JPH0222896A - 両面薄銅箔張回路基板の製造法 - Google Patents
両面薄銅箔張回路基板の製造法Info
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- JPH0222896A JPH0222896A JP63171735A JP17173588A JPH0222896A JP H0222896 A JPH0222896 A JP H0222896A JP 63171735 A JP63171735 A JP 63171735A JP 17173588 A JP17173588 A JP 17173588A JP H0222896 A JPH0222896 A JP H0222896A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子部品を実装するプリント配線板製造用の
銅箔と電気絶縁体とより製造された両面銅箔張積層板、
両面銅張フィルム、両面銅張シートなどの両面銅箔張回
路基板であって、厚みが数ｐ〜２０ ｕｘ＋ ％所望厚
みに対する厚みのバラツキが±２．０ｐ以下、好適には
±１．０−以下であり、かつ両面の銅箔の厚さが異なる
両面銅箔張回路基板の製造法である。
銅箔と電気絶縁体とより製造された両面銅箔張積層板、
両面銅張フィルム、両面銅張シートなどの両面銅箔張回
路基板であって、厚みが数ｐ〜２０ ｕｘ＋ ％所望厚
みに対する厚みのバラツキが±２．０ｐ以下、好適には
±１．０−以下であり、かつ両面の銅箔の厚さが異なる
両面銅箔張回路基板の製造法である。
銅箔張回路基板の製造法は、銅箔と絶縁体とを重ね通常
積層成形等によって製造され、用いる銅箔としては、電
解法による厚み１０５ｐ、７０ｐ、３５ｐ１１８虜、１
２ｐなどが量産され、アルミニウム箔等の担体上に形成
された５、ｃｍ、 ９Ｅ１１などの銅箔も作られてい
る。又、圧延法による銅箔があるが、製造法との関係か
ら薄くなるほど高価なものとなり実質的には３５−以下
の厚さの箔は実用化されていない。
積層成形等によって製造され、用いる銅箔としては、電
解法による厚み１０５ｐ、７０ｐ、３５ｐ１１８虜、１
２ｐなどが量産され、アルミニウム箔等の担体上に形成
された５、ｃｍ、 ９Ｅ１１などの銅箔も作られてい
る。又、圧延法による銅箔があるが、製造法との関係か
ら薄くなるほど高価なものとなり実質的には３５−以下
の厚さの箔は実用化されていない。
このような銅箔を積層成形に用いる場合、その厚みが１
８ｐより薄いと皺になりやすく、銅箔を絶縁体と重ね合
わせる作業が極めて困難となるので殆ど実用化されてい
ない。またアルミニウム箔等の担体上に形成された銅箔
は、この点を改善したものであるが高価であり、更に銅
箔によるプリント配線を形成する前に担体であるアルミ
ニウム箔等の除去工程が必要という問題があった。
８ｐより薄いと皺になりやすく、銅箔を絶縁体と重ね合
わせる作業が極めて困難となるので殆ど実用化されてい
ない。またアルミニウム箔等の担体上に形成された銅箔
は、この点を改善したものであるが高価であり、更に銅
箔によるプリント配線を形成する前に担体であるアルミ
ニウム箔等の除去工程が必要という問題があった。
また、プリント配線板加工工程において塩化銅や塩化鉄
などのエツチング液にて銅箔張回路基板を予備エツチン
グして銅箔を研磨した後、プリント配線板の製造工程に
用いる方法が知られていたが、予備エツチングによる銅
箔の除去量を多くしたり、或いは１ｍ角などの大面積を
エツチングして、薄銅張回路基板を製造することは出来
なかった。
などのエツチング液にて銅箔張回路基板を予備エツチン
グして銅箔を研磨した後、プリント配線板の製造工程に
用いる方法が知られていたが、予備エツチングによる銅
箔の除去量を多くしたり、或いは１ｍ角などの大面積を
エツチングして、薄銅張回路基板を製造することは出来
なかった。
従って、片面に厚さ１８−未満の電解銅箔や厚さ２０ｐ
未満の圧延銅箔がはられ、他の片面に厚さ数ｐ〜１０５
虜などの銅箔がはられた両面板も実質的には量産が困難
であった。
未満の圧延銅箔がはられ、他の片面に厚さ数ｐ〜１０５
虜などの銅箔がはられた両面板も実質的には量産が困難
であった。
本発明は、大型回路基板として使用可能な薄銅箔張回路
基板を生産性よく製造する方法について鋭意検討した結
果、特定の成分からなるエツチング液を用いることより
、大面積においても場所や表裏のちがいによる厚み精度
の差が極めて小さいエツチング法を見出した。さらに、
検討をすすめた結果、本発明に到達した。
基板を生産性よく製造する方法について鋭意検討した結
果、特定の成分からなるエツチング液を用いることより
、大面積においても場所や表裏のちがいによる厚み精度
の差が極めて小さいエツチング法を見出した。さらに、
検討をすすめた結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、銅箔と電気絶縁体とより製造され
た両面銅箔張回路基板を銅エツチング液を用い、スプレ
ー式エツチングマシンによりエツチングして少なくとも
該両面銅箔張積層板の片面の残存銅箔の厚さをもとの銅
箔の厚さの１０〜７５％残してなることを特徴とする互
いに異なる厚みの銅箔を両面に接着された両面薄銅箔張
回路基板の製造法であり、もとの両面銅箔張回路基板の
銅箔の厚さが１８Ｊ、ａＲ以上であり、かつ、少なくと
も片面の残存銅箔の厚さが３〜１５ｐであること、さら
にスプレー式エツチングマシンの被エッチンク基板であ
る該両面銅箔張積層板の両側に配置されたエツチングに
用いるスプレーノズルの数を互いに変えることを特徴と
する互いに異なる厚みの銅箔を両面に接着された両面薄
銅箔張回路基板の製造法である。
た両面銅箔張回路基板を銅エツチング液を用い、スプレ
ー式エツチングマシンによりエツチングして少なくとも
該両面銅箔張積層板の片面の残存銅箔の厚さをもとの銅
箔の厚さの１０〜７５％残してなることを特徴とする互
いに異なる厚みの銅箔を両面に接着された両面薄銅箔張
回路基板の製造法であり、もとの両面銅箔張回路基板の
銅箔の厚さが１８Ｊ、ａＲ以上であり、かつ、少なくと
も片面の残存銅箔の厚さが３〜１５ｐであること、さら
にスプレー式エツチングマシンの被エッチンク基板であ
る該両面銅箔張積層板の両側に配置されたエツチングに
用いるスプレーノズルの数を互いに変えることを特徴と
する互いに異なる厚みの銅箔を両面に接着された両面薄
銅箔張回路基板の製造法である。
以下、本発明の構成について説明する。
本発明の銅箔と電気絶縁体とより製造された両面銅箔張
回路基板は、特に限定はなく電子、電気材料用として用
いられている種々の市販品等いずれも使用可能であるが
、本発明の製造法を適用する場合、通常、公称厚みが１
８−以上の銅箔を用い、必要に応じて互いの面の銅箔の
厚さを変えた両面銅張のフィルム、シート、繊維強化絶
縁樹脂積層板、金属芯積層板、内層にプリント配線網を
形成した多層シールド板などである。電気絶縁体層は、
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等のフィルムやシー
ト、熱硬化性樹脂や耐熱性の熱可塑性樹脂とガラス（Ｅ
ガラス、Ｄガラス、Ｓガラス、石英ガラス（クォーツ）
その他）、セラミックス類（アルミナ、窒化硼素、その
他）、全芳香族ポリアミド、ポリイミド、セミカーボン
、フッ素樹脂、その他の耐熱性エンジニアリングプラス
チックなどを一種或いは二種以上適宜併用してなる繊維
、チョップなどを用いた多孔質フィルム或いはシート状
の補強基材とを組み合わせてなるプリプレグを用いて製
造されるもの、又は、鉄、アルミニウム板等に絶縁性の
接着剤や接着フィルムを被覆してなるものなどである。
回路基板は、特に限定はなく電子、電気材料用として用
いられている種々の市販品等いずれも使用可能であるが
、本発明の製造法を適用する場合、通常、公称厚みが１
８−以上の銅箔を用い、必要に応じて互いの面の銅箔の
厚さを変えた両面銅張のフィルム、シート、繊維強化絶
縁樹脂積層板、金属芯積層板、内層にプリント配線網を
形成した多層シールド板などである。電気絶縁体層は、
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等のフィルムやシー
ト、熱硬化性樹脂や耐熱性の熱可塑性樹脂とガラス（Ｅ
ガラス、Ｄガラス、Ｓガラス、石英ガラス（クォーツ）
その他）、セラミックス類（アルミナ、窒化硼素、その
他）、全芳香族ポリアミド、ポリイミド、セミカーボン
、フッ素樹脂、その他の耐熱性エンジニアリングプラス
チックなどを一種或いは二種以上適宜併用してなる繊維
、チョップなどを用いた多孔質フィルム或いはシート状
の補強基材とを組み合わせてなるプリプレグを用いて製
造されるもの、又は、鉄、アルミニウム板等に絶縁性の
接着剤や接着フィルムを被覆してなるものなどである。
また、通常の銅張積層板は積層成形の圧力により、銅箔
表面が補強基材の凹凸を一部反映して例えばガラス織布
基材の゛場合約４０ｘピッチで４ＪＵ程度のうねりを持
ったものとなるが、このうねりを機械的に精密研磨して
取ったものを使用することもできる。
表面が補強基材の凹凸を一部反映して例えばガラス織布
基材の゛場合約４０ｘピッチで４ＪＵ程度のうねりを持
ったものとなるが、このうねりを機械的に精密研磨して
取ったものを使用することもできる。
上記の両面銅箔張回路基板をエツチングする本発明の銅
エツチング液は、過酸化水素／硫酸、過硫酸塩、塩化銅
又は塩化鉄などを主剤とし、主剤の安定剤、銅の溶解促
進剤、エツチングされた銅箔面の状態を制御するための
助剤などを配合してなる水溶液であり、通常のエツチン
グ条件で条件制御を厳密に行うことにより実施可能であ
るが、通常のエツチングに用いられるエツチング液に比
較してエツチング成分の濃度を低く保つ方法、温度を低
く保つ方法又は銅箔面上の供給エツチング液の接触量（
スプレー法の場合にはスプレー圧力或いはスプレー数）
を少なくする方法等並びにこれらを適宜組み合わせるこ
とによってエツチング速度を通常より遅くして行うこと
が好適であり、特にエツチング液の濃度又はエツチング
温度を通常に比較して低くする方法が好適である。
エツチング液は、過酸化水素／硫酸、過硫酸塩、塩化銅
又は塩化鉄などを主剤とし、主剤の安定剤、銅の溶解促
進剤、エツチングされた銅箔面の状態を制御するための
助剤などを配合してなる水溶液であり、通常のエツチン
グ条件で条件制御を厳密に行うことにより実施可能であ
るが、通常のエツチングに用いられるエツチング液に比
較してエツチング成分の濃度を低く保つ方法、温度を低
く保つ方法又は銅箔面上の供給エツチング液の接触量（
スプレー法の場合にはスプレー圧力或いはスプレー数）
を少なくする方法等並びにこれらを適宜組み合わせるこ
とによってエツチング速度を通常より遅くして行うこと
が好適であり、特にエツチング液の濃度又はエツチング
温度を通常に比較して低くする方法が好適である。
エツチング液として過酸化水素／硫酸系を用いる場合、
通常、過酸化水素（Ｈ２０□）の濃度は０．７〜１４Ｗ
／Ｖ％、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の濃度は１〜２５ＩＩｌ／
ｖ％で’ ２０２ ／ Ｈ２Ｓ ０４のモル比が０．２
〜１で温度２０〜５５℃の範囲とすることが望ましく、
特に安定的に高い厚み精度の両面の厚みの異なる薄銅箔
張回路基板を製造するためには−Ｈ２０２の濃度は２〜
６ｗ／ｖ％、硫酸の濃度は３〜１１Ｗ／ｖ％、銅濃度３
０〜６０ｇ／ １２で温度２５〜３５℃の範囲から選択
するのが好適である。
通常、過酸化水素（Ｈ２０□）の濃度は０．７〜１４Ｗ
／Ｖ％、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の濃度は１〜２５ＩＩｌ／
ｖ％で’ ２０２ ／ Ｈ２Ｓ ０４のモル比が０．２
〜１で温度２０〜５５℃の範囲とすることが望ましく、
特に安定的に高い厚み精度の両面の厚みの異なる薄銅箔
張回路基板を製造するためには−Ｈ２０２の濃度は２〜
６ｗ／ｖ％、硫酸の濃度は３〜１１Ｗ／ｖ％、銅濃度３
０〜６０ｇ／ １２で温度２５〜３５℃の範囲から選択
するのが好適である。
この過酸化水素／硫酸系のエツチング剤には、過酸化水
素の安定剤、銅の溶解促進剤などの添加剤を加える方法
は好ましいものである。このような添加剤としてはメタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノールなどの
１価アルコール；エチレングリコール、プロピレングリ
コール、ブタンジオール、ベンタンジオールなどの２価
のアルコール；グリセリン、ペンタエリスリトールなど
の３価以上のアルコール：ポリエチレングリコールなど
のグリコールエーテル類；アミノ安息香酸、アミノテト
ラゾール、フェニル尿素などの含窒素有機環状化合物類
などが例示され、通常０．１〜５％の範囲から適宜選択
される。
素の安定剤、銅の溶解促進剤などの添加剤を加える方法
は好ましいものである。このような添加剤としてはメタ
ノール、エタノール、プロパツール、ブタノールなどの
１価アルコール；エチレングリコール、プロピレングリ
コール、ブタンジオール、ベンタンジオールなどの２価
のアルコール；グリセリン、ペンタエリスリトールなど
の３価以上のアルコール：ポリエチレングリコールなど
のグリコールエーテル類；アミノ安息香酸、アミノテト
ラゾール、フェニル尿素などの含窒素有機環状化合物類
などが例示され、通常０．１〜５％の範囲から適宜選択
される。
ＣｕＣｌ２を主剤とする塩化第二銅エツチング液の場合
には例えばＣｕＣ１，”２）１２０１．４２１ｂとＩＩ
ｃＩ （２０゜１３ｅ’） Ｑ、５ｇａｌを溶解して水
溶液１ｇａｌ としたもの（ＣｕＣ１□・２ＨＪ １７
０ｇ／ ｊ’、ＨＣＩ １９ｗ／ｖ％の水溶液）程度の
濃度以下とした水溶液を用い、温度２０〜４０℃で行う
方法が例示される。
には例えばＣｕＣ１，”２）１２０１．４２１ｂとＩＩ
ｃＩ （２０゜１３ｅ’） Ｑ、５ｇａｌを溶解して水
溶液１ｇａｌ としたもの（ＣｕＣ１□・２ＨＪ １７
０ｇ／ ｊ’、ＨＣＩ １９ｗ／ｖ％の水溶液）程度の
濃度以下とした水溶液を用い、温度２０〜４０℃で行う
方法が例示される。
ＮＨ４ＯＨ，ＮＨ４Ｃｌ、 Ｃｕ、 ＮａＣｌＯ２，Ｎ
Ｈ４ＮＯ３などを含む水溶液の所謂「アルカリエツチン
グ液」の場合には例えばＮＨ４ＯＨ３ｍｏｌ／ＣＮａＣ
ｌＯ２１０ｍｏｌ／β、ＮＨ，Ｃ１１ｍｏｌ／ Ｉ！、
ＮＨ４ＨＣＯ３１ｍｏｌ／ １、 ＮＨ４ＮＯ３１ｍ０
１／β程度の濃度以下とし、水溶液中のＣｕ濃度を１０
ｌｂ／ｇａｌ （７４，８９ｇ＃り以下、温度 ３０
〜４５℃に保つ方法、又は通常の液濃度としてエツチン
グ温度を２０〜３０℃程度にする方法が例示される。
Ｈ４ＮＯ３などを含む水溶液の所謂「アルカリエツチン
グ液」の場合には例えばＮＨ４ＯＨ３ｍｏｌ／ＣＮａＣ
ｌＯ２１０ｍｏｌ／β、ＮＨ，Ｃ１１ｍｏｌ／ Ｉ！、
ＮＨ４ＨＣＯ３１ｍｏｌ／ １、 ＮＨ４ＮＯ３１ｍ０
１／β程度の濃度以下とし、水溶液中のＣｕ濃度を１０
ｌｂ／ｇａｌ （７４，８９ｇ＃り以下、温度 ３０
〜４５℃に保つ方法、又は通常の液濃度としてエツチン
グ温度を２０〜３０℃程度にする方法が例示される。
（Ｎ）Ｉ４） ２３２０Ｂを主剤とする過硫酸塩エツチ
ング液の場合には例えば（ＮＨ＜）２ｓｚＯｓ ２１ｂ
／ｇａｌ（２４０ｇ／ ｆ）程度の濃度以下とした水溶
液を用い、２０〜３５℃の温度で行う方法が例示される
。
ング液の場合には例えば（ＮＨ＜）２ｓｚＯｓ ２１ｂ
／ｇａｌ（２４０ｇ／ ｆ）程度の濃度以下とした水溶
液を用い、２０〜３５℃の温度で行う方法が例示される
。
塩化第二鉄を主剤とするエツチング液の場合、４０°Ｂ
ｅ’の塩化第二鉄液に、３５％ＨＣＩ ２（１〜１ｖ
ｏ１％加えた液又はこれを水で希釈した液を用い、２０
〜３５℃で行う方法が例示される。
ｅ’の塩化第二鉄液に、３５％ＨＣＩ ２（１〜１ｖ
ｏ１％加えた液又はこれを水で希釈した液を用い、２０
〜３５℃で行う方法が例示される。
クロム酸／硫酸エツチング液の場合には例えばＣｒ０ａ
２４０ｇ／β、Ｎａ２Ｓ０． ４０．５ｇ／ Ｉ！
、 Ｈ２ＳＯ４（９６％）１８０ｇ＃程度の濃度以下と
した水溶液を用いる方法が例示される。
２４０ｇ／β、Ｎａ２Ｓ０． ４０．５ｇ／ Ｉ！
、 Ｈ２ＳＯ４（９６％）１８０ｇ＃程度の濃度以下と
した水溶液を用いる方法が例示される。
しかしながら例えばアルカリエツチング液では、液の安
定性が悪いという欠点があり、過硫酸塩エツチング液で
はエツチングされた銅が水溶液から析出し易い欠点があ
り、塩化第二鉄エツチング液では溶解銅濃度の変化によ
りエツチング速度が大きく変化する欠点があり、更にク
ロム酸／硫酸エツチング液の場合、積層板の樹脂を侵す
という欠点があるので、本発明においては過酸化水素／
硫酸系のエツチング液が液管理の点や公害などの点から
最も好ましい。
定性が悪いという欠点があり、過硫酸塩エツチング液で
はエツチングされた銅が水溶液から析出し易い欠点があ
り、塩化第二鉄エツチング液では溶解銅濃度の変化によ
りエツチング速度が大きく変化する欠点があり、更にク
ロム酸／硫酸エツチング液の場合、積層板の樹脂を侵す
という欠点があるので、本発明においては過酸化水素／
硫酸系のエツチング液が液管理の点や公害などの点から
最も好ましい。
本発明の製造法におけるエツチング方法は、スプレー式
エツチングマシンで行い、銅箔のエツチング速度を好適
には０．０３．ｃｍ／秒〜０．３ｐ／秒の範囲とする。
エツチングマシンで行い、銅箔のエツチング速度を好適
には０．０３．ｃｍ／秒〜０．３ｐ／秒の範囲とする。
エツチング速度が速いと、僅かな時間のずれで残存銅箔
の厚さが変化し易く、遅いと時間並びに装置面で経済的
でない。
の厚さが変化し易く、遅いと時間並びに装置面で経済的
でない。
本発明のスプレー式エツチングマシンによって互いに異
なる所定厚みの銅箔とするためには、通常、所定のエツ
チング液を用い、スプレー圧力又は使用スプレー数を調
整して両面のエツチング速度を所望の速度範囲で所望の
速度比に設定する方法を使用できるが、好ましくはエツ
チングする両面銅張回路基板の移動方向に平行な使用ス
プレー数を変え、垂直な方向は変えない方法が好適であ
り、更に好適には水平型のスプレーエツチングにおいて
は下側のスプレーノズル数を上側のスプレーノズル数よ
り少なくする方法により調整するのが好適である。例え
ば、長さ１ｍｓ幅０．６ｍの面積に上下それぞれ３６個
のスプレーノズルを置き、長さ方向（移動方向と平行な
方向）に９列、幅方向（移動方向と垂直な方向）に４列
のノズルを標、準配列として配置したスプレーエツチン
グマシンにおいて上面と下面とのエツチング速度比を４
／３とする場合、上側は標準配列とし、下側のスプレー
ノズル数を長さ方向６列、幅方向４列とし、その後、ス
プレー圧力等により速度比をより厳密に調整する。また
、エツチングに使用する両面銅張回路基板として例えば
片側に３５ＩｊＭ電解銅箔、反対面に１８ｐ電解銅箔を
張ったものを用いて両面を同一量速度でエツチングする
方法；両面に１８ρ電解銅箔を張ったものを用いて片側
の全面或いは特に周囲にプラスチックフィルム等の剥離
性の保護膜を形成し、片面のみエツチングする方法：両
面銅張回路基板を垂直に立てて行う方法；さらに、従来
のエツチングマシンは、通常、一定速度で移動する積層
板の面に対してノズルの噴射方向を出来るだけ垂直とす
る方法が取られているが、本発明の場合には積層板表面
に均一にスプレーされればよく、３０°〜５０°程度傾
けて使用することもできるものである。
なる所定厚みの銅箔とするためには、通常、所定のエツ
チング液を用い、スプレー圧力又は使用スプレー数を調
整して両面のエツチング速度を所望の速度範囲で所望の
速度比に設定する方法を使用できるが、好ましくはエツ
チングする両面銅張回路基板の移動方向に平行な使用ス
プレー数を変え、垂直な方向は変えない方法が好適であ
り、更に好適には水平型のスプレーエツチングにおいて
は下側のスプレーノズル数を上側のスプレーノズル数よ
り少なくする方法により調整するのが好適である。例え
ば、長さ１ｍｓ幅０．６ｍの面積に上下それぞれ３６個
のスプレーノズルを置き、長さ方向（移動方向と平行な
方向）に９列、幅方向（移動方向と垂直な方向）に４列
のノズルを標、準配列として配置したスプレーエツチン
グマシンにおいて上面と下面とのエツチング速度比を４
／３とする場合、上側は標準配列とし、下側のスプレー
ノズル数を長さ方向６列、幅方向４列とし、その後、ス
プレー圧力等により速度比をより厳密に調整する。また
、エツチングに使用する両面銅張回路基板として例えば
片側に３５ＩｊＭ電解銅箔、反対面に１８ｐ電解銅箔を
張ったものを用いて両面を同一量速度でエツチングする
方法；両面に１８ρ電解銅箔を張ったものを用いて片側
の全面或いは特に周囲にプラスチックフィルム等の剥離
性の保護膜を形成し、片面のみエツチングする方法：両
面銅張回路基板を垂直に立てて行う方法；さらに、従来
のエツチングマシンは、通常、一定速度で移動する積層
板の面に対してノズルの噴射方向を出来るだけ垂直とす
る方法が取られているが、本発明の場合には積層板表面
に均一にスプレーされればよく、３０°〜５０°程度傾
けて使用することもできるものである。
上記したエツチング剤で処理した積層板の銅箔面は清浄
化した後、適宜乾燥し、銅箔面の保護のために防錆剤の
塗布や剥離可能な樹脂による被覆を行う。
化した後、適宜乾燥し、銅箔面の保護のために防錆剤の
塗布や剥離可能な樹脂による被覆を行う。
ここに清浄化とは、中和、酸洗浄、水洗、湯洗などの公
知の不純物の除去法でよく、用いた過酸化水素／硫酸水
溶液による銅エツチング液の安定剤その他の成分を考慮
して適宜選択するが、通常は中和→酸洗浄→（防錆或い
は保護膜被覆）を行うのが好ましい。
知の不純物の除去法でよく、用いた過酸化水素／硫酸水
溶液による銅エツチング液の安定剤その他の成分を考慮
して適宜選択するが、通常は中和→酸洗浄→（防錆或い
は保護膜被覆）を行うのが好ましい。
適宜乾燥した後、本発明の防錆剤或いは剥離可能な樹脂
により銅箔面を保護する。防錆剤とじては公知の銅の防
錆剤が挙げられ、ベンゾトリアゾールなどのアゾール化
合物が挙げられ、これに界面活性剤等を適宜併用したも
のが例示される。又、剥離可能な樹脂としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン樹脂、
エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリデン、ポリアク
リレート共重合体、１．２−ポリブタジェン樹脂、ポリ
エステル樹脂、その他の熱可塑性樹脂製のフィルム類や
フォトレジストフィルム；パラフィンワックス、ポリエ
チレンワックス、ロジン、低分子量ポリスチレンなどの
汎用溶媒溶解性の樹脂類；フォトレジスト樹脂液などが
例示され、洗浄された銅箔面に直接圧着などしても良い
し、前記の防錆処理した面にさらに圧着などして銅箔面
を被覆する。
により銅箔面を保護する。防錆剤とじては公知の銅の防
錆剤が挙げられ、ベンゾトリアゾールなどのアゾール化
合物が挙げられ、これに界面活性剤等を適宜併用したも
のが例示される。又、剥離可能な樹脂としては、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン樹脂、
エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリデン、ポリアク
リレート共重合体、１．２−ポリブタジェン樹脂、ポリ
エステル樹脂、その他の熱可塑性樹脂製のフィルム類や
フォトレジストフィルム；パラフィンワックス、ポリエ
チレンワックス、ロジン、低分子量ポリスチレンなどの
汎用溶媒溶解性の樹脂類；フォトレジスト樹脂液などが
例示され、洗浄された銅箔面に直接圧着などしても良い
し、前記の防錆処理した面にさらに圧着などして銅箔面
を被覆する。
以下、実施例、比較例により本発明を具体的に説明する
。なお、エツチングした銅箔の厚みは、渦電流方式で測
定した。
。なお、エツチングした銅箔の厚みは、渦電流方式で測
定した。
実施例１
６００ Ｘ １０００ ｍｍで板厚１．６ｍｍ、公称１
ｈｃ＋ｎ銅箔（日鉱グールド社、ＴＣ箔）を両面に張っ
たガラス布基材エポキシ樹脂積層板を水平スプレーエツ
チングマシンを用い、過酸化水素／硫酸エツチング液（
三菱瓦斯化学■製、品名； ＦＢＳ−６０００、Ｈ２Ｏ
２＝７．７８ｗ／ｖ％、 Ｈ２ＳＯ１＝１１．７ｗ／ｖ
％）の３倍希釈液ヲ用イ、下記条件でエツチングした。
ｈｃ＋ｎ銅箔（日鉱グールド社、ＴＣ箔）を両面に張っ
たガラス布基材エポキシ樹脂積層板を水平スプレーエツ
チングマシンを用い、過酸化水素／硫酸エツチング液（
三菱瓦斯化学■製、品名； ＦＢＳ−６０００、Ｈ２Ｏ
２＝７．７８ｗ／ｖ％、 Ｈ２ＳＯ１＝１１．７ｗ／ｖ
％）の３倍希釈液ヲ用イ、下記条件でエツチングした。
ついで、中和→酸洗浄→水洗した後、水溶性の防錆剤（
例えば、Ｃ１Ｂ、ブライト （三菱瓦斯化学■製）、コ
ロミンＣＢ（花王アトラス■製など）を用いて、防錆処
理をして、渦電流式膜厚計（篭側工業９１製、グーメス
渦電流式膜厚計、型式Ｏ３−１）で銅箔の厚みを測定す
ることにより、第１表に記載の薄銅張板を連続して１０
枚製造した。
例えば、Ｃ１Ｂ、ブライト （三菱瓦斯化学■製）、コ
ロミンＣＢ（花王アトラス■製など）を用いて、防錆処
理をして、渦電流式膜厚計（篭側工業９１製、グーメス
渦電流式膜厚計、型式Ｏ３−１）で銅箔の厚みを測定す
ることにより、第１表に記載の薄銅張板を連続して１０
枚製造した。
実施例２
６００Ｘ１０００ｍｍで板厚１．６ｍｍ、片面公称厚み
５０．ｕ電解銅箔、反対面公称１８ｐ電解銅箔を張った
ガラス布基材エポキシ樹脂積層板を実施例１と同様のエ
ツチングマシンを用い、スプレーノズルの配置を上下と
もに標準配置とする他は同様の条件でエツチングし、同
様に防錆、銅箔の厚みを測定した結果を第１表に示した
。
５０．ｕ電解銅箔、反対面公称１８ｐ電解銅箔を張った
ガラス布基材エポキシ樹脂積層板を実施例１と同様のエ
ツチングマシンを用い、スプレーノズルの配置を上下と
もに標準配置とする他は同様の条件でエツチングし、同
様に防錆、銅箔の厚みを測定した結果を第１表に示した
。
第１表
異なる厚みを有する薄銅張積層板が容易に製造され、し
か゛も銅箔の厚み精度、銅箔の剥離強度においても優れ
たものが製造できる。
か゛も銅箔の厚み精度、銅箔の剥離強度においても優れ
たものが製造できる。
この結果、従来は実質的に製造困難であった互いに異な
る厚みを有する薄銅張積層板が精度よく安価に容易に製
造できるので、その産業上の意義は極めて大きいもので
ある。
る厚みを有する薄銅張積層板が精度よく安価に容易に製
造できるので、その産業上の意義は極めて大きいもので
ある。
特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社
代理人（９０７０）弁理士 小堀 貞文〔発明の作用
および効果〕
および効果〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 銅箔と電気絶縁体とより製造された両面銅箔張回路
基板を銅エッチング液を用い、スプレー式エッチングマ
シンによりエッチングして少なくとも該両面銅箔張積層
板の片面の残存銅箔の厚さをもとの銅箔の厚さの１０〜
７５％残してなることを特徴とする互いに異なる厚みの
銅箔を両面に接着された両面薄銅箔張回路基板の製造法
。 ２ 該両面銅箔張回路基板の銅箔の厚さが１８μｍ以上
であり、かつ、少なくとも片面の該残存銅箔の厚さが３
〜１５μｍである請求項１記載の互いに異なる厚みの銅
箔を両面に接着された両面薄銅箔張回路基板の製造法。 ３ 該スプレー式エッチングマシンの被エッチング基板
である該両面銅箔張積層板の両側に配置されたエッチン
グに用いるスプレーノズルの数を互いに変えることを特
徴とする請求項１記載の互いに異なる厚みの銅箔を両面
に接着された両面薄銅箔張回路基板の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171735A JPH0222896A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 両面薄銅箔張回路基板の製造法 |
| DE68923904T DE68923904T2 (de) | 1988-05-20 | 1989-05-18 | Verfahren zur Herstellung eines mit einer dünnen Kupferfolie kaschierten Substrats für Schaltungsplatten. |
| EP89108934A EP0342669B1 (en) | 1988-05-20 | 1989-05-18 | Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards |
| US07/354,954 US4917758A (en) | 1988-05-20 | 1989-05-19 | Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63171735A JPH0222896A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 両面薄銅箔張回路基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222896A true JPH0222896A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15928714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63171735A Pending JPH0222896A (ja) | 1988-05-20 | 1988-07-12 | 両面薄銅箔張回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222896A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011121361A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-06-23 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブル両面銅張積層板の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63171735A patent/JPH0222896A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011121361A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-06-23 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブル両面銅張積層板の製造方法 |
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