JPH0222533B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0222533B2 JPH0222533B2 JP61034229A JP3422986A JPH0222533B2 JP H0222533 B2 JPH0222533 B2 JP H0222533B2 JP 61034229 A JP61034229 A JP 61034229A JP 3422986 A JP3422986 A JP 3422986A JP H0222533 B2 JPH0222533 B2 JP H0222533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- manual alignment
- center
- mark
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
- H10W46/501—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification for use before dicing
- H10W46/507—Located in dummy chips or in reference chips
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はパターン位置合わせ方法に関し、特に
一対の対物レンズを用いて半導体装置を製造する
際のパターンの位置合わせ方法に関する。
一対の対物レンズを用いて半導体装置を製造する
際のパターンの位置合わせ方法に関する。
(ロ) 従来の技術
半導体装置は年々集積度が増し、パターンの微
細化が進んでいる。従つて半導体装置の製造装置
にも変革が起つており、光リソグラフイ技術にお
いてもコンタクト露光方式から反射投影露光方式
へと移行している。
細化が進んでいる。従つて半導体装置の製造装置
にも変革が起つており、光リソグラフイ技術にお
いてもコンタクト露光方式から反射投影露光方式
へと移行している。
具体的に露光技術としては、工業調査会発行
「最新LSIプロセス技術」第261頁〜第264頁に記
載されている如く、コンタクト露光方式、プロキ
シミテイ露光方式、反射型投影方式、縮小投影露
光方式が知られており、１：１の露光方法と５：
１あるいは10：１等の縮小露光方法に大別され
る。
「最新LSIプロセス技術」第261頁〜第264頁に記
載されている如く、コンタクト露光方式、プロキ
シミテイ露光方式、反射型投影方式、縮小投影露
光方式が知られており、１：１の露光方法と５：
１あるいは10：１等の縮小露光方法に大別され
る。
１：１の露光方法を採用するコンタクト露光方
式、プロキシミテイ露光方式あるいは反射型投影
方式では、第３図および第４図に示す如くマスク
の左右に一対のキーパターン１１，１２を設け、
各素子には夫々マニユアルアライメントマーク１
３を設けている。第３図はキーパターン１１，１
２を設けた位置を示す上面図であり、ウエハの左
右に離間してキーパターン１１，１２を設けてい
る。第４図は第３図の左右のキーパターン１１，
１２およびその周辺の各素子パターン１４…１４
の拡大図である。通常キーパターン１１，１２は
素子パターン１４の１個分を占有し、ヘの字のタ
ーゲツトマークで形成されている。各素子パター
ン１４…１４には各素子を形成する上で必要なパ
ターン（図示せず）と周辺等のパターン内部の空
白部分あるいはスクライブライン上にマニユアル
アライメントマーク１３が設けられている。
式、プロキシミテイ露光方式あるいは反射型投影
方式では、第３図および第４図に示す如くマスク
の左右に一対のキーパターン１１，１２を設け、
各素子には夫々マニユアルアライメントマーク１
３を設けている。第３図はキーパターン１１，１
２を設けた位置を示す上面図であり、ウエハの左
右に離間してキーパターン１１，１２を設けてい
る。第４図は第３図の左右のキーパターン１１，
１２およびその周辺の各素子パターン１４…１４
の拡大図である。通常キーパターン１１，１２は
素子パターン１４の１個分を占有し、ヘの字のタ
ーゲツトマークで形成されている。各素子パター
ン１４…１４には各素子を形成する上で必要なパ
ターン（図示せず）と周辺等のパターン内部の空
白部分あるいはスクライブライン上にマニユアル
アライメントマーク１３が設けられている。
従来の露光方式ではキーパターン１１，１２を
用いてマスクとウエハの位置合わせを自動的にマ
スク合わせ装置を用いて行い、続いて対物レンズ
を用いて各マニユアルアライメントマーク１３を
用いてオフセツト調整を行つた後、露光をして各
素子パターンを焼き付けている。このオフセツト
調整はマスクを作成する際に生ずるキーパターン
１１，１２と各素子パターンの誤差や製造中に生
ずるウエハの歪による誤差を手動で修正するもの
である。
用いてマスクとウエハの位置合わせを自動的にマ
スク合わせ装置を用いて行い、続いて対物レンズ
を用いて各マニユアルアライメントマーク１３を
用いてオフセツト調整を行つた後、露光をして各
素子パターンを焼き付けている。このオフセツト
調整はマスクを作成する際に生ずるキーパターン
１１，１２と各素子パターンの誤差や製造中に生
ずるウエハの歪による誤差を手動で修正するもの
である。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
しかしながら従来の露光方式ではマニユアルア
ライメントマーク１３はキーパターン１１，１２
のヘの字の頂点であるターゲツトセンタTCの延
長上に配置される様に設定されていた。これはオ
フセツト調整時に一対の対物レンズを用いて左右
のマニユアルアライメントマーク１３を同時に見
ながら微調を行うためである。一対の対物レンズ
は内側に同じ距離あるいは外側に同じ距離だけ移
動する機構を有しているので、ターゲツトセンタ
TC上に位置すると左右のマニユアルアライメン
トマーク１３を同時に捕えられるからである。
ライメントマーク１３はキーパターン１１，１２
のヘの字の頂点であるターゲツトセンタTCの延
長上に配置される様に設定されていた。これはオ
フセツト調整時に一対の対物レンズを用いて左右
のマニユアルアライメントマーク１３を同時に見
ながら微調を行うためである。一対の対物レンズ
は内側に同じ距離あるいは外側に同じ距離だけ移
動する機構を有しているので、ターゲツトセンタ
TC上に位置すると左右のマニユアルアライメン
トマーク１３を同時に捕えられるからである。
ところがマニユアルアライメントマーク１３の
位置を固定すると極めてパターン設計に自由度を
失う欠点がある。これを避ける意味でマニユアル
アライメントマーク１３の位置を異ならせると、
オフセツト調整時に一対の対物レンズで左右のマ
ニユアルアライメントマーク１３を同時に見るこ
とができなくなり、オフセツト調整に多大の時間
を要し且つアライメント精度も低下する欠点があ
つた。
位置を固定すると極めてパターン設計に自由度を
失う欠点がある。これを避ける意味でマニユアル
アライメントマーク１３の位置を異ならせると、
オフセツト調整時に一対の対物レンズで左右のマ
ニユアルアライメントマーク１３を同時に見るこ
とができなくなり、オフセツト調整に多大の時間
を要し且つアライメント精度も低下する欠点があ
つた。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、キーパ
ターンのターゲツトマークをターゲツトセンタが
スクライブラインのスクライブセンタの延長上に
なる様に設け、マニユアルアライメントマークを
チツプセンタの延長上に設けているので、マニユ
アルアライメントマークを従来のターゲツトセン
タの延長上以外の位置にも設定できパターン設計
の自由度を持たせたパターン位置合わせ方法を提
供するものである。
ターンのターゲツトマークをターゲツトセンタが
スクライブラインのスクライブセンタの延長上に
なる様に設け、マニユアルアライメントマークを
チツプセンタの延長上に設けているので、マニユ
アルアライメントマークを従来のターゲツトセン
タの延長上以外の位置にも設定できパターン設計
の自由度を持たせたパターン位置合わせ方法を提
供するものである。
(ホ) 作用
本発明に依れば、マニユアルアライメントマー
クをチツプセンタＣの延長上に設けているので、
キーパターンを用いてマスク合わせ装置で自動的
に位置合わせを行つた後一対の対物レンズを左右
に動かしても同時にマニユアルアライメントマー
クを見ることができ、オフセツト調整を容易に行
なえる。
クをチツプセンタＣの延長上に設けているので、
キーパターンを用いてマスク合わせ装置で自動的
に位置合わせを行つた後一対の対物レンズを左右
に動かしても同時にマニユアルアライメントマー
クを見ることができ、オフセツト調整を容易に行
なえる。
(ヘ) 実施例
本発明に依るパターン位置合わせ方法を第１図
および第２図を参照して詳述する。
および第２図を参照して詳述する。
第１図に示す左右のパターンは、第２図に示し
たマスクの左右に離間して設けられるキーパター
ン１，２およびその周辺の各素子パターン（図示
せず）の拡大図である。
たマスクの左右に離間して設けられるキーパター
ン１，２およびその周辺の各素子パターン（図示
せず）の拡大図である。
本発明に依る位置合わせ用マークはキーパター
ン１，２とマニユアルアライメントマーク３より
構成されている。キーパターン１，２は第２図に
示す如く、左右に離間して設けられ、各キーパタ
ーン１，２は素子パターン５の通常２個分を占有
して形成される。キーパターン１，２の形状はヘ
の字のターゲツトマーク４で形成され、マスク側
に設けた平行に離間した２組のハの字の中間にウ
エハ上のヘの字マークを位置させて位置合わせを
行う。キーパターン１，２は第１図ではターゲツ
トマーク４が１種しかないが、複数種のターゲツ
トマーク４を有し、ターゲツトマーク４の頂点を
結ぶ一点破線をターゲツトセンタTCと呼んでい
る。従つて各ターゲツトマーク４毎に異なるター
ゲツトセンタTCを有する。マニユアルアライメ
ントマーク３…３は各素子パターン５毎に設けら
れ、正方形又は長方形状の枠内に種々の拡散やエ
ツチング等のプロセス工程に対応した指示マーク
を設けて形成される。
ン１，２とマニユアルアライメントマーク３より
構成されている。キーパターン１，２は第２図に
示す如く、左右に離間して設けられ、各キーパタ
ーン１，２は素子パターン５の通常２個分を占有
して形成される。キーパターン１，２の形状はヘ
の字のターゲツトマーク４で形成され、マスク側
に設けた平行に離間した２組のハの字の中間にウ
エハ上のヘの字マークを位置させて位置合わせを
行う。キーパターン１，２は第１図ではターゲツ
トマーク４が１種しかないが、複数種のターゲツ
トマーク４を有し、ターゲツトマーク４の頂点を
結ぶ一点破線をターゲツトセンタTCと呼んでい
る。従つて各ターゲツトマーク４毎に異なるター
ゲツトセンタTCを有する。マニユアルアライメ
ントマーク３…３は各素子パターン５毎に設けら
れ、正方形又は長方形状の枠内に種々の拡散やエ
ツチング等のプロセス工程に対応した指示マーク
を設けて形成される。
本発明の特徴はキーパターン１，２とマニユア
ルアライメントマーク３…３との位置関係にあ
る。即ちキーパターン１，２のターゲツトマーク
４のターゲツトセンタTCをスクライブセンタSC
と一致させ、マニユアルアライメントマーク３…
３を各チツプセンタＣの延長上で各素子パターン
５の余白部分あるいは隣接する横方向のスクライ
ブライン６上に設けている。ターゲツトマーク４
はターゲツトセンタTCをスクライブセンタSCと
一致させるので、キーパターン１，２は隣接する
各素子パターン５を２個分使つて形成されてい
る。従つてチツプの横方向のサイズを2lとする
と、各マニユアルアライメントマーク３…３はタ
ーゲツトセンタTCより左右にｌだけ離間して各
素子パターン５に形成されることになる。なおタ
ーゲツトセンタTCの延長上に設けた三角印のマ
ニユアルアライメントマーク７…７は従来のルー
ルに依るものであり、本発明では本発明と従来の
双方のいずれかを選択できる様になる。
ルアライメントマーク３…３との位置関係にあ
る。即ちキーパターン１，２のターゲツトマーク
４のターゲツトセンタTCをスクライブセンタSC
と一致させ、マニユアルアライメントマーク３…
３を各チツプセンタＣの延長上で各素子パターン
５の余白部分あるいは隣接する横方向のスクライ
ブライン６上に設けている。ターゲツトマーク４
はターゲツトセンタTCをスクライブセンタSCと
一致させるので、キーパターン１，２は隣接する
各素子パターン５を２個分使つて形成されてい
る。従つてチツプの横方向のサイズを2lとする
と、各マニユアルアライメントマーク３…３はタ
ーゲツトセンタTCより左右にｌだけ離間して各
素子パターン５に形成されることになる。なおタ
ーゲツトセンタTCの延長上に設けた三角印のマ
ニユアルアライメントマーク７…７は従来のルー
ルに依るものであり、本発明では本発明と従来の
双方のいずれかを選択できる様になる。
本発明に依れば、一対の対物レンズをターゲツ
トセンタTCより内側にｌだけ移動すると、第１
図の左側に示すキーパターン１側では矢印の如く
右側の各素子パターン５のチツプセンタＣにある
マニユアルアライメントマーク３を見ることがで
き、第１図右側に示すキーパターン２側では矢印
に示す如く左側の各素子パターン５のチツプセン
タＣにあるマニユアルアライメントマーク３を見
ることができる。逆に一対の対物レンズをターゲ
ツトセンタTCより外側にｌだけ移動すると上述
したのと逆の側のマニユアルアライメントマーク
３…３を同時に見ることができる。その後は一対
の対物レンズを内側あるいは外側に各素子パター
ン５の横方向のサイズ2lだけ移動すれば隣接する
各素子パターン５のマニユアルアライメントマー
ク３…３を次々に一対の対物レンズを用いて同時
に見ることができる。
トセンタTCより内側にｌだけ移動すると、第１
図の左側に示すキーパターン１側では矢印の如く
右側の各素子パターン５のチツプセンタＣにある
マニユアルアライメントマーク３を見ることがで
き、第１図右側に示すキーパターン２側では矢印
に示す如く左側の各素子パターン５のチツプセン
タＣにあるマニユアルアライメントマーク３を見
ることができる。逆に一対の対物レンズをターゲ
ツトセンタTCより外側にｌだけ移動すると上述
したのと逆の側のマニユアルアライメントマーク
３…３を同時に見ることができる。その後は一対
の対物レンズを内側あるいは外側に各素子パター
ン５の横方向のサイズ2lだけ移動すれば隣接する
各素子パターン５のマニユアルアライメントマー
ク３…３を次々に一対の対物レンズを用いて同時
に見ることができる。
本発明に依れば、キーパターン１，２を用いて
機械的に自動位置合わせを行つた後、一対の対物
レンズを用いてオフセツト調整を行う。このオフ
セツト調整はターゲツトセンタTC、即ちスクラ
イブセンタSCよりｌだけ離間したマニユアルア
ライメントマーク３…３を一対の対物レンズを外
側又は内側に移動して必ず両視野に同時に捕えな
がら行う。
機械的に自動位置合わせを行つた後、一対の対物
レンズを用いてオフセツト調整を行う。このオフ
セツト調整はターゲツトセンタTC、即ちスクラ
イブセンタSCよりｌだけ離間したマニユアルア
ライメントマーク３…３を一対の対物レンズを外
側又は内側に移動して必ず両視野に同時に捕えな
がら行う。
(ト) 発明の効果
本発明に依れば、マニユアルアライメントマー
ク３…３を従来のターゲツトセンタTCの延長上
以外にも設定できるので、マニユアルアライメン
トマーク３…３の位置を選択できパターン設計の
自由度を向上できる。
ク３…３を従来のターゲツトセンタTCの延長上
以外にも設定できるので、マニユアルアライメン
トマーク３…３の位置を選択できパターン設計の
自由度を向上できる。
次に本発明ではマニユアルアライメントマーク
３…３の位置を変更しても従来と全く同じ様に一
対の対物レンズの両視野に同時に左右のマニユア
ルアライメントマーク３…３を見ながらオフセツ
ト調整が行え、オフセツト調整時間の短縮を図
れ、アライメント精度も向上できる。
３…３の位置を変更しても従来と全く同じ様に一
対の対物レンズの両視野に同時に左右のマニユア
ルアライメントマーク３…３を見ながらオフセツ
ト調整が行え、オフセツト調整時間の短縮を図
れ、アライメント精度も向上できる。
第１図は本発明のパターン位置合わせ方法を説
明する上面図、第２図は本発明に用いたキーパタ
ーンの位置を説明する上面図、第３図は従来のキ
ーパターンの位置を説明する上面図、第４図は従
来のパターン位置合わせ方法を説明する上面図で
ある。 １，２はキーパターン、３…３はマニユアルア
ライメントマーク、４はターゲツトマーク、５は
各素子パターン、６はスクライブライン、TCは
ターゲツトセンタ、Ｃはチツプセンタ、SCはス
クライブセンタである。
明する上面図、第２図は本発明に用いたキーパタ
ーンの位置を説明する上面図、第３図は従来のキ
ーパターンの位置を説明する上面図、第４図は従
来のパターン位置合わせ方法を説明する上面図で
ある。 １，２はキーパターン、３…３はマニユアルア
ライメントマーク、４はターゲツトマーク、５は
各素子パターン、６はスクライブライン、TCは
ターゲツトセンタ、Ｃはチツプセンタ、SCはス
クライブセンタである。
Claims (1)
- １ キーパターンと各素子毎に設けたマニユアル
アライメントマークとを有するマスクを用いて前
記キーパターンで自動位置合わせを行つた後に一
対の対物レンズを用いて左右のマニユアルアライ
メントマークを用いてオフセツト調整を行うパタ
ーン位置合わせ方法において、前記キーパターン
のターゲツトマークのターゲツトセンタを各素子
間の縦方向のスクライブラインのセンタの延長上
に設け、前記マニユアルアライメントマークを各
素子パターンのチツプセンタの延長上に設け、前
記一対の対物レンズで前記マニユアルアライメン
トマークを同時に見てオフセツト調整を行うこと
を特徴とするパターン位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034229A JPS62193124A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034229A JPS62193124A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193124A JPS62193124A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0222533B2 true JPH0222533B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=12408315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034229A Granted JPS62193124A (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193124A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940000910B1 (ko) * | 1991-04-12 | 1994-02-04 | 금성일렉트론 주식회사 | 반도체 칩의 얼라인먼트 방법 및 레이저 리페이어용 타겟이 형성된 반도체 칩 |
-
1986
- 1986-02-19 JP JP61034229A patent/JPS62193124A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62193124A (ja) | 1987-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |