JPS646449B2 - - Google Patents
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- JPS646449B2 JPS646449B2 JP15888685A JP15888685A JPS646449B2 JP S646449 B2 JPS646449 B2 JP S646449B2 JP 15888685 A JP15888685 A JP 15888685A JP 15888685 A JP15888685 A JP 15888685A JP S646449 B2 JPS646449 B2 JP S646449B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路及び高密度集積回路
等の製造工程において使用されるフオトマスクブ
ランクとフオトマスクに関し、特に、シリコンウ
エーハ、フオトマスクブランク等の被微細加工基
板上に塗布されたレジストに所定のパターンを転
写する際に使用されるフオトマスクとその素材と
なるフオトマスクブランクに関する。
等の製造工程において使用されるフオトマスクブ
ランクとフオトマスクに関し、特に、シリコンウ
エーハ、フオトマスクブランク等の被微細加工基
板上に塗布されたレジストに所定のパターンを転
写する際に使用されるフオトマスクとその素材と
なるフオトマスクブランクに関する。
このフオトマスクは、LSIの高密度化に伴つ
て、微細化が進み、最近のフオトマスクの製造方
法は、従来の湿式エツチング法から乾式エツチン
グ法に移行しつゝある。
て、微細化が進み、最近のフオトマスクの製造方
法は、従来の湿式エツチング法から乾式エツチン
グ法に移行しつゝある。
この乾式エツチング法によるフオトマスクの製
造方法は、先ず、ガラス、石英等の透光性基板の
主表面を研磨し、その主表面上にCrを主成分と
する遮光性膜をスパツタリング法により成膜し
て、フオトマスクブランクを製作する。次に、前
記遮光性膜上にフオトレジストを塗布した後、選
択的露光工程、現像工程、リンス工程及び乾燥工
程を経て得られたレジストパターン付きフオトマ
スクブランクをプラズマ反応室内で四塩化炭素等
のガスプラズマにより乾式エツチングして、遮光
性膜を選択的パターン形成する。そして、この遮
光性膜パターン上のレジストパターンを酸素プラ
ズマ処理により除去して、フオトマスクを得る。
造方法は、先ず、ガラス、石英等の透光性基板の
主表面を研磨し、その主表面上にCrを主成分と
する遮光性膜をスパツタリング法により成膜し
て、フオトマスクブランクを製作する。次に、前
記遮光性膜上にフオトレジストを塗布した後、選
択的露光工程、現像工程、リンス工程及び乾燥工
程を経て得られたレジストパターン付きフオトマ
スクブランクをプラズマ反応室内で四塩化炭素等
のガスプラズマにより乾式エツチングして、遮光
性膜を選択的パターン形成する。そして、この遮
光性膜パターン上のレジストパターンを酸素プラ
ズマ処理により除去して、フオトマスクを得る。
このような乾式エツチング法により得たフオト
マスクは、湿式エツチング法によるものと対比し
て、サイドエツチング量が少なく、過剰エツチン
グに対するパターン幅変化も少なく、エツチング
時間の許容幅も大きいという利点がある。
マスクは、湿式エツチング法によるものと対比し
て、サイドエツチング量が少なく、過剰エツチン
グに対するパターン幅変化も少なく、エツチング
時間の許容幅も大きいという利点がある。
しかしながら、遮光性膜のエツチングを乾式エ
ツチング法を使用して行つても、フオトレジスト
の現像工程において、湿式で行つているために、
前述した通り、エツチング工程前に乾燥工程が必
要になる。この乾燥工程において、レジストパタ
ーン付きフオトマスクブランクでは、レジストパ
ターン上やレジストパターンで被覆されていない
遮光性膜の露出表面上に異物が付着していること
がしばしばある。例えば、この異物は６インチ角
の基板において１枚あたり数十〜数百個も付着し
ている。このような異物は次の乾式エツチング工
程においてマスクになり、その異物下の遮光性膜
部分はエツチングされず、いわゆる黒欠陥を発生
してしまう。
ツチング法を使用して行つても、フオトレジスト
の現像工程において、湿式で行つているために、
前述した通り、エツチング工程前に乾燥工程が必
要になる。この乾燥工程において、レジストパタ
ーン付きフオトマスクブランクでは、レジストパ
ターン上やレジストパターンで被覆されていない
遮光性膜の露出表面上に異物が付着していること
がしばしばある。例えば、この異物は６インチ角
の基板において１枚あたり数十〜数百個も付着し
ている。このような異物は次の乾式エツチング工
程においてマスクになり、その異物下の遮光性膜
部分はエツチングされず、いわゆる黒欠陥を発生
してしまう。
かゝる異物の除去手段としては、有機溶剤、
酸、アルカリ等により洗浄することが考えられる
が、前述した乾燥工程後のレジストパターン付き
フオトマスクブランクにおいては、そのレジスト
パターンをそのまゝ維持して、付着した異物のみ
を除去することは、従来の製造方法を使用する場
合には不可能である。それ故、現状では、現像液
及びリンス液、並びに現像、リンス及び乾燥の各
工程における環境において異物を除去するための
管理を厳しく行つているが、根本的に改善するこ
とまでに至つていない。
酸、アルカリ等により洗浄することが考えられる
が、前述した乾燥工程後のレジストパターン付き
フオトマスクブランクにおいては、そのレジスト
パターンをそのまゝ維持して、付着した異物のみ
を除去することは、従来の製造方法を使用する場
合には不可能である。それ故、現状では、現像液
及びリンス液、並びに現像、リンス及び乾燥の各
工程における環境において異物を除去するための
管理を厳しく行つているが、根本的に改善するこ
とまでに至つていない。
本発明によるフオトマスクブランクとフオトマ
スクは、上記した問題点を解決すべくなされたも
のであり、透光性基板上に第１遮光性膜と第２遮
光性膜を順次積層し、第１遮光性膜の成膜材料が
Cr、又は酸素、窒素及び炭素のうち少なくとも
１つを含有したCrであり、第２遮光性膜の成膜
材料がFe，Ni，Ta及びＷのうち少なくとも１つ
を含有したCrであることを特徴とするフオトマ
スクブランクと、このフオトマスクブランクの第
１遮光性膜と第２遮光性膜を選択的にパターン化
してなるフオトマスクである。
スクは、上記した問題点を解決すべくなされたも
のであり、透光性基板上に第１遮光性膜と第２遮
光性膜を順次積層し、第１遮光性膜の成膜材料が
Cr、又は酸素、窒素及び炭素のうち少なくとも
１つを含有したCrであり、第２遮光性膜の成膜
材料がFe，Ni，Ta及びＷのうち少なくとも１つ
を含有したCrであることを特徴とするフオトマ
スクブランクと、このフオトマスクブランクの第
１遮光性膜と第２遮光性膜を選択的にパターン化
してなるフオトマスクである。
本発明のフオトマスクブランクを素材にして、
フオトリソグラフイ工程を経てフオトマスクを製
造する場合、先ず、第１遮光性膜に対してCCl4
又はCCl4＋O2の乾式エツチングガスによりエツ
チングすることができ、かつ第２遮光性膜に対し
て前記乾式エツチングガスに対して耐性を有し、
湿式エツチングによりエツチングすることができ
ることを利用する。そして、フオトリソグラフイ
工程において、第２遮光性膜上に塗布したレジス
トを選択的に露光・現像して、レジストパターン
を形成した後、第２遮光性膜を湿式エツチングに
より選択的にエツチングして、第１遮光性膜上に
第２遮光性膜パターンを形成し、レジストパター
ンを除去し、洗浄及び乾燥した後、この第２遮光
性膜パターンをマスクにして第１遮光性膜を前記
乾式エツチングガスにより選択的にエツチングす
ることができる。
フオトリソグラフイ工程を経てフオトマスクを製
造する場合、先ず、第１遮光性膜に対してCCl4
又はCCl4＋O2の乾式エツチングガスによりエツ
チングすることができ、かつ第２遮光性膜に対し
て前記乾式エツチングガスに対して耐性を有し、
湿式エツチングによりエツチングすることができ
ることを利用する。そして、フオトリソグラフイ
工程において、第２遮光性膜上に塗布したレジス
トを選択的に露光・現像して、レジストパターン
を形成した後、第２遮光性膜を湿式エツチングに
より選択的にエツチングして、第１遮光性膜上に
第２遮光性膜パターンを形成し、レジストパター
ンを除去し、洗浄及び乾燥した後、この第２遮光
性膜パターンをマスクにして第１遮光性膜を前記
乾式エツチングガスにより選択的にエツチングす
ることができる。
その結果、本発明によれば、第１遮光性膜をエ
ツチングする前工程において、第２遮光性膜パタ
ーン上のレジストパターンを除去し、洗浄及び乾
燥をする工程を入れることができることから、第
２遮光性膜パターンで被覆されていない第１遮光
性膜の露出表面を充分に洗浄して、異物を除去す
ることができる。
ツチングする前工程において、第２遮光性膜パタ
ーン上のレジストパターンを除去し、洗浄及び乾
燥をする工程を入れることができることから、第
２遮光性膜パターンで被覆されていない第１遮光
性膜の露出表面を充分に洗浄して、異物を除去す
ることができる。
以下、本発明の実施例を第１図及び第２図を参
照して詳述する。
照して詳述する。
先ず、石英ガラスを所定寸法（本例：６×６×
0.12インチ）に加工し、この石英ガラスの両主表
面を研磨し、純水及びイソプロピルアルコール等
により洗浄し、乾燥して成膜前の石英ガラスから
なる透光性基板１を得る。この透光性基板１の一
主表面上に純度99.99wt％以上のCrをターゲツト
としてスパツタリング法によりCrからなる第１
遮光性膜２（膜厚：600Å）を被着する。次に、
不純物としてFeを1wt％含有したCrをターゲツト
としてスパツタリング法により前記不純物を含有
したCrからなる第２遮光性膜３（膜厚：150Å）
を第１遮光性膜２上に積層して、透光性基板１上
に第１遮光性膜２と第２遮光性膜３を被着したフ
オトマスクブランク４を得る（第１図）。なお、
このフオトマスクブランク４の光学濃度は約3.0
であつた。
0.12インチ）に加工し、この石英ガラスの両主表
面を研磨し、純水及びイソプロピルアルコール等
により洗浄し、乾燥して成膜前の石英ガラスから
なる透光性基板１を得る。この透光性基板１の一
主表面上に純度99.99wt％以上のCrをターゲツト
としてスパツタリング法によりCrからなる第１
遮光性膜２（膜厚：600Å）を被着する。次に、
不純物としてFeを1wt％含有したCrをターゲツト
としてスパツタリング法により前記不純物を含有
したCrからなる第２遮光性膜３（膜厚：150Å）
を第１遮光性膜２上に積層して、透光性基板１上
に第１遮光性膜２と第２遮光性膜３を被着したフ
オトマスクブランク４を得る（第１図）。なお、
このフオトマスクブランク４の光学濃度は約3.0
であつた。
次に、このフオトマスクブランク４の第２遮光
性膜３上にポジ型フオトレジスト５（本例：ヘキ
スト社製AZ−1350、膜厚：5000Å）をスピンコ
ータ法により塗布した後、所望のパターン線幅を
得るべく露光マスク６を通して、ポジ型フオトレ
ジストの上方から遠紫外光ないし紫外光７（波
長：200〜450nm）を露光する（第２図ａ）。次
に、現像液（本例：AZ−1350専用デベロツパ）
により所定時間（本例：70秒）現像処理して、ポ
ジ型フオトレジスト５の露光部分を除去し、未露
光部分にレジストパターン８を第２遮光性膜３上
に形成する（第２図ｂ）。次に、第２遮光性膜３
に対応したエッチング液（本例：硝酸セリウムア
ンモンと過塩素酸との混合液）を用いて、所定時
間（本例：15秒）湿式エツチングを行い、第２遮
光性膜パターン９を第１遮光性膜２上に形成する
（第２図ｃ）。この湿式エツチングにおいて、下層
の第１遮光性膜２は本例では約50Åだけエッチン
グされる。次に、レジストパターン８を剥離液
（本例：熱濃硫酸90℃）により剥離した後、常温
の硫酸中に浸して温度を下げ、水、イソプロピル
アルコール中で超音波洗浄し、フレオン蒸気中で
乾燥する（第２図ｄ）。次に、第２遮光性膜パタ
ーン９付きブランクを平行平板型プラズマエツチ
ング装置内に入れて、CCl4＋O2ガスを反応ガス
として乾式エツチングする。この時、第２遮光性
膜パターン９は、その成膜材料中の不純物である
Feが塩化物又は塩化酸化物になり、その塩化物
又は塩化酸化物が100℃以下において蒸発、気化
し難いことから、第２遮光性膜パターン９の乾式
エツチングの進行に伴つて、その表面には不純物
のFeや、Feの塩化物、塩化酸化物が濃縮されて、
乾式エツチングに対して耐性を有することにな
る。その結果、第２遮光性膜パターン９はCCl4
＋O2ガスプラズマにより完全には除去されずマ
スクとして作用することから、この第２遮光性膜
パターン９の被覆されていない第１遮光性膜２の
露出表面のみが乾式エツチングされて、結局、第
１遮光性膜パターン１０と第２遮光性膜パターン
９からなる２層構造の遮光性パターンを有するフ
オトマスク１１が得られる（同図ｅ）。
性膜３上にポジ型フオトレジスト５（本例：ヘキ
スト社製AZ−1350、膜厚：5000Å）をスピンコ
ータ法により塗布した後、所望のパターン線幅を
得るべく露光マスク６を通して、ポジ型フオトレ
ジストの上方から遠紫外光ないし紫外光７（波
長：200〜450nm）を露光する（第２図ａ）。次
に、現像液（本例：AZ−1350専用デベロツパ）
により所定時間（本例：70秒）現像処理して、ポ
ジ型フオトレジスト５の露光部分を除去し、未露
光部分にレジストパターン８を第２遮光性膜３上
に形成する（第２図ｂ）。次に、第２遮光性膜３
に対応したエッチング液（本例：硝酸セリウムア
ンモンと過塩素酸との混合液）を用いて、所定時
間（本例：15秒）湿式エツチングを行い、第２遮
光性膜パターン９を第１遮光性膜２上に形成する
（第２図ｃ）。この湿式エツチングにおいて、下層
の第１遮光性膜２は本例では約50Åだけエッチン
グされる。次に、レジストパターン８を剥離液
（本例：熱濃硫酸90℃）により剥離した後、常温
の硫酸中に浸して温度を下げ、水、イソプロピル
アルコール中で超音波洗浄し、フレオン蒸気中で
乾燥する（第２図ｄ）。次に、第２遮光性膜パタ
ーン９付きブランクを平行平板型プラズマエツチ
ング装置内に入れて、CCl4＋O2ガスを反応ガス
として乾式エツチングする。この時、第２遮光性
膜パターン９は、その成膜材料中の不純物である
Feが塩化物又は塩化酸化物になり、その塩化物
又は塩化酸化物が100℃以下において蒸発、気化
し難いことから、第２遮光性膜パターン９の乾式
エツチングの進行に伴つて、その表面には不純物
のFeや、Feの塩化物、塩化酸化物が濃縮されて、
乾式エツチングに対して耐性を有することにな
る。その結果、第２遮光性膜パターン９はCCl4
＋O2ガスプラズマにより完全には除去されずマ
スクとして作用することから、この第２遮光性膜
パターン９の被覆されていない第１遮光性膜２の
露出表面のみが乾式エツチングされて、結局、第
１遮光性膜パターン１０と第２遮光性膜パターン
９からなる２層構造の遮光性パターンを有するフ
オトマスク１１が得られる（同図ｅ）。
本実施例によれば、乾式エツチング終了後、本
来、遮光性膜が残存してはいけない部分（1μm以
上の寸法を有する黒欠陥）は、６インチ角１枚当
り平均５個程度（試料数：10枚）になり、非常に
少なくすることができた。また、サイドエツチン
グに起因するレジストパターンと実際の遮光性膜
パターンとの寸法変化は、第２遮光性膜が薄く湿
式エツチング時間が短かいために、0.1μm程度と
微小であつたことから、微細パターンに適すると
いう乾式エツチングの利点を充分に活かすことが
できた。また本例では、第２図ｃに示した通り、
第１遮光性膜２の上層部が約50Åだけ湿式エツチ
ングされているが、このエツチング量はサイドエ
ツチング量を多くしないために、できるだけ少な
い方が好ましい。
来、遮光性膜が残存してはいけない部分（1μm以
上の寸法を有する黒欠陥）は、６インチ角１枚当
り平均５個程度（試料数：10枚）になり、非常に
少なくすることができた。また、サイドエツチン
グに起因するレジストパターンと実際の遮光性膜
パターンとの寸法変化は、第２遮光性膜が薄く湿
式エツチング時間が短かいために、0.1μm程度と
微小であつたことから、微細パターンに適すると
いう乾式エツチングの利点を充分に活かすことが
できた。また本例では、第２図ｃに示した通り、
第１遮光性膜２の上層部が約50Åだけ湿式エツチ
ングされているが、このエツチング量はサイドエ
ツチング量を多くしないために、できるだけ少な
い方が好ましい。
本発明は、以上の実施例に挙げた成膜材料、湿
式エツチング液及び乾式ガスプラズマに限定され
るものではない。第１遮光性膜の成膜材料につい
てはCrの代わりに、Cr酸素、窒素及び炭素のう
ち少なくとも１つを含有したものであつてもよ
い。第２遮光性膜の成膜材料についてはCr中に
含有させる不純物のFeの代わりに、Ni，Ta及び
Ｗを使用してもよい。これらの不純物の含有率と
しては0.01wt以上であることが好ましい。0.01wt
％未満では乾式エツチング時に第２遮光性膜が耐
エツチング性を有しなくなるからである。不純物
の含有率の上限については一概に言えないが、湿
式エツチングされること及び洗浄液（例：硫酸）
に対して耐性を有すること等を考慮して適宜選定
すればよい。なお、この第２遮光性膜のCr中に
前記不純物の他に例えば、酸素、窒素及び炭素等
を含有してもよい。
式エツチング液及び乾式ガスプラズマに限定され
るものではない。第１遮光性膜の成膜材料につい
てはCrの代わりに、Cr酸素、窒素及び炭素のう
ち少なくとも１つを含有したものであつてもよ
い。第２遮光性膜の成膜材料についてはCr中に
含有させる不純物のFeの代わりに、Ni，Ta及び
Ｗを使用してもよい。これらの不純物の含有率と
しては0.01wt以上であることが好ましい。0.01wt
％未満では乾式エツチング時に第２遮光性膜が耐
エツチング性を有しなくなるからである。不純物
の含有率の上限については一概に言えないが、湿
式エツチングされること及び洗浄液（例：硫酸）
に対して耐性を有すること等を考慮して適宜選定
すればよい。なお、この第２遮光性膜のCr中に
前記不純物の他に例えば、酸素、窒素及び炭素等
を含有してもよい。
第１、第２の遮光性膜の相互膜厚関係について
は、乾式エツチングによる利点を有効に活用する
ことを考慮して、第１遮光性膜の膜厚が第２遮光
性膜のそれよりも厚いことが好ましい。湿式エツ
チング液については、被エツチング材料との関係
で適宜選定され、実施例以外にも、Cr膜に対し
てはNaOH＋K3〔Fe（CN）6〕等でもよい。乾式エ
ツチングのエツチングガスについてはCCl4等で
もよい。
は、乾式エツチングによる利点を有効に活用する
ことを考慮して、第１遮光性膜の膜厚が第２遮光
性膜のそれよりも厚いことが好ましい。湿式エツ
チング液については、被エツチング材料との関係
で適宜選定され、実施例以外にも、Cr膜に対し
てはNaOH＋K3〔Fe（CN）6〕等でもよい。乾式エ
ツチングのエツチングガスについてはCCl4等で
もよい。
その他成膜法については真空蒸着法やイオンプ
レーテイング法、透光性基板についてはソーダラ
イムガラス、アルミノシリケートガラス、アルミ
ノボロシリケートガラスなど多成分系ガラス、レ
ジストについてはネガ型フオトレジストやポジ型
又はネガ型の電子ビームレジスト等にそれぞれ変
更してよいことは勿論である。
レーテイング法、透光性基板についてはソーダラ
イムガラス、アルミノシリケートガラス、アルミ
ノボロシリケートガラスなど多成分系ガラス、レ
ジストについてはネガ型フオトレジストやポジ型
又はネガ型の電子ビームレジスト等にそれぞれ変
更してよいことは勿論である。
以上の通り、本発明によれば、フオトマスクブ
ランクを素材にしてフオトリソグラフイ工程を経
てフオトマスクを製造する場合に、上層の第２遮
光性膜を湿式エツチングして、レジスト除去、洗
浄及び乾燥を行い、次いで下層の第１遮光性膜を
乾式エツチングすることができることから、従
来、乾式エツチングによつて発生しがちであつた
黒欠陥を非常に少なくし、フオトマスクの品質を
向上させることができる。
ランクを素材にしてフオトリソグラフイ工程を経
てフオトマスクを製造する場合に、上層の第２遮
光性膜を湿式エツチングして、レジスト除去、洗
浄及び乾燥を行い、次いで下層の第１遮光性膜を
乾式エツチングすることができることから、従
来、乾式エツチングによつて発生しがちであつた
黒欠陥を非常に少なくし、フオトマスクの品質を
向上させることができる。
第１図は本発明の実施例によるフオトマスクブ
ランクを示す断面図、及び第２図は前記フオトマ
スクブランクを使用して、フオトリソグラフイ工
程を経て製造したフオトマスクの各工程を示す断
面図である。 １……透光性基板、２……第１遮光性膜、３…
…第２遮光性膜、４……フオトマスクブランク、
５……ポジ型フオトレジスト、６……露光マス
ク、７……遠紫外光ないし紫外光、８……レジス
トパターン、９……第２遮光性膜パターン、１０
……第１遮光性膜パターン、１１……フオトマス
ク。
ランクを示す断面図、及び第２図は前記フオトマ
スクブランクを使用して、フオトリソグラフイ工
程を経て製造したフオトマスクの各工程を示す断
面図である。 １……透光性基板、２……第１遮光性膜、３…
…第２遮光性膜、４……フオトマスクブランク、
５……ポジ型フオトレジスト、６……露光マス
ク、７……遠紫外光ないし紫外光、８……レジス
トパターン、９……第２遮光性膜パターン、１０
……第１遮光性膜パターン、１１……フオトマス
ク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板上に被着した、この透光性基板側
に位置する第１遮光性膜と、この第１遮光性膜上
に接して位置する第２遮光性膜とを具備するフオ
トマスクブランクにおいて、前記第１遮光性膜の
成膜材料がCr、又は酸素、窒素及び炭素のうち
少なくとも１つを含有したCrであり、前記第２
遮光性膜の成膜材料がFe，Ni，Ta及びＷのうち
少なくとも１つを含有したCrであることを特徴
とするフオトマスクブランク。 ２ 透光性基板上に被着した、この透光性基板側
に位置する第１遮光性膜と、この第１遮光性膜上
に接して位置する第２遮光性膜とを具備するフオ
トマスクブランクの前記第１遮光性膜と前記第２
遮光性膜を選択的にパターン化してなるフオトマ
スクにおいて、前記第１遮光性膜の成膜材料が
Cr、又は酸素、窒素及び炭素のうち少なくとも
１つを含有したCrであり、前記第２遮光性膜の
成膜材料がFe，Ni，Ta及びＷのうち少なくとも
１つを含有したCrであることを特徴とするフオ
トマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158886A JPS6218560A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158886A JPS6218560A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218560A JPS6218560A (ja) | 1987-01-27 |
| JPS646449B2 true JPS646449B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=15681532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158886A Granted JPS6218560A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218560A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020178920A1 (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | 株式会社ブルックマンテクノロジ | 距離画像撮像装置および距離画像撮像装置による距離画像撮像方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0823687B2 (ja) * | 1990-05-14 | 1996-03-06 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにフォトマスクの製造方法 |
| TW480367B (en) | 2000-02-16 | 2002-03-21 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| JP2002244274A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
| JP7482197B2 (ja) * | 2021-12-31 | 2024-05-13 | エスケー エンパルス カンパニー リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP60158886A patent/JPS6218560A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020178920A1 (ja) * | 2019-03-01 | 2020-09-10 | 株式会社ブルックマンテクノロジ | 距離画像撮像装置および距離画像撮像装置による距離画像撮像方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6218560A (ja) | 1987-01-27 |
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