JPH02229473A - パターン化光導電体素子の製造方法 - Google Patents
パターン化光導電体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH02229473A JPH02229473A JP1050603A JP5060389A JPH02229473A JP H02229473 A JPH02229473 A JP H02229473A JP 1050603 A JP1050603 A JP 1050603A JP 5060389 A JP5060389 A JP 5060389A JP H02229473 A JPH02229473 A JP H02229473A
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- Japan
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- photosensitive layer
- substrate
- alloy
- patterned
- photoconductive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は感光層がパターン化された光導電体素子の製造
方法に関する． 〔従来技術〕 従来，Ｓｓ−Ａｓ， Ｓａ＝Ｓ等の合金系光導電層がパ
ターン化された光導電体素子の製造方法としては１）導
電性基体上に印刷等で所望パターンのマスキングを行な
った後，全面に前記光導電物質を蒸着等の方法で付着さ
せて感光層を形成し、ついで溶剤等でマスクを除去する
方法，２）導電性基体全面に光導電物質を蒸着等の方法
で付着させて感光層を形成し、その上を所望のパターン
（材料は透明金属使用）でマスキングした後，非マスク
部の感光層をエッチング液によるウエットエッチング法
、逆スパッタリングによるドライエッチング法等で除去
する方法等が知られている． しかしｌ）の方法では蒸着時のマスクの厚さ等のためア
スペクト比が上がらず，特にパターンが微細な場合はパ
ターン化できないという欠点がある．また２）の方法で
はウエットエッチング法の場合はエッチング時のマスク
部へのエッチング液の浸透のため、ｌ）の場合と同様，
アスペクト比が上がらない上、エッチング温度、時間等
の制御、エッチング廃液の処理等の問題があり（カルコ
ゲナイド系感光層はアルカリ液や王水でエッチングされ
るが，これらのエッチング液は基体を構成する金属まで
エッチングすることがあり、更に活性化した金属と水分
との反応でセレン化水素、アルシン等の猛毒ガスを発生
する危険があるため、エッチング温度，時間等は厳密な
制御が必要であり、またエッチング廃液の処理等も必要
である），またドライエッチング法の場合は装置の制約
上、生産効率が低く、且つマスク部も加熱されて変形が
起こり易い等の欠点がある． 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は従来の真空蒸着装置を使用して微細パタ
ーンも容易に，且つ高アスペクト比で形成でき、しかも
エッチング廃液の回収等の特別な処理や装置を必要とし
ないパターン化光導電体素子の製造方法を提供すること
である．〔発明の構成・動作〕 本発明のパターン化光導電体素子の製造方法は導電性基
体の全面に光導電物質を蒸着させて感光層を形成し、そ
の上を所望の透明金属パターンでマスキングした後，真
空中で加熱して非マスク部の感光層を再蒸発，パターン
化することを特徴とするものである． 本発明方法を第１図によって説明すると、まず導電性基
体１の全面に光導電物質を蒸着させて感光層２を形成す
る〔第１図（ａ））．次にこの感光層上に塗布、蒸着等
の方法により所望の透明電極パターン３でマスキングを
行なう〔第１図（ｂ））．引続きこの基体を真空中で加
熱すると、非マスク部の感光層は再蒸発し、一方マスク
部は残存する結果、感光層は所望パターン状にパターン
化される 〔第１図（ｃ））．最後に必要あれば塗布、蒸着等の方
法で全面に透明保護材料を付着させて保護層４を形成す
る． 再蒸発時の加熱温度は光導電物質の種類によって変化し
得るが、一般には２００〜４５０℃の範囲である．飽和
蒸気圧が２００〜４５０℃の範囲でｌＯ−５Ｔｏｒｒ以
上の光導電物質の場合、前記温度範囲では充分再蒸発し
得るが，高温程、再蒸発が激しくなって側面が粗くなる
傾向があり、また高温では基体やマスキングパターンを
変質させる恐れがある．これらの事から加熱温度の上限
は４５０℃程度である． 本発明方法で使用される光導電物質としては飽和蒸気圧
が２００〜４５０℃の範囲で． １０−’Ｔｏｒｒ以上
のものが適当で，例えばＳｅ， Ａｓ”Ｓ合金、Ａｓ〜
Ｓｅ合金． Ｓｅ＝Ａｓ合金、Ｓｅ”Ｔｅ合金， Ｔｅ
”Ａｓ合金等が挙げられる．なお飽和蒸気圧が２００℃
で１０−’Ｔｏｒｒ未滴のものは再蒸発速度が遅く時間
がかかり、また４５０℃で１０−’Ｔｏｒｒを越えるも
のは基体やマスキングパターンを変質させる恐れがある
． マスキングパターンに使用ざれる透明電極材料は再蒸発
工程で蒸発しないものでなければならない．このような
材料としてはｔＱ， Ａｕ等の金属（薄膜状で使用）
； ＳｎＯ， ， Ｉｎｋ， ， ＩＴＯ， Ｔｉｅ，
等の透明導電物質が挙げられる。
方法に関する． 〔従来技術〕 従来，Ｓｓ−Ａｓ， Ｓａ＝Ｓ等の合金系光導電層がパ
ターン化された光導電体素子の製造方法としては１）導
電性基体上に印刷等で所望パターンのマスキングを行な
った後，全面に前記光導電物質を蒸着等の方法で付着さ
せて感光層を形成し、ついで溶剤等でマスクを除去する
方法，２）導電性基体全面に光導電物質を蒸着等の方法
で付着させて感光層を形成し、その上を所望のパターン
（材料は透明金属使用）でマスキングした後，非マスク
部の感光層をエッチング液によるウエットエッチング法
、逆スパッタリングによるドライエッチング法等で除去
する方法等が知られている． しかしｌ）の方法では蒸着時のマスクの厚さ等のためア
スペクト比が上がらず，特にパターンが微細な場合はパ
ターン化できないという欠点がある．また２）の方法で
はウエットエッチング法の場合はエッチング時のマスク
部へのエッチング液の浸透のため、ｌ）の場合と同様，
アスペクト比が上がらない上、エッチング温度、時間等
の制御、エッチング廃液の処理等の問題があり（カルコ
ゲナイド系感光層はアルカリ液や王水でエッチングされ
るが，これらのエッチング液は基体を構成する金属まで
エッチングすることがあり、更に活性化した金属と水分
との反応でセレン化水素、アルシン等の猛毒ガスを発生
する危険があるため、エッチング温度，時間等は厳密な
制御が必要であり、またエッチング廃液の処理等も必要
である），またドライエッチング法の場合は装置の制約
上、生産効率が低く、且つマスク部も加熱されて変形が
起こり易い等の欠点がある． 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の目的は従来の真空蒸着装置を使用して微細パタ
ーンも容易に，且つ高アスペクト比で形成でき、しかも
エッチング廃液の回収等の特別な処理や装置を必要とし
ないパターン化光導電体素子の製造方法を提供すること
である．〔発明の構成・動作〕 本発明のパターン化光導電体素子の製造方法は導電性基
体の全面に光導電物質を蒸着させて感光層を形成し、そ
の上を所望の透明金属パターンでマスキングした後，真
空中で加熱して非マスク部の感光層を再蒸発，パターン
化することを特徴とするものである． 本発明方法を第１図によって説明すると、まず導電性基
体１の全面に光導電物質を蒸着させて感光層２を形成す
る〔第１図（ａ））．次にこの感光層上に塗布、蒸着等
の方法により所望の透明電極パターン３でマスキングを
行なう〔第１図（ｂ））．引続きこの基体を真空中で加
熱すると、非マスク部の感光層は再蒸発し、一方マスク
部は残存する結果、感光層は所望パターン状にパターン
化される 〔第１図（ｃ））．最後に必要あれば塗布、蒸着等の方
法で全面に透明保護材料を付着させて保護層４を形成す
る． 再蒸発時の加熱温度は光導電物質の種類によって変化し
得るが、一般には２００〜４５０℃の範囲である．飽和
蒸気圧が２００〜４５０℃の範囲でｌＯ−５Ｔｏｒｒ以
上の光導電物質の場合、前記温度範囲では充分再蒸発し
得るが，高温程、再蒸発が激しくなって側面が粗くなる
傾向があり、また高温では基体やマスキングパターンを
変質させる恐れがある．これらの事から加熱温度の上限
は４５０℃程度である． 本発明方法で使用される光導電物質としては飽和蒸気圧
が２００〜４５０℃の範囲で． １０−’Ｔｏｒｒ以上
のものが適当で，例えばＳｅ， Ａｓ”Ｓ合金、Ａｓ〜
Ｓｅ合金． Ｓｅ＝Ａｓ合金、Ｓｅ”Ｔｅ合金， Ｔｅ
”Ａｓ合金等が挙げられる．なお飽和蒸気圧が２００℃
で１０−’Ｔｏｒｒ未滴のものは再蒸発速度が遅く時間
がかかり、また４５０℃で１０−’Ｔｏｒｒを越えるも
のは基体やマスキングパターンを変質させる恐れがある
． マスキングパターンに使用ざれる透明電極材料は再蒸発
工程で蒸発しないものでなければならない．このような
材料としてはｔＱ， Ａｕ等の金属（薄膜状で使用）
； ＳｎＯ， ， Ｉｎｋ， ， ＩＴＯ， Ｔｉｅ，
等の透明導電物質が挙げられる。
導電性基体としては一般にＡｆｉ、ステンレス，真鍮等
の金属の板、ドラム，ベルト等が使用されるが，基体側
から照射するなど特殊な用途の場合はガラス板に前述の
ような透明導電膜を設けたものも使用できる。また導電
体でなく、ガラスのような非導電体自体も使用可能であ
る．以下に本発明を実施例によって説明する．実施例１ 第２図（図中５は真空槽、６は基体ホルダー７は基体，
８は基体マスク，９は蒸発源、１０は蒸発用物質）に示
す真空槽５の蒸発源９内にＡｓ含有量４０モル％のＳｅ
＝Ａｓ合金を入れ、真空度１０−’ Ｔｏｒｒの雰囲気
中、基板温度２００℃一蒸発源温度４００℃でＡＱ基板
全面に前記合金を６μ■厚に蒸着せしめて感光層を形成
した．次にこの感光層上にネガパターンマスクをセット
し、蒸発用物質をＡｕに変え、同じ真空槽中で真空度１
０−ｓＴｏｒｒの雰囲気、基板温度２０℃、蒸発源温度
１０００℃でＡｕを１０００人厚に蒸着した後、ネガパ
ターンマスクをはずすことにより，透明電極パターンを
形成した．更に同じ真空槽中で前記合金の蒸着条件で基
板側から５分間加熱、再蒸発を行なった．この基板を取
出し観察したところ，感光層の非マスク部分は基板素地
がきれいに見える程、良好に剥離していた．最後に蒸発
用物質をＳｉｎ，に変え、同じ真空槽中で真空度１０”
’Ｔｏｒｒの雰囲気、基板温度２０℃，蒸発源温度１２
００℃で基板全面にｓｉｏ，を１μｍ厚に蒸着して保護
層を設けた． こうして得られたパターン化光導電素子の光導電特性を
調べたところ、従来のウエット又はドライエッチング法
で作成した素子と同等の結果を示した． 実施例２ Ｓｅ−Ａｓ合金の代りにＡｓ含有量４０モル％のＳ〜Ａ
ｓ合金を用いた他は実施例１と同じ方法で同様．に良好
にパターン化した光導電素子を作った．このものの光導
電特性は実施例１と同様に良好であった． 〔発明の作用効果〕 本発明方法はパターンの形成を感光層の再蒸発によって
行なうので、従来の真空蒸着装置を使用して微細パター
ンも容易に、且つ高アスペクト比で形成でき、しかもエ
ッチング廃液の回収等の特別の処理や装置を必要としな
いという利点がある．
の金属の板、ドラム，ベルト等が使用されるが，基体側
から照射するなど特殊な用途の場合はガラス板に前述の
ような透明導電膜を設けたものも使用できる。また導電
体でなく、ガラスのような非導電体自体も使用可能であ
る．以下に本発明を実施例によって説明する．実施例１ 第２図（図中５は真空槽、６は基体ホルダー７は基体，
８は基体マスク，９は蒸発源、１０は蒸発用物質）に示
す真空槽５の蒸発源９内にＡｓ含有量４０モル％のＳｅ
＝Ａｓ合金を入れ、真空度１０−’ Ｔｏｒｒの雰囲気
中、基板温度２００℃一蒸発源温度４００℃でＡＱ基板
全面に前記合金を６μ■厚に蒸着せしめて感光層を形成
した．次にこの感光層上にネガパターンマスクをセット
し、蒸発用物質をＡｕに変え、同じ真空槽中で真空度１
０−ｓＴｏｒｒの雰囲気、基板温度２０℃、蒸発源温度
１０００℃でＡｕを１０００人厚に蒸着した後、ネガパ
ターンマスクをはずすことにより，透明電極パターンを
形成した．更に同じ真空槽中で前記合金の蒸着条件で基
板側から５分間加熱、再蒸発を行なった．この基板を取
出し観察したところ，感光層の非マスク部分は基板素地
がきれいに見える程、良好に剥離していた．最後に蒸発
用物質をＳｉｎ，に変え、同じ真空槽中で真空度１０”
’Ｔｏｒｒの雰囲気、基板温度２０℃，蒸発源温度１２
００℃で基板全面にｓｉｏ，を１μｍ厚に蒸着して保護
層を設けた． こうして得られたパターン化光導電素子の光導電特性を
調べたところ、従来のウエット又はドライエッチング法
で作成した素子と同等の結果を示した． 実施例２ Ｓｅ−Ａｓ合金の代りにＡｓ含有量４０モル％のＳ〜Ａ
ｓ合金を用いた他は実施例１と同じ方法で同様．に良好
にパターン化した光導電素子を作った．このものの光導
電特性は実施例１と同様に良好であった． 〔発明の作用効果〕 本発明方法はパターンの形成を感光層の再蒸発によって
行なうので、従来の真空蒸着装置を使用して微細パター
ンも容易に、且つ高アスペクト比で形成でき、しかもエ
ッチング廃液の回収等の特別の処理や装置を必要としな
いという利点がある．
第１図は本発明のパターン化光導電素子の一例の製造工
程図、第２図は実施例で用いた真空蒸着装置の断面図で
ある． ｌ・・・導電性基体 ２・・・感光層３・・・マ
スキングパターン又は透明電極パターン４・・・保護層
５・・・真空槽７・・・導電性基体
９・・・蒸発源１０・・・蒸発用物質
程図、第２図は実施例で用いた真空蒸着装置の断面図で
ある． ｌ・・・導電性基体 ２・・・感光層３・・・マ
スキングパターン又は透明電極パターン４・・・保護層
５・・・真空槽７・・・導電性基体
９・・・蒸発源１０・・・蒸発用物質
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性基体の全面に光導電物質を蒸着させて感光層
を形成し、その上を所望の透明金属パターンでマスキン
グした後、真空中で加熱して非マスク部の感光層を再蒸
発、パターン化することを特徴とするパターン化光導電
体素子の製造方法。 ２、光導電物質が各々Ａｓ含有量５０モル％以下のＡｓ
〜Ｓ合金又はＡｓ〜Ｓｅ合金であることを特徴とする請
求項１の製造方法。 ３、加熱温度が２００〜４５０℃の範囲であることを特
徴とする請求項１又は２の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050603A JPH02229473A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | パターン化光導電体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050603A JPH02229473A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | パターン化光導電体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02229473A true JPH02229473A (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=12863543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050603A Pending JPH02229473A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | パターン化光導電体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02229473A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0858112A3 (en) * | 1997-02-07 | 1999-01-20 | Nec Corporation | Solid-state image sensor and method of fabricating the same |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP1050603A patent/JPH02229473A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0858112A3 (en) * | 1997-02-07 | 1999-01-20 | Nec Corporation | Solid-state image sensor and method of fabricating the same |
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