JPH02223191A - エレクトロルミネツセント素子 - Google Patents
エレクトロルミネツセント素子Info
- Publication number
- JPH02223191A JPH02223191A JP1041869A JP4186989A JPH02223191A JP H02223191 A JPH02223191 A JP H02223191A JP 1041869 A JP1041869 A JP 1041869A JP 4186989 A JP4186989 A JP 4186989A JP H02223191 A JPH02223191 A JP H02223191A
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- JP
- Japan
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- layer
- dielectric
- powder
- dielectric layer
- phosphor
- Prior art date
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- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明電極と対向電極との間に発光層を介装さ
せて、この透明電極と対向電極との間に電場を印加形成
することによって、発光層の発光を行われるようにした
エレクトロルミネッセント素子に関するものである。
せて、この透明電極と対向電極との間に電場を印加形成
することによって、発光層の発光を行われるようにした
エレクトロルミネッセント素子に関するものである。
エレクトロルミネッセント素子は、各種機器の表示装置
におけるバックライトや表示素子自体等として広く用い
られている。このエレクトロルミネッセント素子は、透
明電極と対向電極との間に発光層を介装し、両電極間に
交流電場を形成することによって、発光させるようにし
たもので、この発光層としては、螢光体粉末をバインダ
樹脂に分散させてなる螢光体層と、高誘電率の樹脂材ま
たはこれにセラミックス粉等の高誘電体微粉末を混入さ
せることにより形成される誘電体層とから構成されるよ
うになっている。
におけるバックライトや表示素子自体等として広く用い
られている。このエレクトロルミネッセント素子は、透
明電極と対向電極との間に発光層を介装し、両電極間に
交流電場を形成することによって、発光させるようにし
たもので、この発光層としては、螢光体粉末をバインダ
樹脂に分散させてなる螢光体層と、高誘電率の樹脂材ま
たはこれにセラミックス粉等の高誘電体微粉末を混入さ
せることにより形成される誘電体層とから構成されるよ
うになっている。
ところで、前述した従来のエレクトロルミネッセント素
子は、発光層を構成する螢光体層と誘電体層とが、それ
ぞれの誘電率および導電率を異にする不均質誘電体であ
るため、螢光体層と誘電体層の界面に界面分極と呼ばれ
る分極現象が起こり、この界面分極によって電力消費量
が増大するという問題があった。このため、かかるエレ
クトロルミネッセント素子は、例えばバッテリー駆動の
ラップトツブ型コンピュータのバックライト用としては
不向きであり、改善の余地がある。
子は、発光層を構成する螢光体層と誘電体層とが、それ
ぞれの誘電率および導電率を異にする不均質誘電体であ
るため、螢光体層と誘電体層の界面に界面分極と呼ばれ
る分極現象が起こり、この界面分極によって電力消費量
が増大するという問題があった。このため、かかるエレ
クトロルミネッセント素子は、例えばバッテリー駆動の
ラップトツブ型コンピュータのバックライト用としては
不向きであり、改善の余地がある。
従って本発明の目的とするところは、上記従来技術の実
情に鑑み、消費電力の少ないエレクトロルミネッセント
素子を提供することにある。
情に鑑み、消費電力の少ないエレクトロルミネッセント
素子を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、対向電極と透明
電極との間に螢光体層と誘電体層とからなる発光層を介
装し、前記対向電極と透明電極との間に交流電場を印加
することによって、前記螢光体層を発光させるエレクト
ロルミネッセンス素子において、前記螢光体層に透明な
誘電体粉を混入するか、あるいは前記誘電体層に導電粉
を混入し、螢光体層と誘電体層のそれぞれの電気特性を
マツチングした点に特徴がある。
電極との間に螢光体層と誘電体層とからなる発光層を介
装し、前記対向電極と透明電極との間に交流電場を印加
することによって、前記螢光体層を発光させるエレクト
ロルミネッセンス素子において、前記螢光体層に透明な
誘電体粉を混入するか、あるいは前記誘電体層に導電粉
を混入し、螢光体層と誘電体層のそれぞれの電気特性を
マツチングした点に特徴がある。
上記手段の如（、螢光体層と誘電体層の互いの電気特性
をマツチングさせると、これら両層は擬似的に均質誘電
体となって界面分極は減少する。
をマツチングさせると、これら両層は擬似的に均質誘電
体となって界面分極は減少する。
〔実施例ゴ
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
図は本発明の実施例に係るエレクトロルミネッセント素
子の断面図であり、図中１は透明電極、２は対向電極を
それぞれ示し、これら透明電極１と対向電極２との間に
は発光層３が介装されている。この発光層３は、透明電
極１側の螢光体層４と対向電極２側の誘電体層５との積
層体からなり、透明電極１と対向電極２間に交流電場を
印加することにより発光層３が発光するようになってい
る。
子の断面図であり、図中１は透明電極、２は対向電極を
それぞれ示し、これら透明電極１と対向電極２との間に
は発光層３が介装されている。この発光層３は、透明電
極１側の螢光体層４と対向電極２側の誘電体層５との積
層体からなり、透明電極１と対向電極２間に交流電場を
印加することにより発光層３が発光するようになってい
る。
ここで、螢光体層４と誘電体層５の組成は、すでに従来
例として説明した通常のものと異なり、いずれか一方ま
たは両方を以下の組成とすることにより、互いの電気特
性が近似的に等しくなるように工夫されている。すなわ
ち、螢光体層４については、螢光体粉末をバインダ樹脂
に分散させた通常の組成に、透明で高誘電率の誘電体粉
末を混入することにより自身の誘電率を高め、螢光体層
４の誘電率を誘電体層５に近づける。一方、誘電体層５
については、高誘電率の樹脂材またはこれに高誘電率の
セラミックス誘電体粉末を混入した通常の組成に、銀や
ニッケルあるいは螢光体等の導電性粉末を混入すること
により自身の導電率を高め、誘電体層５の導電率を螢光
体層４に近づける。螢光体層４と誘電体層５との界面に
生じる界面分極は、両層の誘電率および導電率が共に一
致している場合に最も少なくできるが、両層の誘電率と
導電率のいずれか一方のみのマツチングが図れている場
合も大幅に減少させることができる。
例として説明した通常のものと異なり、いずれか一方ま
たは両方を以下の組成とすることにより、互いの電気特
性が近似的に等しくなるように工夫されている。すなわ
ち、螢光体層４については、螢光体粉末をバインダ樹脂
に分散させた通常の組成に、透明で高誘電率の誘電体粉
末を混入することにより自身の誘電率を高め、螢光体層
４の誘電率を誘電体層５に近づける。一方、誘電体層５
については、高誘電率の樹脂材またはこれに高誘電率の
セラミックス誘電体粉末を混入した通常の組成に、銀や
ニッケルあるいは螢光体等の導電性粉末を混入すること
により自身の導電率を高め、誘電体層５の導電率を螢光
体層４に近づける。螢光体層４と誘電体層５との界面に
生じる界面分極は、両層の誘電率および導電率が共に一
致している場合に最も少なくできるが、両層の誘電率と
導電率のいずれか一方のみのマツチングが図れている場
合も大幅に減少させることができる。
本実施例に係るエレクトロルミネッセント素子は前述の
如く構成されるが、次にその製造工程を例示する。
如く構成されるが、次にその製造工程を例示する。
〈具体例１〉
まず、透明電極１上に公知の組成からなる螢光体層４を
塗布形成する。ここで、螢光体層４としては、例えば螢
光体粉末として少量の銅等を添付した硫化亜鉛と、バイ
ンダ樹脂としてシアノエチルセルロースおよびシアノエ
チルサッカロースと、溶剤としてＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）とを、重量比において、螢光体粉末
８．シアノエチルセルロース１．シアノエチルサッカロ
ース１．ＤＭＦ７の割合で混合させたペーストを透明電
極１の上に塗布し、乾燥後の膜厚が約４０μｍの螢光層
４を形成する。
塗布形成する。ここで、螢光体層４としては、例えば螢
光体粉末として少量の銅等を添付した硫化亜鉛と、バイ
ンダ樹脂としてシアノエチルセルロースおよびシアノエ
チルサッカロースと、溶剤としてＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）とを、重量比において、螢光体粉末
８．シアノエチルセルロース１．シアノエチルサッカロ
ース１．ＤＭＦ７の割合で混合させたペーストを透明電
極１の上に塗布し、乾燥後の膜厚が約４０μｍの螢光層
４を形成する。
次に、誘電体層５として、公知の誘電体ペーストに導電
性粉末を混入させたものを用い、これを螢光体層４の上
に重ねて塗布・乾燥し、膜厚が約４０μｍ厚の誘電体層
５を形成する。ここで、誘電体層５としては、例えばシ
アンエチルセルロースを１に対してシアノエチルサッカ
ロース１．酸化チタン粉末１．ＤＭＦ７． 螢光体粉末
１の割合（重量比）で混合した誘電体ペーストを用い、
導電性粉末として用いた螢光体粉末の添加量を調整する
ことにより、下層の螢光体層４と上層の誘電体Ｎ５との
それぞれの導電率をマツチングさせる。
性粉末を混入させたものを用い、これを螢光体層４の上
に重ねて塗布・乾燥し、膜厚が約４０μｍ厚の誘電体層
５を形成する。ここで、誘電体層５としては、例えばシ
アンエチルセルロースを１に対してシアノエチルサッカ
ロース１．酸化チタン粉末１．ＤＭＦ７． 螢光体粉末
１の割合（重量比）で混合した誘電体ペーストを用い、
導電性粉末として用いた螢光体粉末の添加量を調整する
ことにより、下層の螢光体層４と上層の誘電体Ｎ５との
それぞれの導電率をマツチングさせる。
さらに、誘電体層５の上に対向電極２としての銀ペース
トを塗布し、これを乾燥することにより、図示の如きエ
レクトロルミネッセント素子を得る。
トを塗布し、これを乾燥することにより、図示の如きエ
レクトロルミネッセント素子を得る。
このようにして得られた具体例１のエレクトロルミネッ
セント素子とは別に、誘電体層としてシアンエチルセル
ロースを１に対してシアノエチルサッカロース１．酸化
チタン粉末２．ＤＭＦ７の割合（重量比）で混合した誘
電体ペーストを用いたエレクトロルミネッセント素子を
形成しく螢光体層は具体例１と同じ）、これら具体例と
比較例のそれぞれに４００サイクル／秒の交流電場を印
加し、輝度が５０ｃｄ／％となった時の電圧（Ｖ）と電
流（Ａ）を測定して皮相電力（■・Ａ）を求めた。
セント素子とは別に、誘電体層としてシアンエチルセル
ロースを１に対してシアノエチルサッカロース１．酸化
チタン粉末２．ＤＭＦ７の割合（重量比）で混合した誘
電体ペーストを用いたエレクトロルミネッセント素子を
形成しく螢光体層は具体例１と同じ）、これら具体例と
比較例のそれぞれに４００サイクル／秒の交流電場を印
加し、輝度が５０ｃｄ／％となった時の電圧（Ｖ）と電
流（Ａ）を測定して皮相電力（■・Ａ）を求めた。
表−１
表−１の測定結果から、誘電体層５に螢光体粉末を混入
した具体例１のエレクトロルミネッセント素子によれば
、誘電体層に螢光体粉末を混入しない比較例（従来例）
のエレクトロルミネッセント素子に比べて、皮相電力が
約３０％低減されることが明らかとなり、低消費電力の
エレクトロルミネッセント素子を提供できる。
した具体例１のエレクトロルミネッセント素子によれば
、誘電体層に螢光体粉末を混入しない比較例（従来例）
のエレクトロルミネッセント素子に比べて、皮相電力が
約３０％低減されることが明らかとなり、低消費電力の
エレクトロルミネッセント素子を提供できる。
なお、具体例１において、誘電体層５に混入する螢光体
粉末に代えて、銀粉やニッケル粉等の他の導電性粉末を
用いることもできるが、特に、螢光体層４中の螢光体粉
末と同じ螢光体粉末を誘電体層５に混入した場合は、両
層４，５の導電率のマツチングが容易になる。また、誘
電体層５に混入する導電性粉末の量が多くなる場合は、
該導電体粉末の表面に絶縁コーティングを施して、誘電
体層内で導電性粉末どうしが短絡しないよう留意する必
要がある。
粉末に代えて、銀粉やニッケル粉等の他の導電性粉末を
用いることもできるが、特に、螢光体層４中の螢光体粉
末と同じ螢光体粉末を誘電体層５に混入した場合は、両
層４，５の導電率のマツチングが容易になる。また、誘
電体層５に混入する導電性粉末の量が多くなる場合は、
該導電体粉末の表面に絶縁コーティングを施して、誘電
体層内で導電性粉末どうしが短絡しないよう留意する必
要がある。
〈具体例２〉
まず、透明電極１の上に、公知の螢光体ペーストに透明
で高誘電率の誘電体粉末を混入させたもの、例えばシア
ノエチルセルロースを１に対してシアノエチルサッカロ
ース１．螢光体粉末６． ＤＭＦ７．ＰＬＺＴ粉末（平
均粒径１μｍ以下）２の割合（重量比）で混合した螢光
体ペーストを塗布し、これを乾燥して膜厚が約４０μｍ
の螢光体層４を形成する。ここで、誘電体粉末として用
いたＰＬＺＴ粉末の添加量を調整することにより、螢光
体層４とその上に形成される後記誘電体層５とのそれぞ
れの誘電率をマツチングさせる。
で高誘電率の誘電体粉末を混入させたもの、例えばシア
ノエチルセルロースを１に対してシアノエチルサッカロ
ース１．螢光体粉末６． ＤＭＦ７．ＰＬＺＴ粉末（平
均粒径１μｍ以下）２の割合（重量比）で混合した螢光
体ペーストを塗布し、これを乾燥して膜厚が約４０μｍ
の螢光体層４を形成する。ここで、誘電体粉末として用
いたＰＬＺＴ粉末の添加量を調整することにより、螢光
体層４とその上に形成される後記誘電体層５とのそれぞ
れの誘電率をマツチングさせる。
次に、この螢光体層４の上に公知の誘電体ペースト、例
えば前述した比較例で用いられたものと同じ誘電体ペー
ストを塗布し、これを乾燥して膜厚が約４０μｍの誘電
体層５を形成する。しかる後、誘電体層５上に対向電極
２として銀ペーストを塗布し、これを乾燥することによ
り、図示の如きエレクトロルミネッセント素子を得る。
えば前述した比較例で用いられたものと同じ誘電体ペー
ストを塗布し、これを乾燥して膜厚が約４０μｍの誘電
体層５を形成する。しかる後、誘電体層５上に対向電極
２として銀ペーストを塗布し、これを乾燥することによ
り、図示の如きエレクトロルミネッセント素子を得る。
このようにして得られた具体例２のエレクトロルミネッ
セント素子について、〈具体例１〉と同一の測定方法に
て皮相電力を求めたところ、皮相電力は０．００９４ｖ
・Ａ／ａ（であった。この結果から、具体例２によって
も低消費電力のエレクトロルミネッセント素子を提供で
きることがわかる。
セント素子について、〈具体例１〉と同一の測定方法に
て皮相電力を求めたところ、皮相電力は０．００９４ｖ
・Ａ／ａ（であった。この結果から、具体例２によって
も低消費電力のエレクトロルミネッセント素子を提供で
きることがわかる。
なお、上記した各具体例１．２は、発光層３を構成する
螢光体層４と誘電体層５のいずれか一方の導電率または
誘電率を、いずれか他方の導電率または誘電率と一致さ
せて両層４，５の界面分極を減少さ−せた場合について
説明したが、これら具体例１，２を組み合わせ、螢光体
層４と誘電体層５の互いの導電率および誘電率をマツチ
ングさせることも可能である。この場合は、製造工程は
多少煩雑になるが、両層４，５間に界面分極はほとんど
起きず、−層の低消費電力化を図ることができる。
螢光体層４と誘電体層５のいずれか一方の導電率または
誘電率を、いずれか他方の導電率または誘電率と一致さ
せて両層４，５の界面分極を減少さ−せた場合について
説明したが、これら具体例１，２を組み合わせ、螢光体
層４と誘電体層５の互いの導電率および誘電率をマツチ
ングさせることも可能である。この場合は、製造工程は
多少煩雑になるが、両層４，５間に界面分極はほとんど
起きず、−層の低消費電力化を図ることができる。
以上説明したように、本発明は、発光層を構成する螢光
体層と誘電体層の誘電率や導電率をマツチングさせて、
両層間の界面分極を抑えるようにしたものであるから、
消費電力の少ないエレクトロルミネッセント素子を提供
できる。
体層と誘電体層の誘電率や導電率をマツチングさせて、
両層間の界面分極を抑えるようにしたものであるから、
消費電力の少ないエレクトロルミネッセント素子を提供
できる。
図は本発明の実施例に係るエレクトロルミネッセント素
子の断面図である。 １・・・・・・透明電極、２・・・・・・対向電極、３
・・・・・・発光層、４・・・・・・螢光体層、５・・
・・・・誘電体層。 透明電電 対頗電糧 発光層 螢光体層 誘Ｖ体眉
子の断面図である。 １・・・・・・透明電極、２・・・・・・対向電極、３
・・・・・・発光層、４・・・・・・螢光体層、５・・
・・・・誘電体層。 透明電電 対頗電糧 発光層 螢光体層 誘Ｖ体眉
Claims (3)
- （１） 対向電極と透明電極との間に螢光体層と誘電体
層とからなる発光層を介装し、前記対向電極と透明電極
との間に交流電場を印加することによつて、前記螢光体
層を発光させるエレクトロルミネツセント素子において
、前記螢光体層に透明な誘電体粉を混入したことを特徴
とするエレクトロルミネツセント素子。 - （２） 対向電極と透明電極との間に螢光体層と誘電体
層とからなる発光層を介装し、前記対向電極と透明電極
との間に交流電場を印加することによつて、前記螢光体
層を発光させるエレクトロルミネツセント素子において
、前記誘電体層に導電粉を混入したことを特徴とするエ
レクトロルミネツセント素子。 - （３） 請求項（２）において、前記導電粉の表面を絶
縁膜でコーテイングしたことを特徴とするエレクトロル
ミネツセント素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041869A JPH02223191A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | エレクトロルミネツセント素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041869A JPH02223191A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | エレクトロルミネツセント素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02223191A true JPH02223191A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=12620267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041869A Pending JPH02223191A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | エレクトロルミネツセント素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02223191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008210780A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-09-11 | Kansai Paint Co Ltd | 分散型ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2009140624A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Kansai Paint Co Ltd | 発光層用組成物及び分散型ｅｌ素子 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1041869A patent/JPH02223191A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008210780A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-09-11 | Kansai Paint Co Ltd | 分散型ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2009140624A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Kansai Paint Co Ltd | 発光層用組成物及び分散型ｅｌ素子 |
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