JPH022263B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はストレージオシロスコープ、Ａ−Ｄ変
換器等に使用する走査変換型蓄積管の動作方法に
関し、更に詳細には、書き込み及び読み取りを迅
速行うことが可能な蓄積管の動作方法に関する。

従来技術 電気信号を偏向板に印加し、信号に対応した波
形を電子ビームによつて蓄積ターゲツト上に書き
込み、必要に応じて蓄積された波形を電気信号と
して読み出すことが出来る走査変換型蓄積管即ち
スキヤンコンバータ管は公知である。また、特開
昭55−1066号公報には、第１図及び第２図に概略
的に示す如く、絶縁物単結晶基板１の上に、単一
のコレクタ電極２を設け、絶縁物単結晶からなる
蓄積層即ち蓄積領域を電子ビームで衝撃すること
によつて電子−正孔対を発生させ、これを書き込
みに利用して書き込み速度を向上させる構造の蓄
積ターゲツトが開示されている。

ところで、第１図及び第２図に示す蓄積ターゲ
ツトに信号を書き込む際には、例えば特開昭55−
50558号公報に示されるように、まずプライム状
態を得るために、コレクタ電極２の電位を二次電
子放出量δ（２次電子数／１次電子数）が最初に
１になる第１交差電位以上の値（例えば陰極に対
して2350V）に設定し、電子ビームでターゲツト
を衝撃する。これにより、基板１の表面の蓄積面
３はコレクタ電極２の電位と同じ2350Vになる。
次に、消去電位差V_Eを得るために、コレクタ電
極２の電位を第１交差電位以下の例えば陰極に対
して＋10〜＋30Vの範囲から選択された＋10Vに
設定し、再び電子ビームで衝撃し、蓄積面３を陰
極と同電位にする。この結果、蓄積面３とコレク
タ電極２との間に10Vの消去電位差が生じる。

次に、蓄積ターゲツトに信号を書き込むため
に、コレクタ電極２の電位を第１交差電位よりも
高い例えば陰極に対して10kVとし、蓄積ターゲ
ツトにビームを信号に応じて選択的に投射する。
これにより、書き込み部分（ビーム衝撃部分）は
陰極に対して例えば9991V（コレクタ電極２に対
して−9V）の電位となり、非書き込み部分は
10kVから消去電位差10Vを引いた9990V（コレク
タ電極２に対して−20V）に保たれ、コレクタ電
極２に対して−9Vと−10Vとの電荷パタンが形
成される。

次に、読み取り時には、コレクタ電極２を陰極
に対して例えば＋5Vに設定する。この結果書き
込み部分の電位は陰極に対して−4V、一方非書
き込み部分の電位は−5V（陰極に対して）とな
る。今、ターゲツトに於けるビームのカツトオフ
電圧が−5Vである状態で無変調電子ビームによ
るラスタ走査を行うと、−4Vの書き込み部分には
電子ビームが到達し、−5Vの非書き込み部分には
電子ビームが到達せず、これ等を区別して読み取
ることが可能になる。

ところが、従来の方式ではプライム動作及び消
去動作によつて消去電位差V_Eを得た後に、書き
込みを行うことが必要であり、書き込みを迅速に
開始させることが不可能であつた。また、読み取
り時には第１交差電位よりも低い電圧をコレクタ
電極に印加するため、書き込み時と読み取り時と
の間で大幅に電圧を変化させることが要求され、
迅速な電圧切換が困難であつた。上記問題は、ガ
ラス等の非晶質絶縁物又はSiO₂等の多結晶絶縁
物を蓄積層とするターゲツトに於いて同様に生じ
る。

発明の目的 そこで本発明の目的は書き込み、読み取りのサ
イクルを短縮することが可能な走査変換型蓄積管
の動作方法を提供することにある。

発明の構成 上記目的を達成するための本発明は、好ましく
は抵抗率が10¹²Ω・cm以上の単結晶、多結晶、ガ
ラス等の非晶質のような絶縁物質からなる蓄積基
体上に複数のコレクタ電極を電気的に絶縁した状
態で互いに平行に配置した構造の蓄積ターゲツト
に電子ビームを偏向して投射して電気信号を書き
込み、しかる後読み取る際に、前記複数のコレク
タ電極と前記基体の蓄積面との間に電位差が実質
的に無い状態にされている前記蓄積ターゲツトの
少なくとも隣接する２つの前記コレクタ電極に２
次電子放出率が最初に１になる第１交差電圧より
も高く且つ互いに異なる電圧を印加し、この異な
る電圧の印加状態を保つて前記蓄積ターゲツトを
電子ビームで選択的に衝撃して電気信号を書き込
み、次に前記複数のコレクタ電極に前記第１交差
電位よりも高い実質的に同一な電圧を印加し、こ
の同一の電圧印加状態を保つて無変調電子ビーム
で前記蓄積ターゲツトを走査して書き込み信号を
読み取ることを特徴とする走査変換型蓄積管の動
作方法に係わるものである。

作用効果 上記発明によれば、複数のコレクタ電極を設
け、異なる電圧を印加してコレクタ電極間に電位
差を生じさせるので、消去電位差が実質的に零で
あつても書き込みが可能である。また、読み取り
時にも第１交差電位より高い電圧をコレクタ電極
に印加するので、書き込みから読み取りにモード
を切換えする際の電圧変化幅が小さくなり、迅速
な切換が可能になる。また、読み取りを第１交差
電位より高い電圧で行うために破壊読み取りとな
り、読み取りが完了すればコレクタ電極と蓄積領
域とが実質的に同電位となり、直ちに書き込みが
可能になる。また書き込みの前に消去を行う場合
であつても、消去電位差を与えることが不要であ
るからプライムモードのみでよく、消去時間を大
幅に短縮することが出来る。

実施例 次に、図面を参照して本発明の実施例について
述べる。

第１の実施例（第３図〜第６図） 第３図〜第４図に原理的に示す第１の実施例に
係わる蓄積ターゲツト４は、絶縁物単結晶である
サフアイヤ単結晶基板５の平担な一方の主表面上
に、互いに電気的に分離された第１のコレクタ電
極６と第２のコレクタ電極７とを有する。サフア
イヤ単結晶基板５は電気的絶縁物であるので、第
１及び第２のコレクタ電極６，７を分離して配置
すれば両者は電気的に絶縁される。第１及び第２
のコレクタ電極６，７はクロム（Cr）等の金属
を厚さ0.05μm〜数μmに被着させ、ホトレジスト
技術によつてくし歯型に形成したものであり、幅
0.5μm〜50μm程度の線条部分６ａ，７ａを夫々
有する。くし歯状の第１のコレクタ電極６の線条
部分６ａの相互間に第２のコレクタ電極７の線条
部分７ａが挿入され、各線条部分６ａ，７ａが交
互に平行配置されている。従つてターゲツト有効
域での電極パタンはストライプ状である。各線条
部分６ａ，７ａの相互間には線条の蓄積面８即ち
単結晶基板５からなる蓄積領域９の表面の一部が
露出している。尚線条部分６ａ，７ａの相互間の
間隔即ちピツチは電子ビームの径より小さい数
μm〜数100μmに設定されている。

第５図は第３図及び第４図に示す蓄積ターゲツ
ト４を内蔵する走査変換型蓄積管を示す。この蓄
積管は、真空包囲体１０の内に、電子銃１１と、
偏向系１２と、コリメーシヨン系１３と、蓄積タ
ーゲツト４とを順次に配すことによつて構成され
ている。尚電子銃１１は順次に配された陰極１
４、制御電極１５、加速電極１６、集束電極１
７、及びアステイグ電極１８から成り、ターゲツ
ト４の方向に向う電子ビームを生み出す。偏向系
１２はビームパスに沿つて配置された一対の垂直
偏向板からなる垂直偏向系１９と、一対の水平偏
向板からなる水平偏向系２０とから成り、垂直方
向と水平方向との２つの直交方向に電子ビームを
偏向する。コリメーシヨン系１３はウオール電極
２１とフイルドメツシユ電極２２とから成り、読
み取り等に於ける低エネルギ電子ビームをターゲ
ツト４に垂直に入射させるためのコリメーシヨン
レンズ（凸レンズ）の働きをなす。蓄積ターゲツ
ト４には、第１及び第２のコレクタ電極６，７に
異なる電圧を印加する手段として第１及び第２の
リード部材２３，２４が接続され、これ等は包囲
体１０の外に夫々導出されている。

第１のリード部材２３は抵抗２５とスイツチ回
路２６とを介して、プライム（消去）用電源２
７、第１の書き込み用電源２８、読み取り用電源
２９に選択的に接続される。第２のリード部材２
４はスイツチ回路３０を介して書き込み時に第２
の書き込み用電源３１に接続され、プライム、読
み取り時には第１のリード部材２３に接続され、
第１のリード部材２３と同一電位が付与される。
尚第１のリード部材２３にはコンデンサ３２を介
して出力ラインが接続されている。

第５図の蓄積管を動作させるために、例えば、
陰極１４には−1kV、制御電極１５には陰極１４
を基準にして０〜−75V程度の電圧、加速電極１
６には0V（陰極１４を基準にして＋1kV）、集束
電極１７及びアステイグ電極１８には電子ビーム
の量に応じて最適に調整された電圧、ウオール電
極２１には0V（陰極１４に対して＋1kV）、フイ
ールドメツシユ電極２２には1.5kV（陰極１４に
対して2.5kV）を印加する。

動 作 本発明に従つて、複数のコレクタ電極６，７を
有するターゲツト４を使用すると、消去電位差が
零でも書き込みが可能である。そして、破壊読み
取りを行えば、プライムモード及び消去モードが
本質的に不要である。しかし、確実な消去状態を
得るために、従来のプライムモードに相当するス
テツプを設けてもよい。このターゲツト４に対す
る電気信号の書き込みに先立つてプライム状態
（消去状態）を得る際には、まずスイツチ回路２
６の接点ａをオン及びスイツチ回路３０の接点ｄ
をオンにすることによつて、第１及び第２のコレ
クタ電極６，７をプライム用電源２７に接続し、
コレクタ電極６，７の電位を第１交差電位以上の
例えば1350V（陰極に対して2350V）に夫々設定
し、無変調電子ビームでターゲツト４の有効走査
領域の全部を衝撃する。これにより、全ての蓄積
面８がコレクタ電極６，７と同一の1350V（陰極
に対して2350V）となる。即ち、電子ビーム衝撃
により、２次電子と電子−正孔対が発生するが、
この実施例ではコレクタ電極６，７の電位を蓄積
管で最み高く設定してあるので、放出された２次
電子が最も高い電位部分に捕獲される動作に基づ
き、蓄積面８の電位の上昇が阻止され、蓄積面８
の電位はコレクタ電極６，７の電位と同一にな
る。また電子−正孔対も蓄積面８とコレクタ電極
６，７との電位配置に依存し、蓄積面８がコレク
タ電極６，７と同一電位になるように働く。従つ
て、コレクタ電極６，７と蓄積面８との間に消去
電位差V_Eが実質的に生じない。

本発明によれば、消去電位差V_Eが零でも書き
込みが可能であるので、直ちに書き込み状態に移
行する。書き込み時には、制御電極１５にてビー
ム量を適当に設定した状態に於いて垂直偏向系１
９及び／又は水平偏向系２０に入力信号を供給す
る。また、第１のコレクタ電極６と第２のコレク
タ電極７とに数ボルトから数100ボルトの範囲の
電位差が生じるように異なる電圧を供給する。即
ちスイツチ回路２６の接点ｂをオンにして第１の
書き込み用電源２８から第１のコレクタ電極６に
フイルドメツシユ電極２２の電圧よりも高い例え
ば9kV（陰極に対して10kV）の電圧を印加し、ま
たスイツチ回路３０の接点ｅをオンにして第２の
書き込み用電源３２から例えば9.1kV陰極に対し
て10.1kV）の電圧を第２のコレクタ電極７に印
加する。

第６図は書き込みの動作を説明するための模式
的バンドダイヤグラムであり、消去によつて蓄積
面８とコレクタ電極６，７とが同電位になつた状
態を第６図Ａとすれば、書き込み時にコレクタ電
極６，７に異なる電圧を印加することによつて第
６図Ｂに示す状態となり、電極６，７間の蓄積領
域にコレクタ電位差V_W＝100Vに対応したドリフ
ト電界が生じる。尚、コレクタ電極７の電位がコ
レクタ電極６よりも高いものとする。

第６図Ｂに示すようにコレクタ間電位差を与え
且つ第１交差電位以上の状態での電子ビーム衝撃
で書き込みを行うと２次電子が放出され、また固
体内に電子−正孔対が発生する。放出された２次
電子及び固体内の電子はコレクタ電極７に捕獲さ
れるが、正孔は蓄積面８の近傍の表面準位に獲え
られて蓄積面８の電位を上昇させ、第６図Ｄに示
すようなバンド状態を形成する。

即ち、蓄積面８に電子ビームが投射されると、
電位の高いコレクタ電極７の隣接部はコレクタ電
極７と同一電位になるが、電位の低いコレクタ電
極６の隣接部はコレクタ電極７と同一電位とはな
らない。従つて、コレクタ電極６と蓄積面８との
間に電位差V_Wが得られる。第６図Ｄに示すよう
に正孔が固体内に捕獲され、バンドの曲りが生じ
ている状態は、コレクタ電極６，７と蓄積面８と
から成る等価画素容量が充電されたことに相当す
る。電子ビーム投射による蓄積面８の充電レベル
即ち書き込みレベルは、ビーム量を一定とすれ
ば、コレクタ電極６，７間の電位差V_W（ドリフト
電界）にほぼ比例し、の電位差（ドリフト電界）
が高いほど深い書き込みレベルが得られる。ま
た、ドリフト電界により書き込み速度を速めるこ
とができる。上記の電位差（ドリフト電界）が極
めて低い場合であつても、それなりの効果を得る
ことができる。しかし、実験的にはSN比（信号
とノイズの比）の関係で３〜４ボルト以上にする
ことが望ましい。上記電位差を高くすればするほ
ど、書き込みレベル及び書き込み速度が速くなる
が、絶縁破壊が生じるので、絶縁破壊レベル（サ
フアイアの場合は約300V）以上にすることはで
きない。

次に、スイツチ回路３０の接点ｄをオンにし且
つスイツチング回路２６の接点ｃをオンにして第
１及び第２のコレクタ電極６，７に読み取り用電
源２９から同一の電圧を印加すると、書き込み部
分に於いては第６図Ｅに示すようなバンドの曲り
が生じ、蓄積面８の中央がコレクタ電極６，７よ
り高い電位となる。一方、書き込みがなされなか
つた部分は第６図Ａの状態に保たれる。これによ
り、ターゲツト４上に書き込みに応じた電荷パタ
ンが生じる。

読み取りモードに於けるコレクタ電極６，７の
電圧は、第１交差電位以上であり、好ましくは書
き込み時のコレクタ電極６，７の電圧との差が数
100ボルトの範囲になる値である。コレクタ電極
６，７に同一の電圧を印加した状態で無変調電子
ビームでターゲツト４の全面を走査すると、第６
図Ｅに示す状態の書き込み部分に於いては電子ビ
ーム衝撃によつて生じた電子の一部が正孔の中和
に使用されるので、コレクタ電極６，７に流れ込
む電子の量が少なくなる。一方、第６図Ａに示す
ような非書き込み部分に於いては、正孔の中和が
生じないので、コレクタ電極６，７に流れ込む電
子の量が多い。従つて、コレクタ電極６，７から
得られる電流の大小によつて書き込み部分と非書
き込み部分とを区別して検出することが可能にな
る。上述の如き読み取りを行うと、理想的な場合
には、読み取り後に蓄積面８の電位がコレクタ電
極６，７の電位と同一になり、結局消去状態とな
る。この読み取り動作は、蓄積面８の等価画素容
量の放電として考えることもできる。即ち、書き
込み領域（充電された領域）に電子ビームが投射
されると放電が生じ、第６図Ｅの状態が第６図Ａ
の状態（消去状態）に戻る。この読み取り時に
は、消去又はプライム時と同様にコレクタ電極
６，７の電位を第１交差電位以上の同一値に設定
するので、電子ビーム衝撃後には消去又はプライ
ムと同一状態になる。なお、深いトラツプレベル
に捕獲されている正孔を放電させるためにはコレ
クタ電位を最低でも500V以上にすることが望ま
しい。尚、第５図のようにフイルドメツシユ電極
２２を有する場合には、コレクタ電極６，７の電
位をフイルドメツシユ電極２２の電位より高く設
定することが必要である。これは、読み取りビー
ムで衝撃することによつて発生した２次電子がフ
イルドメツシユ電極２２に捕獲されてコレクタ電
極６，７に捕獲されるのを防ぐためである。

上述から明らかなように本実施例には次の利点
がある。

(a) 消去と書き込みと読み取りとから成る一サイ
クル、又は書き込みと読み取りとから成る一サ
イクルの間にコレクタ電極６，７の電圧値を第
１交差電位以上の高い値に保つので、モード切
換時に於ける電圧変化幅が小さくなり、モード
切換時間を短縮することが出来る。この為、書
き込み直後の読み取りも可能になり、ほぼリア
ルタイムで書き込み及び読み取りを行うオシロ
スコープ又はＡ−Ｄコンバータ等を提供するこ
とが出来る。

(b) 消去電位差V_Eが零の状態でも、コレクタ間
電位差V_Wの効果で書き込みを行うことが出来
るので、消去電位差V_Eを与える動作が不要に
なり、迅速な書き込み開始が可能になる。

(c) 読み取り後は消去状態となるので、消去動作
（プライム動作）を省くことも可能である。

(d) コレクタ電極６，７の電圧変動幅が小さいの
で、切換回路の構成が容易になる。

(e) 読み取り時のコレクタ電極６，７の電位を蓄
積管で最も高くしたので、読み取りビームに基
づいて発生する２次電子がフイルドメツシユ電
極２２等で捕獲されず、読み取りを正確に行う
ことが可能になる。

第２実施例（第７図） 第７図に示す本発明の第２の実施例に係わる走
査変換型蓄積管は、第５図の蓄積管からフイルド
メツシユ電極２２を省いたものである。従つて、
第５図と共通する部分には同一の符号を付してそ
の説明を省略する。このように、フイルドメツシ
ユ電極を設けない場合であつても、第１の実施例
と全く同様に書き込み及び読み取りを行うことが
可能であり、更に次の作用効果が得られる。

フイルドメツシユ電極を設けないと、電子ビ
ームがフイルドメツシユ電極に捕獲されないの
で、ビーム効率が良くなり、書き込み速度が速
くなる。

フイルドメツシユ電極からの２次電子による
書き込みがなくなり、解像度が上昇する。

尚この第７図の蓄積管による読み取り及び消去
時に於いて、ウオールアノード電極２１がフイル
ドメツシユ電極と同様にターゲツト４に関係する
ので、コレクタ電極６，７の電位をウオールアノ
ード電極２１の電位よりも高く設定しなければな
らない。

第３の実施例（第８図、第９図） 第８図及び第９図に示すターゲツト４ａは第３
図のターゲツト４と同様にサフアイヤ単結晶基板
５の上に第１及び第２のコレクタ電極６，７をく
し歯状に設け、更に、両者の間に第３のコレクタ
電極３４を蛇行状に設けたものである。尚各電極
の線条部分６ａ，７ａ，３４ａの幅は0.5μm〜
50μm、これ等のピツチは数μm〜数100μmとされ
ている。このように３つのコレクタ電極６，７，
３４を設けても、ターゲツト有効域では夫々の線
条部分６ａ，７ａ，３４ａが互いに平行に配置さ
れ、全体としてストライプ状となるので、第３図
のターゲツト４と同様に使用することが出来る。

即ち、このターゲツト４ａは第３図のターゲツ
ト４と同様に第５図又は第６図に示すような蓄積
管に組み込んで使用される。蓄積管に組み込む際
には、３つのコレクタ電極６，７，３４のリード
部材２３，２４，３５を真空包囲体から独立に導
出し、コレクタ電極６，７，３４に電圧を独立に
印加することが可能な構成とする。このターゲツ
ト４ａを使用して種々の書き込み及び読み出しの
動作方法が可能であるが、代表的な動作方法を次
に述べる。

まず、消去する場合には、３つのコレクタ電極
６，７，３４に同一電圧を印加し、第３図の第１
の実施例の場合と同様に行う。即ち同一電圧を各
コレクタ電極６，７，３４に印加すれば、単一電
極とみなせるので、第３図と全く同様に消去する
ことが出来る。

次に、書き込む場合には、第１及び第２のコレ
クタ電極６，７に同一電圧（例えば9kV）を印加
し、第３のコレクタ電極３４には第１及び第２の
コレクタ電極６，７よりも高い電圧（例えば
9.1kV）を印加し、第１の実施例の場合と同様に
ビーム衝撃をなす。これにより第１の実施例の場
合と全く同様な書き込みが出来る。即ち、電極間
電位差V_Wを有する状態での書き込みが可能とな
り、第１の実施例と全く同様な作用効果が得られ
る。

読み取り時には第１、第２、及び第３のコレク
タ電極６，７，３４に同一電圧を印加し、第１の
実施例の場合と同様に行う。

第８図のターゲツト４ａに対する別の書き込み
方法として、各電極６，７，３４に夫々異なる電
圧を印加して書き込みビームを投射する方法があ
る。この場合には、第１のコレクタ電極６に例え
ば9kVを印加し、第３のコレクタ電極３４に次に
高い例えば9.1kVを印加し、第２のコレクタ電極
７に最も高い例えば9.2kVを印加する。これによ
り、各電極間に100Vの電位差V_Wを与えることが
可能になり、第１の実施例の場合と全く同様な書
き込みが可能になる。

変形例 以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものでなく、例えば次のよ
うに変形例も含むものである。

(A) 第１０図に示すようにターゲツト４ｂに第３
のコレクタ電極３４ａを格子状に設けてもよ
い。即ち、サフアイヤ単結晶基板５の上に、ま
ず、第３のコレクタ電極３４を格子状に設け、
ターゲツト有効域外の第３のコレクタ電極３４
上に絶縁層３６を設け、次に、第１及び第２の
コレクタ電極６，７をくし歯状に設けてもよ
い。このように形成しても、各電極の線条部分
６ａ，７ａ，３４ａがターゲツト有効域で互い
に平行に配置されるので、第８図のターゲツト
４ａと全く同様な作用効果が得られる。

(B) 基板５の背面に背面電極を設け、適当な電圧
を印加してもよい。

(C) シリコンの上に多結晶構造のSiO₂層を設け、
このSiO₂層を絶縁物蓄積層として使用しても
よい。

(D) サフアイヤ単結晶基板５の代りに、MgO、
CaF₂、MgF₂等の絶縁物単結晶基板を使用して
もよい。

(E) 基板５をガラス等の非晶質絶縁物としてもよ
い。

(F) 電極６，７，３４をCr、Al、Ni、Mo、Au
等の単一又は複合層で形成してもよい。また、
SnO₂等の透明電極としてもよい。

(G) 各実施例では線条部分６ａ，７ａ，３４ａの
延びる方向をビームの水平走査方向に一致させ
たが、両者が互いに直交するように配してもよ
い。

(H) 第５図の蓄積管ではウオール電極２１とフイ
ルドメツシユ電極２２とでコリメーシヨン系１
３を設けたが、コリメーシヨン系１３を省いた
構成としてもよい。

(I) 波形を書き込むのみでなく、デジタル信号の
書き込みにも勿論適用可能である。

(J) アルミナ基板等の上に絶縁物蓄積層を設けた
構成としてもよい。

(K) 第１及び第２のコレクタ電極６，７に電圧を
印加する回路を第１１図に示すように構成して
もよい。即ち、電源２８，３１を例えば100V
の電位差を有する異なる電圧源とし、消去及び
読み取り時のみスイツチ回路３０の接点ｄをオ
ンにして２つのコレクタ電極６，７に同一電圧
を印加し、書き込み時にスイツチ回路３０の接
点ｅをオンにして２つのコレクタ電極６，７に
異なる電圧を供給するようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のターゲツトを原理的に示す平面
図、第２図は第１図のターゲツトの―線断面
図、第３図は本発明の第１の実施例のターゲツト
を原理的に示す平面図、第４図は第３図のターゲ
ツトの―線断面図、第５図は第３図のターゲ
ツトを組み込んだ蓄積管を原理的に示す横断面
図、第６図は第３図のターゲツトに於ける書き込
みの状態をエネルギバンドで模式的に示すバンド
図、第７図は第２の実施例の蓄積管を原理的に示
す横断面図、第８図は第３図の実施例のターゲツ
トを原理的に示す平面図、第９図は第８図のター
ゲツトの―線断面図、第１０図は変形例のタ
ーゲツトを原理的に示す平面図、第１１図は変形
例のコレクタ電極電圧印加回路を示す回路図であ
る。 ４……蓄積ターゲツト、５……基板、６……第
１のコレクタ電極、７……第２のコレクタ電極、
８……蓄積面、９……蓄積領域。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁物質からなる蓄積基体上に複数のコレク
   タ電極を電気的に絶縁した状態で互いに平行に配
   置した構造の蓄積ターゲツトに電子ビームを偏向
   して投射して電気信号を書き込み、しかる後読み
   取る際に、 前記複数のコレクタ電極と前記基体の蓄積面と
   の間に電位差が実質的に無い状態にされている前
   記蓄積ターゲツトの少なくとも隣接する２つの前
   記コレクタ電極に２次電子放出率が最初に１にな
   る第１交差電圧よりも高く且つ互いに異なる電圧
   を印加し、この異なる電圧の印加状態を保つて前
   記蓄積ターゲツトを電子ビームで選択的に衝撃し
   て電気信号を書き込み、 次に前記複数のコレクタ電極に前記第１交差電
   位よりも高い実質的に同一な電圧を印加し、この
   同一の電圧印加状態を保つて無変調電子ビームで
   前記蓄積ターゲツトを走査して書き込み信号を読
   み取ることを特徴とする走査変換型蓄積管の動作
   方法。 ２ 前記読み取り時に前記複数のコレクタ電極に
   印加する電圧は、前記蓄積管の中で最も高い電圧
   である特許請求の範囲第１項記載の走査変換型蓄
   積管の動作方法。