JPH02229457A - Lead frame, manufacture thereof and semiconductor device using same - Google Patents
Lead frame, manufacture thereof and semiconductor device using sameInfo
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- JPH02229457A JPH02229457A JP1050284A JP5028489A JPH02229457A JP H02229457 A JPH02229457 A JP H02229457A JP 1050284 A JP1050284 A JP 1050284A JP 5028489 A JP5028489 A JP 5028489A JP H02229457 A JPH02229457 A JP H02229457A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレーム、その製造方法およびそれを
用いた半導体装置に関し、特に、半導体ペレフトを封止
するパッケージの多ビン化に適用して有効な技術に関す
るものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a lead frame, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device using the lead frame, and is particularly applicable to multi-bin packages for sealing semiconductor pellets. It is about effective techniques.
コンピ二ータを始めとする各種電子機器の多機能化に伴
い、マイクロコンビュータやゲートアレイなどの集積回
路を形成した半導体ベレットを封止するパフケージの多
ピン化が急速に進行している。多ビン化に適したパッケ
ージとしては、表面実装形パッケージの一種であるQ
F P (quad flatpackage) が
特に注目されており、200ピン以上のリードを備えた
ものが実用化されつつある。BACKGROUND ART With the increasing functionality of various electronic devices such as computers, the number of pins in puff cages that seal semiconductor pellets forming integrated circuits such as microcomputers and gate arrays is rapidly increasing. Q, a type of surface mount package, is suitable for multi-bin packaging.
F P (quad flat package) is attracting particular attention, and devices with leads of 200 pins or more are being put into practical use.
また、今後のQFPには、300〜400ピン以上の超
多ビンが要求されるものと予想されている。Furthermore, it is expected that future QFPs will be required to have a very large number of bins of 300 to 400 pins or more.
上記QFPを始めとする樹脂封止形パッケージは、一般
にリードフレームのタブ(グイパッド部)に半導体ペレ
ットを銀ペーストなどで接合し、ベレットのボンディン
グバツドとリードフレームのインナーリード部とを金な
どのワイヤで電気的に接続した後、パッケージをトラン
スファ・モールドし、続いてパッケージの外部に延在す
るアウターリード部を所定の形状にフオーミングして製
造される。従って、樹脂封止形パッケージの多ビン化を
促進するためには、リードフレームの微細加工技術の進
展が不可欠である。Resin-sealed packages, including the above-mentioned QFP, are generally made by bonding a semiconductor pellet to the tab (guid pad part) of a lead frame using silver paste, etc., and then bonding the pellet's bonding butt and the inner lead part of the lead frame using gold or other metal. After making electrical connections with wires, the package is manufactured by transfer molding, followed by forming outer leads extending outside the package into a predetermined shape. Therefore, in order to promote the increase in the number of bottles in resin-sealed packages, it is essential to advance microfabrication technology for lead frames.
リードフレームの加工技術としては、従来よりプレス法
とエッチング法とが知られており、エッチング法はプレ
ス法に比べて加工工程が多い反面、微細なパターンの加
工が容易であるため、例えば100〜140ピン以下の
リードフレームにはプレス法が、また、それ以上の多ピ
ンパッケージ用リードフレームにはエッチング法が適用
されている。なお、前記QFPの多ピン化技術について
は、例えば昭和63年12月12日、日経BP社発行、
「日経エレクトロニクスJP141−P1541こ詳細
な説明がある。Pressing methods and etching methods are conventionally known as lead frame processing techniques.While the etching method requires more processing steps than the pressing method, it is easier to process fine patterns, so for example The pressing method is used for lead frames with 140 pins or less, and the etching method is used for lead frames for packages with more than 140 pins. Regarding the QFP multi-pin technology, for example, published by Nikkei BP, December 12, 1985,
"Nikkei Electronics JP141-P1541 has a detailed explanation.
本発明者は、従来のリードフレームの加工技術には下記
のような問題があり、これがパッケージの多ビン化を促
進する際の妨げとなっていることを見出した。The inventors of the present invention have found that the conventional lead frame processing technology has the following problems, and these problems are an obstacle to increasing the number of bins in packages.
すなわち、前記したエッチング法では、銅などの導電材
料からなる薄板(フープ材)の両面に所定のレジストパ
ターンを形成し、その後、この薄板をエッチング液に浸
漬し、レジストパターンが被着されていない箇所の導電
材料を溶解除去する、いわゆるウエットエッチング方式
により、所望のリードパターンを形成している。ところ
が、ウエットエッチング方式では、一般にエッチングが
等方的に進行するため、パターンの側面が部分的にオー
バーエッチングされ易く、その結果、得られたリードの
断面形状がばらついてしまうという欠点がある。そして
、断面形状のばらついたリードをフォーミングすると、
リードが隣接するリードの方向にも曲がってしまうため
、隣り合ったリード同士が短絡する不良が発生する。ま
た、リードが隣接するリード方向に曲がると、リードの
高さも不揃いとなるため、パッケージを基板に実装する
際、基板の電極パッドとリードとの接続不良が発生する
。That is, in the above-mentioned etching method, a predetermined resist pattern is formed on both sides of a thin plate (hoop material) made of a conductive material such as copper, and then this thin plate is immersed in an etching solution to remove the resist pattern. A desired lead pattern is formed by a so-called wet etching method that dissolves and removes the conductive material at a location. However, in the wet etching method, since etching generally proceeds isotropically, the side surfaces of the pattern tend to be partially over-etched, resulting in variations in the cross-sectional shape of the resulting leads. Then, when forming leads with varying cross-sectional shapes,
Since the leads also bend in the direction of adjacent leads, a defect occurs in which adjacent leads are short-circuited. Furthermore, if the leads bend in the direction of adjacent leads, the heights of the leads will also be uneven, resulting in poor connection between the electrode pads of the board and the leads when mounting the package on the board.
さらに、リードフレームの枠邪には、通常モールド時に
リードフレームを金型に位置決めするときのガイドとな
るガイド孔が形成されるが、エッチング法で形成したガ
イド孔は、前記した理由からその内径の寸法がばらつき
易い。そのため、リードフレームを金型に位置決めする
際、位置ずれが生じ、これがパッケージの成形歩留りを
低下させる原因となる。Furthermore, a guide hole is usually formed in the frame of the lead frame to serve as a guide when positioning the lead frame in the mold during molding, but the guide hole formed by etching has a smaller inner diameter for the reasons mentioned above. Dimensions tend to vary. Therefore, when positioning the lead frame in the mold, misalignment occurs, which causes a reduction in the molding yield of the package.
このように、エッチング法は、プレス法に比べて微細な
パターンの加工が容易であるという利点を有する反面、
パターンの断面形状がばらつき易いという欠点を有して
いる。In this way, the etching method has the advantage that it is easier to process fine patterns than the pressing method, but on the other hand,
It has the disadvantage that the cross-sectional shape of the pattern tends to vary.
これに対して、プレス法は、パターンの断面形状が安定
しているため、前記したフォーミング時のリード曲がり
や、金型に位置決めする際の位置ずれなどの問題は生じ
難い。しかしながら、プレス法は、微細なパターンの加
工精度がエッチング法に比べて劣るため、特にパターン
の幅やピッチが最も狭小な箇所であるインナーリード部
の寸法精度が著しく低下してしまうという問題があり、
多ピンパッケージ用のリードフレームを歩留り良く製造
することは困難である。On the other hand, in the press method, since the cross-sectional shape of the pattern is stable, problems such as lead bending during forming and positional deviation during positioning in a mold are unlikely to occur. However, the pressing method has a problem in that the processing accuracy of fine patterns is inferior to the etching method, and the dimensional accuracy of the inner lead part, which is the narrowest part of the pattern width and pitch, deteriorates significantly. ,
It is difficult to manufacture lead frames for multi-pin packages with good yield.
本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的は、パッケージの多ビン化を促進すること
ができる技術を提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a technology that can promote the increase in the number of bins in packages.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.
すなわち、請求項1記載の発明は、エッチングによりパ
ターン形成されたインナーリード部と、プレスによりパ
ターン形成されたアウターリード部とを備えたリードフ
レームである。That is, the invention according to claim 1 is a lead frame including an inner lead portion patterned by etching and an outer lead portion patterned by pressing.
請求項2記載の発明は、請求項l記載のリードフレーム
において、タブの裏面にインナーリード部を支持する絶
縁フィルムを接合したものである。The invention according to claim 2 is the lead frame according to claim 1, in which an insulating film supporting the inner lead portion is bonded to the back surface of the tab.
請求項3記載の発明は、請求項1または2記載のリード
フレームを製造する際、まずフープ材の所定箇所にプレ
スによりガイド孔を形成した後、パッケージの内部に封
止される領域をエッチングによりパターン形成するとと
もに、パフケージの外部に露出する領域をプレスにより
パターン形成するリードフレームの製造方法である。The invention according to claim 3 provides that when manufacturing the lead frame according to claim 1 or 2, a guide hole is first formed in a predetermined location of the hoop material by pressing, and then a region to be sealed inside the package is etched. This is a method for manufacturing a lead frame in which a pattern is formed and a pattern is formed in an area exposed to the outside of a puff cage by pressing.
請求項4記載の発明は、請求項3記載のリードフレーム
の製造方法において、パッケージの内部に封止される領
域の板厚を他の領域の板厚よりも薄くするものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the lead frame manufacturing method according to the third aspect, the thickness of the region sealed inside the package is made thinner than the thickness of other regions.
請求項5記載の発明は、請求項1または2記載のリード
フレームのタブに接合された半導体ペレットをパッケー
ジに封止した半導体装置である。The invention according to claim 5 is a semiconductor device in which a semiconductor pellet bonded to the tab of the lead frame according to claim 1 or 2 is sealed in a package.
請求項l記載の発明によれば、インナーリード部のリー
ド幅やリードピッチが狭小化され、かつ、アウターリー
ド部の断面形状が安定な多ビンパッケージ用リードフレ
ームが得られる。According to the invention described in claim 1, a lead frame for a multi-bin package is obtained in which the lead width and lead pitch of the inner lead portion are narrowed and the cross-sectional shape of the outer lead portion is stable.
請求項2記載の発明によれば、インナーリード部の先端
やタブ吊りリードを絶縁フイルムで支持することにより
、それらの変形を防止することができる。According to the second aspect of the invention, by supporting the tips of the inner lead portions and the tab suspension leads with the insulating film, deformation thereof can be prevented.
請求項3記載の発明によれば、フープ材をエッチングお
よびプレスでパターニングしてリードフレームを製造す
る際、プレスで形成した寸法精度の高いガイド孔を利用
して、レジストのマスク合わせや、プレス金型への位置
決めを精度良く行うことができる。また、リードフレー
ムをモールド金型に位置決めする際の精度も向上する。According to the third aspect of the invention, when manufacturing a lead frame by patterning the hoop material by etching and pressing, the guide hole formed by pressing with high dimensional accuracy is used to align the resist mask and press metal. Positioning to the mold can be performed with high precision. Furthermore, the accuracy when positioning the lead frame in the mold is also improved.
請求項4記載の発明によれば、パッケージの内部に封止
される領域の板厚をパッケージの外部に露出する領域の
板厚よりも薄《したことにより、微細加工が容易となる
ため、インナーリード部のリード幅およびリードピッチ
の狭小化が促進される。According to the invention described in claim 4, the thickness of the region sealed inside the package is made thinner than the thickness of the region exposed to the outside of the package, making microfabrication easier. Narrowing of the lead width and lead pitch of the lead portion is promoted.
第1図は、本発明の一実施例であるリードフレームの平
面図、第2図(a)〜(e)は、このリードフレームの
製造方法を示すフープ材の平面図、第3図は、このリー
ドフレームを用いて製造した半導体装置の断面図である
。FIG. 1 is a plan view of a lead frame according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2(a) to (e) are plan views of a hoop material showing a method of manufacturing this lead frame, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device manufactured using this lead frame.
第1図に示すように、銅などの導電材料からなる本実施
例のリードフレーム1の中央部には、矩形のタブ(ダイ
パッド部)2が形成され、このタブ2上には、例えばマ
イクロコンピュータやゲートアレイなどの集積回路を形
成した半導体ペレット3が搭載されるようになっている
。As shown in FIG. 1, a rectangular tab (die pad portion) 2 is formed in the center of the lead frame 1 of this embodiment made of a conductive material such as copper. A semiconductor pellet 3 on which an integrated circuit such as a gate array or the like is formed is mounted.
タブ2の裏面には、タブ2よりも一廻り大きい矩形の絶
縁フィルム4が接着剤などにより接合されている。タブ
2の周囲には、多数本のリード5がタブ2を囲むように
配設され、リード5の中途部には、四角枠状のダム6が
形成されている。ダム6とタブ2の四隅との間には、タ
ブ2を支持するタブ吊りリード7が架設されている。A rectangular insulating film 4, which is one size larger than the tab 2, is bonded to the back surface of the tab 2 with an adhesive or the like. A large number of leads 5 are arranged around the tab 2 so as to surround the tab 2, and a square frame-shaped dam 6 is formed in the middle of the leads 5. Tab suspension leads 7 for supporting the tab 2 are installed between the dam 6 and the four corners of the tab 2.
リード5は、図に示すモールドラインMの内側をインナ
ーリード部5aと称し、その外側をアウターリード部5
bと称している。このモールドラインMは、パッケージ
の内部に封止される領域と外部に露出する領域との境界
を示している。The inside of the lead 5 shown in the figure is called an inner lead part 5a, and the outside thereof is called an outer lead part 5.
It is called b. This mold line M indicates the boundary between the area sealed inside the package and the area exposed to the outside.
インナーリード部5aの先端とタブ吊りリード7とは、
接着剤により絶縁フィルム4に接合され、これにより、
インナーリードIffl5aおよびタブ吊りリード7の
変形が防止されるようになっている。The tip of the inner lead portion 5a and the tab suspension lead 7 are
It is bonded to the insulating film 4 with an adhesive, and thereby,
Deformation of the inner lead Iffl5a and the tab hanging lead 7 is prevented.
一方、アウターリード部5bの先端は、リードフレーム
1の枠部3a,3bに一体接続されている。On the other hand, the tips of the outer lead portions 5b are integrally connected to the frame portions 3a and 3b of the lead frame 1.
本実施例のリードフレーム1は、モールドラインMの外
側が、例えば150μmの板厚を有し、アウターリード
部5b,ダム6、タブ吊りリード7の一部、枠部3a,
3bなどの各部は、すべてプレスにより同時にパターン
形成されている。The lead frame 1 of this embodiment has a plate thickness of, for example, 150 μm on the outside of the mold line M, and includes an outer lead portion 5b, a dam 6, a part of the tab suspension lead 7, a frame portion 3a,
All parts such as 3b are patterned at the same time by pressing.
方、モールドラインMの内側は、その板厚が、例えば7
0〜80μmと外側よりも薄く、インナーリード部5a
sタブ2、タブ吊りリード7の一部は、すべてエッチン
グで同時にパターン形成されている。On the other hand, the thickness of the inside of the mold line M is, for example, 7.
The inner lead part 5a is thinner than the outside at 0 to 80 μm.
The s-tub 2 and a portion of the tab suspension lead 7 are all patterned at the same time by etching.
リードフレーム1は、上記した各部によって構成される
単位フレームを一方向に複数形成した、例えば7連のも
のを一体形成してなり、枠部8aの所定箇所には、モー
ルド時にリードフレーム1を金型に位置決めするときの
ガイドとなるガイド孔9がプレスによって穿設されてい
る。The lead frame 1 is formed by integrally forming a plurality of unit frames constituted by the above-mentioned parts in one direction, for example, seven series, and the lead frame 1 is formed with gold at a predetermined location of the frame part 8a during molding. A guide hole 9 is formed by a press to serve as a guide when positioning the mold.
次に、上記したリードフレームlの製造方法の一例を説
明する。Next, an example of a method for manufacturing the lead frame 1 described above will be explained.
まず、第2図(a)に示すように、板厚150μm程度
の銅の薄板からなるフープ材10を用意し、プレスによ
りこのフープ材10の周縁部に所定の間隔を置いてガイ
ド孔9を打ち抜く。First, as shown in FIG. 2(a), a hoop material 10 made of a thin copper plate with a thickness of about 150 μm is prepared, and guide holes 9 are formed at predetermined intervals on the periphery of the hoop material 10 by pressing. Punch out.
次に、第2図(b)に示すように、モールドラインMの
内側の領域を全面エッチングしてその板厚を70〜80
μmとする。このとき、上記ガイド孔9を利用してレジ
ストのマスク合わせを行う。プレスで形成したガイド孔
9は、エッチングで形成したガイド孔よりも寸法精度が
高いので、このガイド孔9を利用することにより、マス
ク合わせを精度良く行うことができる。Next, as shown in FIG. 2(b), the entire area inside the mold line M is etched to a thickness of 70 to 80 mm.
Let it be μm. At this time, mask alignment of the resist is performed using the guide hole 9. Since the guide hole 9 formed by pressing has higher dimensional accuracy than the guide hole formed by etching, mask alignment can be performed with high precision by using this guide hole 9.
続いて、第2図(C)に示すように、モールドラインM
の内側の領域を再びエッチングしてインナーリード部5
a,タブ2、タブ吊りリード7を同時にパターン形成す
る。このときも、前記ガイド孔9を利用してレジストの
マスク合わせを行う。Next, as shown in FIG. 2(C), the mold line M
The inner lead part 5 is etched again.
a, the tab 2 and the tab hanging lead 7 are patterned at the same time. At this time as well, the guide hole 9 is used to perform mask alignment of the resist.
フープ材10をエッチングして所望のパターンを形成す
る場合、パターンの加工精度はフープ材10の板厚に制
約され、一般に板厚が薄い程、微細なパターンを精度良
く形成することができる。When etching the hoop material 10 to form a desired pattern, the processing accuracy of the pattern is limited by the thickness of the hoop material 10, and generally, the thinner the board thickness, the more accurately a fine pattern can be formed.
本実施例では、モールドラインMの内側の領域をあらか
じめ全面エッチングしてその板厚を70〜80μmと薄
くしておいたので、例えばリード輻約0.1M、リード
ピッチ約0. 1 5 msの微細なインナーリード部
5aを精度良く形成することができる。In this example, the area inside the mold line M is etched on the entire surface in advance to reduce the plate thickness to 70 to 80 μm, so that, for example, the lead radius is about 0.1 M and the lead pitch is about 0.1 M. The fine inner lead portion 5a of 15 ms can be formed with high accuracy.
次に、第2図(6)に示すように、モールドラインMの
外側の領域をプレスで打ち抜いてアウターリード部5b
,ダム6、タブ吊りリード7の一部、枠部8a、8bな
どの各部を同時にパターン形成する。フープ材10をプ
レスの金型に位置決めするとき、前記ガイド孔9を利用
することにより、高い位置決め精度が得られる。Next, as shown in FIG. 2 (6), the area outside the mold line M is punched out using a press to form the outer lead portion 5b.
, the dam 6, a part of the tab suspension lead 7, and the frame parts 8a and 8b are patterned at the same time. When positioning the hoop material 10 in a press mold, high positioning accuracy can be obtained by utilizing the guide hole 9.
アウターリード部5bのリード幅やリードピッチは、イ
ンナーリードIIS5bのリード幅やリードピッチより
広いため、プレス法でも充分な加工精度が得られる。ま
た、プレスでパターン形成したアウターリード部5bは
、その断面形状が安定しているため、モールド後にリー
ド5をフォーミングする際、アウターリード部5bのリ
ード曲がりが生ずる虞れもない。Since the lead width and lead pitch of the outer lead portion 5b are wider than the lead width and lead pitch of the inner lead IIS 5b, sufficient processing accuracy can be obtained even with the pressing method. Further, since the outer lead portion 5b patterned by pressing has a stable cross-sectional shape, there is no risk of lead bending of the outer lead portion 5b when forming the lead 5 after molding.
続いて、インナーリード部5aに銀(Ag)などのメッ
キを施した後、第2図(e)に示すように、エポキシ樹
脂などの絶縁材料からなる絶縁フィルム4をタブ2の裏
面に接着し、インナーリード部5aの先端とタブ吊りリ
ード7とをこの絶縁フィルム4で固定することにより、
前記第1図に示すリードフレーム1が完成する。なふ、
この絶縁フィルム4は、インナーリード部5a,タブ2
、タブ吊りリード7をエッチングによりパターン形成し
た段階でタブ2の裏面に接着してもよい。Subsequently, after plating the inner lead portion 5a with silver (Ag) or the like, an insulating film 4 made of an insulating material such as epoxy resin is adhered to the back surface of the tab 2, as shown in FIG. By fixing the tip of the inner lead part 5a and the tab suspension lead 7 with this insulating film 4,
The lead frame 1 shown in FIG. 1 is completed. Nahu,
This insulating film 4 includes an inner lead portion 5a and a tab 2.
, the tab suspension lead 7 may be bonded to the back surface of the tab 2 at the stage where the pattern is formed by etching.
その後、銀ペーストなどの接゜曹剤を用いてタブ2上に
ペレット3を接合し、次いで、ペレット3のボンディン
グパッドとリードフレーム1のインナーリード部5aと
を金などのワイヤで電気的に接続した後、トランスファ
モールドでパッケージを成形する。リードフレームlを
モールド金型に位置決めするとき、前記ガイド孔9を利
用することにより、高い位置決め精度が得られる。続い
てアウターリニド部5bを枠ffls8a,8bより切
断し、最後にアウターリード部5bを所定の形状にフォ
ーミングすることにより、樹脂封止形半導体装萱が完成
する。After that, the pellet 3 is bonded onto the tab 2 using a bonding agent such as silver paste, and then the bonding pad of the pellet 3 and the inner lead portion 5a of the lead frame 1 are electrically connected with a wire made of gold or the like. After that, the package is formed using transfer molding. When positioning the lead frame l in the mold, high positioning accuracy can be obtained by utilizing the guide hole 9. Subsequently, the outer lead portion 5b is cut from the frames ffls8a, 8b, and finally the outer lead portion 5b is formed into a predetermined shape, thereby completing the resin-sealed semiconductor device.
本実施例のリードフレーム1を用いて製造した半導体装
置の一例を第3図に示す。FIG. 3 shows an example of a semiconductor device manufactured using the lead frame 1 of this example.
この半導体装置は、例えばQFPであり、図において、
パッケージ11は、例えばシリコーン変性エポキシ樹脂
にシリカなどのフイラーを充填してその熱膨張係数をシ
リコンの熱膨張係数に近づけた樹脂で構成れている。This semiconductor device is, for example, a QFP, and in the figure,
The package 11 is made of, for example, a silicone-modified epoxy resin filled with a filler such as silica so that its coefficient of thermal expansion approaches that of silicon.
パッケージ11の内部には、ペレット3が封止されてい
る。このペレット3は、銀ペーストなどの接着剤12を
介してタブ2の中央部上面に接合されている。ペレット
3は、その上面が集積回路形成面をなし、この集積回路
形成面には、例えばケートアレイやマイクロコンピュー
タなどの集積回路が形成されている。A pellet 3 is sealed inside the package 11. This pellet 3 is bonded to the upper surface of the central portion of the tab 2 via an adhesive 12 such as silver paste. The upper surface of the pellet 3 forms an integrated circuit forming surface, and an integrated circuit such as a Kate array or a microcomputer is formed on this integrated circuit forming surface.
タブ2の裏面には、エポシキ樹脂などの接着剤l3を介
して絶縁フィルム4が接合され、パッケージl1に埋設
されたインナーリード部5aの先端がこの絶縁フィルム
4に固定されている。An insulating film 4 is bonded to the back surface of the tab 2 via an adhesive l3 such as epoxy resin, and the tip of an inner lead portion 5a embedded in the package l1 is fixed to this insulating film 4.
ペレット3の外周に沿って配設されたボンデイングパッ
ド14と、インナーリード部5aとの間には、金やアル
ミニウムからなるワイヤ15がボンディングされている
。A wire 15 made of gold or aluminum is bonded between a bonding pad 14 disposed along the outer periphery of the pellet 3 and the inner lead portion 5a.
パッケージ11の側面から外方に延在するアウターリー
ド部5bは、例えばガルウィング状に折り曲げられてい
る。The outer lead portion 5b extending outward from the side surface of the package 11 is bent, for example, into a gull wing shape.
以上のような本実施例によれば、次のような効果を得る
ことができる。According to this embodiment as described above, the following effects can be obtained.
(1).モールドラインMの内側の領域を微細加工の容
易なエッチングでパターン形成したので、寸法精度の高
いインナーリード部5aが得られる。これにより、イン
ナーリード部5aのリード幅およびリードピッチを狭小
化することができる。(1). Since the area inside the mold line M is patterned by etching, which is easy to microfabricate, inner lead portions 5a with high dimensional accuracy can be obtained. Thereby, the lead width and lead pitch of the inner lead portion 5a can be narrowed.
(2).モールドラインMの外側の領域をプレスでパタ
ーン形成したので、断面形状の安定なアウターリード部
5bの得られる。これにより、アウターリード部5bを
フォーミングする際のリード曲がりを防止することがで
きるので、隣り合ったIJ +ド5、5同士の短絡を回
避することができる。(2). Since the area outside the mold line M is patterned by pressing, an outer lead portion 5b having a stable cross-sectional shape can be obtained. This makes it possible to prevent the leads from bending when forming the outer lead portion 5b, thereby avoiding short circuits between the adjacent IJ + leads 5, 5.
また、リード5の高さのばらつきを防止することができ
るので、リード5を基板に半田付けずる際、基板の電極
パッドとりード5との接続不良を回避することができる
。Furthermore, since variations in the height of the leads 5 can be prevented, when the leads 5 are soldered to the board, poor connection between the electrode pads of the board and the leads 5 can be avoided.
(3).上記(l)、(2)により、リードフレーム1
の多ピン化を促進することができる。(3). According to (l) and (2) above, lead frame 1
The number of pins can be increased.
(4).インナーリード部5aの先端とタブ吊りり一ド
7とを絶縁フィルム4で固定したので、インナーリード
部5aやタブ吊りリード7の変形を防止することができ
る。これにより、例えばモールド時のレジン流動などに
よるインナーリード部5a同士の短絡やタブ2の変形な
どに起因するパッケージの成形歩留りの低下を回避する
ことができる。(4). Since the tip of the inner lead portion 5a and the tab suspension lead 7 are fixed with the insulating film 4, deformation of the inner lead portion 5a and the tab suspension lead 7 can be prevented. Thereby, it is possible to avoid a decrease in the molding yield of the package due to, for example, a short circuit between the inner lead portions 5a or deformation of the tab 2 due to resin flow during molding.
(5).プレスで形成した寸法精度の高いガイド孔9を
利用して、レジストのマスク合わせや、プレス金型およ
びモールド金型への位置決めを行うようにしたので、エ
ッチングで形成したガイド孔を利用する場合に比べてマ
スク合わせや、金型への位置決めを精度良く行うことが
でき、これにより、リードフレームの製造歩留りおよび
パッケージの成形歩留りが向上する。(5). Since the guide hole 9 formed by pressing with high dimensional accuracy is used to align the resist mask and position it to the press die and mold die, it is possible to use the guide hole 9 formed by etching. In comparison, mask alignment and positioning to the mold can be performed with high precision, thereby improving lead frame manufacturing yields and package molding yields.
(6).モールドラインMの内側の板厚を外側の板厚よ
りも薄くしたので、インナーリードIffl5aのリー
ド幅およびリードピッチの狭小化を促進することができ
る。(6). Since the plate thickness inside the mold line M is made thinner than the plate thickness outside the mold line M, it is possible to promote narrowing of the lead width and lead pitch of the inner lead Iffl5a.
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。As above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but it should be noted that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Not even.
前記実施例では、モールドラインMの内側をエッチング
でパターニングした後、モールドラインMの外側をプレ
スでバターニングしたが、これとは逆に、モールドライ
ンMの外側をプレスでバターニングした後、モールドラ
インMの内側をエッチングでパターニングしてもよい。In the above example, the inside of the mold line M was patterned by etching, and then the outside of the mold line M was patterned by a press, but conversely, after the outside of the mold line M was patterned by a press, the mold was patterned. The inside of the line M may be patterned by etching.
前記実施例では、一枚のフープ材でリードフレームを製
造したが、例えば、板厚の厚いフープ材を用いてモール
ドラインMの外側のみをプレスでパターン形成し、板厚
の薄いフープ材を用いてモールドラインMの内側のみを
エッチングでパターン形成し、その後、両者を接続して
リードフレームを製造してもよい。In the above embodiment, the lead frame was manufactured using a single hoop material, but for example, a thick hoop material may be used to form a pattern only on the outside of the mold line M using a press, and a thin hoop material may be used to form a pattern using a press. It is also possible to form a pattern by etching only the inside of the mold line M, and then connect the two to manufacture a lead frame.
前記実施例では、モールドラインMの内側をあらかじめ
全面エッチングしてその板厚をモールドラインMの外側
よりも薄くしたが、モールドラインMの内側のみをプレ
スで薄く加工してもよい。In the embodiment described above, the inside of the mold line M was entirely etched in advance to make the board thinner than the outside of the mold line M, but only the inside of the mold line M may be thinned by pressing.
前記実施例では、モールドラインMの内側をエッチング
でパターニングしてインナーリード部、タブおよびタブ
吊りリードを同時にパターン形成したが、パターンの幅
やピッチが最も狭小な箇所であるインナーリード部のみ
をエッチングでパターン形成し、その他の各部(タブ、
タブ吊りリード、アウターリード部、ダムふよび枠部な
ど》をプレスでパターン形成してもよい。In the above embodiment, the inside of the mold line M was patterned by etching, and the inner lead part, the tab, and the tab suspension lead were patterned at the same time, but only the inner lead part, where the pattern width and pitch were the narrowest, was etched. to form a pattern, and other parts (tab,
The tab hanging lead, outer lead portion, dam flap, frame portion, etc. may be patterned by pressing.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.
(1).パターンの幅やピッチが最も狭小な箇所である
インナーリード部をエッチング法で形成し、アウターリ
ード部をプレス法で形成することにより、インナーリー
ド部の寸法精度が向上し、かつ、アウターリード部の断
面形状が安定になるので、パッケージの多ピン化を促進
することができる。(1). By forming the inner lead part, where the pattern width and pitch are the narrowest, by etching and the outer lead part by pressing, the dimensional accuracy of the inner lead part is improved, and the outer lead part is Since the cross-sectional shape becomes stable, it is possible to increase the number of pins in the package.
(2).タブの裏面に接合した絶縁フィルムでインナー
リード部の先端やタブ吊りリードを支持することにより
、それらの変形を防止することができるので、例えばモ
ールド時のレジン流動によるインナーリード部同士の短
絡やタブの変形などに起因するパッケージの成形歩留り
低下を回避することができる。(2). By supporting the tip of the inner lead part and the tab suspension lead with an insulating film bonded to the back surface of the tab, it is possible to prevent their deformation, so for example, short circuits between the inner lead parts due to resin flow during molding, or tab suspension leads can be prevented. It is possible to avoid a decrease in the molding yield of the package due to deformation of the package.
(3).リードフレームのインナーリード部をエッチン
グ法で形成し、アウターリード部をプレス法で形成する
際、あらかじめフープ材の所定箇所にプレスによりガイ
ド孔を形成することにより、寸法精度の高いガイド孔を
利用して、レジストのマスク合わせや、プレス金型への
位置決めを精度良く行うことができるので、リードフレ
ームの製造歩留りが向上する。また、リードフレームを
モールド金型に位置決めする際の精度も高くなるので、
パッケージの成形歩留りが向上する。(3). When forming the inner lead part of the lead frame by etching and the outer lead part by pressing, guide holes are formed in advance at predetermined locations on the hoop material by pressing, thereby making it possible to utilize guide holes with high dimensional accuracy. As a result, the mask alignment of the resist and the positioning to the press mold can be performed with high precision, thereby improving the manufacturing yield of the lead frame. In addition, the accuracy when positioning the lead frame in the mold is also increased, so
Package molding yield is improved.
(4).パッケージの内部に封止される領域の板厚パッ
ケージの外部に露出する領域の板厚よりも薄くすること
により、インナーリード部の微細加工が容易になるので
、インナーリード部のリード幅およびリードピッチの狭
小化が促進される。(4). By making the plate thickness of the area sealed inside the package thinner than the plate thickness of the area exposed to the outside of the package, microfabrication of the inner lead part becomes easier, so the lead width and lead pitch of the inner lead part can be reduced. The narrowing of the area will be promoted.
第1図は、本発明の二実施例であるリードフレ一ムの平
面図、
1 2 図(a)〜(e)は、このリードフレームの製
造方法を示すフープ材の平面図、
第3図は、このリードフレームを用いて製造した半導体
装置の断面図である。
l・・・リードフレーム、2・・・タブ、3・・・半導
体ベレット、4・・・絶縁フィルム、5・ ・ ・リー
ド、5a・ ・ ・インナーリード部、5b・・・アウ
ターリード部、6・・・ダム、7・・・タブ吊りリード
、3a,3b・・・枠部、9・・・ガイド孔、10・・
・フープ材、11・・・パッケージ、12.13・・・
接着剤、14・・・ボンディングパッド、l5・・・ワ
イヤ、M・・・モールドライン。
代理人 弁理士 筒 井 大 和Fig. 1 is a plan view of a lead frame according to a second embodiment of the present invention; Figs. 12 (a) to (e) are plan views of a hoop material showing a method of manufacturing this lead frame; , is a cross-sectional view of a semiconductor device manufactured using this lead frame. l... Lead frame, 2... Tab, 3... Semiconductor pellet, 4... Insulating film, 5... Lead, 5a... Inner lead part, 5b... Outer lead part, 6 ...Dam, 7...Tab suspension lead, 3a, 3b...Frame part, 9...Guide hole, 10...
・Hoop material, 11...Package, 12.13...
Adhesive, 14... Bonding pad, l5... Wire, M... Mold line. Agent Patent Attorney Daiwa Tsutsui
Claims (1)
るリードフレームであって、インナーリード部がエッチ
ングによりパターン形成され、アウターリード部がプレ
スによりパターン形成されてなるリードフレーム。 2、前記インナーリード部を支持する絶縁フィルムがタ
ブの裏面に接合されていることを特徴とする請求項1記
載のリードフレーム。 3、請求項1または2記載のリードフレームの製造方法
であって、フープ材の所定箇所にプレスによりガイド孔
を形成した後、パッケージの内部に封止される領域をエ
ッチングによりパターン形成するとともに、パッケージ
の外部に露出する領域をプレスによりパターン形成する
ことを特徴とするリードフレームの製造方法。 4、前記パッケージの内部に封止される領域の板厚を、
パッケージの外部に露出する領域の板厚よりも薄くする
ことを特徴とする請求項3記載のリードフレームの製造
方法。 5、請求項1または2記載のリードフレームを用いた半
導体装置であって、前記リードフレームのタブに接合さ
れた半導体ペレットをパッケージで封止してなる半導体
装置。[Scope of Claims] 1. A lead frame used for manufacturing a package for sealing a semiconductor pellet, in which an inner lead portion is patterned by etching and an outer lead portion is patterned by pressing. 2. The lead frame according to claim 1, wherein an insulating film supporting the inner lead portion is bonded to the back surface of the tab. 3. The method for manufacturing a lead frame according to claim 1 or 2, wherein after forming the guide hole at a predetermined location of the hoop material by pressing, a region to be sealed inside the package is patterned by etching. A method for manufacturing a lead frame, characterized in that a pattern is formed in an area exposed to the outside of a package by pressing. 4. The thickness of the area sealed inside the package,
4. The method of manufacturing a lead frame according to claim 3, wherein the thickness of the lead frame is made thinner than the thickness of the region exposed to the outside of the package. 5. A semiconductor device using the lead frame according to claim 1 or 2, wherein a semiconductor pellet bonded to the tab of the lead frame is sealed in a package.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050284A JP2667901B2 (en) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050284A JP2667901B2 (en) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02229457A true JPH02229457A (en) | 1990-09-12 |
| JP2667901B2 JP2667901B2 (en) | 1997-10-27 |
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ID=12854623
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050284A Expired - Fee Related JP2667901B2 (en) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | Method for manufacturing semiconductor device |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2667901B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251603A (en) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Hitachi Cable Ltd | Composite leadframe |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61170053A (en) * | 1985-01-23 | 1986-07-31 | Nec Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPS62114254A (en) * | 1985-11-13 | 1987-05-26 | Mitsui Haitetsuku:Kk | Manufacture of lead frame |
| JPS6387843U (en) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | ||
| JPS63148667A (en) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Manufacture of lead frame |
-
1989
- 1989-03-02 JP JP1050284A patent/JP2667901B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH05251603A (en) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Hitachi Cable Ltd | Composite leadframe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2667901B2 (en) | 1997-10-27 |
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