JPH0222530B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0222530B2 JPH0222530B2 JP61034224A JP3422486A JPH0222530B2 JP H0222530 B2 JPH0222530 B2 JP H0222530B2 JP 61034224 A JP61034224 A JP 61034224A JP 3422486 A JP3422486 A JP 3422486A JP H0222530 B2 JPH0222530 B2 JP H0222530B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manual alignment
- pattern
- mark
- pair
- key
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はパターン位置合わせ方法に関し、特に
一対の対物レンズを用いて半導体装置を製造する
際のパターンの位置合わせ方法に関する。
一対の対物レンズを用いて半導体装置を製造する
際のパターンの位置合わせ方法に関する。
(ロ) 従来の技術
半導体装置は年々集積度が増し、パターンの微
細化が進んでいる。従つて半導体装置の製造装置
にも変革が起つており、光リソグラフイ技術にお
いてもコンタクト露光方式から反射投影露光方式
へと移行している。
細化が進んでいる。従つて半導体装置の製造装置
にも変革が起つており、光リソグラフイ技術にお
いてもコンタクト露光方式から反射投影露光方式
へと移行している。
具体的に露光技術としては、工業調査会発行
「最新LSIプロセス技術」第261頁〜第264頁に記
載されている如く、コンタクト露光方式、プロキ
シミテイ露光方式、反射型投影方式、縮小投影露
光方式が知られており、１：１の露光方法と５：
１あるいは10：１等の縮小露光方法に大別され
る。
「最新LSIプロセス技術」第261頁〜第264頁に記
載されている如く、コンタクト露光方式、プロキ
シミテイ露光方式、反射型投影方式、縮小投影露
光方式が知られており、１：１の露光方法と５：
１あるいは10：１等の縮小露光方法に大別され
る。
１：１の露光方法を採用するコンタクト露光方
式、プロキシミテイ露光方式あるいは反射型投影
方式では、第３図および第４図に示す如くマスク
の左右に一対のキーパターン１１，１２を設け、
各素子には夫々マニユアルアライメントマーク１
３を設けている。第３図はキーパターン１１，１
２を設けた位置を示す上面図であり、ウエハの左
右に離間してキーパターン１１，１２を設けてい
る。第４図は第３図の左右のキーパターン１１，
１２およびその周辺の各素子パターン１４……１
４の拡大図である。キーパターン１１，１２は素
子パターン１４の通常１個分を占有し、への字の
ターゲツトマークで形成されている。各素子パタ
ーン１４……１４には各素子を形成する上で必要
なパターン（図示せず。）と周辺等のパターンの
余白あるいはスクライブライン上にマニユアルア
ライメントマーク１３が設けられている。
式、プロキシミテイ露光方式あるいは反射型投影
方式では、第３図および第４図に示す如くマスク
の左右に一対のキーパターン１１，１２を設け、
各素子には夫々マニユアルアライメントマーク１
３を設けている。第３図はキーパターン１１，１
２を設けた位置を示す上面図であり、ウエハの左
右に離間してキーパターン１１，１２を設けてい
る。第４図は第３図の左右のキーパターン１１，
１２およびその周辺の各素子パターン１４……１
４の拡大図である。キーパターン１１，１２は素
子パターン１４の通常１個分を占有し、への字の
ターゲツトマークで形成されている。各素子パタ
ーン１４……１４には各素子を形成する上で必要
なパターン（図示せず。）と周辺等のパターンの
余白あるいはスクライブライン上にマニユアルア
ライメントマーク１３が設けられている。
従来の露光方式ではキーパターン１１，１２を
用いてマスクとウエハの位置合わせを自動的にマ
スク合わせ装置を用いて行い、続いて対物レンズ
を用いて各マニユアルアライメントマーク１３を
用いてオフセツト調整を行つた後、露光をして各
素子パターンを焼き付けている。このオフセツト
調整はマスクを作成する際に生ずるキーパターン
１１，１２と各素子パターンの誤差や製造中に生
ずるウエハの歪による誤差を手動で修正するもの
である。
用いてマスクとウエハの位置合わせを自動的にマ
スク合わせ装置を用いて行い、続いて対物レンズ
を用いて各マニユアルアライメントマーク１３を
用いてオフセツト調整を行つた後、露光をして各
素子パターンを焼き付けている。このオフセツト
調整はマスクを作成する際に生ずるキーパターン
１１，１２と各素子パターンの誤差や製造中に生
ずるウエハの歪による誤差を手動で修正するもの
である。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
しかしながら従来の露光方式ではマニユアルア
ライメントマーク１３はキーパターン１１，１２
のへの字の頂点であるターゲツトセンタTCの延
長上に配置される様に設定されていた。これはオ
フセツト調整時に一対の対物レンズを用いて左右
のマニユアルアライメントマーク１３を同時に見
ながら微調を行うためである。一対の対物レンズ
は内側に同じ距離あるいは外側に同じ距離だけ移
動する機械を有しているので、ターゲツトセンタ
TC上に位置すると左右のマニユアルアライメン
トマーク１３を同時に捕えられるからである。
ライメントマーク１３はキーパターン１１，１２
のへの字の頂点であるターゲツトセンタTCの延
長上に配置される様に設定されていた。これはオ
フセツト調整時に一対の対物レンズを用いて左右
のマニユアルアライメントマーク１３を同時に見
ながら微調を行うためである。一対の対物レンズ
は内側に同じ距離あるいは外側に同じ距離だけ移
動する機械を有しているので、ターゲツトセンタ
TC上に位置すると左右のマニユアルアライメン
トマーク１３を同時に捕えられるからである。
ところがマニユアルアライメントマーク１３の
位置を固定すると極めてパターン設計に自由度を
失う欠点がある。これを避ける意味でマニユアル
アライメントマーク１３の位置を異ならせると、
オフセツト調整時に一対の対物レンズで左右のマ
ニユアルアライメントマーク１３を同時に見るこ
とができなくなり、オフセツト調整に多大の時間
を要し且つアライメント精度も低下する欠点があ
つた。
位置を固定すると極めてパターン設計に自由度を
失う欠点がある。これを避ける意味でマニユアル
アライメントマーク１３の位置を異ならせると、
オフセツト調整時に一対の対物レンズで左右のマ
ニユアルアライメントマーク１３を同時に見るこ
とができなくなり、オフセツト調整に多大の時間
を要し且つアライメント精度も低下する欠点があ
つた。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、マニユ
アルアライメントマークをターゲツトセンタTC
より各素子サイズの半分の位置にずらして設ける
ことにより、マニユアルアライメントマークを設
けられる位置を増加させて設計の自由度を持たせ
たパターン位置合わせ方法を提供するものであ
る。
アルアライメントマークをターゲツトセンタTC
より各素子サイズの半分の位置にずらして設ける
ことにより、マニユアルアライメントマークを設
けられる位置を増加させて設計の自由度を持たせ
たパターン位置合わせ方法を提供するものであ
る。
(ホ) 作用
本発明に依れば、マニユアルアライメントマー
クをターゲツトセンタTCより各素子サイズの半
分の位置にずらして設けているので、キーパター
ンを用いてマスク合わせ装置で自動的に位置合わ
せを行つた後一対の対物レンズを左右に動かして
も同時にマニユアルアライメントマークを見るこ
とができる。
クをターゲツトセンタTCより各素子サイズの半
分の位置にずらして設けているので、キーパター
ンを用いてマスク合わせ装置で自動的に位置合わ
せを行つた後一対の対物レンズを左右に動かして
も同時にマニユアルアライメントマークを見るこ
とができる。
(ヘ) 実施例
本発明に依るパターン位置合わせ方法を第１図
および第２図を参照して詳述する。
および第２図を参照して詳述する。
第１図に示す左右のパターンは、第２図に示し
たマスクの左右に離間して設けられるキーパター
ン１，２およびその周辺の各素子パターン（図示
せず）の拡大図である。
たマスクの左右に離間して設けられるキーパター
ン１，２およびその周辺の各素子パターン（図示
せず）の拡大図である。
本発明に依る位置合わせ用マークはキーパター
ン１，２とマニユアルアライメントマーク３より
構成されている。キーパターン１，２は第２図に
示す如く、左右に離間して設けられ、各キーパタ
ーン１，２は素子パターンの通常１個分を占有し
て形成される。キーパターン１，２の形状はへの
字のターゲツトマークで形成され、マスク側に設
けた平行に離間した２組のハの字の中間にウエハ
上のへの字のマークを位置させて位置合わせを行
う。キーパターン１，２には第１図では１種しか
ないが、複数種のターゲツトマーク４を有し、タ
ーゲツトマークの頂点を結ぶ点線をターゲツトセ
ンタTCと呼んでいる。従つて各ターゲツトマー
ク４毎に異なるターゲツトセンタTCを有する。
マニユアルアライメントマーク３……３は各素子
パターン毎に設けられ、各素子パターンの周辺あ
るいは隣接したスクライブライン上に設けられ
る。マニユアルアライメントマーク３……３は正
方形又は長方形状の枠内に種々の拡散やエツチン
グ等の工程に対応した指示マークを設けて形成さ
れる。
ン１，２とマニユアルアライメントマーク３より
構成されている。キーパターン１，２は第２図に
示す如く、左右に離間して設けられ、各キーパタ
ーン１，２は素子パターンの通常１個分を占有し
て形成される。キーパターン１，２の形状はへの
字のターゲツトマークで形成され、マスク側に設
けた平行に離間した２組のハの字の中間にウエハ
上のへの字のマークを位置させて位置合わせを行
う。キーパターン１，２には第１図では１種しか
ないが、複数種のターゲツトマーク４を有し、タ
ーゲツトマークの頂点を結ぶ点線をターゲツトセ
ンタTCと呼んでいる。従つて各ターゲツトマー
ク４毎に異なるターゲツトセンタTCを有する。
マニユアルアライメントマーク３……３は各素子
パターン毎に設けられ、各素子パターンの周辺あ
るいは隣接したスクライブライン上に設けられ
る。マニユアルアライメントマーク３……３は正
方形又は長方形状の枠内に種々の拡散やエツチン
グ等の工程に対応した指示マークを設けて形成さ
れる。
本発明の特徴はキーパターン１，２とマニユア
ルアライメントマーク３……３との位置関係にあ
る。即ちキーパターン１，２のターゲツトマーク
４のターゲツトセンタTCから各素子パターンの
横方向の長さ2lの半分だけずらした位置にマニユ
アルアライメントマーク３……３を設けるのであ
る。この関係を満足するときに内側又は外側に連
動して等距離に動く一対の対物レンズでウエハの
左右のマニユアルアライメントマークを同時に見
ることができるのである。
ルアライメントマーク３……３との位置関係にあ
る。即ちキーパターン１，２のターゲツトマーク
４のターゲツトセンタTCから各素子パターンの
横方向の長さ2lの半分だけずらした位置にマニユ
アルアライメントマーク３……３を設けるのであ
る。この関係を満足するときに内側又は外側に連
動して等距離に動く一対の対物レンズでウエハの
左右のマニユアルアライメントマークを同時に見
ることができるのである。
キーパターン１，２のターゲツトセンタTCよ
り外側にａだけ一対の対物レンズを移動させる
と、ターゲツトセンタTCから外側のマニユアル
アライメントマーク３までの距離はａとなる。次
にキーパターン１，２のターゲツトセンタTCよ
り内側にｂだけ一対の対物レンズを移動させる
と、ターゲツトセンタTCから内側のマニユアル
アライメントマーク３までの距離はｂとなる。隣
接するマニユアルアライメントマーク３，３は素
子パターンの横方向の長さを2lとすると、各素子
パターン毎にあるので、 ａ＋ｂ＝2l ……(1) が成り立つ。次にターゲツトセンタTCとチツプ
センタＣまでの距離をｓ、チツプセンタＣよりマ
ニユアルアライメントマーク３までの距離をｘと
すると、 ｘ＋ｓ＝ａ ……(2) ｘ＋ｓ＝ｂ ……(3) であり、(2)(3)式よりａ＝ｂ＝ｘ＋ｓであり、更に
(1)式よりａ＝ｂ＝ｌとなることが分る。従つて(2)
式に代入すると、 ｘ＋ｓ＝ｌ となり、 ｘ＝ｌ−ｓ ……(4) となる。
り外側にａだけ一対の対物レンズを移動させる
と、ターゲツトセンタTCから外側のマニユアル
アライメントマーク３までの距離はａとなる。次
にキーパターン１，２のターゲツトセンタTCよ
り内側にｂだけ一対の対物レンズを移動させる
と、ターゲツトセンタTCから内側のマニユアル
アライメントマーク３までの距離はｂとなる。隣
接するマニユアルアライメントマーク３，３は素
子パターンの横方向の長さを2lとすると、各素子
パターン毎にあるので、 ａ＋ｂ＝2l ……(1) が成り立つ。次にターゲツトセンタTCとチツプ
センタＣまでの距離をｓ、チツプセンタＣよりマ
ニユアルアライメントマーク３までの距離をｘと
すると、 ｘ＋ｓ＝ａ ……(2) ｘ＋ｓ＝ｂ ……(3) であり、(2)(3)式よりａ＝ｂ＝ｘ＋ｓであり、更に
(1)式よりａ＝ｂ＝ｌとなることが分る。従つて(2)
式に代入すると、 ｘ＋ｓ＝ｌ となり、 ｘ＝ｌ−ｓ ……(4) となる。
ｓの取り得る範囲は
ｏ≦ｓ≦ｌ
となる。ｓ＝ｏとすると
ｘ＝ｌ
となり、マニユアルアライメントマーク３を縦方
向のスクライブライン上に配置することを意味し
ている。
向のスクライブライン上に配置することを意味し
ている。
次にｓ＝ｌとすると
ｘ＝ｏ
となり、ターゲツトセンタTCを縦方向のスクラ
ブライン上に設けチツプセンタＣの延長上にマニ
ユアルアライメントマーク３を配置することを意
味している。
ブライン上に設けチツプセンタＣの延長上にマニ
ユアルアライメントマーク３を配置することを意
味している。
従つて本発明ではチツプセンタＣよりｌ−ｓ
（ｏ≦ｓ≦ｌ）離れた位置にマニユアルアライメ
ントマークを１つだけ設ければ良い。換言すれば
ターゲツトセンタTCよりｌ離れた位置にマニユ
アルアライメントマーク３を１個だけ設ければ良
いのである。依つてマニユアルアライメントマー
ク３はチツプセンタＣより縦方向のスクライブラ
イン上の間で選択できる様になる。
（ｏ≦ｓ≦ｌ）離れた位置にマニユアルアライメ
ントマークを１つだけ設ければ良い。換言すれば
ターゲツトセンタTCよりｌ離れた位置にマニユ
アルアライメントマーク３を１個だけ設ければ良
いのである。依つてマニユアルアライメントマー
ク３はチツプセンタＣより縦方向のスクライブラ
イン上の間で選択できる様になる。
本発明に依れば、キーパターン１，２を用いて
機械的に自動位置合わせを行つた後、一対の対物
レンズを用いてオフセツト調整を行う。このオフ
セツト調整ではターゲツトセンタTCよりｌだけ
離れた位置にマニユアルアライメントマーク３…
…３を設けているので、一対の対物レンズを外側
あるいは内側に移動しても必ず両視野に同時にマ
ニユアルアライメントマーク３……３を見ること
ができる。
機械的に自動位置合わせを行つた後、一対の対物
レンズを用いてオフセツト調整を行う。このオフ
セツト調整ではターゲツトセンタTCよりｌだけ
離れた位置にマニユアルアライメントマーク３…
…３を設けているので、一対の対物レンズを外側
あるいは内側に移動しても必ず両視野に同時にマ
ニユアルアライメントマーク３……３を見ること
ができる。
(ト) 発明の効果
本発明に依ればマニユアルアライメントマーク
３……３を従来のターゲツトセンタTCの延長上
以外にも設定できるので、マニユアルアライメン
トマーク３……３の位置を選択できパターン設計
の自由度を大巾に向上できる。
３……３を従来のターゲツトセンタTCの延長上
以外にも設定できるので、マニユアルアライメン
トマーク３……３の位置を選択できパターン設計
の自由度を大巾に向上できる。
次に本発明ではマニユアルアライメントマーク
３……３の位置を変更しても従来と全く同じ様に
一対の対物レンズの両視野に同時にマニユアルア
ライメントマーク３……３を見ながらオフセツト
調整が行え、オフセツト調整の時間の短縮を図
れ、アライメント精度も向上できる。
３……３の位置を変更しても従来と全く同じ様に
一対の対物レンズの両視野に同時にマニユアルア
ライメントマーク３……３を見ながらオフセツト
調整が行え、オフセツト調整の時間の短縮を図
れ、アライメント精度も向上できる。
第１図は本発明のパターン位置合わせ方法を説
明する上面図、第２図は本発明に用いたキーパタ
ーンの位置を説明する上面図、第３図は従来のキ
ーパターンの位置を説明する上面図、第４図は従
来のパターン位置合わせ方法を説明する上面図で
ある。 １，２はキーパターン、３……３はマニユアル
アライメントマーク、４はターゲツトマーク、
TCはターゲツトセンタである。
明する上面図、第２図は本発明に用いたキーパタ
ーンの位置を説明する上面図、第３図は従来のキ
ーパターンの位置を説明する上面図、第４図は従
来のパターン位置合わせ方法を説明する上面図で
ある。 １，２はキーパターン、３……３はマニユアル
アライメントマーク、４はターゲツトマーク、
TCはターゲツトセンタである。
Claims (1)
- １ キーパターンと各素子毎に設けたマニユアル
アライメントマークとを有するマスクを用いて前
記キーパターンで自動位置合わせを行つた後に一
対の対物レンズを用いて左右のマニユアルアライ
メントマークを用いてオフセツト調整を行うパタ
ーン位置合わせ方法において、前記キーパターン
のターゲツトマークの中心線より各素子サイズの
半分の位置に前記マニユアルアライメントマーク
を設け、前記一対の対物レンズで前記マニユアル
アライメントマークを同時に見てオフセツト調整
を行うことを特徴とするパターン位置合わせ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034224A JPS62193121A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034224A JPS62193121A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193121A JPS62193121A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0222530B2 true JPH0222530B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=12408174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034224A Granted JPS62193121A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193121A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123279A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP61034224A patent/JPS62193121A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62193121A (ja) | 1987-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |