JPH02225534A - 無機物微粒子超薄膜およびその製造方法およびそれを応用した磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
無機物微粒子超薄膜およびその製造方法およびそれを応用した磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH02225534A JPH02225534A JP1045999A JP4599989A JPH02225534A JP H02225534 A JPH02225534 A JP H02225534A JP 1045999 A JP1045999 A JP 1045999A JP 4599989 A JP4599989 A JP 4599989A JP H02225534 A JPH02225534 A JP H02225534A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は無機物微粒子からなる超薄膜およびその製造方
法に関し、さらにその応用として、前記無機物微粒子か
らなる超薄膜を記録層とする磁気記録媒体およびその製
造方法に関するものである。
法に関し、さらにその応用として、前記無機物微粒子か
らなる超薄膜を記録層とする磁気記録媒体およびその製
造方法に関するものである。
従来の技術
従来より、無機物微粒子超薄膜は配線材料、加工材料、
記録材料、印刷材料などとして広く用いられている。以
下、従来の技術の一例として磁気記録媒体およびその製
造方法について説明する。
記録材料、印刷材料などとして広く用いられている。以
下、従来の技術の一例として磁気記録媒体およびその製
造方法について説明する。
従来の磁気記録媒体の製造方法は、磁性無機物微粒子を
バインダーと呼ばれる合成樹脂の中に分散させて磁性ペ
イントを作成し、この磁性ペイントを基板上に薄く均一
に塗工することにより記録層を形成する方法が多く用い
られている。また、保磁力を大きくするために、磁性ペ
イントを基板上に塗工してから乾く前に磁場をかけて磁
性無機物微粒子の配向を揃える工程がある。
バインダーと呼ばれる合成樹脂の中に分散させて磁性ペ
イントを作成し、この磁性ペイントを基板上に薄く均一
に塗工することにより記録層を形成する方法が多く用い
られている。また、保磁力を大きくするために、磁性ペ
イントを基板上に塗工してから乾く前に磁場をかけて磁
性無機物微粒子の配向を揃える工程がある。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来の磁気記録媒体の製造方法では、磁
性のない合成樹脂からなるバインダーが多く含まれてお
り高密度化には好ましくなかった。
性のない合成樹脂からなるバインダーが多く含まれてお
り高密度化には好ましくなかった。
また、バインダーの粘性のため磁性無機物微粒子の配向
を完全に揃えることは容易ではなかった。
を完全に揃えることは容易ではなかった。
さらに、磁気記録媒体の表面は平坦でかつ滑らかである
必要があるが、従来の製造方法では平坦でかつ滑らかな
表面を得ることが難しかった。
必要があるが、従来の製造方法では平坦でかつ滑らかな
表面を得ることが難しかった。
課題を解決するための手段
本発明の無機物微粒子超薄膜は、薄膜状に固定された無
機物微粒子と、前記無機物微粒子の表面に形成された有
機化合物分子よりなる有機薄膜とからなり、かつ前記有
機化合物分子同志が化学結合していることを特徴とする
ものである。
機物微粒子と、前記無機物微粒子の表面に形成された有
機化合物分子よりなる有機薄膜とからなり、かつ前記有
機化合物分子同志が化学結合していることを特徴とする
ものである。
上記構成の無機物微粒子超薄膜を製造するために、本発
明の無機物微粒子超薄膜の製造方法は、無機物微粒子表
面に均一に有機化合物分子からなる単分子膜を形成する
工程と、前記無機物微粒子を気水界面に展開し基板に移
し取る工程と、前記基板に移し取られた前記無機物微粒
子に前記有機化合物分子同志を化学結合させるための化
学的処理または物理的処理を施す工程とからなることを
特徴とするものである。
明の無機物微粒子超薄膜の製造方法は、無機物微粒子表
面に均一に有機化合物分子からなる単分子膜を形成する
工程と、前記無機物微粒子を気水界面に展開し基板に移
し取る工程と、前記基板に移し取られた前記無機物微粒
子に前記有機化合物分子同志を化学結合させるための化
学的処理または物理的処理を施す工程とからなることを
特徴とするものである。
さらに本発明の磁気記録媒体は、無機物微粒子として磁
性無機物微粒子を用いて本発明の無機物微粒子超薄膜を
形成し、前記超薄膜を記録層としたものである。
性無機物微粒子を用いて本発明の無機物微粒子超薄膜を
形成し、前記超薄膜を記録層としたものである。
作用
本発明の無機物微粒子超薄膜およびその製造方法は上記
の構成によって、より新しく容易な無機物微粒子の取扱
方法により無機物微粒子の超薄膜を形成することが出来
る。さらに、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法
は、バインダーにあたるものがまったく無いため高密度
化が実現でき、かつ磁性無機物微粒子の配向を揃えるこ
とも容易である。
の構成によって、より新しく容易な無機物微粒子の取扱
方法により無機物微粒子の超薄膜を形成することが出来
る。さらに、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法
は、バインダーにあたるものがまったく無いため高密度
化が実現でき、かつ磁性無機物微粒子の配向を揃えるこ
とも容易である。
実施例
以下、本発明の無機物微粒子超薄膜の一実施例を第1図
および第2図を用いて詳細に説明する。
および第2図を用いて詳細に説明する。
ここで、第1図は無機物微粒子超薄膜の模式断面図であ
り、第2図は第1図の円Aで囲む部分の拡大図である。
り、第2図は第1図の円Aで囲む部分の拡大図である。
1は直径的10OAの無機物微粒子である。無機物微粒
子1の周囲には前記無機物の構成元素の酸化物膜が形成
されており、前記酸化物膜上には直鎖状炭化水素基を有
する有機化合物分子2が吸着している。前記直鎖状炭化
水素基を有する有機化合物分子2は隣接している直鎖状
炭化水素基を有する有機化合物分子と互いに化学結合し
ている。
子1の周囲には前記無機物の構成元素の酸化物膜が形成
されており、前記酸化物膜上には直鎖状炭化水素基を有
する有機化合物分子2が吸着している。前記直鎖状炭化
水素基を有する有機化合物分子2は隣接している直鎖状
炭化水素基を有する有機化合物分子と互いに化学結合し
ている。
3はエチレン結合からなる化学結合部をさす。4は基板
である。第2図で示すように直鎖状炭化水素基を膏する
有機化合物分子2は無機物微粒子1と なるシロキサン結合5を形成している。従って、無機物
微粒子1は直鎖状炭化水素基を存する有機化合物分子2
で固定されており、また、直鎖状炭化水素基を有する有
機化合物分子2はエチレン結合からなる化学結合部3で
固定されている。そのため、無機物微粒子1の保持性が
優れている。また、ラングミュア・プロジェット法を使
用できるため無機物微粒子超薄膜を層状に形成でき、そ
の厚みを一様にすることができる。
である。第2図で示すように直鎖状炭化水素基を膏する
有機化合物分子2は無機物微粒子1と なるシロキサン結合5を形成している。従って、無機物
微粒子1は直鎖状炭化水素基を存する有機化合物分子2
で固定されており、また、直鎖状炭化水素基を有する有
機化合物分子2はエチレン結合からなる化学結合部3で
固定されている。そのため、無機物微粒子1の保持性が
優れている。また、ラングミュア・プロジェット法を使
用できるため無機物微粒子超薄膜を層状に形成でき、そ
の厚みを一様にすることができる。
なお、本実施例では無機物微粒子超薄膜は一層だけの例
を示したが、必要に応じて累積層にしてもよい。
を示したが、必要に応じて累積層にしてもよい。
また、本実施例では直鎖状炭化水素基を有する有機化合
物分子同志の結合がエチレン結合である例を示したが、
これだけに限らないことは言うまでもない。
物分子同志の結合がエチレン結合である例を示したが、
これだけに限らないことは言うまでもない。
さらに、本実施例では無機物微粒子と直鎖状炭化水素基
を仔する有機化合物分子との結合がシロキサン結合であ
る例を示したが、他の結合、例えば、−8−無機物結合
などであっても構わない。
を仔する有機化合物分子との結合がシロキサン結合であ
る例を示したが、他の結合、例えば、−8−無機物結合
などであっても構わない。
以下、本発明の無機物微粒子超薄膜の製造方法の第1の
実施例を第3図を用いて段階的に詳細に説明する。なお
、第3図はすべて断面図である。
実施例を第3図を用いて段階的に詳細に説明する。なお
、第3図はすべて断面図である。
無機物微粒子に吸着させる有機化合物分子として、例え
ば、 CH3−CEC−(CH2)+v−8i Clsのよう
なりロルシラン基およびアセチレン結合を含む直鎖状炭
化水素基を存する有機化合物分子10をクロロホルムを
主体とする非水系溶媒に溶かし、その中に無機物微粒子
11を入れて攪拌する。無機物微粒子11の周囲に形成
された前記無機物の構成元素の酸化物膜にクロルシラン
基が反応し、シロキサン結合が形成され、直鎖状炭化水
素基を有する有機化合物10が吸着される。吸着処理を
施した無機物微粒子11を気水界面12上に展開し、バ
リア13によって無機物微粒子11をかき集め、さらに
、適宜な圧力を加え無機物微粒子超薄膜14を形成する
。前記無機物微粒子超薄膜14を任意の基板15例えば
シリコン基板に移し取る。ここで、無機物微粒子11の
周囲に吸着された直鎖状炭化水素基を育する有機化合物
分子10はもちろん無機物微粒子11の周囲全面にわた
って形成されるが図面では煩雑になるため三次元的に記
載していない(第3図(A))。
ば、 CH3−CEC−(CH2)+v−8i Clsのよう
なりロルシラン基およびアセチレン結合を含む直鎖状炭
化水素基を存する有機化合物分子10をクロロホルムを
主体とする非水系溶媒に溶かし、その中に無機物微粒子
11を入れて攪拌する。無機物微粒子11の周囲に形成
された前記無機物の構成元素の酸化物膜にクロルシラン
基が反応し、シロキサン結合が形成され、直鎖状炭化水
素基を有する有機化合物10が吸着される。吸着処理を
施した無機物微粒子11を気水界面12上に展開し、バ
リア13によって無機物微粒子11をかき集め、さらに
、適宜な圧力を加え無機物微粒子超薄膜14を形成する
。前記無機物微粒子超薄膜14を任意の基板15例えば
シリコン基板に移し取る。ここで、無機物微粒子11の
周囲に吸着された直鎖状炭化水素基を育する有機化合物
分子10はもちろん無機物微粒子11の周囲全面にわた
って形成されるが図面では煩雑になるため三次元的に記
載していない(第3図(A))。
次に、前記基板15上に形成された無機物微粒子超薄膜
14に不活性ガス雰囲気中でエネルギービーム16例え
ば電子線を照射する(第3図(B))。
14に不活性ガス雰囲気中でエネルギービーム16例え
ば電子線を照射する(第3図(B))。
電子線等のエネルギービーム16を照射することにより
無機物微粒子11の周囲に吸着した直鎖状炭化水素基を
有する有機化合物分子10のアセチレン結合が隣接する
直鎖状炭化水素基を育する有機化合物分子10のアセチ
レン結合と化学反応を生じ、エチレン結合17を形成す
る。ここで、エチレン結合17は同一の無機物微粒子1
1の周囲に吸着した直鎖状炭化水素基を有する有機化合
物分子10のアセチレン結合間、または、隣接する無機
物微粒子11の周囲に吸着した直鎖状炭化水素基を有す
る有機化合物分子10のアセチレン結合間の反応で形成
されるが、図面では煩雑になるため模式的に示しである
(第3図(C))。
無機物微粒子11の周囲に吸着した直鎖状炭化水素基を
有する有機化合物分子10のアセチレン結合が隣接する
直鎖状炭化水素基を育する有機化合物分子10のアセチ
レン結合と化学反応を生じ、エチレン結合17を形成す
る。ここで、エチレン結合17は同一の無機物微粒子1
1の周囲に吸着した直鎖状炭化水素基を有する有機化合
物分子10のアセチレン結合間、または、隣接する無機
物微粒子11の周囲に吸着した直鎖状炭化水素基を有す
る有機化合物分子10のアセチレン結合間の反応で形成
されるが、図面では煩雑になるため模式的に示しである
(第3図(C))。
なお、本実施例では無機物微粒子超薄膜を一層だけ形成
したが、同様の方法を用いて累積膜にすることもできる
。
したが、同様の方法を用いて累積膜にすることもできる
。
また、本実施例では直鎖状炭化水素基を有する有機化合
物分子中の不飽和結合基としてアセチレン結合を用いた
が、他の不飽和結合基、例えばエチレン結合、ジアセチ
レン結合などであってもよさらに、本実施例では直鎖状
炭化水素基を有する有機化合物分子として末端基がクロ
ルシラン基であるものを使用したが、他に例えば、トリ
アジンジチオール誘導体を使うことも可能である。トリ
アジンジチオール誘導体を使用する時は非水系溶剤を使
う必要もなく、また、シロキサン結合を形成しない。
物分子中の不飽和結合基としてアセチレン結合を用いた
が、他の不飽和結合基、例えばエチレン結合、ジアセチ
レン結合などであってもよさらに、本実施例では直鎖状
炭化水素基を有する有機化合物分子として末端基がクロ
ルシラン基であるものを使用したが、他に例えば、トリ
アジンジチオール誘導体を使うことも可能である。トリ
アジンジチオール誘導体を使用する時は非水系溶剤を使
う必要もなく、また、シロキサン結合を形成しない。
さらになお、本実施例では基板に無機物微粒子を移し取
った後にエネルギービームを照射したが、気水界面上で
エネルギービームを照射し、その後移し取ってもよい。
った後にエネルギービームを照射したが、気水界面上で
エネルギービームを照射し、その後移し取ってもよい。
さらにまた、無機物微粒子の配向性を高めるため、無機
物微粒子が磁場に感応するときは気水界面上で超薄膜を
形成するとき、もしくはエネルギービームを照射すると
きに磁場もしくは電場をかけてもよい。
物微粒子が磁場に感応するときは気水界面上で超薄膜を
形成するとき、もしくはエネルギービームを照射すると
きに磁場もしくは電場をかけてもよい。
以下、本発明の無機物微粒子超薄膜の製造方法の第2の
実施例を第8図を用いて段階的に詳細に説明する。なお
、第3図はすべて断面図である。
実施例を第8図を用いて段階的に詳細に説明する。なお
、第3図はすべて断面図である。
ここで、無機物微粒子の周囲に直鎖状炭化水素基を有す
る有機化合物分子を吸着させる工程、並びに、気水界面
上に前記無機物微粒子の超薄膜を形成し、基板に移し取
る工程は第1の実施例と同じであるので省略する。
る有機化合物分子を吸着させる工程、並びに、気水界面
上に前記無機物微粒子の超薄膜を形成し、基板に移し取
る工程は第1の実施例と同じであるので省略する。
次に、5族もしくは6族遷移金属もしくは前記金属の化
合物よりなる触媒、例えば塩化タンタルを適宜非水系溶
媒に溶解し、その中に前記基板上に形成された無機物微
粒子超薄膜を浸漬する。浸漬によって直鎖状炭化水素基
を有する有機化合物分子中のアセチレン結合は隣接する
直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分子中のアセチレ
ン結合と化学反応を生じ、エチレン結合を形成する(第
3図(C))。
合物よりなる触媒、例えば塩化タンタルを適宜非水系溶
媒に溶解し、その中に前記基板上に形成された無機物微
粒子超薄膜を浸漬する。浸漬によって直鎖状炭化水素基
を有する有機化合物分子中のアセチレン結合は隣接する
直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分子中のアセチレ
ン結合と化学反応を生じ、エチレン結合を形成する(第
3図(C))。
なお、本実施例では5族もしくは6族遷移金属もしくは
前記金属の化合物よりなる触媒を用いたが、有機化合物
分子同志を化学結合させるための触媒ならばいずれを使
用してもよい。
前記金属の化合物よりなる触媒を用いたが、有機化合物
分子同志を化学結合させるための触媒ならばいずれを使
用してもよい。
また、無機物微粒子の配向性を高めるため、無機物微粒
子が磁場に感応するときは気水界面上で超薄膜を形成す
るとき、もしくは触媒溶液に浸漬するときに磁場もしく
は電場をかけてもよい。
子が磁場に感応するときは気水界面上で超薄膜を形成す
るとき、もしくは触媒溶液に浸漬するときに磁場もしく
は電場をかけてもよい。
以下、本発明の磁気記録媒体の一実施例を第4図および
第5図を用いて説明する。なお、第4図は磁気記録媒体
の模式断面図であり、第5図は第4図の円Bで囲む部分
の拡大図である。
第5図を用いて説明する。なお、第4図は磁気記録媒体
の模式断面図であり、第5図は第4図の円Bで囲む部分
の拡大図である。
20は直径約10OAの磁性無機物微粒子である。磁性
無機物微粒子20の周囲には前記磁性無機物の構成元素
の酸化物膜が形成されており、前記酸化物膜上には直鎖
状炭化水素基を有する有機化合物分子21が吸着してい
る。前記直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分子21
は隣接している直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分
子と互いに化学結合している。22は前記直鎖状炭化水
素基を有する有機化合物分子21間のエチレン結合から
なる化学結合部をさす。また、23は前記直鎖状炭化水
素基を有する有機化合物分子21の末端部に設けられた
フッ素置換部である。24は基板である。第5図で示す
ように直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分子21は
磁性無機物微粒子20と なるシロキサン結合25を形成している。従って、磁性
無機物微粒子20は直鎖状炭化水素基を有する有機化合
物分子21で固定されており、また、直鎖状炭化水素基
を有する有機化合物分子21はエチレン結合からなる化
学結合部22で固定されている。そのため、磁性無機物
微粒子の保持性が優れている。また、ラングミュア・プ
ロジェット法を使用できるため磁性無機物微粒子超薄膜
を層状に形成でき、その厚みを一様にすることができる
。
無機物微粒子20の周囲には前記磁性無機物の構成元素
の酸化物膜が形成されており、前記酸化物膜上には直鎖
状炭化水素基を有する有機化合物分子21が吸着してい
る。前記直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分子21
は隣接している直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分
子と互いに化学結合している。22は前記直鎖状炭化水
素基を有する有機化合物分子21間のエチレン結合から
なる化学結合部をさす。また、23は前記直鎖状炭化水
素基を有する有機化合物分子21の末端部に設けられた
フッ素置換部である。24は基板である。第5図で示す
ように直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分子21は
磁性無機物微粒子20と なるシロキサン結合25を形成している。従って、磁性
無機物微粒子20は直鎖状炭化水素基を有する有機化合
物分子21で固定されており、また、直鎖状炭化水素基
を有する有機化合物分子21はエチレン結合からなる化
学結合部22で固定されている。そのため、磁性無機物
微粒子の保持性が優れている。また、ラングミュア・プ
ロジェット法を使用できるため磁性無機物微粒子超薄膜
を層状に形成でき、その厚みを一様にすることができる
。
さらに、直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分子21
の末端部の水素原子をフッ素原子で置換しておくことに
より磁性無機物微粒子超薄膜の表面が常にフッ素原子で
覆われているため、磁気ヘッドなどの摩擦に対する耐摩
耗性が優れている。
の末端部の水素原子をフッ素原子で置換しておくことに
より磁性無機物微粒子超薄膜の表面が常にフッ素原子で
覆われているため、磁気ヘッドなどの摩擦に対する耐摩
耗性が優れている。
さらにまた、層状に磁性無機物微粒子超薄膜を形成でき
るため、必要とする磁気特性を得易い。
るため、必要とする磁気特性を得易い。
また、本実施例では直鎖状炭化水素基を存する有機化合
物分子間の結合がエチレン結合である例を示したが、こ
れだけに限らないことは言うまでもない。
物分子間の結合がエチレン結合である例を示したが、こ
れだけに限らないことは言うまでもない。
以下、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施例を第
6図を用いて段階的に詳細番こ゛説明する。
6図を用いて段階的に詳細番こ゛説明する。
なお、第6図はすべて断面図である。
磁性無機物微粒子に吸着させる有機化合物分子として、
例えば、 CFz−CEC−(CHa )+t−8)CIaのよう
なりロルシラン基、 トリフルオロメチル基およびアセ
チレン結合を含む直鎖状炭化水素基を有する有機化合物
分子30をクロロホルムを主体とする溶媒に溶かし、そ
の中に磁性無機物微粒子31を入れて攪拌する。磁性無
機物微粒子31の周囲に形成された前期磁性無機物の構
成元素の酸化物膜にクロルシラン基が反応し、シロキサ
ン結合が形成され、直鎖状炭化水素基を有する有機化合
物分子30が吸着される。吸着処理を施した磁性無機物
微粒子31を気水界面32上に展開し、バリア33によ
って磁性無機物微粒子31をかき集め、さらに、適宜な
圧力を加え磁性無機物微粒子超薄膜34を形成する。こ
のとき、さらに、磁性無機物微粒子31の配向性をよく
するため磁場35を加える。前記磁性無機物微粒子超薄
膜34を任意の基板36例えばシリコン基板に移し取る
。
例えば、 CFz−CEC−(CHa )+t−8)CIaのよう
なりロルシラン基、 トリフルオロメチル基およびアセ
チレン結合を含む直鎖状炭化水素基を有する有機化合物
分子30をクロロホルムを主体とする溶媒に溶かし、そ
の中に磁性無機物微粒子31を入れて攪拌する。磁性無
機物微粒子31の周囲に形成された前期磁性無機物の構
成元素の酸化物膜にクロルシラン基が反応し、シロキサ
ン結合が形成され、直鎖状炭化水素基を有する有機化合
物分子30が吸着される。吸着処理を施した磁性無機物
微粒子31を気水界面32上に展開し、バリア33によ
って磁性無機物微粒子31をかき集め、さらに、適宜な
圧力を加え磁性無機物微粒子超薄膜34を形成する。こ
のとき、さらに、磁性無機物微粒子31の配向性をよく
するため磁場35を加える。前記磁性無機物微粒子超薄
膜34を任意の基板36例えばシリコン基板に移し取る
。
ここで、磁性無機物微粒子31の周囲に形成された直鎖
状炭化水素基を存する有機化合物分子30はもちろん磁
性無機物微粒子31の周囲全面にわたって形成されるが
図面では煩雑になるため三次元的に記載していない(第
6図(A))。
状炭化水素基を存する有機化合物分子30はもちろん磁
性無機物微粒子31の周囲全面にわたって形成されるが
図面では煩雑になるため三次元的に記載していない(第
6図(A))。
次に、前記基板36上に形成された磁性無機物微粒子超
薄膜34にエネルギービーム37例えば電子線を照射す
る(第8図(B))。
薄膜34にエネルギービーム37例えば電子線を照射す
る(第8図(B))。
電子線等のエネルギービーム37を照射することにより
磁性無機物微粒子31の周囲に吸着した直鎖状炭化水素
基を存する有機化合物分子30のアセチレン結合が隣接
する直鎖状炭化ん素基を有する有機化合物分子30のア
セチレン結合と化学反応を生じ、エチレン結合38を形
成する。ここで、エチレン結合38は同一の磁性無機物
微粒子31の周囲に吸着した直鎖状炭化水素基を存する
有機化合物分子30のアセチレン結合間、または、隣接
する磁性無機物微粒子31の周囲に吸着した直鎖状炭化
水素基を有する有機化合物分子30のアセチレン結合間
の反応で形成されるが、図面では煩雑になるため模式的
に示しである(第6図(C))。
磁性無機物微粒子31の周囲に吸着した直鎖状炭化水素
基を存する有機化合物分子30のアセチレン結合が隣接
する直鎖状炭化ん素基を有する有機化合物分子30のア
セチレン結合と化学反応を生じ、エチレン結合38を形
成する。ここで、エチレン結合38は同一の磁性無機物
微粒子31の周囲に吸着した直鎖状炭化水素基を存する
有機化合物分子30のアセチレン結合間、または、隣接
する磁性無機物微粒子31の周囲に吸着した直鎖状炭化
水素基を有する有機化合物分子30のアセチレン結合間
の反応で形成されるが、図面では煩雑になるため模式的
に示しである(第6図(C))。
次に、第6図(A)および(B)で示したのと同様の方
法により磁性無機物微粒子超薄膜34を被着した基板3
6上にさらに磁性無機物微粒子超薄膜34を被着し、累
積膜を形成して本実施例の磁気記録媒体が作成される(
第8図(D))。
法により磁性無機物微粒子超薄膜34を被着した基板3
6上にさらに磁性無機物微粒子超薄膜34を被着し、累
積膜を形成して本実施例の磁気記録媒体が作成される(
第8図(D))。
なお、本実施例ではエネルギービームによるエチレン結
合形成の例を示したが、無機物微粒子超薄膜の製造方法
の実施例で示すように金属もしくは前記金属の化合物よ
りなる触媒による方法を用いてもよい。
合形成の例を示したが、無機物微粒子超薄膜の製造方法
の実施例で示すように金属もしくは前記金属の化合物よ
りなる触媒による方法を用いてもよい。
また、本実施例では基板に磁性無機物微粒子を移し取っ
た後にエネルギービームを照射したが、気水界面上でエ
ネルギービームを照射し、その後移し取ってもよい。
た後にエネルギービームを照射したが、気水界面上でエ
ネルギービームを照射し、その後移し取ってもよい。
さらに、本実施例では直鎖状炭化水素基を有する有機化
合物中の不飽和結合基としてアセチレン結合を用いたが
、他の不飽和結合基例えばエチレン結合、ジアセチレン
結合などであってもよい。
合物中の不飽和結合基としてアセチレン結合を用いたが
、他の不飽和結合基例えばエチレン結合、ジアセチレン
結合などであってもよい。
さらになお、本実施例では配向性を高めるための磁場を
気水界面上に磁性無機物微粒子超薄膜を形成したときに
かけたが、エネルギービームを照射するときにもかけて
もよい。
気水界面上に磁性無機物微粒子超薄膜を形成したときに
かけたが、エネルギービームを照射するときにもかけて
もよい。
さらにまた、本実施例では磁場を用いたが電場であって
もよい。
もよい。
発明の効果
本発明の無機物微粒子超薄膜およびその製造方法は無機
物微粒子の新しい取扱方法を提供するものである。さら
にその応用として、前記無機物微粒子からなる超薄膜を
記録層とする磁気記録媒体およびその製造方法は従来の
磁気記録媒体の持つ問題点であるバインダーにあたるも
のがまったくないため高密度化が実現できる。さらに、
無機物微粒子の保持性に優れており、かつ、従来の潤滑
剤にあたるものを新たに添加する必要がない。さらにま
た、無機物微粒子は撥水性の単分子膜で覆われているた
めに耐候性が非常に高い。さらにまた、本発明を垂直磁
気記録媒体に用いると高性能の磁気記録媒体を得ること
ができ、その製造も非常に容易になる。また、本発明の
無機物微粒子超薄膜およびその製造方法を用いる磁気記
録媒体以外の応用として配線材料、砥石などの加工材料
、感光性記録材料、印刷材料などの用途が考えられる。
物微粒子の新しい取扱方法を提供するものである。さら
にその応用として、前記無機物微粒子からなる超薄膜を
記録層とする磁気記録媒体およびその製造方法は従来の
磁気記録媒体の持つ問題点であるバインダーにあたるも
のがまったくないため高密度化が実現できる。さらに、
無機物微粒子の保持性に優れており、かつ、従来の潤滑
剤にあたるものを新たに添加する必要がない。さらにま
た、無機物微粒子は撥水性の単分子膜で覆われているた
めに耐候性が非常に高い。さらにまた、本発明を垂直磁
気記録媒体に用いると高性能の磁気記録媒体を得ること
ができ、その製造も非常に容易になる。また、本発明の
無機物微粒子超薄膜およびその製造方法を用いる磁気記
録媒体以外の応用として配線材料、砥石などの加工材料
、感光性記録材料、印刷材料などの用途が考えられる。
第1図は本発明の無機物微粒子超薄膜の一実施例の模式
断面図、第2図は第1図の円Aで囲む部分の拡大図、第
3図は本発明の無機物微粒子超薄膜の製造方法の一実施
例を段階的に説明する模式断面図、第4図は本発明の磁
気記録媒体の一実施例を説明する模式断面図、第5図は
第4図の円Bで囲む部分の拡大図、第8図は本発明の磁
気記録媒体の製造方法の一実施例を段階的に説明する模
式断面図である。 1.11・・・・無機物微粒子、2,10,21.30
・・・・直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分子、3
.22・・・・化学結合部、5.25・・・・シロキサ
ン結合、18.37・・・・エネルギービーム、17゜
38・・・・エチレン結合、20.31・・・・磁性無
機物微粒子、23・・・・フッ素置換部、35・・・・
磁場。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第 図 第 第 図 図 (C) #、機¥S雀又仁子 17エチレン討暑) 第 図 第 図 (A) 第 図 目1も悪堺♂弁閃位子 (A) (B) 第 図 <C)
断面図、第2図は第1図の円Aで囲む部分の拡大図、第
3図は本発明の無機物微粒子超薄膜の製造方法の一実施
例を段階的に説明する模式断面図、第4図は本発明の磁
気記録媒体の一実施例を説明する模式断面図、第5図は
第4図の円Bで囲む部分の拡大図、第8図は本発明の磁
気記録媒体の製造方法の一実施例を段階的に説明する模
式断面図である。 1.11・・・・無機物微粒子、2,10,21.30
・・・・直鎖状炭化水素基を有する有機化合物分子、3
.22・・・・化学結合部、5.25・・・・シロキサ
ン結合、18.37・・・・エネルギービーム、17゜
38・・・・エチレン結合、20.31・・・・磁性無
機物微粒子、23・・・・フッ素置換部、35・・・・
磁場。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第 図 第 第 図 図 (C) #、機¥S雀又仁子 17エチレン討暑) 第 図 第 図 (A) 第 図 目1も悪堺♂弁閃位子 (A) (B) 第 図 <C)
Claims (15)
- (1)薄膜状に固定された無機物微粒子と、前記無機物
微粒子の表面に形成された有機化合物分子よりなる有機
薄膜とを含み、かつ前記有機化合物分子同志が化学結合
していることを特徴とする無機物微粒子超薄膜。 - (2)無機物微粒子表面に、前記無機物の構成元素の酸
化物膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記
載の無機物微粒子超薄膜。 - (3)有機化合物分子の一方の末端基と無機物微粒子と
の化学結合が ▲数式、化学式、表等があります▼ 結合(シロキサン結合)または −S−無機物 結合であることを特徴とする請求項1もしくは2に記載
の無機物微粒子超薄膜。 - (4)無機物微粒子表面に均一に有機化合物分子よりな
る単分子膜を形成する工程と、前記無機物微粒子を気水
界面に展開し基板に移し取る工程と、前記基板に移し取
られた前記無機物微粒子に前記有機化合物分子同志を化
学結合させるための化学的処理または物理的処理を施す
工程とを含むことを特徴とする無機物微粒子超薄膜の製
造方法。 - (5)無機物微粒子表面に有機化合物分子よりなる単分
子膜を形成する工程が化学吸着法を用いた工程であるこ
とを特徴とする請求項4に記載の無機物微粒子超薄膜の
製造方法。 - (6)有機化合物分子が、CH_2基の数が10以上で
、かつ中に重合反応を行なう基を有する直鎖状炭化水素
基と、前記有機化合物分子の一方の末端に無機物微粒子
表面と吸着反応を行なう基とを有することを特徴とする
請求項4もしくは5に記載の無機物微粒子超薄膜の製造
方法。 - (7)無機物微粒子表面と吸着反応を行なう基が(モノ
、ジもしくはトリ)クロルシラン基もしくはトリアジン
ジチオール基であることを特徴とする請求項6に記載の
無機物微粒子超薄膜の製造方法。 - (8)重合反応を行なう基が不飽和結合基であることを
特徴とする請求項6もしくは7に記載の無機物微粒子超
薄膜の製造方法。 - (9)無機物微粒子を基板上に移し取る工程がラングミ
ュア・プロジェット法を用いた工程であることを特徴と
する請求項4から8のいずれかに記載の無機物微粒子超
薄膜の製造方法。 - (10)有機化合物分子同志を化学結合させるための物
理的処理を施す工程が紫外線、遠紫外線、電子線、X線
等のエネルギービームを照射する工程であることを特徴
とする請求項4から9のいずれかに記載の無機物微粒子
超薄膜の製造方法。 - (11)有機化合物分子同志を化学結合させるための化
学的処理を施す工程が触媒反応を施す工程であることを
特徴とする請求項4から9のいずれかに記載の無機物微
粒子超薄膜の製造方法。 - (12)薄膜状に固定された磁性無機物微粒子と、前記
磁性無機物微粒子の表面に形成された有機化合物分子よ
りなる有機薄膜とを含み、かつ前記有機化合物分子同志
が化学結合していることを特徴とする磁気記録媒体。 - (13)有機化合物分子が、中に重合反応を行なう基を
有する直鎖状炭化水素基を有し、かつ前記有機化合物分
子の一方の末端基と磁性無機物微粒子との化学結合が ▲数式、化学式、表等があります▼ 結合(シロキサン結合)または −S−無機物 結合であり、もう一方の末端におけるメチル基の水素原
子がフッ素原子に1つ以上置換されており、かつ前記重
合反応を行なう基間で重合反応して化学結合しているこ
とを特徴とする請求項12に記載の磁気記録媒体。 - (14)磁性無機物微粒子表面に有機化合物分子よりな
る単分子膜を均一に形成する工程と、前記磁性無機物微
粒子を気水界面に展開し基板に移し取る工程と、前記基
板に移し取られた前記磁性無機物微粒子に前記有機化合
物分子同志を化学結合させるための化学的処理または物
理的処理を施す工程とを含むことを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。 - (15)有機化合物分子よりなる単分子膜で覆われた磁
性無機物微粒子を気水界面上に展開し基板に移し取る工
程において、気水界面上に展開する際に磁場をかけるこ
とを特徴とする請求項14に記載の磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4599989A JPH0686535B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 無機物微粒子超薄膜およびその製造方法およびそれを応用した磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US07/361,261 US4985273A (en) | 1988-06-07 | 1989-06-05 | Method of producing fine inorganic particles |
| DE68924198T DE68924198T2 (de) | 1988-06-07 | 1989-06-06 | Masse aus feinen Teilchen eines anorganischen Materials und Verfahren zu ihrer Herstellung, ultradünner Film aus feinen anorganischen Teilchen und Verfahren zu seiner Herstellung, magnetischer Aufnahmeträger und Verfahren zu seiner Herstellung, Verfahren zur Herstellung von Motiven aus anorganischem Material und Verfahren zur Herstellung von Verdrahtungen aus anorganischem Material. |
| EP19890305701 EP0346074B1 (en) | 1988-06-07 | 1989-06-06 | Mass of fine particles of inorganic material and method of producing the same, ultrathin film of the inorganic fine particles and method of making the same, magnetic recording medium and method of providing the same method of manufacturing patterns of inorganic material, and method of manufacturing wirings of inorganic material |
| US07/606,620 US5277980A (en) | 1988-06-07 | 1990-10-31 | Mass of fine particles of inorganic material and a film of the fine inorganic particles |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4599989A JPH0686535B2 (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 無機物微粒子超薄膜およびその製造方法およびそれを応用した磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225534A true JPH02225534A (ja) | 1990-09-07 |
| JPH0686535B2 JPH0686535B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=12734794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4599989A Expired - Lifetime JPH0686535B2 (ja) | 1988-06-07 | 1989-02-27 | 無機物微粒子超薄膜およびその製造方法およびそれを応用した磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0686535B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7258893B2 (en) | 2001-05-08 | 2007-08-21 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a magnetic recording medium |
| JP2010070786A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 金属表面処理剤、表面処理鋼材及びその処理方法、並びに塗装鋼材及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP4599989A patent/JPH0686535B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7258893B2 (en) | 2001-05-08 | 2007-08-21 | Fujitsu Limited | Method of fabricating a magnetic recording medium |
| JP2010070786A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 金属表面処理剤、表面処理鋼材及びその処理方法、並びに塗装鋼材及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0686535B2 (ja) | 1994-11-02 |
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