JPH022282B2 - - Google Patents
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- JPH022282B2 JPH022282B2 JP24229585A JP24229585A JPH022282B2 JP H022282 B2 JPH022282 B2 JP H022282B2 JP 24229585 A JP24229585 A JP 24229585A JP 24229585 A JP24229585 A JP 24229585A JP H022282 B2 JPH022282 B2 JP H022282B2
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- Japan
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- shroud
- film
- cylinder
- aluminum
- cooling fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、Gaを含む膜状の半導体を製造す
る装置に用いられるシユラウドの製造方法に関す
る。
る装置に用いられるシユラウドの製造方法に関す
る。
この明細書において、「アルミニウム」という
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。またこの明細書において、
「セラミツクス」という語には、在来のセラミツ
クスのほかに、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化
物、ケイ化物などの合成材料からなるいわゆるニ
ユーセラミツクスも含むものとする。
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。またこの明細書において、
「セラミツクス」という語には、在来のセラミツ
クスのほかに、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化
物、ケイ化物などの合成材料からなるいわゆるニ
ユーセラミツクスも含むものとする。
従来技術とその問題点
たとえばGaAs等のGaを含む半導体膜をMBE
装置等の半導体製造装置で製造するにさいし、よ
り高性能なものを得るためには、超高真空中での
成膜が必要不可欠の条件となる。そのため、
MBE装置の成膜室にはシユラウドが用いられて
いる。従来のシユラウドは、ステンレス鋼板から
なる円筒状のもので、その外周面にステンレス鋼
製管がらせん状に巻付けられ、この管内を液体チ
ツソ等の冷却流体が流れるようになつている。そ
して、上記半導体膜の成膜時には、まずシユラウ
ドを200〜250℃に加熱することによりベーキング
処理を施してシユラウドの表面に吸着している水
分を除去した後、ステンレス鋼製管内に冷却流体
を流し、この冷却流体によつてシユラウドを冷却
し、その表面に真空化された成膜空中の残留ガス
を吸着させ、超高真空を得るようになつている。
しかしながら、従来のシユラウドでは筒体および
管がステンレス鋼製であるので、重量が大きく、
しかも熱伝導性が十分ではないという問題があつ
た。熱伝導性が十分ないと、上記ベーキングの時
にシユラウド全体が均一に加熱されるのに時間が
かかるとともに、冷却流体を流したさいにシユラ
ウドの表面が所定温度まで冷却されるのに時間が
かかるという問題があつた。
装置等の半導体製造装置で製造するにさいし、よ
り高性能なものを得るためには、超高真空中での
成膜が必要不可欠の条件となる。そのため、
MBE装置の成膜室にはシユラウドが用いられて
いる。従来のシユラウドは、ステンレス鋼板から
なる円筒状のもので、その外周面にステンレス鋼
製管がらせん状に巻付けられ、この管内を液体チ
ツソ等の冷却流体が流れるようになつている。そ
して、上記半導体膜の成膜時には、まずシユラウ
ドを200〜250℃に加熱することによりベーキング
処理を施してシユラウドの表面に吸着している水
分を除去した後、ステンレス鋼製管内に冷却流体
を流し、この冷却流体によつてシユラウドを冷却
し、その表面に真空化された成膜空中の残留ガス
を吸着させ、超高真空を得るようになつている。
しかしながら、従来のシユラウドでは筒体および
管がステンレス鋼製であるので、重量が大きく、
しかも熱伝導性が十分ではないという問題があつ
た。熱伝導性が十分ないと、上記ベーキングの時
にシユラウド全体が均一に加熱されるのに時間が
かかるとともに、冷却流体を流したさいにシユラ
ウドの表面が所定温度まで冷却されるのに時間が
かかるという問題があつた。
そこで、ステンレス鋼に比較して重量が小さ
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材でシユラウドをつくるこ
とも考えられているが、アルミニウムは成膜中に
蒸発したGaが付着すると侵されて貫通孔が発生
するので、いまだアルミニウム製のシユラウドは
実現していないのが実情である。
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材でシユラウドをつくるこ
とも考えられているが、アルミニウムは成膜中に
蒸発したGaが付着すると侵されて貫通孔が発生
するので、いまだアルミニウム製のシユラウドは
実現していないのが実情である。
この発明の目的は、上記の問題を解決した半導
体製造装置用シユラウドの製造方法を提供するこ
とにある。
体製造装置用シユラウドの製造方法を提供するこ
とにある。
問題点を解決するための手段
この発明による、半導体製造装置用シユラウド
用の製造方法は、周壁に冷却流体流通部を有する
アルミニウム製シユラウド用筒体をつくつた後、、
これらの内外両面のうち少なくとも内面に、分散
質であるセラミツクス粒子が分散媒中に均一に分
散した分散液を塗布し、ついで乾燥させて上記セ
ラミツクス粒子を、シユラウド用筒体の内外両面
のうち少なくとも内面に付着させてセラミツクス
皮膜を形成することを特徴とするものである。
用の製造方法は、周壁に冷却流体流通部を有する
アルミニウム製シユラウド用筒体をつくつた後、、
これらの内外両面のうち少なくとも内面に、分散
質であるセラミツクス粒子が分散媒中に均一に分
散した分散液を塗布し、ついで乾燥させて上記セ
ラミツクス粒子を、シユラウド用筒体の内外両面
のうち少なくとも内面に付着させてセラミツクス
皮膜を形成することを特徴とするものである。
上記において、シユラウド用筒体としては、ア
ルミニウム筒の外周面にアルミニウム製冷却流体
流通管がらせん状に巻付けられて接合されたも
の、またはたとえばロール・ボンド・パネルのよ
うに冷却流体流通用管状膨出部を備えたアルミニ
ウム製板状体を円筒状に成形し、その突合わせ部
を接合したもの等がある。
ルミニウム筒の外周面にアルミニウム製冷却流体
流通管がらせん状に巻付けられて接合されたも
の、またはたとえばロール・ボンド・パネルのよ
うに冷却流体流通用管状膨出部を備えたアルミニ
ウム製板状体を円筒状に成形し、その突合わせ部
を接合したもの等がある。
上記において分散液中に含まれるセラミツクス
粒子としては、SiO2、Al2O3、Fe2O3、CoO、
Cr2O3、MnO2、MgO、TiO2等分散媒中に均一に
分散しうるものが用いられる。このようなセラミ
ツクス粒子は、分散液中に１種または２種以上含
有せしめられる。また、セラミツクス粒子の大き
さは0.5〜2μｍの範囲内にあることが好ましい。
上記大きさが0.5μｍ未満であるゲル化しやすく、
2μｍを越えると形成される皮膜にピンホールが
生じ易くなるからである。また、分散媒としては
水や、アルコール類を用いるのが好ましく、その
中でもイソプロビルアルコールを用いるのが特に
よい。その理由は、後工程の乾燥処理を施すさい
に容易に蒸発して形成されるセラミツクス皮膜へ
の吸着量が少なくなり、その結果このシユラウド
をMBE装置に使用した場合にガスの放出量が少
なくなつて、成膜室内の真空度を低下させるおそ
れが少ないからである。また、分散液中の分散質
の含有量は10〜70wt％の範囲内にあることが好
ましく、その中でも特に30〜60wt％の範囲内に
あることが好ましい。上記含有量が10wt％未満
であると、形成される皮膜にピンホールが生じや
すく、70wt％を越えると分散液が高粘度となつ
て処理が困難となるからである。さらに、シユラ
ウドへの分散液の塗布は、浸漬法および吹付法等
で行なう。
粒子としては、SiO2、Al2O3、Fe2O3、CoO、
Cr2O3、MnO2、MgO、TiO2等分散媒中に均一に
分散しうるものが用いられる。このようなセラミ
ツクス粒子は、分散液中に１種または２種以上含
有せしめられる。また、セラミツクス粒子の大き
さは0.5〜2μｍの範囲内にあることが好ましい。
上記大きさが0.5μｍ未満であるゲル化しやすく、
2μｍを越えると形成される皮膜にピンホールが
生じ易くなるからである。また、分散媒としては
水や、アルコール類を用いるのが好ましく、その
中でもイソプロビルアルコールを用いるのが特に
よい。その理由は、後工程の乾燥処理を施すさい
に容易に蒸発して形成されるセラミツクス皮膜へ
の吸着量が少なくなり、その結果このシユラウド
をMBE装置に使用した場合にガスの放出量が少
なくなつて、成膜室内の真空度を低下させるおそ
れが少ないからである。また、分散液中の分散質
の含有量は10〜70wt％の範囲内にあることが好
ましく、その中でも特に30〜60wt％の範囲内に
あることが好ましい。上記含有量が10wt％未満
であると、形成される皮膜にピンホールが生じや
すく、70wt％を越えると分散液が高粘度となつ
て処理が困難となるからである。さらに、シユラ
ウドへの分散液の塗布は、浸漬法および吹付法等
で行なう。
また、上記において、塗布された分散液の乾燥
は、150〜200℃で15〜60分間加熱することにより
行なうのがよい。そして、この加熱によるセラミ
ツクス粒子の脱水縮合により皮膜化される。
は、150〜200℃で15〜60分間加熱することにより
行なうのがよい。そして、この加熱によるセラミ
ツクス粒子の脱水縮合により皮膜化される。
さらに、上記において、形成されるセラミツク
ス皮膜の厚さは１〜20μｍの範囲内にあることが
好ましい。その理由は、膜厚が1μｍ未満である
と、皮膜のGaに対する耐侵食性が十分ではなく、
20μｍを越えると、MBE装置に使用した場合に皮
膜からのガス放出量が多くなるとともに、熱サイ
クル性が低下して加熱、冷却を繰返したさいに割
れやすくなるおそれがあるからである。
ス皮膜の厚さは１〜20μｍの範囲内にあることが
好ましい。その理由は、膜厚が1μｍ未満である
と、皮膜のGaに対する耐侵食性が十分ではなく、
20μｍを越えると、MBE装置に使用した場合に皮
膜からのガス放出量が多くなるとともに、熱サイ
クル性が低下して加熱、冷却を繰返したさいに割
れやすくなるおそれがあるからである。
実施例
以下、この発明の実施例を比較例とともに示
す。
す。
実施例 １
まず、アルミニウム材から周壁に冷却流体流通
部を有するシユラウド用筒体をつくつた。つい
で、このシユラウド用筒体の内面に、イソプロピ
ルアルコールからなる分散媒中に、SiO2、Tio2
からなる粒径1μｍのセラミツクス粒子が均一に
分散させられた分散液（分散質含有量60wt％）
を吹付けた。その後、これを150℃で30分間加熱
して乾燥させ、厚さ10μｍのセラミツクス皮膜を
形成した。そして、シユラウド用筒体の内面に
Gaを１ｇ付着させた後、200℃×24時間加熱→液
体チツ素で30分間冷却、の熱サイクルテストを６
サイクル繰返して行ない、Gaによる侵食を調べ
た。筒体の内面を観察した結果、Gaによる侵食
は認められなかつた。
部を有するシユラウド用筒体をつくつた。つい
で、このシユラウド用筒体の内面に、イソプロピ
ルアルコールからなる分散媒中に、SiO2、Tio2
からなる粒径1μｍのセラミツクス粒子が均一に
分散させられた分散液（分散質含有量60wt％）
を吹付けた。その後、これを150℃で30分間加熱
して乾燥させ、厚さ10μｍのセラミツクス皮膜を
形成した。そして、シユラウド用筒体の内面に
Gaを１ｇ付着させた後、200℃×24時間加熱→液
体チツ素で30分間冷却、の熱サイクルテストを６
サイクル繰返して行ない、Gaによる侵食を調べ
た。筒体の内面を観察した結果、Gaによる侵食
は認められなかつた。
実施例 ２
まず、アルミニウム材から周壁に冷却流体流通
部を有するシユラウド用筒体をつくつた。つい
で、このシユラウド用筒体の内面に、イソプロピ
ルアルコールからなる分散媒中に、SiO2、CoO、
MnO2からなる粒径1μｍのセラミツクス粒子が均
一に分散させられた分散液（分散質含有量30wt
％）を吹付けた。その後、これを150℃で30分間
加熱して乾燥させ、厚さ15μｍのセラミツクス皮
膜を形成した。そして、シユラウド用筒体の内面
にGaを１ｇ付着させた後、実施例１と同じ熱サ
イクルテストを６サイクル繰返して行ない、Ga
による侵食を調べた。筒体の内面を観察した結
果、Gaによる侵食は認められなかつた。
部を有するシユラウド用筒体をつくつた。つい
で、このシユラウド用筒体の内面に、イソプロピ
ルアルコールからなる分散媒中に、SiO2、CoO、
MnO2からなる粒径1μｍのセラミツクス粒子が均
一に分散させられた分散液（分散質含有量30wt
％）を吹付けた。その後、これを150℃で30分間
加熱して乾燥させ、厚さ15μｍのセラミツクス皮
膜を形成した。そして、シユラウド用筒体の内面
にGaを１ｇ付着させた後、実施例１と同じ熱サ
イクルテストを６サイクル繰返して行ない、Ga
による侵食を調べた。筒体の内面を観察した結
果、Gaによる侵食は認められなかつた。
比較例
まず、アルミニウム材から周壁に冷却流体流通
部を有するシユラウド用筒体をつくつた。そし
て、セラミツクス皮膜を形成せずにGaを１ｇ付
着させた後、実施例１と同じ熱サイクルテストを
６サイクル繰返して行ない、Gaによる侵食性を
調べた。筒体の内面を観察した結果、Gaによよ
る侵食が認められた。
部を有するシユラウド用筒体をつくつた。そし
て、セラミツクス皮膜を形成せずにGaを１ｇ付
着させた後、実施例１と同じ熱サイクルテストを
６サイクル繰返して行ない、Gaによる侵食性を
調べた。筒体の内面を観察した結果、Gaによよ
る侵食が認められた。
発明の効果
この発明による半導体製造装置用シユラウド製
造方法は、周壁に冷却流体流通部を有するアルミ
ニウム製シユラウド用筒体をつくつた後、これら
の内外両面のうち少なくとも内面に、分散質であ
るセラミツクス粒子が分散媒中に均一に分散した
分散液を塗布し、ついで乾燥させて上記セラミツ
クス粒子を、シユラウド用筒体の内外両面のうち
少なくとも内面に付着させてセラミツクス皮膜を
形成することを特徴とするものであるから、従来
のステンレス鋼製のものと比較して軽量で、熱伝
導性が良く、しかもGaに対する耐侵食性がステ
ンレス鋼製のものと同等のシユラウドを簡単かつ
安価に製造することができる。特に、熱伝導性に
優れているので、従来のものに比べて半導体膜の
成膜時のベーキング処理時間を短縮することがで
きるとともに、冷却流体流通部に冷却流体を流し
て行なう冷却のさいの冷却効率が向上し、半導体
膜の成膜時の残留ガス吸着率が向上する。
造方法は、周壁に冷却流体流通部を有するアルミ
ニウム製シユラウド用筒体をつくつた後、これら
の内外両面のうち少なくとも内面に、分散質であ
るセラミツクス粒子が分散媒中に均一に分散した
分散液を塗布し、ついで乾燥させて上記セラミツ
クス粒子を、シユラウド用筒体の内外両面のうち
少なくとも内面に付着させてセラミツクス皮膜を
形成することを特徴とするものであるから、従来
のステンレス鋼製のものと比較して軽量で、熱伝
導性が良く、しかもGaに対する耐侵食性がステ
ンレス鋼製のものと同等のシユラウドを簡単かつ
安価に製造することができる。特に、熱伝導性に
優れているので、従来のものに比べて半導体膜の
成膜時のベーキング処理時間を短縮することがで
きるとともに、冷却流体流通部に冷却流体を流し
て行なう冷却のさいの冷却効率が向上し、半導体
膜の成膜時の残留ガス吸着率が向上する。
また、セラミツクス皮膜の耐熱性および熱サイ
クル性は優れており、半導体成膜時のベーキング
処理の250℃程度までの加熱および液体チツ素に
よる冷却を繰返しても皮膜に剥れや割れ等が生じ
ることはない。
クル性は優れており、半導体成膜時のベーキング
処理の250℃程度までの加熱および液体チツ素に
よる冷却を繰返しても皮膜に剥れや割れ等が生じ
ることはない。
また、シユラウド用筒体をアルミニウム材から
つくるのであるから、ステンレス鋼材からつくる
場合に比較して加工が容易である。
つくるのであるから、ステンレス鋼材からつくる
場合に比較して加工が容易である。
さらに、アルミニウムはステンレス鋼に比べて
表面のガス放出係数が小さいので、MBE装置に
おける半導体膜の成膜室内の真空度を低下させる
おそれが少ない。
表面のガス放出係数が小さいので、MBE装置に
おける半導体膜の成膜室内の真空度を低下させる
おそれが少ない。
Claims (1)
- １ 周壁に冷却流体流通部を有するアルミニウム
製シユラウド用筒体をつくつた後、これらの内外
両面のうち少なくとも内面に、分散質であるセラ
ミツクス粒子が分散媒中に均一に分散した分散液
を塗布し、ついで乾燥させることにより上記セラ
ミツクス粒子を、シユラウド用筒体の内外両面の
うち少なくとも内面に付着させてセラミツクス皮
膜を形成することを特徴とする半導体製造装置用
シユラウドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24229585A JPS62101018A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体製造装置用シユラウドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24229585A JPS62101018A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体製造装置用シユラウドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101018A JPS62101018A (ja) | 1987-05-11 |
| JPH022282B2 true JPH022282B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=17087109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24229585A Granted JPS62101018A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | 半導体製造装置用シユラウドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101583981B1 (ko) * | 2014-09-04 | 2016-01-11 | (주)지오투정보기술 | 고속이동차량 기반 wlan 신호 수집 장치 및 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009110060A1 (ja) | 2008-03-04 | 2009-09-11 | 東京濾器株式会社 | 通気管の消音構造及びケースの消音構造 |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP24229585A patent/JPS62101018A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101583981B1 (ko) * | 2014-09-04 | 2016-01-11 | (주)지오투정보기술 | 고속이동차량 기반 wlan 신호 수집 장치 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62101018A (ja) | 1987-05-11 |
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