JPH02222909A - 導波形光デバイスの製造方法 - Google Patents

導波形光デバイスの製造方法

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JPH02222909A
JPH02222909A JP11723189A JP11723189A JPH02222909A JP H02222909 A JPH02222909 A JP H02222909A JP 11723189 A JP11723189 A JP 11723189A JP 11723189 A JP11723189 A JP 11723189A JP H02222909 A JPH02222909 A JP H02222909A
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JP
Japan
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raw material
waveguide
fine particle
refractive index
optical waveguide
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Application number
JP11723189A
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Shiro Nakamura
史朗 中村
Hisaharu Yanagawa
柳川 久治
Hidehisa Miyazawa
宮澤 秀久
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は導波形光デバイスの製造方法に関し、更に詳し
くは、光集積回路に組込まれ、チャネル光導波路や各種
の受動素子を備えている導波形光デバイスを、簡単かつ
短い工程数で製造する方法に関する。
(従来の技術) 光集積回路に組込まれる導波形光デバイスには、Si基
板のような半導体基板の上に所定パターンのチャネル光
導波路と各種の導波形受動素子が形成されている。
例えば、従来のチャネル光導波路は、所定基板の全面に
クラッド層、コア層をこの順序で積層形成したのち、こ
のコア層にフォトリソグラフィー技術を適用して製造さ
れているのが通例である。
これをリッジ形のチャネル光導波路に関して説明すると
、まず、基板の表面に所望屈折率のクラッド層を形成し
、ついでこの上にクラッド層の屈折率より高い屈折率を
存する素材のコア層を形成する。
次に、このコア層の全面にレジスト材を塗布したのち、
ここに、所望のチャネル光導波路パターンがくり抜かれ
ているマスクを載置し、露光・現像処理を施す。
ついで、マスクを取り除いたのち、現像されていないレ
ジスト材の部分をエツチングする。その後、除去された
レジスト材の部分の下から露出したコア層の部分をエツ
チング除去し、最後に、現像されたレジスト材の部分(
チャネル光導波路パターンと同じパターン)を除去する
。かくしてクラッド層の上には所望パターンのチャネル
光導波路が形成される。
また、導波形受動素子の作成例をグレーディングについ
て説明する。
まず、グレーディングには、第19図(a)、第19図
Φ)、第19図(C)にその断面を示したような屈折率
変調形と、第20図(a)、第20図(b)、第20図
(C)に例示したようなレリーフ形とがある。
屈折率変調形のグレーディングの場合は、2基板11の
上に形成される光導波路12の中に、他の部分とは屈折
率の異なる部分t2aが周期的に形成されている。そし
て、レリーフ形のグレーディングの場合は、基板11の
上に光導波路12が形成され、更にこの光導波路12の
上に光導波路12よりも大きい屈折率の素材で凸状のレ
リーフ13が周期的に形成されている(第20図(a)
、第20図Q))の場合)、また、第20図(C)のよ
うに、光導波路12の上に、直接、凸状レリーフ13が
周期的に形成されているタイプのものもある。
従来、これらグレーディングのうちの屈折率変調形を作
成する場合には、基板11上に形成した光導波路12に
レーザビームの2光束干渉直接露光や電子ビーム直接露
光の方法により、これらビームに感度を有する光導波路
12の媒質内に屈折率変調を周期的に記録させている。
しかし、光導波路12の媒質が上記ビームに感度を存し
ない素材の場合には上記方法は適用できないので、その
ときは、前述したフォトリソグラフィー技術によりグレ
ーディングを周期的にバターニングして形成し、その後
、そこへイオン交換や熱拡散を適用して、その部分の屈
折率変調を実現している。
また、レリーフ形のグレーディングの場合は、フォトリ
ソグラフィー技術によるグレーディングの周期的なバタ
ーニング形成とレリーフ素材の薄膜堆積またはエツチン
グの組合わせを行なって形成されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記した従来のチャネル光導波路の製造
方法の場合、そのチャネル光導波路の完成までに要する
工程数は非常に多く、しかも複雑であるため、その生産
性は低くなるという問題がある。
また、エツチングによってチャネル光導波路の形成が進
められるため、形成されるチャネル光導波路の側面部分
はエツチングにより侵蝕されて粗面状態になりやすく、
その結果、形成されたチャネル光導波路の伝送損失が増
大するという問題も発生する。
また、グレーディングを例として説明した導波形光動素
子の場合には、これら導波形光動素子が、光導波路のう
ち、その回路パターンの上に形成されることからして、
予め光導波路の形成、そこへの回路パターンの形成とい
う工程が必要になる。
そのため、この場合も工程数の増加を招く。とくに、フ
ォトリソグラフィー技術を適用する導波形光動素子の形
成の場合には、前述したように、フォトリソグラフィー
技術自体が多くの工程を必要とするため、その生産性が
極めて低くなる。
本発明は、導波形光デバイスの製造時における上記した
ような問題を解決し、伝送損失が低下したチャネル先導
路や導波形光動素子を、少ない工程数で簡単に製造する
ことができる方法、とくに導波形光動素子の製造におい
ては、光導波路の作成と同時に導波形光動素子を形成す
ることができる方法の提供を目的とする。
(!I題を解決するための手段) 上記した目的を達成するために、本発明においては、所
望屈折率を有する素材Aの原料Aを、所定口径の噴出治
具から基板表面に噴出して堆積せしめることにより微粒
子層を形成する工程(以下、第1工程という);形成さ
れた微粒子層の表面または形成過程にある微粒子層の層
内所定個所に、前記噴出治具から所望屈折率を有する素
材Bの原料Bを噴出して堆積せしめることにより目的素
子の前駆体を形成する工程(以下、第2工程という):
ならびに、前記原料Aおよび原料Bを前記素材Aおよび
素材Bにそれぞれ変化せしめる処理を施して、前記微粒
子層および前記前駆体をそれぞれ光導波路および目的素
子に変化せしめる工程(以下、第3工程という);を備
えていることを特徴とする導波形光デバイスの製造方法
が提供される。
本発明方法においては、上記した第1工程と第2工程は
、同一の噴出治具を用いて行なう連続工程としである。
また、上記した目的素子とは、チャネル光導波路や、グ
レーディング、レンズ、プリズムのような各秤の導波形
光動素子をいう、したがって、本発明でいう導波形光デ
バイスは、上記したチャネル光導波路や導波形光動素子
が一体に形成されている光回路部品をいう。
本発明における素材Aおよび素材Bは所望の屈折率を有
する材料であり、具体的に、石英を主成分とするガラス
であることが好ましい、これらの素材A、Bは、後述す
る原料Aおよび原料Bにそれぞれ所定の処理、例えば、
好ましくは高温による加熱処理を施すことによって形成
することができる。
原料A、Bは、その組成を格別限定するものではないが
、例えば、ガラスの微粒子であることが好ましい、と(
に、5iej!gやTICj!gのような金属塩化物を
08やHtの火炎を用いて酸化物にする火炎加水分解反
応によって得られたガラス微粒子であることが好適であ
る。
また、原料Aまたは原料Bt−噴出する噴出治具は、例
えば形成する目的素子がチャネル光導波路の場合はその
チャネルの°路幅と略等しい口径を有するマイクロトー
チであることが好ましく、形成する目的素子が導波形光
動素子の場合は、その素子の形状牽造形するに必要な程
度の口径を有するマイクロトーチであることが好ましい
本発明の第1工程においては、基板の表面に原料Aを堆
積して微粒子層が形成される。この場合、基板を固定し
その表面に前記した噴出治具をスキャンニングさせたり
、またはその逆に、噴出治具を固定して基板を移動させ
たりするような、基板と噴出治具を相対運動させること
により微粒子層の形成が進められる。
第2工程は第1工程で形成された微粒子層に目的素子の
前駆体を形成する工程である。
この場合、素材Aの原料Aの微粒子層の表面に、この素
材Aの屈折率よりも高い屈折率になる素材Bの原料Bを
噴出させながら、形成すべきのチャネル光導波路のパタ
ーンに沿って噴出治具をスヰヤンニングすることにより
、チャネル光導波路パターンの前駆体が形成される。ま
た、目的とする導波形受動素子が造形されるように、原
料Bを噴出させることにより、原料Aの微粒子層には導
波形受動素子の前駆体が形成される。
第3工程においては、第1工程および第2工程を経由し
て形成された微粒子層と目的素子の前駆体に所定の処理
が施されることにより、微粒子層(原料A)が素材Aに
、前駆体(原料B)が素材Bに転化される。
例えば、原料A、Bとして前記したよ・)なガラス微粒
子を用い、処理として加熱処理を適用すると、素材A、
Bはいずれもガラスとなるが、そのときに、素材Bの一
部はその下に位置する素材Aに拡散し、結果的には、素
材Bの一部が素材Aの表面に位置し他の部分は素材B内
に位置するチャネル光導波や導波形受動素子が形成され
る。
(発明の実施例) 以下に、添付図面に基づいて本発明方法を更に詳細に説
明する。
実施例1 第1図〜第3図は、リッジ形のチャネル光導波路を形成
する方法を例示する工程図である1図において、基板1
の全表面には所定屈折率のクランドカラス(素材A)に
なる原料Aをマイクロトーチ3から噴出せしめて所定厚
みの微粒子N2が形成される。
この微粒子層2に対し、マイクロトーチ3を所望のチャ
ネル光導波路のパターンにしたがって動かしながら、マ
イクロトーチ3から火炎加水分解反応で得られたコアガ
ラス微粒子(素材Aよりも高屈折率の素材Bになる原料
B)を噴出させ、原料Bのパターン4を形成する(第1
図、第2図)。
ついで、これを高温下で加熱する。この処理により、第
3図に示したように、原料への微粒子層2と原料Bのパ
ターン4はいずれもそれぞれガラス層2°、ガラス層の
パターン4“に変化し、がっ、ガラス層のパターン4”
の一部はガラス層(クラッドN)2°に拡散する。かく
して、クランド層2 の上に所望パターンのりクジ形チ
ャネル光導波路が形成される。
実施例2 第4図〜第6図は、本発明方法で埋込み形チャネル光導
波路を形成する場合を例示する工程図である。
図においては、まず所定の基板1が用意される。
そして、マイクロトーチ3からはS i C1aの火炎
加水分解反応で得られるクランドガラス微粒子(原料A
)が、基板1の表面に噴出される。このとき、表面には
所望のチャネル光導波路のパターンと同じパターンの凹
溝パターン5が形成されるようにマイクロトーチ3を走
査して原料Aの微粒子層2が形成される(第4図)。
ついで、マイクロトーチ3からの噴出ガラス微粒子をコ
アガラス微粒子(原料B)の組成に変えて噴出させなが
ら、マイクロトーチ3を凹溝パターン5に沿って動かし
、該凹溝パターン5内にコアガラス微粒子を充填して原
料Bの層パターン4を形成する(第5図)。
その後、マイクロトーチ3からの噴出原料を再びクラン
ドガラス微粒子(原料A)に変えて噴出させながら、マ
イクロトーチ3を全面に亘って動かして微粒子層6を形
成する(第6図)。
最後に、全体を加熱することにより、微粒子層2.6は
それぞれガラス化してクラッド層に変化し、また原料B
の層パターン4はコアパターンに変化する。かくして、
埋込み形のチャネル光導波路を有する導波形光デバイス
が得られる。
実施例3 第7図〜第10図は他の埋込み形チャネル光導波路を形
成する場合の工程図である。
図において、まず基板1が用意され、この基板1の表面
には、前述したマイクロトーチを動かしてクラッドガラ
ス微粒子(原料A)を堆積せしめて微粒子層を形成し、
引きつづき、その半分の表面に、形成すべきチャネル光
導波路の厚みに相当する量だけコアガラス微粒子(原料
B)を堆積して、段差部2bを有する第1の微粒子層2
aを形成する(第゛1図)。
ついで、マイクロトーチからは第1微粒子層2aの段差
部2bにコアガラス微粒子(原料B)を噴出せしめて、
原料Bによる所望の層パターン4を形成する(第8図)
、その後、再び、マイクロトーチからはクラッドガラス
微粒子(原料A)を噴出しながら、第1微粒子F12a
の残り部分の表面をスキャンニングさせて、全体をフラ
ットな平面とする(第9図)。
ついで、同じくマイクロトーチからはクラッドガラス微
粒子(原料A)を噴出させながら、第9図に示した表面
の上に第2微粒子[2cを形成する(第10図)、最後
に、全体に前述したような熱処理を施すことにより、原
料Bの層パターン4゜微粒子層2a、2cはいずれもガ
ラス化し、ここに埋込み形のチャネル光導波路が形成さ
れる。
実施例4 第11図および第12図はレリーフ形のグレーディング
の製造例を示す工程図である。
第11図において、基板1の表面には、マイクロトーチ
3により微粒子N2が形成される。このとき、実施例1
〜実施例3で示した方法により、微粒子層の層内には、
所望のパターンのチャネル光導波路(図示しない)を形
成しておく。
ついで、マイクロトーチ3からの噴出原料を変えて、レ
リーフ形のグレーディング用の原料を所定の形状となる
ようにチャネル光導波路の上に堆積せしめて、微粒子層
2の上にレリーフ前駆体7を形成する(第11図)。
この操作を周期的に反復して、所望個数のレリーフ前駆
体の群を微粒子層2の上に形成する。
そして最後に、全体を加熱して、微粒子層2(その中に
含まれているクラッド層、コア層)とレリーフ形前駆体
7をガラス化する。
かくして、レリーフ形のグレーディングを有する導波形
光デバイスが得られる。
実施例5 第13図〜第16図は、屈折率変調形のグレーディング
の製造例を示す工程図である。
まず、第13図において、マイクロトーチ3を基板lの
表面にスキャンニングさせて、原料Aによる所定厚みの
微粒子層8aを形成する。この微粒子層8aには、実施
例1〜実施例3の方法により所望パターンのチャネル光
導波路(図示しない)が形成されている。ついで、この
微粒子層8aの上に、再び原料Aを形成すべきグレーデ
ィングと同じ厚みとなるように噴出せしめてそれを途中
まで堆積せしめる(第13図)。
つづいて、マイクロト−千3からの噴出原料をグレーデ
ィング用の原料Bに変換し、それを所定の形状となるよ
うに堆積せしめてグレーディングの前駆体9を形成する
(第14図)。再び噴出原料を微粒子NBa用の原料A
に変換してスキャニングを続ける(第15図)。
このような操作を反復して、微粒子層8の中に、周期的
に並列する所望個数のグレーディングの前駆体9が形成
される(第16図)。
最後に、全体を加熱することにより、微粒子層8、グレ
ーディング前駆体9を一括してガラス化する。か(して
、屈折率変調形のグレーディングを有する導波形光デバ
イスが得られる。
実施例6 第17図および第18図は、導波形光動素子として2次
元的凸レンズを製造する場合の工程図である。
この場合も、実施例5と同様にして基板1の上に微粒子
層8aを形成し、その上に、マイクロトーチ3のスキャ
ンニング態様を変化させて、レンズ形状の高屈折領域1
0を形成する。そして、全体を加熱してガラス化し、ガ
ラス層(クラッド層)8の中に凸レンズが埋込まれた導
波形光デバイスが得られる。
(発明の効果) 以上の説明で明らかなように、本発明方法によれば、噴
出治具から噴出せしめる原料の組成を変化させ、また噴
出治具の走査態様を変化させるだけでチャネル光導波路
や各種の導波形光動素子を形成することができる。した
がって、光導波路の作成と、チャネル光導波路や導波形
光動素子を連続した工程で作成することが可能となり、
従来の場合に比べ、その工程数は著しく減少するのでそ
の工業的価値は極めて大である。
4゜ また、チャネル光導波路の作成においては、エンチャン
トは使用しないので、形成されるチャネル光導波路の表
面粗面化は抑制され、その結果、伝送損失が低下したチ
ャネル光導波路を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は、リッジ形のチャネル光導波路を形成
する実施例方法を例示する工程図、第4図−・・第6図
は埋込み形のチャネル光導波路を形成する実施例方法を
例示する工程図、第7図〜第10図は埋込み形のチャネ
ル光導波路を形成する他の実施例方法を例示する工程図
、第11図と第12図はレリーフ形のグレーディングを
形成する実施例方法を例示する工程図、第13図〜第1
6図は屈折率変調形のグレーディングを形成する実施例
方法を例示する工程図、第17図と第18図は2次元的
凸レンズを形成する実施方法を例示する工程図、第19
図は屈折率変調形のグレーディングを示す概略図、第2
0図はレリーフ形のグレーディングを示す概略図である
。 1・・・基板、2,6.8・・・微粒子層、3・・・マ
イクロトーチ、4・・・チャネル光導波路の前駆体、5
・・・凹溝パターン、7・・・レリーフ形グレーディン
グの前駆体、9・・・屈折率変調形グレーディングの前
駆体、10・・・導波形凸レンズの前駆体。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)所望屈折率を有する素材Aの原料Aを、所定口径
    の噴出治具から基板表面に噴出して堆積せしめることに
    より微粒子層を形成する工程;形成された微粒子層の表
    面または形成過程にある微粒子層の層内所定個所に、前
    記噴出治具から所望屈折率を有する素材Bの原料Bを噴
    出して堆積せしめることにより目的素子の前駆体を形成
    する工程;ならびに、前記原料Aおよび原料Bを前記素
    材Aおよび素材Bにそれぞれ変化せしめる処理を施して
    、前記微粒子層および前記前駆体をそれぞれ光導波路お
    よび目的素子に変化せしめることを特徴とする導波形光
    デバイスの製造方法。
  2. (2)前記素材Aおよび素材Bが主として石英から成る
    ガラスであり、前記原料Aおよび原料Bが火炎加水分解
    反応で得られるガラス微粒子であり、また前記処理が熱
    処理である請求項1記載の導波形光デバイスの製造方法
  3. (3)前記目的素子がチャネル光導波路または導波形受
    動素子である請求項1記載の導波形光デバイスの製造方
    法。
  4. (4)基板表面、またはその上に所望屈折率を有する素
    材Aの原料Aを形成すべきチャネル光導波路の路幅程度
    の口径を有する噴出治具から噴出して堆積せしめること
    により形成された微粒子層の表面に、前記素材Aの屈折
    率よりも大きい所望屈折率を有する素材Bの原料Bを、
    前記噴出治具から噴出して堆積せしめることにより少な
    くとも2層の原料層を形成し、ついで、前記原料Aおよ
    び原料Bを前記素材Aおよび素材Bに変化せしめる処置
    を施して前記素材Aの上に前記素材Bから成るチャネル
    光導波路を形成する請求項1記載の導波形光デバイスの
    製造方法。
  5. (5)基板表面、該基板表面に所望屈折率の素材Aの原
    料Aを所定口径の噴出治具から噴出することにより堆積
    せしめて形成した微粒子層の表面、または形成過程にあ
    る前記微粒子層の層内所定個所に、所望屈折率を有する
    素材Bの原料Bを前記噴出治具から噴出せしめて導波形
    受動素子の前駆体を形成し、ついで、前記原料Aおよび
    原料Bを前記素材Bおよび素材Bに変化せしめる処理を
    施して前記微粒子層および前記前駆体をそれぞれ光導波
    路および導波形受動素子に変化せしめる請求項1記載の
    導波形光デバイスの製造方法。
JP11723189A 1988-11-30 1989-05-12 導波形光デバイスの製造方法 Pending JPH02222909A (ja)

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