JPH02224325A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02224325A JPH02224325A JP4591289A JP4591289A JPH02224325A JP H02224325 A JPH02224325 A JP H02224325A JP 4591289 A JP4591289 A JP 4591289A JP 4591289 A JP4591289 A JP 4591289A JP H02224325 A JPH02224325 A JP H02224325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction tube
- mixed
- source gas
- impurity source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン基板に不純物を拡散すると共に表面
保護層として酸化膜を形成する工程を含む半導体装置の
製造方法に関する。
保護層として酸化膜を形成する工程を含む半導体装置の
製造方法に関する。
シリコン基板にｐ形層あるいはｎ形層を形成するため、
りんガスあるいはほう素ガスのような不純物ソースガス
を用いて気相拡散をする場合、基板表面がそれらガスに
浸食されないようにシリコン酸化膜を形成する。そのた
めに、例えばちっ素ガス等のキャリアガスに薄めた不純
物ソースガスと酸素ガスを混合して高温でシリコン基板
に接触させる。第２図はそのような不純物拡散装置を概
念的に示したもので、シリコン基板１を収容した反応管
２は加熱炉３の中に挿入されている。反応管３には、炉
外でフィルタ４を介して配管５が連に接続されている。
りんガスあるいはほう素ガスのような不純物ソースガス
を用いて気相拡散をする場合、基板表面がそれらガスに
浸食されないようにシリコン酸化膜を形成する。そのた
めに、例えばちっ素ガス等のキャリアガスに薄めた不純
物ソースガスと酸素ガスを混合して高温でシリコン基板
に接触させる。第２図はそのような不純物拡散装置を概
念的に示したもので、シリコン基板１を収容した反応管
２は加熱炉３の中に挿入されている。反応管３には、炉
外でフィルタ４を介して配管５が連に接続されている。
第３図は第２図Ａ部の拡大図で反応管２の端部に連結ロ
アが形成されている。
アが形成されている。
パルプ６１から導かれるキャリアガスに薄められた不純
物ソースガスをバルブ６２から導かれる酸素ガスと炉外
で混合し、フィルタ４により塵埃などを除去したのち、
連結ロアから反応管２内に導入する。
物ソースガスをバルブ６２から導かれる酸素ガスと炉外
で混合し、フィルタ４により塵埃などを除去したのち、
連結ロアから反応管２内に導入する。
第２図のような装置で不純物拡散を行う場合、ソースガ
スと０８ガスは加熱炉３外の配管５内で混合し、その中
で互いに反応して反応物が配管内壁に付着する。あるい
は、反応物がフィルタ４を通るとき除去され、フィルタ
が目詰まりを起こす。
スと０８ガスは加熱炉３外の配管５内で混合し、その中
で互いに反応して反応物が配管内壁に付着する。あるい
は、反応物がフィルタ４を通るとき除去され、フィルタ
が目詰まりを起こす。
このため配管５およびフィルタ４の洗浄をたびたび行わ
なければならない、さらに反応管２の連結ロアは８００
℃以上の高温の加熱炉３で多少加熱されるが８００℃よ
りははるかに低い、低温で生ずるキャリアガスと０８ガ
スとの反応物はかたまって大きな粒子となる。このよう
な大粒子は、拡散時蒸気となれず、キャリアガスで輸送
され、シリコン基板ｌの表面に付着する。大粒子の付着
部では不純物の局部的な異惰拡散が生ずる。この異常拡
散はプレーナ型半導体装置の製造の際には、５ｌｏｔマ
スクを通しても起こり、その部分で耐圧不良となったり
、あるいは異常エツチングによってピンホールを生ずる
。従って良品率を下げる原因となる。
なければならない、さらに反応管２の連結ロアは８００
℃以上の高温の加熱炉３で多少加熱されるが８００℃よ
りははるかに低い、低温で生ずるキャリアガスと０８ガ
スとの反応物はかたまって大きな粒子となる。このよう
な大粒子は、拡散時蒸気となれず、キャリアガスで輸送
され、シリコン基板ｌの表面に付着する。大粒子の付着
部では不純物の局部的な異惰拡散が生ずる。この異常拡
散はプレーナ型半導体装置の製造の際には、５ｌｏｔマ
スクを通しても起こり、その部分で耐圧不良となったり
、あるいは異常エツチングによってピンホールを生ずる
。従って良品率を下げる原因となる。
また反応管内壁にも反応物が被着し、洗浄の手数がかか
る。
る。
本発明の目的は、不純物ソースガスと０８ガスを混合し
て不純物拡散を行う場合に、反応物の配管内壁への付着
や反応物によるフィルタの目詰まりが起こらず、また反
応物の大粒子による異常拡散も生じないような半導体装
置の製造方法を提供することにある。
て不純物拡散を行う場合に、反応物の配管内壁への付着
や反応物によるフィルタの目詰まりが起こらず、また反
応物の大粒子による異常拡散も生じないような半導体装
置の製造方法を提供することにある。
（１ｍ１１を解決するための手段〕
上記の目的の達成のために、本発明は、不純物ソースガ
スと０８ガスとの混合ガスを加熱された反応管内でシリ
コン基板に接触させてシリコン基板への不純物拡散を行
う際に、不純物ソースガスと０、ガスとを反応管内で混
合させるものとする。
スと０８ガスとの混合ガスを加熱された反応管内でシリ
コン基板に接触させてシリコン基板への不純物拡散を行
う際に、不純物ソースガスと０、ガスとを反応管内で混
合させるものとする。
不純物ソースガスと０８ガスの混合を加熱された反応管
内で行うと、配管内では反応物が生ぜず、また混合の場
所が高温であるため反応物の大粒子も生せず、蒸気の状
態にある。従うて、配管内壁への反応物の付着、炉外の
フィルタの目詰まりが起こらず洗浄の必要がない、また
、半導体基板の表面の局部的な異常拡散が生じないし、
反応管内壁の反応物の付着もない。
内で行うと、配管内では反応物が生ぜず、また混合の場
所が高温であるため反応物の大粒子も生せず、蒸気の状
態にある。従うて、配管内壁への反応物の付着、炉外の
フィルタの目詰まりが起こらず洗浄の必要がない、また
、半導体基板の表面の局部的な異常拡散が生じないし、
反応管内壁の反応物の付着もない。
第１図は本発明の一実施例の不純物拡散装置における反
応管の連結口近傍を示し、第２図、第３図と共通の部分
には同一の符号が付されている。
応管の連結口近傍を示し、第２図、第３図と共通の部分
には同一の符号が付されている。
この場合、反応管２の端部には主連結ロアのほかに副連
結口８が設けられ、副連結口８につながるガス導入管８
１は反応管内でＵ字形に曲げられ、主連結ロアにつなが
るガス導入管７１の炉内の開口部に対向して広げられて
いる。主連結ロアは０８ガス源に配管で接続され、副連
結口８は不純物ソースガス源に配管で接続される０反応
管２は加熱炉３で加熱されており、導入管８１からの不
純物ソースガスと導入管７１からのＯ，ガスの混合は加
熱された反応管２内で初めて起こるため、大粒子は発生
しないで混合ガスの蒸気状態が維持される。ｐ形拡散の
ためのほう素ガスとしてはＢｇｌｌｉ等、ｎ形拡散のた
めのりんガスとしてはＰＨ８，ＰＯＣｊｓ等を用いるこ
とができる。たとえばＮ８ガスにＰｈを１〜４％加えた
ソースガスと０８ガスを１対１の比で混合する。
結口８が設けられ、副連結口８につながるガス導入管８
１は反応管内でＵ字形に曲げられ、主連結ロアにつなが
るガス導入管７１の炉内の開口部に対向して広げられて
いる。主連結ロアは０８ガス源に配管で接続され、副連
結口８は不純物ソースガス源に配管で接続される０反応
管２は加熱炉３で加熱されており、導入管８１からの不
純物ソースガスと導入管７１からのＯ，ガスの混合は加
熱された反応管２内で初めて起こるため、大粒子は発生
しないで混合ガスの蒸気状態が維持される。ｐ形拡散の
ためのほう素ガスとしてはＢｇｌｌｉ等、ｎ形拡散のた
めのりんガスとしてはＰＨ８，ＰＯＣｊｓ等を用いるこ
とができる。たとえばＮ８ガスにＰｈを１〜４％加えた
ソースガスと０８ガスを１対１の比で混合する。
第１図に示すように不純物ソースガスの導入管８１を曲
げて０８ガスの導入管７１と対向させることは反応の均
一化に有効であるが、ガス導入管８１を曲げないでガス
導入管７１と平行のままにしても効果は得られる。
げて０８ガスの導入管７１と対向させることは反応の均
一化に有効であるが、ガス導入管８１を曲げないでガス
導入管７１と平行のままにしても効果は得られる。
シリコン基板への不純物拡散の際に、基板表面保護のた
めに不純物ソースガスへＯ富ガスを混合するのを加熱さ
れた反応管内で行うことにより、低温でのソースガスと
０意ガスとの反応により生ずる反応物による局部異常拡
散、炉外配管および反応管への反応物付着、フィルタの
目詰まり等が防止され、拡散後のシリコン基板の耐圧不
良、異常エツチングが起こらず、反応管、炉外配管、フ
ィルタの洗浄の手数も大幅に節減される。
めに不純物ソースガスへＯ富ガスを混合するのを加熱さ
れた反応管内で行うことにより、低温でのソースガスと
０意ガスとの反応により生ずる反応物による局部異常拡
散、炉外配管および反応管への反応物付着、フィルタの
目詰まり等が防止され、拡散後のシリコン基板の耐圧不
良、異常エツチングが起こらず、反応管、炉外配管、フ
ィルタの洗浄の手数も大幅に節減される。
第１図は本発明の一実施例の不純物拡散装置における反
応管端部の断面図、第２図は従来の不純物拡散装置の概
念的断面図、第３図は第２図のＡ部拡大図である。 ｌ：シリコン基板、２：反応管、３：加熱炉、７：主連
結口、８：副連結口。 シリコン基才反 第２図
応管端部の断面図、第２図は従来の不純物拡散装置の概
念的断面図、第３図は第２図のＡ部拡大図である。 ｌ：シリコン基板、２：反応管、３：加熱炉、７：主連
結口、８：副連結口。 シリコン基才反 第２図
Claims (1)
- １）不純物ソースガスと酸素ガスとの混合ガスを加熱さ
れた反応管内でシリコン基板に接触させてシリコン基板
への不純物拡散を行う際に、不純物ソースガスと酸素ガ
スとを反応管内で混合することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4591289A JPH02224325A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4591289A JPH02224325A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224325A true JPH02224325A (ja) | 1990-09-06 |
Family
ID=12732459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4591289A Pending JPH02224325A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02224325A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442841B1 (ko) * | 2002-02-01 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 확산 시스템 |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP4591289A patent/JPH02224325A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442841B1 (ko) * | 2002-02-01 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 확산 시스템 |
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