エンインの合成が繁雑であるという欠点が
ある。■の方法では基質の1−トリメチルスタニル−3
−ブテン−1−イン誘導体の合成が多段階にわたり繁雑
であるという欠点がある。■の方法では、基質のハロア
ルキンが爆発性であるという欠点がある。■の方法では
アルキニルリチウム化合物が活性すぎて、反応の官能基
選択性が著しく悪く、カルボニル基等を有する基質には
保護が必要となり、低収率の原因となるという欠点があ
る。
一方遷移金属触媒を用いる有機ハロゲン化物とエチニル
スズあるいはエチニルケイ素とのカップリング反応〔そ
れぞれ5tillら、J、 A−、ChetSoc。
スズあるいはエチニルケイ素とのカップリング反応〔そ
れぞれ5tillら、J、 A−、ChetSoc。
109、 2138 (1987) 、 Ha
tanakaら、 J。
tanakaら、 J。
Org、Chew、、 53. 918 (1988
))によれば共役エンイン化合物を製造できる。この反
応をくり返し利用すれば共役ポリエンイン化合物を合成
することが可能であるが、工程が多(なり、操作が煩雑
なうえ、高価な触媒を各工程に使用しなければならない
欠点を有する。
))によれば共役エンイン化合物を製造できる。この反
応をくり返し利用すれば共役ポリエンイン化合物を合成
することが可能であるが、工程が多(なり、操作が煩雑
なうえ、高価な触媒を各工程に使用しなければならない
欠点を有する。
本発明者らは、合成が容易でありかつ工業的に入手容易
であるハロゲン化物およびハロゲン化合物を用い、官能
基選択的立体特異的な共役ポリエンインの簡便な合成法
について検討した結果、フン化物イオン源、第8族金属
触媒存在下、穏和な条件下でカルボニル基等の保護の必
要なく、立体特異的に、しかもスタニ゛ルシリルエチン
、ハロゲン化物およびハロゲン化合物のモル比をほぼ1
1:1で使用するだけで効率よく、わずかに−工程で3
成分カップリング反応が進行し、目的とする前記一般式
(1)で表されるポリエンインを合成できる方法を見出
し、本発明を完成した。
であるハロゲン化物およびハロゲン化合物を用い、官能
基選択的立体特異的な共役ポリエンインの簡便な合成法
について検討した結果、フン化物イオン源、第8族金属
触媒存在下、穏和な条件下でカルボニル基等の保護の必
要なく、立体特異的に、しかもスタニ゛ルシリルエチン
、ハロゲン化物およびハロゲン化合物のモル比をほぼ1
1:1で使用するだけで効率よく、わずかに−工程で3
成分カップリング反応が進行し、目的とする前記一般式
(1)で表されるポリエンインを合成できる方法を見出
し、本発明を完成した。
本発明の原料である前記一般式CI+)で表されるスタ
ニルシリルエチンは、相当するスタニルアミドとシリル
エチンとを反応させることにより容易に得られる(J、
^m、 Chew、 Soc、+ 109 +2138
(1987))、もちいることができるスタニルシリ
ルエチンとしては、トリメチルスタニルトリメチルシリ
ルエチン、ジメチルブチルスタニルトリメチルシリルエ
チン、トリプチルスタニルトリブチルシリルエチン、ト
リプチルスタニルトリフェニルシリルエチン、シクロヘ
キセニルジメチルスタニルトリメチルシリルエチン、ト
リプチルスタニルトリフェニルシリルエチン、トリブチ
ルスタニルジビニルメチルシリルエチン、トリプチルス
タニルジメチルフルオロシリルエチン、トリブチルスタ
ニルジメチルクロロシリルエチン、トリブチルスタニル
メチルジフルオロシリルエチン、トリプチルスタニルメ
チルジクロロシリルエチン等を使用することができる。
ニルシリルエチンは、相当するスタニルアミドとシリル
エチンとを反応させることにより容易に得られる(J、
^m、 Chew、 Soc、+ 109 +2138
(1987))、もちいることができるスタニルシリ
ルエチンとしては、トリメチルスタニルトリメチルシリ
ルエチン、ジメチルブチルスタニルトリメチルシリルエ
チン、トリプチルスタニルトリブチルシリルエチン、ト
リプチルスタニルトリフェニルシリルエチン、シクロヘ
キセニルジメチルスタニルトリメチルシリルエチン、ト
リプチルスタニルトリフェニルシリルエチン、トリブチ
ルスタニルジビニルメチルシリルエチン、トリプチルス
タニルジメチルフルオロシリルエチン、トリブチルスタ
ニルジメチルクロロシリルエチン、トリブチルスタニル
メチルジフルオロシリルエチン、トリプチルスタニルメ
チルジクロロシリルエチン等を使用することができる。
他方の原料である前記一般式(Ill)、(mV)で表
されるハロゲン化物およびハロゲン化合物は工業的に入
手容易な化合物であり、例えば1−ヨード−1−オクチ
ン、l−ブロモ−1−ヘキセン、(E)−1−ヨード−
3−(2−フェニルエチル)−1,3−フ゛タジエン、
2−ヨードピリジン、3−ヨードピリジン、2−ヨード
キノリン、3−ヨードキノリン、2−ヨードチオフェン
、3−ヨードチオフェン、(E)−β−ヨードアクリル
酸メチル、2−シアノヨウ化ビニル、ヨードベンゼン、
ブロモベンゼン、p−クロロヨードベンゼン、p−ロー
ドアセトフェノン、p−ニトロヨードベンゼン、α−ヨ
ードナフタレン、β−ヨードナフタレン等を用いること
ができる。
されるハロゲン化物およびハロゲン化合物は工業的に入
手容易な化合物であり、例えば1−ヨード−1−オクチ
ン、l−ブロモ−1−ヘキセン、(E)−1−ヨード−
3−(2−フェニルエチル)−1,3−フ゛タジエン、
2−ヨードピリジン、3−ヨードピリジン、2−ヨード
キノリン、3−ヨードキノリン、2−ヨードチオフェン
、3−ヨードチオフェン、(E)−β−ヨードアクリル
酸メチル、2−シアノヨウ化ビニル、ヨードベンゼン、
ブロモベンゼン、p−クロロヨードベンゼン、p−ロー
ドアセトフェノン、p−ニトロヨードベンゼン、α−ヨ
ードナフタレン、β−ヨードナフタレン等を用いること
ができる。
本発明はフン化物イオン源存在下に行うことが必須の条
件である。フッ化物イオン源としては、トリス(ジエチ
ルアミノ)スルホニウムジフルオロトリメチルシリカー
ト(TASF)、)リス(ジメチルアミノ)スルホニウ
ムジフルオロトリメチルシリカート、トリス(ジメチル
アミノ)スルホニウムビフルオリド、テトラブチルアン
モニウムフルオリド、ペンジルトリエチルアンモニウム
フルオリド等のフッ化オニウム塩、フン化セシウム、フ
ン化カリウム、フン化リチウム等の金属フン化物を使用
できる。使用量は一般式(n)で表されるスタニルシリ
ルエチンに対し、触媒量、ないし、大過剰量の範囲で使
用できるが、反応の効率の点から0.9−1.2当量で
反応させることが望ましい、使用する第8族金属触媒と
しては、パラジウムテトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)、η3−アリル塩化パラジウム2量体、パラジウム
ベンザルアセトン錯体、パラジウムベンザルアセトンク
ロロホルム錯体等のpd (0)1体、塩化パラジウム
ビス(アセトニトリル)、塩化パラジウムビス(トリフ
ェニルホスフィン)、ヨウ化フェニルパラジウムビス(
トリフェニルホスフィン)、塩化ベンジルパラジウムビ
ス(トリフェニルホスフィン)等のPd(II)11体
、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケルなど
のN1(0)、塩化ニッケルビス(トリフェニルホスフ
ィン)などのNl (II)錯体および、テトラキス
(トリフェニルホスフィン)白金などのPL(0)11
体を用いることができる。使用量はいわゆる触媒量用い
ればよい。
件である。フッ化物イオン源としては、トリス(ジエチ
ルアミノ)スルホニウムジフルオロトリメチルシリカー
ト(TASF)、)リス(ジメチルアミノ)スルホニウ
ムジフルオロトリメチルシリカート、トリス(ジメチル
アミノ)スルホニウムビフルオリド、テトラブチルアン
モニウムフルオリド、ペンジルトリエチルアンモニウム
フルオリド等のフッ化オニウム塩、フン化セシウム、フ
ン化カリウム、フン化リチウム等の金属フン化物を使用
できる。使用量は一般式(n)で表されるスタニルシリ
ルエチンに対し、触媒量、ないし、大過剰量の範囲で使
用できるが、反応の効率の点から0.9−1.2当量で
反応させることが望ましい、使用する第8族金属触媒と
しては、パラジウムテトラキス(トリフェニルホスフィ
ン)、η3−アリル塩化パラジウム2量体、パラジウム
ベンザルアセトン錯体、パラジウムベンザルアセトンク
ロロホルム錯体等のpd (0)1体、塩化パラジウム
ビス(アセトニトリル)、塩化パラジウムビス(トリフ
ェニルホスフィン)、ヨウ化フェニルパラジウムビス(
トリフェニルホスフィン)、塩化ベンジルパラジウムビ
ス(トリフェニルホスフィン)等のPd(II)11体
、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケルなど
のN1(0)、塩化ニッケルビス(トリフェニルホスフ
ィン)などのNl (II)錯体および、テトラキス
(トリフェニルホスフィン)白金などのPL(0)11
体を用いることができる。使用量はいわゆる触媒量用い
ればよい。
本発明は溶媒中で行うことが望ましく、特に、非プロト
ン性極性溶媒中で行うことが、反応効率の観点から好ま
しい0例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、N−メチルピロリドン、1.3−ジメチルペル
ヒドロピリミジン−2−オン、ヘキサメチルリン酸トリ
アミド(HMPA) 、テトラヒドロフラン、アセトニ
トリル等を単独若しくは混合して、あるいはこれらと低
極性溶媒と混合して使用することができる。
ン性極性溶媒中で行うことが、反応効率の観点から好ま
しい0例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、N−メチルピロリドン、1.3−ジメチルペル
ヒドロピリミジン−2−オン、ヘキサメチルリン酸トリ
アミド(HMPA) 、テトラヒドロフラン、アセトニ
トリル等を単独若しくは混合して、あるいはこれらと低
極性溶媒と混合して使用することができる。
反応は、−100℃〜100℃の範囲で行うことができ
るが、操作上−80℃から80℃の範囲での反応が望ま
しい。
るが、操作上−80℃から80℃の範囲での反応が望ま
しい。
この発明によれば、従来多段階を要していた共役ポリエ
ンイン化合物の合成を、−工程で、かつ簡便な操作によ
り、達成することができる。しかもアセチレンの両側に
異なる(ポリ)エニル基を立体特異的に、かつ官能基選
択的に結合させることができる0反応は中性条件下で進
行する。かくして不安定ポリエンイン化合物でも効率的
に合成することができる。
ンイン化合物の合成を、−工程で、かつ簡便な操作によ
り、達成することができる。しかもアセチレンの両側に
異なる(ポリ)エニル基を立体特異的に、かつ官能基選
択的に結合させることができる0反応は中性条件下で進
行する。かくして不安定ポリエンイン化合物でも効率的
に合成することができる。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1
■
■−(トリメチルスタニル)−2−(トリメチルシリル
)エチン52g (0,2mmo I) 、1−ヨード
シクロヘキセン42* (0,2mmo l)およびテ
トラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム11*
(0,01mmo i)のTHFI液(1,5m1)
をアルゴン雰囲気下、50℃で3−0分間、撹拌した。
)エチン52g (0,2mmo I) 、1−ヨード
シクロヘキセン42* (0,2mmo l)およびテ
トラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム11*
(0,01mmo i)のTHFI液(1,5m1)
をアルゴン雰囲気下、50℃で3−0分間、撹拌した。
−78℃に冷却し、(E)−1−ヨードオクテン33帽
(0,2mmo l)を加え、トリス(ジエチルアミノ
)スルホニウムジフルオロトリメチルシリカートのTH
F溶液(0,62M)、0.48m1 (0,30m
mol)を滴下し、室温下、20分攪拌の後、50℃で
2時間反応させた。fIIi圧下、溶媒を留去し得られ
た粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製し、1−(1−シクロへキセニル)−3−デセン−1
−イン31wを得た。収率72%。
(0,2mmo l)を加え、トリス(ジエチルアミノ
)スルホニウムジフルオロトリメチルシリカートのTH
F溶液(0,62M)、0.48m1 (0,30m
mol)を滴下し、室温下、20分攪拌の後、50℃で
2時間反応させた。fIIi圧下、溶媒を留去し得られ
た粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製し、1−(1−シクロへキセニル)−3−デセン−1
−イン31wを得た。収率72%。
’HNMR(CDCl s) :δ0.60−0.90
(m、3H)、1.0〜1.31 (m、8H)。
(m、3H)、1.0〜1.31 (m、8H)。
1.28〜1.78 (m、48)、1.80−2.1
2(m、4H)、5.46 (d、J−17Hz。
2(m、4H)、5.46 (d、J−17Hz。
I H)、5.80〜6.25 (m、2H)、。
IR(neat)3040.2180.1450゜14
35.950,915,840゜ 800cm−’ MS (70s v) m/z (相対強度):216
(M”、100)、145 (72)、117(73)
、91 (86)、41 (43)。
35.950,915,840゜ 800cm−’ MS (70s v) m/z (相対強度):216
(M”、100)、145 (72)、117(73)
、91 (86)、41 (43)。
\ /−一′
実施例2
■
1−(トリメチルスタニル)−2−()リメチルシリル
)エチン65g (0,25mmo l)。
)エチン65g (0,25mmo l)。
(E)−1−ヨードオクテン33■(0,20mmol
)およびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウム11w (0,01mmo +)のTHF溶液(1
,5m1)をアルゴン雰囲気下、50℃で25分攪拌し
た。−58℃に冷却し、2−ヨード−1−オクテン46
w (0,22mmo l)を加え、トリス(ジエチル
アミノ)スルホニウムジフルオロトリメチルシリカート
のTHF溶液(0,62M)を0.48m l (0,
30mmo 1)を滴下し、室温下20分攪拌した後、
50℃で2.2h反応させた。
)およびテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウム11w (0,01mmo +)のTHF溶液(1
,5m1)をアルゴン雰囲気下、50℃で25分攪拌し
た。−58℃に冷却し、2−ヨード−1−オクテン46
w (0,22mmo l)を加え、トリス(ジエチル
アミノ)スルホニウムジフルオロトリメチルシリカート
のTHF溶液(0,62M)を0.48m l (0,
30mmo 1)を滴下し、室温下20分攪拌した後、
50℃で2.2h反応させた。
溶媒を減圧留去した後、得られた粗生成物をカラムクロ
マトグラフィー(ヘキサン)により精製し、2−ブチル
−(5E)−1,5−ドデカジエン−3−イン33■を
得た。収率76%。
マトグラフィー(ヘキサン)により精製し、2−ブチル
−(5E)−1,5−ドデカジエン−3−イン33■を
得た。収率76%。
’HNMR(CDC1s) :60.75〜1.13(
rn、 6H)、1.10〜1.73 (m、 1
2H)。
rn、 6H)、1.10〜1.73 (m、 1
2H)。
1.93〜2.32 (m、4H)、5.18 (t。
J−1,5Hz、IH)、5.27 (d、J−1,5
H!、 IH) 、 5.57 (d、 J−16H
z、 IH) 、 6.15 (d、 t、 J”1
6Hz、IH)。
H!、 IH) 、 5.57 (d、 J−16H
z、 IH) 、 6.15 (d、 t、 J”1
6Hz、IH)。
[R(neat)、3100.2950゜1610.1
460.1380.1300゜960.890,730
am−’ MS(70ev)m/z:218 (M”、9)。
460.1380.1300゜960.890,730
am−’ MS(70ev)m/z:218 (M”、9)。
176 (44)、106 (25)、105(36)
、72 (100)、91 (41)。
、72 (100)、91 (41)。
実施例3
1−(トリメチルスタニル)−2−(1−リメチルシリ
ル)エチン65w (0,25mmo l)。
ル)エチン65w (0,25mmo l)。
(E)−1−ヨード−3−アセトキシ−1−プロペン4
5w (0,20mmo +)およびテトラキス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウムIlsg(0,Olm
mol)のTHF溶媒(1,5m l )をアルゴン雰
囲気下、50℃で20分攪拌した。
5w (0,20mmo +)およびテトラキス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウムIlsg(0,Olm
mol)のTHF溶媒(1,5m l )をアルゴン雰
囲気下、50℃で20分攪拌した。
=78℃に冷却し、(E)−1−ヨードペンテン、45
N (0,20mmo l)を加え、トリス(ジエチル
アミノ)スルホニウムジフルオロトリメチルシリカート
のTHF溶液(0,62M)を0.48rnl(0,3
0mmol)滴下し、室温下、20分攪拌の後、50℃
で2時間反応させた。減圧下、溶媒を留去し、得られた
粗精製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
し、(2E、6E)−1−アセトキシ−2−6−ゾカジ
エンー4−イン20■を得た。収率54%。
N (0,20mmo l)を加え、トリス(ジエチル
アミノ)スルホニウムジフルオロトリメチルシリカート
のTHF溶液(0,62M)を0.48rnl(0,3
0mmol)滴下し、室温下、20分攪拌の後、50℃
で2時間反応させた。減圧下、溶媒を留去し、得られた
粗精製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
し、(2E、6E)−1−アセトキシ−2−6−ゾカジ
エンー4−イン20■を得た。収率54%。
’H−NMR(CDCIコ):δ0.82 (t、J譚
7Hz、3H)、1.05〜1.60 (m。
7Hz、3H)、1.05〜1.60 (m。
2H)、1.85〜2.15 (m、2H)。
2.02 (s、3H)、4.52 (d、J=6Hz
、2H)、5.23〜6.23 (m。
、2H)、5.23〜6.23 (m。
4H)。
[R(neat)2950.1740.1380゜13
6G、1230.10?5.1025゜955cm−’ 実 施 例 精製し、2−ブチル−(5E)−1,5−ドデカジエン
−3−インを収率50%で得た。
6G、1230.10?5.1025゜955cm−’ 実 施 例 精製し、2−ブチル−(5E)−1,5−ドデカジエン
−3−インを収率50%で得た。
’HNMRスペクトルおよびガスクロマトグラフの保持
時間は実施例2で得たものと一致した。
時間は実施例2で得たものと一致した。
Claims (1)
- (1)第8族金属触媒およびフッ化物イオンの存在下、
一般式 R^1R^2R^3Sn−≡−SiR^4R^5R^6
で表されるスタニルシリルエチンと一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表されるハロゲン化物と一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表されるハロゲン化合物とを反応させることからなる
一般式 で表される共役ポリエンインの製法〔式中、R^1、R
^2、R^3は、アルキル基、アリール基、又はアルケ
ニル基、R^4、R^5、R^6はアルキル基、アリー
ル基、アルケニル基、フッ素原子、臭素原子、又は塩素
原子であり、R^1とR^2およびR^4とR^5は、
それぞれ結合しているスズ又はケイ素原子を伴い一体と
なって環を生成しうる。 R^7、R^8、R^9、R^1^0、R^1^1、R
^1^2は、アルキル基、アリール基、アルケニル基、
アルキニル基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基
、アルコキシ基、シアノ基、アシル基、又は水素原子で
あり、R^7とR^8又はR^7とR^9およびR^1
^0とR^1^2又はR^1^1とR^1^2は結合し
ている炭素原子を伴い一体となって環を形成しうる。X
^1、X^2は、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子
である。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171839A JPH0222237A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 共役ポリエンインの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171839A JPH0222237A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 共役ポリエンインの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222237A true JPH0222237A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15930714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63171839A Pending JPH0222237A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 共役ポリエンインの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222237A (ja) |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63171839A patent/JPH0222237A/ja active Pending
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