JPH02227848A

JPH02227848A - 光磁気記録装置

Info

Publication number: JPH02227848A
Application number: JP1047255A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Okao; 敬一岡尾
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-02-28
Filing date: 1989-02-28
Publication date: 1990-09-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）この発明は光磁気記録装置に係り、特に電磁石によって
記録時や消去時に必要なバイアス磁界を発生する光磁気
記録装置に関する。

（従来の技術）光ディスクは大容量のディスクメモリとして注目され、
コンパクトディスク、レーザービジョンディスクに代表
される再生専用型、文書ファイルやコンピュータの外部
メモリに使用される追記型の各種光ナイスクが実用化さ
れている。また、書替え可能型光ディスクも種々の方式
が開発されつつあるが、特に光磁気方式は最も代表的な
ものの一つであり、実用化も始まっている。

光磁気記録方式は周知のように光ビームによる加熱によ
って、垂直磁化膜からなる記録層の磁化をバイアス磁界
の方向に反転させることで記録を行なうため、光学ヘッ
ドとは別にバイアス磁界の発生源が必須となる。また、
消去時には記録時と逆向きのバイアス磁界を印加するこ
とが必要となる。バイアス磁界発生源としては、永久磁
石または電磁石が用いられている。

第３図は永久磁石を用いる方式であり、４１は光磁気デ
ィスク、４２はモータ、４３は光学ヘッド、４４はバイ
アス磁界発生用の永久磁石である。

この方式では、記録時と消去時とで第３図（ａ）　（ｂ
）に示すように永久磁石４４の向きを機械的に変える必
要があり、複雑なメカニズムを必要とする。

また、バイアス磁界の調整や、ディスク４１にオーバー
ライドを行なう場合など、バイアス磁界の強度を変化さ
せる必要がある場合には、磁界強度の異なる複数の磁石
を切換えるか、または磁石４４とディスク４１との間の
距離を変化させなければならず、微細な制御は難しい。

第４図は電磁石を用いる方式であり、５１は光磁気ディ
スク、５２はモータ、５３は光学ヘッド、５４はバイア
ス磁界発生用の電磁石、５５は電磁石５４の駆動源であ
る。この方式では駆動源５４から電磁石５４に供給され
る電流の向きを変えることにより、簡単に記録時と消去
時とでバイアス磁界の向きを変えることができるが、記
録状態と消去状態との切換え時間を短くするために電磁
石５４の巻線数を少なくする必要がある。この結果、発
生可能な磁界強度が小さくなるため、ディスク５１と電
磁石５４との間の距離を小さくする必要が生じる。しか
しながら、この距離を小さくすると、ディスク５１の面
振れによりディスク５１上の磁界強度が大きく変動する
。この結果、例えば記録時にディスク上に形成されるピ
ットの形状が変動して再生信号のジッタ量が増大する等
、記録・消去特性が劣化するという問題がある。

（発明が解決しようとする課題）上述したように従来の技術では、バイアス磁界発生源に
永久磁石を用いると、記録時と消去時とでバイアス磁界
の向きを変えるために複雑なメカニズムが必要となり、
またバイアス磁界の微細な制御が難しいという間層があ
る。

一方、バイアス磁界発生源に電磁石を用いた場合は、記
録状態と消去状態との切換え時間を短くするために巻線
数を少なくすると、発生可能な磁界強度が小さくなるた
め、ディスク・電磁石間の距離を小さくしなければなら
ないので、ディスクの面振れによりディスク上の磁界強
度が大きく変動し、記録・消去特性が劣化するという問
題があった。

この発明は上述の事情に鑑みてなされたもので、バイア
ス磁界発生源として巻線数の少ない電磁石を光磁気ディ
スクに近接して設置した場合でも、ディスク面ｒ＆４に
よらずディスク上で常に一定のバイアス磁界強度が得ら
れ、良好な記録・消去特性を得ることができる光磁気記
録再生装置を提供することを目的とする。

［発明の構成コ（課題を解決するための手段）この発明は、光磁気ディスクに光ビームを集束照射する
ための対物レンズの位置におけるバイアス磁界強度を検
出する磁界強度検出手段を設け、ディスク面上のバイア
ス磁界強度が一定となるように該磁界強度検出手段の出
力信号に応じて電磁石への通電量を制御する構成とした
ものである。

対物レンズはフォーカシングサーボによって、その焦点
位置がディスクの記録面に一致するように光軸方向に変
位制御される。

磁界強度検出手段としては例えば対物レンズの位置にバ
イアス磁界と鎖交するコイルを設けるか、またはホール
素子のような磁界検出素子を設ければよい。前者の場合
、コイルに流れる電流信号はバイアス磁界強度の変化量
の微分値を示すので、これを積分してバイアス磁界強度
に対応した信号としてから、電磁石の駆動系にフィード
バックすればよい。後者の場合は、磁界強度検出信号の
出力信号が絶対的なバイアス磁界強度に対応するので、
これをそのまま電磁石の駆動系にフィードバックすれば
よい。

（作　用）この発明では光磁気ディスクの面振れに対して、対物レ
ンズの位置におけるバイアス磁界強度が一定となるよう
に電磁石の発生磁界が制御される。対物レンズはフォー
カシングサーボによって光磁気ディスクの記録面と常に
一定の距離を保っているので、この位置でのバイアス磁
界強度が一定に保たれれば、ディスク上の光ビーム照射
位置でのバイアス磁界強度も一定に保たれることになる
。

（実施例）以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。

第１図は、この発明の一実施例に係る光磁気記録装置の
構成を示したものである。同図において、光磁気ディス
ク１はモータ２により回転駆動される。ディスク１の図
中下側に光学ヘッド３が設けられ、上側の光学ヘッド３
と対向する位置にバイアス磁界発生源としての電磁石４
が設けられている。

光学へラド３は半導体レーザなどの光源５と、ビームス
プリッタ６及び対物レンズ７を主体とする光学系によっ
て構成される。対物レンズ７は光源５からビームスプリ
ッタ６を通して入射された光ビームをディスク１上に集
束照射するものであり、例えばボイスコイル方式のレン
ズアクチュエータ８によって光軸方向に変位可能に設け
られている。ディスク１からの反射光は対物レンズ７を
入射光と逆方向に通過した後、ビームスプリッタ６で反
射されて、光学ヘッド３の側面に取付けられた光検出器
９に入射する。光検出器９は例えば二分割検出器が用い
られる。

光検出器９の出力信号は、フォーカシングサーボ回路１
０に人力される。フォーカシングサーボ回路１０は、光
検出器９の二つの出力信号の差信号（対物レンズ７の焦
点誤差に対応する）を求める差動増幅器１１と、補償フ
ィルタ１２及び駆動増幅器１３を縦続接続して構成され
、駆動増幅器１３の出力信号はレンズアクチュエータ８
に供給される。これにより対物レンズ７は、゛光検出器
９及び差動増幅器１１によって検出された焦点誤差が零
となるように光軸方向に変位制御される。

一方、電磁石４はバイアス電圧発生部１４からのバイア
ス電圧に応じた一定電流を発生する定電流回路１５によ
って通電駆動される。定電原生回路１５は演算増幅器１
６と、抵抗１７〜２０により構成される。演算増幅器１
６の非反転入力端は接地され、反転入力端は抵抗１７を
介してバイアス電圧発生部１４の出力端に接続されると
共に、抵抗１９．２０を介して接地されている。演算増
幅器１６の出力端は電磁石４の一端に接続され、抵抗１
９．２０の接続点は電磁石４の他端に接続されている。

対物レンズ７には、磁界強度変化量検知コイル２１が装
着されている。このコイル２１はバイアス磁界強度の変
化量を検知するためのもので、電磁石４が発生するバイ
アス磁界と鎖交するように、対物レンズ７の周部を囲む
ように設置されている。

このコイル２１の一端は接地され、他端は増幅器２２の
入力端に接続されている。増幅器２２の出力端は積分器
２３の入力端に接続され、積分器２３の出力端は低電流
回路１５内の演算増幅器１６の反転入力端に抵抗１８を
介して接続されている。すなわち、コイル２１、増幅器
２２および積分器２３によって磁界強度検出手段が構成
されており、′電磁石４の駆動電流である定電流回路１
５の出力電流は、積分器２３の出力信°号電圧によって
増減するようになっている。

上記構成において、ディスク１と対物レンズ７との間の
距離はフォーカシングサーボ回路１０の働きにより一定
に保たれる。すなわち、ディスク１の面振れに対してデ
ィスク１の記録面が常に対物レンズ７の焦点の位置に一
致するように、対物レンズ７がレンズアクチュエータ８
によって光軸方向に変位制御される。

一方、対物レンズ７に装着されたコイル２１には、電磁
石４によって発生されるバイアス磁界と鎖交するため、
対物レンズ２１が光軸方向に移動すると、それに伴なっ
てコイル２１を流れる電流の値が変化する。すなわち、
コイル２１を流れる電流信号は、対物レンズ７の位置に
おけるバイアス磁界強度の変化ｊｌ（微分値）を示す。

このコイル２１からの電流信号は、増幅器２２により増
幅され電圧信号とされた後、積分器２３によって積分さ
れる。この積分器２３の出力信号重圧は、対物レンズ７
におけるバイアス磁界強度の値に対応している。

従って、積分器２３の出力信号電圧によって定電流回路
１５の出力電流を増減させて電磁石４の発生磁界を制御
することにより、ディスク１の面振れによるディスク１
と電磁石４との間の距離変化に対して、ディスク１上の
バイアス磁界強度を一定に保つことができる。具体的に
は、例えばディスク１と電磁石４との間の距離が増加す
るとディスク１上のバイアス磁界強度が減少する。この
ときディスク１と対物レンズ７との距離は減少するが、
これに対応して積分器２３の出力信号電圧が減少するよ
うにしておけば、定電流回路１５から電磁石４に供給さ
れる駆動電流が増加して電磁石４の発生磁界が増加する
ことにより、バイアス磁界強度は一定に保たれる。逆に
ディスク１と電磁石４との間の距離が減少した時は積分
器２３の出力信号電圧が増加し、定電流回路１５から電
磁石４に供給される駆動電流が減少するので、電磁石４
の発生磁界が減少して、やはりディスク１上のバイアス
磁界強度は一定に保たれる。

第２図はこの発明の他の実施例を示したもので、対物レ
ンズ７に磁界強度検出素子３１を取付け、対物レンズ７
の位置でのバイアス磁界強度を検出し、この磁界強度検
出素子、３１の出力信号を増幅器３２を介して定電流回
路１５に供給する構成となっている。この実施例におい
ても、増幅器３２の出力信号によって定電流回路１５の
出力電流を増減させることで、先の実施例と同様に電磁
石４の発生磁界を制御することにより、ディスク１の面
振れに対してディスク１上のバイアス磁界強度を一定に
保つことが可能となる。

磁界強度検出索子３１は磁界強度の絶対的な値に対応し
た出力信号を発生するものであり、例えばホール素子や
磁気抵抗素子を用いることができる。この場合、先の実
施例で必要とした積分器は不要となる。

［発明の効果］この発明によれば、バイアス磁界発生源として巻線数の
少ない電磁石を光磁気ディスクに近接して設置しても、
ディスクの面振れに対してディスク上のバイアス磁界強
度をほぼ一定に保つことができる。従って、記録される
ビットの形状が安定化され、ジッダ等に関して良好な記
録・消去特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る光磁気記録装置の構
成をｊす図、第２図はこの発明の他の実施例に係る光磁
気記録装置の構成を示す図、第３図及び第４図は従来の
光磁気記録装置におけるバイアス磁界発生装置の例を示
す図である。１・・・光磁気ディスク、２・・・モータ、３・・・光
学ヘッド、４・・・電磁石、５・・・光源、６・・・ビ
ームスプリッタ、７・・・対物レンズ、８・・・レンズ
アクチュエータ、９・・・光検出器、１０・・・フォー
カシングサーボ回路、１４・・・バイアス電圧発生部、
１５・・・定電流回路、２１・・・磁界強度変化量検知
コイル、２２・・・増幅器、２３・・・積分器、３１・
・・磁界強度検出素子、３２・・・増幅器。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光源と、この光源からの光ビームを光磁気ディスクに対して集束
照射する対物レンズと、この対物レンズの焦点位置が前記光磁気ディスクの記録
面に一致するように前記対物レンズを光軸方向に変位駆
動する手段と、前記光磁気ディスクに対して記録及び消去時にバイアス
磁界を印加する電磁石と、前記対物レンズの位置における前記光磁気ディスク上の
バイアス磁界強度を検出する磁界強度検出手段と、前記バイアス磁界強度が一定となるように前記磁界強度
検出手段の出力信号に応じて前記電磁石への通電量を制
御する手段とを具備することを特徴とする光磁気記録装
置。
（２）前記磁界強度検出手段は、前記対物レンズの位置
に前記バイアス磁界と鎖交するように設置されたコイル
と、このコイルに流れる電流に対応した信号を積分して
前記バイアス磁界強度に応じた出力信号を発生する積分
器とを有することを特徴とする請求項１記載の光磁気記
録装置。