JPH02225653A - 高密着力プラズマ溶射法 - Google Patents
高密着力プラズマ溶射法Info
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- JPH02225653A JPH02225653A JP1044094A JP4409489A JPH02225653A JP H02225653 A JPH02225653 A JP H02225653A JP 1044094 A JP1044094 A JP 1044094A JP 4409489 A JP4409489 A JP 4409489A JP H02225653 A JPH02225653 A JP H02225653A
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- heating
- thermal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、母材金属の表面を被覆する溶射法に係り、特
にプラズマジェットを用いる溶射法に関する。
にプラズマジェットを用いる溶射法に関する。
［従来の技術］
従来、母材金属表面に金属粉末等を溶射する場合、溶射
皮膜の母材に対する密着力を上げる゛ため、大気溶射に
おいては溶射前にショツトブラストを行って被加工物母
材表面に付着しているスケール・油脂・汚れ等を除去す
るとともに母材表面に凹凸をつけ溶射皮膜のアンカー効
果を上げるようにし、減圧プラズマ溶射においては、被
加工物にショツトブラストを行った後、減圧下でＡｒイ
オンを母材に衝突させてＦｅ３０ａ （酸化皮膜）を除
去するスパッタリングと母材の加熱を行い、溶射皮膜の
密着力を上げるようにしている。
皮膜の母材に対する密着力を上げる゛ため、大気溶射に
おいては溶射前にショツトブラストを行って被加工物母
材表面に付着しているスケール・油脂・汚れ等を除去す
るとともに母材表面に凹凸をつけ溶射皮膜のアンカー効
果を上げるようにし、減圧プラズマ溶射においては、被
加工物にショツトブラストを行った後、減圧下でＡｒイ
オンを母材に衝突させてＦｅ３０ａ （酸化皮膜）を除
去するスパッタリングと母材の加熱を行い、溶射皮膜の
密着力を上げるようにしている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら上記従来の溶射法の場合、大気溶射におい
てはショツトブラストを行フても溶射皮膜の密着力は３
〜６ｋｇ／ＩＭ＋２シか得られず、また減圧プラズマ溶
射装置はその設備費が大気プラズマ溶射法に対して５〜
６倍と高価であり、生産性が低く、減圧チャンバ内では
溶射ロボットの作動範囲と姿勢が制限されるという問題
点があった。
てはショツトブラストを行フても溶射皮膜の密着力は３
〜６ｋｇ／ＩＭ＋２シか得られず、また減圧プラズマ溶
射装置はその設備費が大気プラズマ溶射法に対して５〜
６倍と高価であり、生産性が低く、減圧チャンバ内では
溶射ロボットの作動範囲と姿勢が制限されるという問題
点があった。
本発明は上記従来の問題点に着目し、生産性が高く、安
価な設備で従来の３〜５倍以上の高密着力が得られるよ
うな溶射法を提供することを目的とする。なおここでい
う高密着力とは、鉄系溶射皮膜の場合２０ ｋｇ ／
ａｒｍ２以上、銅系溶射皮膜の場合 １５ｋｇ／ｍ２以
上である。
価な設備で従来の３〜５倍以上の高密着力が得られるよ
うな溶射法を提供することを目的とする。なおここでい
う高密着力とは、鉄系溶射皮膜の場合２０ ｋｇ ／
ａｒｍ２以上、銅系溶射皮膜の場合 １５ｋｇ／ｍ２以
上である。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために本発明に係る高密着力プラズ
マ溶射法は、プラズマジェットを利用した溶射において
、被加工物の溶射部直前を部分加熱することにより該溶
射直前部表面を活性化させ、時間間隔をおかずに溶射す
るものとし、溶射ガンと、被加工物の溶射部直前を加熱
する加熱トーチとを装着治具に取着して一体構成とする
とともに、溶射部と溶射部直前の加熱部との周囲に不活
性ガスを噴射して外気を遮断し、活性化された被加工物
表面の酸化を防止するものとし、被加工物の溶射部直前
を部分加熱する際加熱トーチをウィービングさせ、溶射
ゾーンに加熱ゾーンを一致させるように構成した。
マ溶射法は、プラズマジェットを利用した溶射において
、被加工物の溶射部直前を部分加熱することにより該溶
射直前部表面を活性化させ、時間間隔をおかずに溶射す
るものとし、溶射ガンと、被加工物の溶射部直前を加熱
する加熱トーチとを装着治具に取着して一体構成とする
とともに、溶射部と溶射部直前の加熱部との周囲に不活
性ガスを噴射して外気を遮断し、活性化された被加工物
表面の酸化を防止するものとし、被加工物の溶射部直前
を部分加熱する際加熱トーチをウィービングさせ、溶射
ゾーンに加熱ゾーンを一致させるように構成した。
［作用］
上記構成によれば、不活性ガスによって外気から遮断さ
れた溶射ゾーンを加熱し、その直後に溶射を行うように
したので、高密着力を有する溶射皮膜を安価な設備で、
高能率のもとに得ることができる。
れた溶射ゾーンを加熱し、その直後に溶射を行うように
したので、高密着力を有する溶射皮膜を安価な設備で、
高能率のもとに得ることができる。
［実施例コ
以下に本発明に係る高密着力プラズマ溶射法の実施例に
ついて、図面を参照して詳細に説明する。
ついて、図面を参照して詳細に説明する。
第１図および第２図において溶射ガン１と加熱トーチ２
とは、その中心距離が６０〜１００ｒｒ＋ｍになるよう
な装着治具３に装着されたダブルトーチて、該装着治具
３の下縁全周に設けられたバイブ４の噴射穴からシール
ドガスが母材５に向けて噴射され、加熱トーチ２による
加熱ゾーン６と、溶射ガン１による溶射ゾーン７とを外
気から遮断するシールドゾーン８を形成するようになっ
ている。前記溶射ガンｌの下端と母材５の表面との距離
は８０〜１４０ｍｍに保たれ、前記加熱トーチ２は進行
方向に対して直角方向にウィービングできるようになっ
ている。
とは、その中心距離が６０〜１００ｒｒ＋ｍになるよう
な装着治具３に装着されたダブルトーチて、該装着治具
３の下縁全周に設けられたバイブ４の噴射穴からシール
ドガスが母材５に向けて噴射され、加熱トーチ２による
加熱ゾーン６と、溶射ガン１による溶射ゾーン７とを外
気から遮断するシールドゾーン８を形成するようになっ
ている。前記溶射ガンｌの下端と母材５の表面との距離
は８０〜１４０ｍｍに保たれ、前記加熱トーチ２は進行
方向に対して直角方向にウィービングできるようになっ
ている。
溶射する場合、被加工物表面をショツトブラストした後
、加熱トーチ２で母材５の表面を７００〜ｌ０００℃に
加熱して活性化し、その直後に溶射ガン１で該活性化部
分に被覆材を溶射する。このとき装着治具３の下縁のバ
イブ４から噴射されるＮ２ガス（３０Ｑ／ｍｉ ｎ）が
外気を遮断して活性化された母材表面の酸化を防止し、
被覆材の密着力を向上させる。
、加熱トーチ２で母材５の表面を７００〜ｌ０００℃に
加熱して活性化し、その直後に溶射ガン１で該活性化部
分に被覆材を溶射する。このとき装着治具３の下縁のバ
イブ４から噴射されるＮ２ガス（３０Ｑ／ｍｉ ｎ）が
外気を遮断して活性化された母材表面の酸化を防止し、
被覆材の密着力を向上させる。
加熱トーチ２のウィービング幅は１０〜２０ｒ。
ｍ、 １〜２ヘルツ、また装着治具３の移動速度は３
００〜６００ｍｍ／ｍ ｉ ｎである。
００〜６００ｍｍ／ｍ ｉ ｎである。
本発明と従来法とを比較すると第１表の通りで、溶射皮
膜の密着力は大気溶射法の１０〜１５倍、生産性につい
ては大気溶射法と変わらず、減圧溶射法の１０〜２０倍
でありながら設備費は大気溶射法の １．５倍に抑える
ことができる。
膜の密着力は大気溶射法の１０〜１５倍、生産性につい
ては大気溶射法と変わらず、減圧溶射法の１０〜２０倍
でありながら設備費は大気溶射法の １．５倍に抑える
ことができる。
本実施例においてはシールドガスとしてＮ２ガス（３０
２／ｍｉ ｎ）を用いたがこれに限るものではなく、ま
た加熱トーチのウィービング幅、装普治具の移動速度は
被加工物の寸法・形状、溶射皮膜の厚さ等に応じて調節
するものとする。
２／ｍｉ ｎ）を用いたがこれに限るものではなく、ま
た加熱トーチのウィービング幅、装普治具の移動速度は
被加工物の寸法・形状、溶射皮膜の厚さ等に応じて調節
するものとする。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、不活性ガスによっ
て外気から遮断された溶射ゾーンを加熱し、その直後に
溶射を行うようにしたので、従来の大気溶射法に比べて
１０〜１５倍の密着力を有し、設備費は大気溶射法の
１．５倍、生産性は大気溶射法と同等で減圧溶射法の１
０〜２０倍という優れた効果を得ることができる。
て外気から遮断された溶射ゾーンを加熱し、その直後に
溶射を行うようにしたので、従来の大気溶射法に比べて
１０〜１５倍の密着力を有し、設備費は大気溶射法の
１．５倍、生産性は大気溶射法と同等で減圧溶射法の１
０〜２０倍という優れた効果を得ることができる。
第１図は実施例に係る高密着力プラズマ溶射法を用いた
ダブルトーチの側面図、第２図はダブルトーチによる加
熱ゾーン、溶剤ゾーン、不活性ガスによるシールドゾー
ンの位置関係を示す説明図である。 ｌ・・・・・・溶射ガン ２・・・・・・加熱トーチ ３・・・・・・装着治具 ６・・・・・・加熱ゾーン ７・・・・・・溶剤ゾーン
ダブルトーチの側面図、第２図はダブルトーチによる加
熱ゾーン、溶剤ゾーン、不活性ガスによるシールドゾー
ンの位置関係を示す説明図である。 ｌ・・・・・・溶射ガン ２・・・・・・加熱トーチ ３・・・・・・装着治具 ６・・・・・・加熱ゾーン ７・・・・・・溶剤ゾーン
Claims (3)
- （１）プラズマジェットを利用した溶射において、被加
工物の溶射部直前を部分加熱することにより該溶射直前
部表面を活性化させ、時間間隔をおかずに溶射すること
を特徴とする高密着力プラズマ溶射法。 - （２）溶射ガン１と、被加工物の溶射部直前を加熱する
加熱トーチ２とを装着治具３に取着して一体構成とする
とともに、溶射部と溶射部直前の加熱部との周囲に不活
性ガスを噴射して外気を遮断し、活性化された被加工物
表面の酸化を防止する請求項（１）記載の高密着力プラ
ズマ溶射法。 - （３）被加工物の溶射部直前を部分加熱する際加熱トー
チ２をウィービングさせ、溶射ゾーン７に加熱ゾーン６
を一致させるようにした請求項（１）または（２）記載
の高密着力プラズマ溶射法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044094A JPH02225653A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 高密着力プラズマ溶射法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044094A JPH02225653A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 高密着力プラズマ溶射法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02225653A true JPH02225653A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12682034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044094A Pending JPH02225653A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 高密着力プラズマ溶射法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02225653A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0593255A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Koshuha Kk | 基板へのプラズマ溶射方法 |
| JP2001511484A (ja) * | 1997-07-28 | 2001-08-14 | フオルクスワーゲン・アクチエンゲゼルシヤフト | 特に滑り軸受用のサーマルコーティング方法 |
| JP2005146413A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-06-09 | General Electric Co <Ge> | 低酸化物コーティングを形成するための成膜装置及び方法 |
| US7438979B2 (en) | 2003-05-26 | 2008-10-21 | Komatsu Ltd. | Thermal spray membrane contact material, contact member and contact part, and apparatuses to which they are applied |
| JP2016089275A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | ジーエム・グローバル・テクノロジー・オペレーションズ・エルエルシー | シリンダボアの溶射被覆のためのプラズマ噴射による表面活性化 |
| JP2018202361A (ja) * | 2017-06-08 | 2018-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ溶射ヘッド、プラズマ溶射装置及びプラズマ溶射方法 |
| JP2019183273A (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜の形成方法 |
| KR20220103425A (ko) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 주식회사 그린리소스 | 플라즈마 용사 장치의 제어 방법 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044094A patent/JPH02225653A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0593255A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Koshuha Kk | 基板へのプラズマ溶射方法 |
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| US7648773B2 (en) | 2003-05-26 | 2010-01-19 | Komatsu Ltd. | Thermal spray membrane contact material, contact member and contact part, and apparatuses to which they are applied |
| JP2005146413A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-06-09 | General Electric Co <Ge> | 低酸化物コーティングを形成するための成膜装置及び方法 |
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| KR20220103425A (ko) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 주식회사 그린리소스 | 플라즈마 용사 장치의 제어 방법 |
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