JPH0750272A - 半導体製造方法及び装置 - Google Patents
半導体製造方法及び装置Info
- Publication number
- JPH0750272A JPH0750272A JP5147947A JP14794793A JPH0750272A JP H0750272 A JPH0750272 A JP H0750272A JP 5147947 A JP5147947 A JP 5147947A JP 14794793 A JP14794793 A JP 14794793A JP H0750272 A JPH0750272 A JP H0750272A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction
- reaction chamber
- chamber
- gas introduction
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数種類の反応ガスを均一に混合して反応室
内に導入し、半導体基板の加工処理を均一に行う。 【構成】 本発明装置は、反応室１のガス導入口２Ａ直
前でガス導入管２に、直接又はガス混合室４を介して複
数種類の反応ガスをそれぞれ送るガス管３Ａ，３Ｂ・・
・を接続してなる。
内に導入し、半導体基板の加工処理を均一に行う。 【構成】 本発明装置は、反応室１のガス導入口２Ａ直
前でガス導入管２に、直接又はガス混合室４を介して複
数種類の反応ガスをそれぞれ送るガス管３Ａ，３Ｂ・・
・を接続してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応室内に複数種類の
反応ガスを導入し、反応室内の半導体基板に拡散，ＣＶ
Ｄ膜を生成する等の半導体製造装置に関する。
反応ガスを導入し、反応室内の半導体基板に拡散，ＣＶ
Ｄ膜を生成する等の半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は本発明に係る半導体製造装置の１
例の構成を示す説明用簡略断面図で、縦型減圧ＣＶＤ装
置の例を示す。図３において１は反応室で、外，内部反
応管６，７よりなる。２は反応ガスを導入するガス導入
管、５は外部反応管６の外周部に配置された加熱コイ
ル、８は反応室１内に搬入されるボート、９はこのボー
ト８に載置されたウェーハ、１０はキャップ、１１は排
気管である。従来装置は、反応室１内に多数枚のウェー
ハ９を載置したボート８を搬入し、反応ガスをガス導入
管２より反応室１内に導入し、外，内部反応管６，７間
を経て排気管１１より排気することにより加熱コイル５
により加熱された多数枚のウェーハ９にＣＶＤ膜を生成
するものである。
例の構成を示す説明用簡略断面図で、縦型減圧ＣＶＤ装
置の例を示す。図３において１は反応室で、外，内部反
応管６，７よりなる。２は反応ガスを導入するガス導入
管、５は外部反応管６の外周部に配置された加熱コイ
ル、８は反応室１内に搬入されるボート、９はこのボー
ト８に載置されたウェーハ、１０はキャップ、１１は排
気管である。従来装置は、反応室１内に多数枚のウェー
ハ９を載置したボート８を搬入し、反応ガスをガス導入
管２より反応室１内に導入し、外，内部反応管６，７間
を経て排気管１１より排気することにより加熱コイル５
により加熱された多数枚のウェーハ９にＣＶＤ膜を生成
するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、反応室１内に複数種類の反応ガスを導入して膜生成
する場合、例えば図４に示すように２個のガス導入管２
ａ，２ｂにより２種類の反応ガスを別々に同時に反応室
１内に導入し混合しているため、ガス混合を充分に均一
に行うことができず、ウェーハ９に均一に成膜等の加工
処理ができないという課題がある。
は、反応室１内に複数種類の反応ガスを導入して膜生成
する場合、例えば図４に示すように２個のガス導入管２
ａ，２ｂにより２種類の反応ガスを別々に同時に反応室
１内に導入し混合しているため、ガス混合を充分に均一
に行うことができず、ウェーハ９に均一に成膜等の加工
処理ができないという課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するためになされたもので、半導体基板の加工処理
を均一に行うことができるようにする方法及び装置であ
る。即ち、本発明方法は、反応室１のガス導入口２Ａ直
前で複数種類の反応ガスを混合して反応室１内に導入す
ることを特徴とする。又、本発明装置は、反応室１のガ
ス導入口２Ａ直前でガス導入管２に、直接又はガス混合
室４を介して複数種類の反応ガスをそれぞれ送るガス管
３Ａ，３Ｂ・・・を接続してなる。
解決するためになされたもので、半導体基板の加工処理
を均一に行うことができるようにする方法及び装置であ
る。即ち、本発明方法は、反応室１のガス導入口２Ａ直
前で複数種類の反応ガスを混合して反応室１内に導入す
ることを特徴とする。又、本発明装置は、反応室１のガ
ス導入口２Ａ直前でガス導入管２に、直接又はガス混合
室４を介して複数種類の反応ガスをそれぞれ送るガス管
３Ａ，３Ｂ・・・を接続してなる。
【０００５】
【作 用】本発明は、上記のような構成であるから、複
数種類の反応ガスは、反応室１内に導入する直前に、各
ガス管３Ａ，３Ｂ・・・からガス導入管２に流入して混
合され、又は各ガス管３Ａ，３Ｂ・・・からガス混合室
４内に導入して充分に混合され、ガス導入管２を経て混
合された反応ガスは、反応室１内にガス導入口２Ａより
導入されることになる。
数種類の反応ガスは、反応室１内に導入する直前に、各
ガス管３Ａ，３Ｂ・・・からガス導入管２に流入して混
合され、又は各ガス管３Ａ，３Ｂ・・・からガス混合室
４内に導入して充分に混合され、ガス導入管２を経て混
合された反応ガスは、反応室１内にガス導入口２Ａより
導入されることになる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明装置の第１実施例の構成を示す
簡略横断平面図である。この第１実施例は、反応室１の
ガス導入口２Ａ直前でガス導入管２に、２種類の反応ガ
スをそれぞれ送るガス管３Ａ，３Ｂを相互に対向して接
続してなる。この第１実施例では、２種類の反応ガス
は、反応室１内に導入する直前に、各ガス管３Ａ，３Ｂ
から流出して相互に衝突し合いガス導入管２に流入して
充分に混合され、混合された反応ガスは、反応室１内に
ガス導入口２Ａより導入されることになる。
簡略横断平面図である。この第１実施例は、反応室１の
ガス導入口２Ａ直前でガス導入管２に、２種類の反応ガ
スをそれぞれ送るガス管３Ａ，３Ｂを相互に対向して接
続してなる。この第１実施例では、２種類の反応ガス
は、反応室１内に導入する直前に、各ガス管３Ａ，３Ｂ
から流出して相互に衝突し合いガス導入管２に流入して
充分に混合され、混合された反応ガスは、反応室１内に
ガス導入口２Ａより導入されることになる。
【０００７】図２は第２実施例の構成を示す簡略横断平
面図である。この第２実施例は、反応室１のガス導入口
２Ａ直前でガス導入管２にガス混合室４を連結し、この
ガス混合室４に、２種類の反応ガスをそれぞれ送るガス
管３Ａ，３Ｂを相互に対向して接続してなる。この第２
実施例では、２種類の反応ガスは、反応室１のガス導入
口２Ａ直前で各ガス管３Ａ，３Ｂから流出してガス混合
室４内で相互に衝突し合い、一層充分に混合されてから
ガス導入管２に流出し、混合された反応ガスは、反応室
１内にガス導入口２Ａより導入されることになる。
面図である。この第２実施例は、反応室１のガス導入口
２Ａ直前でガス導入管２にガス混合室４を連結し、この
ガス混合室４に、２種類の反応ガスをそれぞれ送るガス
管３Ａ，３Ｂを相互に対向して接続してなる。この第２
実施例では、２種類の反応ガスは、反応室１のガス導入
口２Ａ直前で各ガス管３Ａ，３Ｂから流出してガス混合
室４内で相互に衝突し合い、一層充分に混合されてから
ガス導入管２に流出し、混合された反応ガスは、反応室
１内にガス導入口２Ａより導入されることになる。
【０００８】第１，第２実施例は、上記のように複数種
類の反応ガスを反応室１内に導入する直前に充分に混合
することができるので、均一に混合された反応ガスを反
応室１内に導入することができ、ウェーハに均一に成膜
等の加工処理を行うことができる。
類の反応ガスを反応室１内に導入する直前に充分に混合
することができるので、均一に混合された反応ガスを反
応室１内に導入することができ、ウェーハに均一に成膜
等の加工処理を行うことができる。
【０００９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、反応室１
のガス導入口２Ａ直前でガス導入管２に、直接又はガス
混合室４を介して複数種類の反応ガスをそれぞれ送るガ
ス管３Ａ，３Ｂ・・・を接続してなり、複数種類の反応
ガスを反応室１内に導入する直前に充分に混合すること
ができるので、均一に混合された反応ガスを反応室１内
に導入することができ、半導体基板に均一に成膜等の加
工処理を行うことができる。
のガス導入口２Ａ直前でガス導入管２に、直接又はガス
混合室４を介して複数種類の反応ガスをそれぞれ送るガ
ス管３Ａ，３Ｂ・・・を接続してなり、複数種類の反応
ガスを反応室１内に導入する直前に充分に混合すること
ができるので、均一に混合された反応ガスを反応室１内
に導入することができ、半導体基板に均一に成膜等の加
工処理を行うことができる。
【図１】本発明装置の第１実施例の構成を示す簡略横断
平面図である。
平面図である。
【図２】第２実施例の構成を示す簡略横断平面図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る半導体製造装置の１例の構成を示
す説明用簡略断面図である。
す説明用簡略断面図である。
【図４】従来装置の１例の構成を示す簡略横断平面図で
ある。
ある。
１ 反応室 ２ ガス導入管 ２Ａ ガス導入口 ３Ａ ガス管 ３Ｂ ガス管 ４ ガス混合室
Claims (4)
- 【請求項１】 反応室（１）のガス導入口（２Ａ）直前
で複数種類の反応ガスを混合して反応室（１）内に導入
することを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項２】 反応室（１）のガス導入口２Ａ直前でガ
ス導入管（２）に、複数種類の反応ガスをそれぞれ送る
ガス管（３Ａ，３Ｂ・・・）を接続してなる半導体製造
装置。 - 【請求項３】 反応室（１）のガス導入口（２Ａ）直前
でガス導入管（２）にガス混合室（４）を連結し、この
ガス混合室（４）に、複数種類の反応ガスをそれぞれ送
るガス管（３Ａ，３Ｂ・・・）を接続してなる半導体製
造装置。 - 【請求項４】 各ガス管（３Ａ，３Ｂ・・・）をこれら
より流出する反応ガスが相互に衝突し合うよう配した請
求項２又は３の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5147947A JPH0750272A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体製造方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5147947A JPH0750272A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体製造方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750272A true JPH0750272A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=15441670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5147947A Pending JPH0750272A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体製造方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750272A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08328014A (ja) * | 1996-07-19 | 1996-12-13 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電性スメクチック液晶電気光学装置 |
| JP2015143384A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-08-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP5147947A patent/JPH0750272A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08328014A (ja) * | 1996-07-19 | 1996-12-13 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電性スメクチック液晶電気光学装置 |
| JP2015143384A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-08-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体 |
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