JPS59103253A - 走査変換型蓄積管の動作方法 - Google Patents

走査変換型蓄積管の動作方法

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JPS59103253A
JPS59103253A JP21237682A JP21237682A JPS59103253A JP S59103253 A JPS59103253 A JP S59103253A JP 21237682 A JP21237682 A JP 21237682A JP 21237682 A JP21237682 A JP 21237682A JP S59103253 A JPS59103253 A JP S59103253A
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Takefumi Kato
武文 加藤
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Iwasaki Tsushinki KK
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Iwatsu Electric Co Ltd
Iwasaki Tsushinki KK
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/58Tubes for storage of image or information pattern or for conversion of definition of television or like images, i.e. having electrical input and electrical output
    • H01J31/60Tubes for storage of image or information pattern or for conversion of definition of television or like images, i.e. having electrical input and electrical output having means for deflecting, either selectively or sequentially, an electron ray on to separate surface elements of the screen

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はストレージオシロスコープ、A−Df換器等に
使用する走査変換型蓄積管の動作方法に関し、更に詳細
には、書き込み及び読み取りを迅速行うことが可能な蓄
積管の動作方法に関する。
従来技術 ゛電気信号を偏向板に印加し、信号に対応した波形を隠
子ビームによって蓄積ターゲット上に書き込み、必要に
応じて蓄積された波形全′亀気18号として読み出すこ
とが出来る走査変換型蓄積管部ちスキャンコンバータ管
は公知である。また、特開昭55−1066  号公報
には、第1図及び菓2図に概略的に示す如く、絶縁物単
結晶基& il+の上に、単一のコレクタ電極(2)?
設け、絶縁物単結晶からなる蓄積層即ち蓄積憤域全鴫子
ビームで衝撃することによって電子−正孔対全発生させ
、これを蓄ぎ込みに利用して晋き込み速度全向上させる
構造の蓄積ターゲットが開示されている。
ところで、第1図及び第2図に示j蓄積ターゲットに信
号を書き込む隙には、例えば特開昭55−50558号
公報に示されるように、まずプライム状態を侮るために
、コレクタ電極(2)の電位葡二次電子放出率δ(2次
電子数71次嶌子数)が蚊初に1になる第1交走亀位以
上の値(例えば陰極に対して2350V)に設定し、電
子ビームでターゲット全衝撃する。これにより、基板(
1)の表面の蓄積面(3)はコレクタ電極(2)の電位
と同じ2350Vになる。次に、消去電位差vgi1%
るために、コレクタ電極(2)の電位を第1又差電位以
下の例えば陰極に対して+lO〜+30Vの範囲から選
択された+lOVに設足し、丹び電子ビームで衝撃し、
蓄積面(3)を陰憾と同庫位にする。この結果、蓄積面
(3)とコレクタ電極(2)との曲に10vの消去電位
差が生じる。
次に、蓄積ターゲットに信号を書き込むために、コレク
タ′屯惚(2)の電位を第1交差電位よりも商い例えば
陰極に対してl Q kVとし、蓄積ターゲットにビー
ム全信号に応じて選択的に投射する。これにより、書き
込み部分(ビーム*撃部分)は陰極に対して例えば99
91V(コレクタ電極(2)に対して一9V)の電位と
なり、非督き込み部分(ま10 kVから消去′電位差
10Vを引いた9990V(コレクタ電極(2)に対し
て一20V)に保たれ、コレクタ電極(2)に対して一
9Vと−1−OVとの電荷バタンか形成される。
次に、FDtみ取り時には、コレクタ電極+21を陰極
光射して例えば+5Vに設足する。この結果日き込み部
分の電位は陰極に対して一4V、一方非誉き込み部分の
電位は一5V(陰極に対して)となる。今一 ターゲッ
トに於けるビームのカットオフ1圧が一5■である状態
で窯変AM子ビームによるラスク走資金行うと、−4V
の舊き込み部分には成子ビームが到達し、−5Vの非書
き込み部分には電子ビームが到達せ丁、これ等を区別し
て抗み取ることが可能になる。
ところが、従来の方式ではプライム動作及び消去動作に
よって的去電位差hヶ得た後に、書き込みを行うことが
必要であり、書き込みを迅速に開始させることが不可能
であった。また、絖木取り時には第l父差電位よりも低
い電圧をコレクタ電極に印加するため、書き込み時と読
み取り時との間で大幅に電圧を変化させることが璧求さ
れ、迅速な電圧切換が内鑵であった。上記問題は、カラ
ス等の非晶′X絶縁物又は8i02等の多結晶絶縁物全
蓄積層とするターゲットに於いて同様に生じる。
発明の目的 そこで本発明の目的は書き込み、読み取りのサイクルを
短絡することが可能な走査変換型蓄積雷の動作方法を提
供することにある。
発明の構成 上記目的を達成するための本発明は、好ましくは抵抗率
が101叩Ω・確以上の単結晶、多結晶、ガラス等の非
晶質のような絶縁物質からなる蓄積基体上に複数のコレ
クタ電極を電気的に絶縁した状態で互いに平行に配置し
た構造の簀槓ターゲットに電子ビームを偏向して投射し
て電気信号全書き込み、しかる後読み取る除に、前記複
数のコレクタ電極と前記基体の、蓄積面との間に電位差
が実質的に無い状態にされている前記蓄積ターゲットの
少なくとも2つの前記コレクタX憧に2次電子放出率が
最初に1になる電圧よりも尚く且っ互いに異なる電圧全
印加し、この異なる電圧の印加状態を保って前記蓄積タ
ーゲットを電子ビームで選択的に備撃して電気信号を葺
き込み、次に別記値数のコレクタ電極に削a己第1交差
亀位よりも高い実質的に同一な電圧全印加し、この同i
の電圧印加状態を保って無変調電子ビームで削記蓄積タ
ーゲット全走豊して書き込み信号音読み取ることを特徴
とする走食変換型蓄核管の動作方法に係わるものである
作用効果 上記発明によれば、値数のコレクタ電極を設け、異なる
電圧全印加してコレクタ屯極間に電位彦を生じさせるの
で、消去電位差が実質的に零であっても書き込みが可能
である。また、読み取り時にも第1交差電位より高い電
圧會コレクタ電稜に印加するので、書き込みから読み取
りにモードを切換えする際の電圧変化幅が小さくなり、
迅速な切換が可能圧なる。また、読み取りを第1交差電
位より尚い耐圧で行うために破壊読み取りとなり、読み
取りが完了すればコレクタ電極と蓄積領域とが実質的に
同電位となり、直ちに畜き込みが可能になる。また優き
込みの前に消去を行う場合であっても、消去電位差を与
えることが不要であるからプライムモードのみでよく、
消去時間を大幅に短縮することが出来る。
実施例 次に、図面を参照して本発明の実施例について述べる。
第1の実施例(第3図〜第6図) 第3図〜第4図に原理的に示す第1の実施例に係わる蓄
積ターゲット(4)は、絶体物単結晶であるサファイヤ
単結晶基板(5)の平担な一方の主表面上に、互いに電
気的に分離された第1のコレクタ電極(6)と第2のコ
レクタ東億(刀とを有する。サファイヤ単結晶基板t5
1は電気的絶縁物であ・るので、第l及び第2のコレク
タ電極t61 f7)を分離して配置すれは両者は電気
的に絶縁さnる。第1及び第2のコレクタ電極(6r 
(7rはクロム(Cr )寺の金属を厚さ0.05μm
〜数μmに被着させ、ホトレジスト技術によってくし歯
型に形成したものであり、幅0.5μm〜50μm程夏
の線条部分(6a)(7a)を犬々Mする。くし歯状の
第1のコレクタぼ極(6)の腺条部分(6a)の相互間
に第2のコレクタ電極(7)の線条部分(7a)が挿入
され、各線条部分(6aX7a)が交互に平行配置され
ている6、従ってターゲット有効域での電極パタンはス
トライプ状である。各線条部分(6a)(7りの相互間
には線条の蓄積面(8)即ち単結晶基板(5)からなる
蓄積領域(9)の表面の一部が露出している。尚線条部
分(6a)(7a)の相互間の間隔即ちピッチはに子ビ
ームの径より小さい数μm〜数100μmに設定されて
いる。
第5図は第3図及び第4図に示′j′蓄積ターゲット(
4)を内蔵する定食変換型蓄積gを示す。この薔槓賃は
、真空包囲=体叫の内に、電子銃側と、偏向系u々と、
コリメーション糸113)と、蓄積ターゲット(4)と
を順次に配すことによって構成されている。
尚電子銃側は順次に配された陰極側、制御105)、加
速電極ub+、集束電極(17)、及びアステイグ11
&から成り、ターゲット(4)の方向に向う電子ビーム
を生み出す。偏向系u21はビームパスにfdって配置
された一対の世直偏向板からなる垂直偏向系時と、一対
の水平偏向板からなる水平偏向系ulJlとから成り、
垂直方向と水平方向との2つの直父方向に電子ビームk
m向する。コリメーション糸lJ3+はウオール″ll
f極c71Jとフィルドメツシュ電位(濶とから成り、
読み取り寺に煩ける低工不ルキ菟子ビーム全ターゲット
(4)に圭直に入射させるためのコリメーションレンズ
(凸レンズ)の働きをなす。蓄積ターケット(4)には
、第1及び第2のコレクタ電極t6) (1)に異なる
電圧全印加する手段として第1及び第2のリード部材(
ハ)(至)が接続され、これ等は包囲体utl)の外に
夫々尋出されている。
第1のリード部材12濠は抵抗125)とスイッチ回路
−6)とを介して、プライム(消去)用心線127)、
第1の蓄き込み用心線I28)、読み取り用達#、シソ
)に選択的に接続される。第2のリード部材e勾はスイ
ッチ回路−を介して書き込み時に第2の書き込み用型諒
曲に接続され、プライム、読み取り時には第1のリード
部材困に接続され、第1のリード部材の、:と同一電位
が付与される。同第1のリード部材シ均にはコンデンサ
u2ヲ介して出力ラインがfl:mされている。
第5図の蓄積管を動作させるために、例えば、隙惚圓に
は一1kV、制御電極USには陰極側を丞準にして0〜
−75v8度の電圧、加速電極α6)にはQV(電極(
圓を基準圧して+1kV)、集束電極μD及びアスティ
グ電惚Baには電子ビームの童に応じて最適に調整され
た電圧、ウオール11υにはOV(陰極側に対して+1
 kV)、フィールドメツシュ電極シ4には1.5 k
V (陰=a41に対して2.5kV)を印加する。
動   作 本発明罠従って、複数のコレクタ電極+61 (71を
有するターゲット(4)を使用すると、消去電位層が苓
でも書き込みが可能である。そして、破壊説み取りを行
えば、プライムモード及び消去モードが本質的に不要で
ある。しかし、確実な消去状態を得るために、従来のプ
ライムモードに相当するステップを設けてもよい。この
ターゲット(4)に対する電気イを号の書き込みに先立
ってプライム状態(消去状態)全得る際には、まずスイ
ッチ回路シロ)の接点afオン及びスイッチ回路co)
の接点d2オンにすることによって、第1及び第2のコ
レクタ電極(6) (71’rプライム用用型t7!η
に接続し、コレクタ電極(6)(刀の電位全第1交遅電
位以上の例えば1350■(陰極に対して235.OV
)に夫々設定し、無変調電子ビームでターゲット(4)
の有効走責饋域の全部を衝#!する。これにより、全て
の蓄積面(8)がコレクタ′亀@!、161 (力と同
一の1350V(陰極に対して2350V)となる。即
ち、電子ビーム悔軍忙より、2(K電子と電子−正孔対
が発生するが、この実施例では°コレクタ電極t61 
(7)の′咀位全誉槓看で厳も高く設定しであるので、
放出された2仄電子が最も高い電位部分に捕獲される動
作に基づき、蓄積面(8)の電位の上昇が阻止され、薔
槓面(8)の電位はコレクタ電極(67(7J f)電
位と同一になる。また成子−正孔対も蓄積面181とコ
レクタ’[01(61(7’lとの電位配置に依存し、
蓄積面(8)がコレクタ電極(61(71と同−電位に
なるように働く。従って、コレクタ電極(61(71と
蓄積面(8)との間に消去紙位差Vzが芙實的に生じな
い。
本発明によれば、消去電位差VKが苓でも書き込みが可
能であるので、直ちに書き込み状態に移行力信号を供給
する。また、第1のコレクタK ! (61と第2のコ
レクタtm(7)とに数ボルトから数100ボルトの範
囲の電位差が生じるように異なる電圧を供給する。即ち
スイッチ回路(2b)の接点すをオンにして第1の書き
込み用電源I7!81から第1のコレクタ電極(6)に
フィルドメツシュ電極(24の電圧よりも高い例えば9
kV(陰極に対してxokV)の電圧を印加し、またス
イッチ回路qの接点efcオンにして第2の曹き込み用
電源64から例えば9.lkV陰極に対してio、i 
kv)の電圧□を第2のコレクタ電極(7)に印加する
第6図は書き込みの動作を説明するだめの模式的バンド
ダイヤグラムであり、消去によって蓄積面(8)とコレ
クタ電極(6)(刀とが同電位になった状態を第6図囚
とすれば、書き込み時にコレクタ’4.憧f6J (7
1に異なる電圧を印加することによって第6図(6)に
示す状態となり、電極(6) (7)間の蓄積領域にコ
レクタ電位差■=ioovに対応したドリフト電界が生
じる。尚、コレクタ電極(73の電位がコレクタ電極(
6)よりも旨いものとする。
第6図(6)に示すようにコレクタ闇電位差を与え且つ
第1父差電位以上の状態での電子ビーム衝撃で書き込み
を行うと2次電子が放出され、また固体内に電子−正孔
対が発生する。放出された2次電子及び固体内の成子は
コレクタ電極(7)に捕獲されるが、正孔は蓄積面側の
近傍の表面準位に獲えられて蓄積面(8)の電位を上昇
させ、第6図0に示すようなバンド状態全形成する。
次に、スイッチ回路6υの接点diオンにし且つスイッ
チング回路シロ)の接点C全オンにして第1及び第2の
コレクタ’dji 倹(61(1)に読み取り用’Wa
: TJ−’A Ul’d)がら同一の1圧全印加する
と、書き込み部分に於いては第6図囚に示すようなバン
ドの曲りが生じ、蓄積11i]tS+の中央がコレクタ
岨惚t6) (7)より高い電位となる。一方、書き込
みがなされなかった部分は第6図(4)の状態に保たれ
る。これにより、ターゲット(4)上に書き込みに応じ
た電荷パタンか生じる。
読み取りモードに於けるコレクタM 極16) (7)
の電圧は、第1交差電位以上であり、好ましくは書き込
み時のコレクタ電極(6111)の電圧との赤が数10
0ボルトの範囲になる値である。コレクタ電極(61(
71に同一の電圧を印加した状態で無変調電子ビームで
ターゲット(4)の全面全走査すると、第6図■に示す
状態の書き込み部分に於いては成子ビーム価撃によって
生じた1子の一部が正孔の中和に使用されるので、コレ
クタit k t6) (1) K流れ込む電子の量が
少な(なる。一方、第6図囚に示すような非書き込み部
分に於いては、正孔の中オロが生じないので、コレクタ
電極[61(7)に流れ込む電子の量が多い。従って、
コレクタ電極L極(61(7)から得られる゛電流の大
小によって書き込み部分と非誓ぎ込み部分とを区別して
検出することが可能になる。上述の如き読み取りを行う
と、理想的な場合には、読み取り後に蓄積面(8)の電
位がコレクタ電極+61 (7)の電位と同一になり、
結局消去状態となる。尚、第5図のようにフィルドメツ
シュ電極(2々を有する場合には、コレクタ電極(6)
 (71の電位をフィルドメツシュ電極四の電位より高
く設定することが必要である。
これは、欣み取りビームで衝撃することによって発生し
た2次電子がフィルドメツ7ユ電極シに捕獲されてコレ
クタ電極+61 f7Jに捕獲されるの會防ぐためであ
る。
上述から明らかなように本実流側には次の利点がある。
tal  消去と暮ぎ込みと読み取りとから成るーサイ
クル、又は書き込みと読み取りとから成るーサイクルの
間にコレクタ電極+61t7Jの電圧値を第1交差電位
以上の冒い値に保つので、モード切換時に於ける電圧変
化幅が小さくなり、モード切換時間を短縮することが出
来る。この為、書き込み直後の読み取りも可能になり、
はぼリアルタイムで僅き込み及び読み取り金行うオシロ
スコープ又はA−Uコンバータ等を提供することが出来
る。
fbl  消去電位差−が零の状態でも、コレクタ間電
位遅Vwの効果で書き込みを行うことが出来るので、消
去電位差Vt f与える動作が不要になり、迅速な書き
込み開始が可能になる。
(C1読み取り後は消去状態となるので、消走動作(プ
ライム動作)′!il−省くことも可能である。
(d)  コレクタを極(6)(7)の電圧変動幅が小
さいので、切換回路の構成が容易になる。
+61  読み取り時のコレクタ電極(6) +71の
電位′(I−蓄積管で最も高くしたので、読み取りビー
ムに基づいて発生する2次電子がフィルドメツシュw、
a(+74等で捕獲されず、読み取りを正確に行うこと
が可能になる。
第2実施例(第7図) 第7図に示す本発明の第2の実施例に係わる走査変換型
畜碩管は、第5図の蓄積管からフィルドメツ7ユ電極シ
4を省いたものである。従って、第5図と共通する部分
には同一の符号を付してその説明を省略する。このよう
に、フィルドメツシュ電極を設けない場合であっても、
第1の実施例と全(同僚に書き込み及び読み取りを行う
ことが可能であり、更に次の作用効果が侮られる。
■ フィルドメツシュ′岨惚を設けないと、電子ビーム
がフィルドメツシュ電憔に捕獲されないので、ビーム効
率が艮くなり、書き込み速度が速くなる。
■ フィルドメツシュ電極からの2次電子による書き込
みがなくなり、解像度が上昇する。
尚この第7図の蓄積管による読み取り及び消去時に於い
て、ウオールアノード【1υがフィルドメツシュ電極と
同様にターゲット(4)に関係するので、コレクタ電i
 (61(7)の電位全ウオールアノード電極Cυの電
位よりも尚く設定しなければならな(・。
第3の実施例(第8図、第9図) 第8図及び第9図に示すターゲット(4a)は第3図の
ターゲット(4)と同様にサファイヤ単蒋晶基板(5)
の上に第1及び第2のコレクタを憔t61 (力ヲ<シ
歯状に設け、史に、両者の間に第3のコレクタ電惚圓を
蛇行状に設けたものである。尚各電極の線条部分(6a
)(7a)(34a)の幅は0.5μm〜50μm1こ
れ等のピッチは数μm〜数100μmとされている。こ
のように3つのコレクタ′醒極(6)(刀131設はテ
モ、ターゲット有効域では夫々の綴条部分(6a)(7
a)(34a)が互いに平行に配置され、全体としてス
トライプ状となるので、第3図のターゲット(4)と同
様に使用することが出来る。
即ち、このターゲラ) (4a)は第3図のターゲット
(4)と同様に第5図又は第6図に示すような蓄積管に
組み込んで使用される。蓄積肯に組み込む除には、3つ
のコレクタ’4 惚t61 を方図のリード部材(ハ)
シ滲田を真空包囲体から独立に導出し、コレクタ電極1
61 (7)図に電圧全独立に印加することがoJ能な
構成とする。このターゲット(4a)’に使用して種々
の書き込み及び読み出しの動作方法が可能であるが、代
表的な動作方法を次に述べる。
まず、消去する場合には、3つのコレクタ電極(6)(
刀図に同一電圧を印加し、第3図の第1の実施例の場合
と同様に行う。即ち同一電圧を各コレクタ電極(6)(
力13勺に印加すれば、単一電極とみなせるので、第3
図と全く同様に消去することが出来る。
次に、書き込む場合には、第1及び第2のコレクタ電極
(6) +7)に同一電圧(例えば9 kV)を目コ加
し、第3のコレクタ電極曳には第1及び第2のコレクタ
’K Qs< (6) (7)よりも高い電圧(例えば
9,1 kV)(i7印加し、第1の実施例の場合と同
様にビーム衝撃音なす。これにより第10笑施例の場合
と全く同牙な曹き込みが出来る。即ち、創1j電位差V
wi有する状態での書き込みが可能となり、第1の実施
例と全く同様な作用効果が得られる。
読み取り時には第1、第2、及び第3のコレクタ電極(
6)(方図に同一電圧を印加し、第1の実施例の場合と
同様に行う。
第6図のターゲラ) (4b)に対する別の書き込み方
法として、各電極(6)(7)6旬に夫々異なる直圧を
印加して書き込みビーム全投射する方法がある。この場
合には、第1のコレクタ電極(6)に例えば9 kVを
印加し、第3のコレクタ′電極6勺に次に高い例えば9
.1 kV  を印加し、第2のコレクタ電極(刀に最
も普い例えばg、2kvl印刀口する。これにより、各
屯倹間に100vの電位差Vwi与えることが可能にな
り、第1の実施例の場合と全く同様な書き込みが可能に
なる。
変形例 以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものでなく、例えば次のように変形例も含
むものである。
囚 410図に示すようにターゲラ) (4b)に第3
のコレクタ電p (34a) k格子状に設けてもよい
即ち、す7アイヤ単結晶基板(5)の上に、まず、第3
のコレクタ電極例を格子状に設け、ターゲット有効域外
の第3のコレクタ電極図上に絶@ r@ 36)を設け
、次に、第1及び第2のコレクタ電極+61 +71全
くし歯状に設けてもよい。このように形成しても、各電
極の線条部分(6a)(7a)(34a)がターゲット
有効域で互いに平行に配置されるので、f、8図のター
ゲット(4a)と全く同様な作用効果が慢られる。
(5)基板t51の背面に背面電惚全設け、適当な′電
圧を印加してもよい。
(C)  シリコンの上に多結晶構造の5iOz層を設
け、この5402屑に絶縁物蓄積層として使用してもよ
い。
0 サファイヤ牟結晶基板(51の代りに、MgO1C
aF2. MgFz等の絶縁物jIl結晶基板全便用し
てもよい。
(ト)基板(5)金ガラス等の非晶負杷縁物としてもよ
い。
(?)  ’に&憧t61(7)1341k Cr 、
 AI 、 Ni 、 IVIO、Au等の早−又は複
合層で形成してもよい。また、5n(J2等の透明電極
としてもよい。
◎ 各実施例では緋条部分(6a)(7a)(a4a)
の延びる方向をビームの水平定食方向に一致させたが、
両者が互いに直交するように配してもよい。
0 第5図の蓄積管ではウオール′11υとフィルドメ
ツシュ帽14とでコリメーション糸u31 k 設けた
が、コリメーション糸Q3)を省いた構成とじてもよい
(I)  波形を書き込むのみでなく、デジタル信号の
書き込みにも勿論適用可能である。
(J)  アルミナ基板等の上に絶縁物蓄積層を設けた
構成としてもよい。
(6) 第1及び第2のコレクタ電極+61 (7)に
′電圧を印加する回路を第11図に示すように構成して
もよい。即ち、電源(281則を例えば100Vの暖位
彊金有する異なる電圧諒とし、消去及び説み散り時のみ
スイッチ回路Uの接点diオンにして2つのコレクタ電
極(6)(刀に同一電圧を印加し、葺き込み時にスイッ
チ回路山の接点e七オンにして2つのコレクタ電極(6
)(7)に異なる電圧を供給するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のターゲット全原理的に示す平面図、第2
図は第1図のターゲットの…−II線断面図、第3図は
本発明の第1の実施例のターゲットを原理的に示す平面
図、第4図は第3図のターゲットのIV −IV a断
面図、第5図は第3図のターゲット全組み込んだ蓄積V
を原理的に示す横断面図、第6図は第3図のターゲット
に於ける薔き込みの状態をエネルキバンドで模式的に示
すバンド図、第7図は第2の実施例の蓄4′Ilt青を
JQ理的に示す慣W丁面図、第8図は第3図の実施例の
ターゲット全原理的に示す平面図、第9図は第8図のタ
ーゲットの■IXi線断面図、第10図は変形例のター
ゲットを原理的に示す平面図、第11図は変形例のコレ
クタ電極厩圧印加回路を示す回路図である。 (4)°・・蓄積ターゲット、(5)・・・基板、(6
)・・・第1のコレクタ電極、(7)・・・第2のコレ
クタ電極転(8)・・・蓄積面、(9)・・・蓄積憤域
。 代理人 高野則次 手続補正書く自発) 特許庁長官 若杉和夫  殿 1、事件の表示 昭和57年 特 許 願第212376号2、発明の名
称 走査変換型蓄積管の動作方法3、 補正をする者 事件との関係  出願・人 4、代理人 明細書の発明の詳細な説明の欄。 +1+  明細書第7頁第5行の「絡」を「mJに補正
する0 (2)明細書第18頁第4行の「α渇」をr (81J
に補正する。 (3)  明細書第18頁第7行のrc31]Jを「圓
」に補正する。 (4)明細書第21頁第11行の「走」を「去」に補正
する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 fil  絶縁物質からなる蓄積基体上に複数のコレク
    タ電極を電気的に絶縁した状態で互いに平行に配置した
    構造の蓄積ターゲラ)K電子ビームを偏向して投射して
    電気信号を書き込み、しかる後読み取る際に、 前記複数のコレクタ電極と前記基体の蓄積面との間に電
    位差が実質的に無い状態にされている前記蓄積ターゲッ
    トの少なくとも2つの前記コレクタ覗住に2次電子放出
    率が最初に1になる電圧よりも尚く且つ互いに異なる電
    圧全印加し、この異なる電圧の印加状態を保って前記蓄
    積ターゲット金電子ビームで選択的に衝撃して電気信号
    全書き込み、次に前記複数のコレクタ′屯極に前記第1
    交差電位よりも高い実質的に同一な電圧全印加し、この
    同一の電圧印加状態を保って無変調゛電子ビームで前記
    畜槓ターゲットを走査して書き込み信号kmみ取ること
    を特徴とする走査変換型蓄積管の動作方法。 [21nil記読み取り時に剖記候数のコレクタ電極V
    cl:i′]加する′電圧は、前記蓄積管の中で最も尚
    い′電圧である特許請求の範囲第1項記載の走査変換型
    蓄積管の動作方法。
JP21237682A 1982-12-03 1982-12-03 走査変換型蓄積管の動作方法 Granted JPS59103253A (ja)

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DE8383111624T DE3370097D1 (en) 1982-12-03 1983-11-21 Scan converter storage tube with a multiple collector storage target, and method of operation
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