JPH0222887A - 薄銅箔張回路基板の製造法 - Google Patents
薄銅箔張回路基板の製造法Info
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- JPH0222887A JPH0222887A JP63171734A JP17173488A JPH0222887A JP H0222887 A JPH0222887 A JP H0222887A JP 63171734 A JP63171734 A JP 63171734A JP 17173488 A JP17173488 A JP 17173488A JP H0222887 A JPH0222887 A JP H0222887A
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- copper
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品を実装するプリント配線板製造用の
銅箔と電気絶縁体とより製造された銅箔張積層板、銅張
フィルム、銅張シートなどの銅箔張回路基板や補強され
た銅箔であって、厚みが数−〜2Q )a 、所望厚み
に対する厚みのバラツキが±1.0p以下である薄銅箔
張回路基板の製造法である。
銅箔と電気絶縁体とより製造された銅箔張積層板、銅張
フィルム、銅張シートなどの銅箔張回路基板や補強され
た銅箔であって、厚みが数−〜2Q )a 、所望厚み
に対する厚みのバラツキが±1.0p以下である薄銅箔
張回路基板の製造法である。
銅箔張回路基板の製造法は、銅箔と絶縁体とを重ね通常
積層成形等によって製造され、用いる銅箔としては、電
解法による厚み105虜、770−135−118p1
12JJなどが量産され、ア“ルミニウム箔等の担体上
に形成された5uM、 97aなどの銅箔も作られて
いる。又、圧延法による銅箔があるが、製造法との関係
から薄くなるほど高価なものとなり実質的には35−以
下の厚さの箔は実用化されていない。
積層成形等によって製造され、用いる銅箔としては、電
解法による厚み105虜、770−135−118p1
12JJなどが量産され、ア“ルミニウム箔等の担体上
に形成された5uM、 97aなどの銅箔も作られて
いる。又、圧延法による銅箔があるが、製造法との関係
から薄くなるほど高価なものとなり実質的には35−以
下の厚さの箔は実用化されていない。
このような銅箔を積層成形に用いる場合、その厚みが1
8虜より薄いと皺になりやすく、銅箔を絶縁体と重ね合
わせる作業が極めて困難となるので殆ど実用化されてい
ない。またアルミニウム箔等の担体上に形成された銅箔
は、この点を改善したものであるが高価であり、更に銅
箔によるプリント配線を形成する前に担体であるアルミ
ニウム箔等の除去工程が必要という問題があった。
8虜より薄いと皺になりやすく、銅箔を絶縁体と重ね合
わせる作業が極めて困難となるので殆ど実用化されてい
ない。またアルミニウム箔等の担体上に形成された銅箔
は、この点を改善したものであるが高価であり、更に銅
箔によるプリント配線を形成する前に担体であるアルミ
ニウム箔等の除去工程が必要という問題があった。
また、プリント配線板加工工程におい”ご塩化銅や塩化
鉄などのエツチング液にて銅箔張回路基板を予備エツチ
ングして銅箔を研磨した後、プリント配線板の製造工程
に用いる方法が知られていたが、予備エツチングによる
銅箔の除去量を多くしたり、或いは1m角などの大面積
をエツチングして、薄銅張回路基板を製造することは出
来なかった。
鉄などのエツチング液にて銅箔張回路基板を予備エツチ
ングして銅箔を研磨した後、プリント配線板の製造工程
に用いる方法が知られていたが、予備エツチングによる
銅箔の除去量を多くしたり、或いは1m角などの大面積
をエツチングして、薄銅張回路基板を製造することは出
来なかった。
本発明は、大型回路基板として使用可能な薄銅箔張回路
基板を生産性よく製造する方法について鋭意検討した結
果、従来のエンチング法に比較して非常に遅い速度で銅
張回路基板の銅箔全面をエツチングして、もとの銅箔の
厚さの25〜90%を除去する方法によって厚み精度の
高い薄銅張回路基板が得られることを見出し、本発明に
到達した。
基板を生産性よく製造する方法について鋭意検討した結
果、従来のエンチング法に比較して非常に遅い速度で銅
張回路基板の銅箔全面をエツチングして、もとの銅箔の
厚さの25〜90%を除去する方法によって厚み精度の
高い薄銅張回路基板が得られることを見出し、本発明に
到達した。
すなわち、本発明は、銅箔と電気絶縁体とより製造され
た銅箔張回路基板を銅エツチング液を用い、0.01〜
0.3虜/秒の速度で銅箔全面をエツチングして、もと
の銅箔の厚さの25〜90%を除去し、所望厚みに対し
て残存銅箔の厚みのバラツキが±1.Op以内とするこ
とを特徴とする薄銅箔張回路基板の製造法である。
た銅箔張回路基板を銅エツチング液を用い、0.01〜
0.3虜/秒の速度で銅箔全面をエツチングして、もと
の銅箔の厚さの25〜90%を除去し、所望厚みに対し
て残存銅箔の厚みのバラツキが±1.Op以内とするこ
とを特徴とする薄銅箔張回路基板の製造法である。
以下、本発明の構成について説明する。
本発明の銅箔と電気絶縁体とより製造された銅箔張回路
基板は、特に限定はなく電子、電気材料用として用いら
れている種々の市販品等いずれも使用可能であるが、本
発明の製造法を適用する場合、通常、公称厚みが18−
以上の銅箔を用いた片面或いは両面銅張のフィルム、シ
ート、繊維強化絶縁樹脂積層板、金属芯積層板、内層に
プリント配線網を形成した多層シールド板などである。
基板は、特に限定はなく電子、電気材料用として用いら
れている種々の市販品等いずれも使用可能であるが、本
発明の製造法を適用する場合、通常、公称厚みが18−
以上の銅箔を用いた片面或いは両面銅張のフィルム、シ
ート、繊維強化絶縁樹脂積層板、金属芯積層板、内層に
プリント配線網を形成した多層シールド板などである。
電気絶縁体層は、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等
のフィルムやシート、熱硬化性樹脂や耐熱性の熱可塑性
樹脂とガラス(Eガラス、Dガラス、Sガラス、石英ガ
ラス(クォーツ)その他)、セラミックス類(アルミナ
、窒化硼素、その他)、全芳香族ポリアミド、ポリイミ
ド、セミカーボン、フッ素樹脂、その他の耐熱性エンジ
ニアリングプラスチックなどを一種或いは二種以上適宜
併用してなる繊維、チョップなどを用いた多孔質フィル
ム或いはシート状の補強基材とを組み合わせてなるプリ
プレグを用いて製造されるもの、又は、鉄、アルミニウ
ム板等に絶縁性の接着剤や接着フィルムを被覆してなる
ものなどである。また、通常の銅張積層板は積層成形の
圧力により、銅箔表面が補強基材の凹凸を一部反映して
例えばガラス織布基材の場合約40−ピツチで4uM程
度のうねりを持ったものとなるが、このうねりを機械的
に精密研磨して取ったものを使用することもできる。
のフィルムやシート、熱硬化性樹脂や耐熱性の熱可塑性
樹脂とガラス(Eガラス、Dガラス、Sガラス、石英ガ
ラス(クォーツ)その他)、セラミックス類(アルミナ
、窒化硼素、その他)、全芳香族ポリアミド、ポリイミ
ド、セミカーボン、フッ素樹脂、その他の耐熱性エンジ
ニアリングプラスチックなどを一種或いは二種以上適宜
併用してなる繊維、チョップなどを用いた多孔質フィル
ム或いはシート状の補強基材とを組み合わせてなるプリ
プレグを用いて製造されるもの、又は、鉄、アルミニウ
ム板等に絶縁性の接着剤や接着フィルムを被覆してなる
ものなどである。また、通常の銅張積層板は積層成形の
圧力により、銅箔表面が補強基材の凹凸を一部反映して
例えばガラス織布基材の場合約40−ピツチで4uM程
度のうねりを持ったものとなるが、このうねりを機械的
に精密研磨して取ったものを使用することもできる。
本発明の銅エツチング液は、過酸化水素/硫酸、過硫酸
塩、塩化銅又は塩化鉄などを主剤とする水溶液であって
、通常のエツチングに用いられるエツチング液に比較し
てエツチング成分の濃度を低く保つ方法、温度を低く保
つ方法又は銅箔面上の供給エツチング液の接触量(スプ
レー法の場合にはスプレー圧力)を少なくする方法等並
びにこれらを適宜組み合わせることによってエツチング
速度を低下させ 0.旧〜0.3p/秒の範囲、より好
ましくは0.03〜0.20虜/秒の範囲のエツチング
速度として使用するものである。エツチング速度が0.
3un/秒より速いと僅かなエツチング処理時間の差に
よりエツチングが進行するので、所望の厚みとの公差が
大きくなるばかりでなく、厚みの場所によるバラツキが
大きくなる傾向があり、所定の銅箔厚みに対するバラツ
キ幅を±1.Op以内にすることが困難となるので好ま
しくない。また、エツチング速度が0.01J!XA/
秒より遅い場合には、エツチングに時間がかかり実用的
でない。
塩、塩化銅又は塩化鉄などを主剤とする水溶液であって
、通常のエツチングに用いられるエツチング液に比較し
てエツチング成分の濃度を低く保つ方法、温度を低く保
つ方法又は銅箔面上の供給エツチング液の接触量(スプ
レー法の場合にはスプレー圧力)を少なくする方法等並
びにこれらを適宜組み合わせることによってエツチング
速度を低下させ 0.旧〜0.3p/秒の範囲、より好
ましくは0.03〜0.20虜/秒の範囲のエツチング
速度として使用するものである。エツチング速度が0.
3un/秒より速いと僅かなエツチング処理時間の差に
よりエツチングが進行するので、所望の厚みとの公差が
大きくなるばかりでなく、厚みの場所によるバラツキが
大きくなる傾向があり、所定の銅箔厚みに対するバラツ
キ幅を±1.Op以内にすることが困難となるので好ま
しくない。また、エツチング速度が0.01J!XA/
秒より遅い場合には、エツチングに時間がかかり実用的
でない。
上記において、エツチング速度を遅くする方法としては
、濃度、温度又は銅箔面上のエツチング液の接触量(ス
プレー法の場合にはスプレー圧力或いはスプレーノズル
数)を低くするものであるが、温度を低くすること、エ
ツチング液の薬剤濃度を低くすること又はこれらを組み
合わせることが好適である。
、濃度、温度又は銅箔面上のエツチング液の接触量(ス
プレー法の場合にはスプレー圧力或いはスプレーノズル
数)を低くするものであるが、温度を低くすること、エ
ツチング液の薬剤濃度を低くすること又はこれらを組み
合わせることが好適である。
このような条件を満足する具体的な例としてはエツチン
グ液として過酸化水素/硫酸系を用いる場合、過酸化水
素の濃度は2〜4w/v%、硫酸の濃度は3〜7w/v
%で温度25〜50℃、銅濃度30〜60g/lが好適
である。この過酸化水素/硫酸系のエツチング剤には、
過酸化水素の安定剤、銅の溶解促進剤などの添加剤を加
える方法は好ましいものである。このような添加剤とし
てはメタノール、エタノール、プロパツール、ブタノー
ルなどの1価アルコール;エチレングリコール、プロピ
レングリコール、フタンジオール、ペンクンジオールな
どの2価のアルコール;グリセリン、ペンタエリスリト
ールなどの3価以上のアルコール;ポリエチレングリコ
ールなどのグリコールエーテル類;アミノ安息香酸、ア
ミノテトラゾール、フェニル尿素などの含窒素有機環状
化合物類などが例示され、通常0.1〜5%の範囲から
適宜選択される。
グ液として過酸化水素/硫酸系を用いる場合、過酸化水
素の濃度は2〜4w/v%、硫酸の濃度は3〜7w/v
%で温度25〜50℃、銅濃度30〜60g/lが好適
である。この過酸化水素/硫酸系のエツチング剤には、
過酸化水素の安定剤、銅の溶解促進剤などの添加剤を加
える方法は好ましいものである。このような添加剤とし
てはメタノール、エタノール、プロパツール、ブタノー
ルなどの1価アルコール;エチレングリコール、プロピ
レングリコール、フタンジオール、ペンクンジオールな
どの2価のアルコール;グリセリン、ペンタエリスリト
ールなどの3価以上のアルコール;ポリエチレングリコ
ールなどのグリコールエーテル類;アミノ安息香酸、ア
ミノテトラゾール、フェニル尿素などの含窒素有機環状
化合物類などが例示され、通常0.1〜5%の範囲から
適宜選択される。
CuCl2を主剤とする塩化第二銅エツチング液の場合
には例えばCuCI2・2t1201.42!bとII
cI(20°8e゛)Q、 5galを溶解して水溶液
1gal としたもの(CuCI。・2820170g
#!、HCI 19w/v%の水溶液)程度(7)1度
以下とした水溶液を用い、温度30〜40℃で行う方法
が例示される。
には例えばCuCI2・2t1201.42!bとII
cI(20°8e゛)Q、 5galを溶解して水溶液
1gal としたもの(CuCI。・2820170g
#!、HCI 19w/v%の水溶液)程度(7)1度
以下とした水溶液を用い、温度30〜40℃で行う方法
が例示される。
Nf140H,NH4Cl、 Cu、 NaClO2,
NH4NO3などを含む水溶液の所謂「アルカリエツチ
ング液」の場合には例えばN)1.OH3mol/j!
、 NaCl0□10mol#!、NH4Cl 1
mol/ l 、 NH4HCO31mol/ l 、
N)14NO31mol/ I!程度の濃度以下と
し、水溶液中のCu濃度を10 lb/gal (74
,89gム0以下、温度 30〜45℃に保つ方法、又
は通常の液濃度としてエツチング温度を20〜30℃程
度にする方法が例示される。
NH4NO3などを含む水溶液の所謂「アルカリエツチ
ング液」の場合には例えばN)1.OH3mol/j!
、 NaCl0□10mol#!、NH4Cl 1
mol/ l 、 NH4HCO31mol/ l 、
N)14NO31mol/ I!程度の濃度以下と
し、水溶液中のCu濃度を10 lb/gal (74
,89gム0以下、温度 30〜45℃に保つ方法、又
は通常の液濃度としてエツチング温度を20〜30℃程
度にする方法が例示される。
(NH4) 2S20+1を主剤とする過硫酸塩エツチ
ング液の場合には例えば(NH4) zstO@21t
l/gal (240g/ (1)程度の濃度以下とし
た水溶液を用い、20〜35℃の温度で行う方法が例示
される。
ング液の場合には例えば(NH4) zstO@21t
l/gal (240g/ (1)程度の濃度以下とし
た水溶液を用い、20〜35℃の温度で行う方法が例示
される。
塩化第二鉄を主剤とするエツチング液の場合、40°B
e’の塩化第二鉄液に、35%MCI 20〜1vo
1%加えた液又はこれを水で希釈した液を用い、20〜
35℃で行う方法が例示される。
e’の塩化第二鉄液に、35%MCI 20〜1vo
1%加えた液又はこれを水で希釈した液を用い、20〜
35℃で行う方法が例示される。
クロム酸/硫酸エツチング液の場合には例えばCr0a
240g/ j2、Na2SO440,5g/L+2
so4(96%)180g#!程度の濃度以下とした水
溶液を用いる方法が例示される。
240g/ j2、Na2SO440,5g/L+2
so4(96%)180g#!程度の濃度以下とした水
溶液を用いる方法が例示される。
しかしながら例えばアルカリエツチング液では、液の安
定性が悪いという欠点があり、過硫酸塩エツチング液で
はエツチングされた銅が水溶液から析出し易い欠点があ
り、塩化第二鉄エツチング液では溶解銅濃度の変化によ
りエツチング速度が大きく変化する欠点があり、更にク
ロム酸/硫酸エツチング液の場合、積層板の樹脂を侵す
という欠点があるので、本発明においては過酸化水素/
硫酸系のエツチング液が液管理の点や公害などの点から
最も好ましい。
定性が悪いという欠点があり、過硫酸塩エツチング液で
はエツチングされた銅が水溶液から析出し易い欠点があ
り、塩化第二鉄エツチング液では溶解銅濃度の変化によ
りエツチング速度が大きく変化する欠点があり、更にク
ロム酸/硫酸エツチング液の場合、積層板の樹脂を侵す
という欠点があるので、本発明においては過酸化水素/
硫酸系のエツチング液が液管理の点や公害などの点から
最も好ましい。
本発明の製造法におけるエツチング方法としては通常ス
プレーエツチングを行うのが適当であり、水平或いは垂
直にして行う。エツチングにより所定厚みの銅箔とする
ためには、エツチング液によって、所定のエツチング条
件下におけるエツチング速度を測定して、エツチング時
間を設定する方法を使用する。例えば、両面に同一厚み
の銅箔を張った両面銅張板を用い、これを水平において
両面を同時に同一の厚みにするには、上下両面のエツチ
ング速度が同一となるようにスプレー圧等をコントロー
ルしてエツチング速度を揃え、所定時間エツチングする
方法による。又、垂直に立てて行う方法は上記に例示し
た所謂アルカリエツチングなどの方法においては作業環
境の問題が生じるので行うことはできないが、過酸化水
素/硫酸系の場合、同一スプレー圧力で両面を同時に同
一速度でエツチングでき、水平に置く場合のように上下
面間のエツチング速度の差を補正する必要がないことか
ら好適な方法の一つである。さらに、従来のエツチング
マシンは、通常、一定速度で移動する積層板の面に対し
てノズルの噴射方向を出来るだけ垂直とする方法が取ら
れているが、本発明の場合には積層板表面に均一にスプ
レーされればよく、30°〜50°程度傾けて使用する
こともできるものである。
プレーエツチングを行うのが適当であり、水平或いは垂
直にして行う。エツチングにより所定厚みの銅箔とする
ためには、エツチング液によって、所定のエツチング条
件下におけるエツチング速度を測定して、エツチング時
間を設定する方法を使用する。例えば、両面に同一厚み
の銅箔を張った両面銅張板を用い、これを水平において
両面を同時に同一の厚みにするには、上下両面のエツチ
ング速度が同一となるようにスプレー圧等をコントロー
ルしてエツチング速度を揃え、所定時間エツチングする
方法による。又、垂直に立てて行う方法は上記に例示し
た所謂アルカリエツチングなどの方法においては作業環
境の問題が生じるので行うことはできないが、過酸化水
素/硫酸系の場合、同一スプレー圧力で両面を同時に同
一速度でエツチングでき、水平に置く場合のように上下
面間のエツチング速度の差を補正する必要がないことか
ら好適な方法の一つである。さらに、従来のエツチング
マシンは、通常、一定速度で移動する積層板の面に対し
てノズルの噴射方向を出来るだけ垂直とする方法が取ら
れているが、本発明の場合には積層板表面に均一にスプ
レーされればよく、30°〜50°程度傾けて使用する
こともできるものである。
上記に詳細に説明した方法によりエツチング速度を0.
05〜0.3pの速度で銅箔全面をエツチングして残存
銅箔の厚みバラツキを所定厚みの±l。
05〜0.3pの速度で銅箔全面をエツチングして残存
銅箔の厚みバラツキを所定厚みの±l。
Opとし、その後のプリント配線製造工程における高密
度の配線の形成を可能とする。例えば厚さ9AEm〜3
p程度の薄銅張板は、公称厚さ±18−(1/202)
の銅箔を使用した銅張積層板をエツチングすることによ
り容易に高厚み精度で製造され、しかも元の銅張積層板
の接着力はそのまま生かされたものとできるものである
。また、厚さ12ρ〜20m程度の銅張板は、公称厚さ
±35E11(10Z)の銅箔を使用した銅張積層板を
エツチングすることにより同様に製造される。
度の配線の形成を可能とする。例えば厚さ9AEm〜3
p程度の薄銅張板は、公称厚さ±18−(1/202)
の銅箔を使用した銅張積層板をエツチングすることによ
り容易に高厚み精度で製造され、しかも元の銅張積層板
の接着力はそのまま生かされたものとできるものである
。また、厚さ12ρ〜20m程度の銅張板は、公称厚さ
±35E11(10Z)の銅箔を使用した銅張積層板を
エツチングすることにより同様に製造される。
上記したエツチング剤で処理した積層板の銅箔面は清浄
化した後、適宜乾燥し、銅箔面の保護のために防錆剤の
塗布や剥離可能な樹脂による被覆を行う。
化した後、適宜乾燥し、銅箔面の保護のために防錆剤の
塗布や剥離可能な樹脂による被覆を行う。
ここに清浄化とは、中和、酸洗浄、水洗、湯洗などの公
知の不純物の除去法でよく、用いた銅エツチング液の安
定剤その他の成分を考慮して適宜選択するが、通常は中
和−・酸洗浄→(防錆或いは保護膜被覆)を行うのが好
ましい。
知の不純物の除去法でよく、用いた銅エツチング液の安
定剤その他の成分を考慮して適宜選択するが、通常は中
和−・酸洗浄→(防錆或いは保護膜被覆)を行うのが好
ましい。
適宜乾燥した後、本発明の防錆剤或いは剥離可能な樹脂
により銅箔面を保護する。防錆剤としては公知の銅の防
錆剤が挙げられ、ベンゾトリアゾールなどのアゾール化
合物が挙げられ、これに界面活性剤等を適宜併用したも
のが例示される。又、剥離可能な樹脂としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン樹脂、
エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリデン、ポリアク
リレート共重合体、1,2−ポリブタジェン樹脂、ポリ
エステル樹脂、その他の熱可塑性樹脂製のフィルム類や
フォトレジストフィルム;パラフィンワックス、ポリエ
チレンワックス、ロジン、低分子量ポリスチレンなどの
汎用溶媒溶解性の樹脂類;フォトレジスト樹脂液などが
例示され、洗浄された銅箔面に直接圧着などしても良い
し、前記の防錆処理した面にさらに圧着などして銅箔面
を被覆する。
により銅箔面を保護する。防錆剤としては公知の銅の防
錆剤が挙げられ、ベンゾトリアゾールなどのアゾール化
合物が挙げられ、これに界面活性剤等を適宜併用したも
のが例示される。又、剥離可能な樹脂としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン樹脂、
エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリデン、ポリアク
リレート共重合体、1,2−ポリブタジェン樹脂、ポリ
エステル樹脂、その他の熱可塑性樹脂製のフィルム類や
フォトレジストフィルム;パラフィンワックス、ポリエ
チレンワックス、ロジン、低分子量ポリスチレンなどの
汎用溶媒溶解性の樹脂類;フォトレジスト樹脂液などが
例示され、洗浄された銅箔面に直接圧着などしても良い
し、前記の防錆処理した面にさらに圧着などして銅箔面
を被覆する。
以下、実施例、比較例により本発明を具体的に説明する
。なお、エツチングした銅箔の厚みは、うず電流方式で
測定した。
。なお、エツチングした銅箔の厚みは、うず電流方式で
測定した。
実施例1
1020 X 1020 mmで板厚1.6mm、公称
IBp銅箔〈日鉱グールド社、TC箔)を両面に張った
ガラス布基材エポキシ樹脂積層板を水平スプレーエツチ
ングマシンを用い、過酸化水素/硫酸エツチング液(三
菱瓦斯化学■製、FES−6000、LOz□7.78
w/v%、H2SO1・11.7w/v%)の3倍希釈
液を用い、下記条件でエツチングした。
IBp銅箔〈日鉱グールド社、TC箔)を両面に張った
ガラス布基材エポキシ樹脂積層板を水平スプレーエツチ
ングマシンを用い、過酸化水素/硫酸エツチング液(三
菱瓦斯化学■製、FES−6000、LOz□7.78
w/v%、H2SO1・11.7w/v%)の3倍希釈
液を用い、下記条件でエツチングした。
一気1表
ついで、中和→酸洗浄−水洗した後、水溶性の防錆剤(
例えば、C,B、ブライト (三菱瓦斯化学■製)、コ
ロミンCB (花王アトラス0菊製など)を用いて、防
錆処理をして、渦電流式膜厚計(電測工業■製、グーメ
ス渦電流式膜厚計、型式O3−1)で銅箔の厚みを測定
することにより、第1表に記載の薄銅張板を連続して1
0枚製造した。
例えば、C,B、ブライト (三菱瓦斯化学■製)、コ
ロミンCB (花王アトラス0菊製など)を用いて、防
錆処理をして、渦電流式膜厚計(電測工業■製、グーメ
ス渦電流式膜厚計、型式O3−1)で銅箔の厚みを測定
することにより、第1表に記載の薄銅張板を連続して1
0枚製造した。
比較例1
実施例1において、エツチング液としてFES−600
0の原液を用い、エツチング条件を下記とする他は同様
とした。結果を第1表に示した。
0の原液を用い、エツチング条件を下記とする他は同様
とした。結果を第1表に示した。
比較例2
公称厚さ9虜の片面接着処理電解銅箔を用いて実施例と
同様の両面板10枚を、40kg/cnf、170℃2
時間の積層成形条件で製造した。9p銅箔を皺の発生な
しに取り扱うことは困難を極め、積層成形品の30%に
皺が発生した。得られた両面板の測定結果を第2表に示
した。
同様の両面板10枚を、40kg/cnf、170℃2
時間の積層成形条件で製造した。9p銅箔を皺の発生な
しに取り扱うことは困難を極め、積層成形品の30%に
皺が発生した。得られた両面板の測定結果を第2表に示
した。
比較例3
厚さ40−のアルミニウム箔に公称厚さ9Atmの銅メ
ツキ並びにメツキ面を凹凸処理した箔を使用して比較例
2と同様にして両面板を製造した後、アルミニウム箔を
エツチング除去した。得られた両面板の測定結果を第2
表に示した。
ツキ並びにメツキ面を凹凸処理した箔を使用して比較例
2と同様にして両面板を製造した後、アルミニウム箔を
エツチング除去した。得られた両面板の測定結果を第2
表に示した。
・エツチングAN Ll、 t)、3/ SeC第2
表 実施例2 400X300 mmの実施例1と同様の両面銅張積層
板を水平スプレーエツチングマシンを用い、塩化第二鉄
エノチンダ液(FeC135,8(1,3b%HCI
1.211水3.Ojりを用い、温度 25℃、エツチ
ング速度 0.25/SeC,、スプレー圧力(上面1
.0kg/cnf、 下面0.8 kg / ctd
、 )で行う他は同様にして銅箔の平均厚み9.0At
B、厚み範囲8.1〜9.9−の薄銅張板を得た。
表 実施例2 400X300 mmの実施例1と同様の両面銅張積層
板を水平スプレーエツチングマシンを用い、塩化第二鉄
エノチンダ液(FeC135,8(1,3b%HCI
1.211水3.Ojりを用い、温度 25℃、エツチ
ング速度 0.25/SeC,、スプレー圧力(上面1
.0kg/cnf、 下面0.8 kg / ctd
、 )で行う他は同様にして銅箔の平均厚み9.0At
B、厚み範囲8.1〜9.9−の薄銅張板を得た。
以上、発明の詳細な説明および実施例、比較例から明瞭
な如く、本発明の製造法によれば、従来のアルミクラッ
ド銅箔を用いた場合と同等以上の銅箔厚み精度を有する
薄銅張積層板が容易に製造され、しかも、銅箔の剥離強
度においても優れたものであることが理解される。
な如く、本発明の製造法によれば、従来のアルミクラッ
ド銅箔を用いた場合と同等以上の銅箔厚み精度を有する
薄銅張積層板が容易に製造され、しかも、銅箔の剥離強
度においても優れたものであることが理解される。
この結果、従来は高価なアルミニウム箔等の担体上に形
成された5ρ、9虜などの銅箔を使用する方法によって
しか製造出来なかった薄銅張積層板を精度よく安価に容
易に製造することが可能となるものであることが理解さ
れ、その産業上の意義は極めて大きいものである。
成された5ρ、9虜などの銅箔を使用する方法によって
しか製造出来なかった薄銅張積層板を精度よく安価に容
易に製造することが可能となるものであることが理解さ
れ、その産業上の意義は極めて大きいものである。
特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社
Claims (1)
- 銅箔と電気絶縁体とより製造された銅箔張回路基板を
銅エッチング液を用い、0.01〜0.3μm/秒の速
度で銅箔全面をエッチングして、もとの銅箔の厚さの2
5〜90%を除去し、所望厚みに対して残存銅箔の厚み
のバラツキが±1.0μm以内とすることを特徴とする
薄銅箔張回路基板の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171734A JP2947415B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 薄銅箔張回路基板の製造法 |
| DE68923904T DE68923904T2 (de) | 1988-05-20 | 1989-05-18 | Verfahren zur Herstellung eines mit einer dünnen Kupferfolie kaschierten Substrats für Schaltungsplatten. |
| EP89108934A EP0342669B1 (en) | 1988-05-20 | 1989-05-18 | Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards |
| US07/354,954 US4917758A (en) | 1988-05-20 | 1989-05-19 | Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171734A JP2947415B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 薄銅箔張回路基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222887A true JPH0222887A (ja) | 1990-01-25 |
| JP2947415B2 JP2947415B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=15928695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63171734A Expired - Fee Related JP2947415B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-07-12 | 薄銅箔張回路基板の製造法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2947415B2 (ja) |
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| KR102575861B1 (ko) * | 2021-12-13 | 2023-09-11 | 주식회사 제이에스제이 | 고중량 동박 인쇄회로기판의 제조방법 |
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| JPS62200796A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 | イビデン株式会社 | 極薄銅張積層板の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63171734A patent/JP2947415B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7230188B1 (en) | 1998-09-14 | 2007-06-12 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
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| EP1919266A2 (en) | 1998-09-14 | 2008-05-07 | Ibiden Co., Ltd. | Electroless plating solution, electroless plating process, and printed circuit board |
| US7691189B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-04-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
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| CN114351191B (zh) * | 2022-01-12 | 2023-09-12 | 九江德福科技股份有限公司 | 一种铜箔面密度调整装置及其作用面制作方法 |
| DE102024112039A1 (de) * | 2024-04-29 | 2025-10-30 | Valeo Eautomotive Germany Gmbh | Lamellenblech für eine elektrische Maschine mit verbesserter Isolierung und Verfahren zu seiner Herstellung |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2947415B2 (ja) | 1999-09-13 |
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