JPH02229701A - 超電導セラミック酸化物組体 - Google Patents
超電導セラミック酸化物組体Info
- Publication number
- JPH02229701A JPH02229701A JP1335217A JP33521789A JPH02229701A JP H02229701 A JPH02229701 A JP H02229701A JP 1335217 A JP1335217 A JP 1335217A JP 33521789 A JP33521789 A JP 33521789A JP H02229701 A JPH02229701 A JP H02229701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- powder
- ceramic oxide
- oxide
- superconducting ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 229920013820 alkyl cellulose Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 abstract description 7
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 7
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 abstract description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 abstract 1
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 abstract 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 abstract 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 abstract 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 62
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 24
- 239000000047 product Substances 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical class [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 150000002009 diols Chemical group 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- -1 perovskite oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001142 dicarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 5
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 5
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 125000004955 1,4-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[*:2] 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 4
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 2
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXGYYDRIMBPOMN-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethoxy)ethoxymethanol Chemical compound OCOCCOCO BXGYYDRIMBPOMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAWJUMVTPNRDT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-1,5-diol Chemical compound OCC(C)CCCO AAAWJUMVTPNRDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGUZWBOJHNWZOK-UHFFFAOYSA-N 3,6-dimethylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC1=CC=C(C)C(O)=C1O RGUZWBOJHNWZOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical group O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- FQORROGUIFBEFC-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C1=CC([Na])=CC(C(O)=O)=C1S(O)(=O)=O Chemical compound OC(=O)C1=CC([Na])=CC(C(O)=O)=C1S(O)(=O)=O FQORROGUIFBEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- FMNXFSOWONWOAT-UHFFFAOYSA-N [Na]C1=CC(=C(OC2CC(CC(C2)C(=O)O)C(=O)O)C=C1)S(=O)(=O)O Chemical compound [Na]C1=CC(=C(OC2CC(CC(C2)C(=O)O)C(=O)O)C=C1)S(=O)(=O)O FMNXFSOWONWOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXRVENLCHZAXEO-UHFFFAOYSA-N [Na]C1=CC(=C(OC=2C=C(C=C(C2)C(=O)O)C(=O)O)C=C1)S(=O)(=O)O Chemical compound [Na]C1=CC(=C(OC=2C=C(C=C(C2)C(=O)O)C(=O)O)C=C1)S(=O)(=O)O NXRVENLCHZAXEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDLZQPXZHIFURF-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Li+] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Li+] FDLZQPXZHIFURF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008135 aqueous vehicle Substances 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Inorganic materials [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCC(C(O)=O)C1 XBZSBBLNHFMTEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-diol Chemical compound OC1CCC(O)CC1 VKONPUDBRVKQLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008522 danhong Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 125000003010 ionic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000018984 mastication Effects 0.000 description 1
- 238000010077 mastication Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- RVUCJDMRTJONCF-UHFFFAOYSA-N sodium;bis[(3-carboxyphenyl)sulfonyl]azanide Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC(S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C=2C=C(C=CC=2)C(O)=O)=C1 RVUCJDMRTJONCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAQPLMRYRQJNNP-UHFFFAOYSA-N sodium;bis[(4-carboxyphenyl)sulfonyl]azanide Chemical compound [Na+].C1=CC(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 JAQPLMRYRQJNNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002088 tosyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
- H10N60/0716—Passivating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/93—Electric superconducting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
- Y10S505/702—Josephson junction present
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
- Y10S505/703—Microelectronic device with superconducting conduction line
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/704—Wire, fiber, or cable
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/254—Polymeric or resinous material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は安定化された超電導セラミック酸化物と不動態
化(passivant)ポリマーとの組体に関する。
化(passivant)ポリマーとの組体に関する。
用語「超電導」は、物質によって示さ・れる測定できな
いほど低い電気抵抗という現象に用いられる。最近まで
、超電導は絶対ゼロに近い温度においてのみ再現性をも
って証明されてきた。超電導を示し得る物質を冷却する
と、温度がさらに低下した作用として著しく抵抗率が低
下する(導電率が増加する)温度に達する。これを超電
導遷移温度または、超電導の研究においては単に臨界温
度(Tc)と称する.Tcは超電導の開始を示し且つ異
なる物質において超電導の温度ランキングを提供するた
めの都合よく同定され且つ一般的に認められる基準点を
提供する。
いほど低い電気抵抗という現象に用いられる。最近まで
、超電導は絶対ゼロに近い温度においてのみ再現性をも
って証明されてきた。超電導を示し得る物質を冷却する
と、温度がさらに低下した作用として著しく抵抗率が低
下する(導電率が増加する)温度に達する。これを超電
導遷移温度または、超電導の研究においては単に臨界温
度(Tc)と称する.Tcは超電導の開始を示し且つ異
なる物質において超電導の温度ランキングを提供するた
めの都合よく同定され且つ一般的に認められる基準点を
提供する。
ある種の希土類アルカリ土頻銅酸塩が他の混合金属銅酸
塩と同様に他の金属酸化物についてこれまで知られてい
る最も高いTc(リチウムチタン酸化物について報告さ
れた13.7’KのTc)よりかなり高い超電導遷移温
度(Tc)を示すことが最近認められた。これらの希土
類アルカリ土類銅酸化物はまた金属NblGeの、これ
まで認められた最も高い、再現性のあるTc 、23.
3″Kよりかなり高い超電導遷移温度を示す。
塩と同様に他の金属酸化物についてこれまで知られてい
る最も高いTc(リチウムチタン酸化物について報告さ
れた13.7’KのTc)よりかなり高い超電導遷移温
度(Tc)を示すことが最近認められた。これらの希土
類アルカリ土類銅酸化物はまた金属NblGeの、これ
まで認められた最も高い、再現性のあるTc 、23.
3″Kよりかなり高い超電導遷移温度を示す。
希土類アルカリ土類銅酸化物におけるより高い超電導遷
移温度の最近の発見は以下の文献に報告されている: P − 1 : J,G.Bednorz及びκ.八.
Mijller, ”Possi−bla High
T. Superconductivity in t
he Ba−La−Cu−O System ,
Z.Ph s.B.−Condensed Ma
tter,64巻、189〜193頁(1986年)P
− 2 : CJ.Chu,P.H.Hor.R.L
.Meng,L.Gao.Z.J.Huang+及び?
.(1.Wang, ”f!vidence for
Superconductivity above 4
0 K in the La−Ba−Cu−O Com
poundSystes”+ 貴■1A12Revie
w Letters, 53巻、4号、405〜407
頁(1987年1月) P − 3 : C.W,Chu,P.}I,nor,
R.L.Meng,L.Gao,及びZ.J.Huan
g, ”Superconductivity at
52.5 K inthe Lanthancv+−B
arium−Copper−Oxide Syste+
w lScience ム碧L国,235巻、567
〜569頁(1987年1月) P − 4 : R.J.Cava,R.B.vanD
over+B.Batlog+及びE.^.Rietm
an+ ’Bulk Superconductivi
ty at 36κin Lad. ssre. 1C
uQ*’+、ハ■旦虹Review Letters,
58巻、4号、408〜410頁(1987年1月)P
− 5 : J.M.Tarascon,L.H.
Greene,W.R.McKinnon,G.W.l
lull,及びT.H.Geballe, ’Supe
rconductivity at 40 K in
the Oxygen−Defect Perov
skites Lag−xsrxcuo4−y ,
Science Re■セLs, 235巻、137
3〜1376頁(1987年3月13日)P − 6
: M,![.Wu,J.R,Ashburn,C.
J.Torng,P.H,nor. R.L. Men
g+ L. Gao. Z. J. Huang, Y
.Q. Wang,及びC.W.Chu, ”Sup
erconductivity at 93 K in
a NewMixed−Phase Y−Ba−Cu
−O Compound System at Amb
ienL Pressure + 貴■且以dRevi
ew Letters, 58巻、9号、908〜9
10頁(1987年3月2日)文献P−1〜P−6に記
載された実験の詳細は、調製して研究された希土類アル
カリ土類銅酸化物が、燃焼によって中間体酸化物を形成
し、この中間体酸化物を粉砕しまたは微粉砕し、形成さ
れた粒状中間体酸化物を円筒形ペレットに圧縮し、次い
で焼結して多結晶ベレットを生成することによって生成
された円筒形ベレットの形態であることを示している.
次に、ベレフトを粉砕して超電導セラミックの粉末を形
成することができる。焼結粉末を形成する別の方法は超
電導セラミック粉末の形成にも適用できる。
移温度の最近の発見は以下の文献に報告されている: P − 1 : J,G.Bednorz及びκ.八.
Mijller, ”Possi−bla High
T. Superconductivity in t
he Ba−La−Cu−O System ,
Z.Ph s.B.−Condensed Ma
tter,64巻、189〜193頁(1986年)P
− 2 : CJ.Chu,P.H.Hor.R.L
.Meng,L.Gao.Z.J.Huang+及び?
.(1.Wang, ”f!vidence for
Superconductivity above 4
0 K in the La−Ba−Cu−O Com
poundSystes”+ 貴■1A12Revie
w Letters, 53巻、4号、405〜407
頁(1987年1月) P − 3 : C.W,Chu,P.}I,nor,
R.L.Meng,L.Gao,及びZ.J.Huan
g, ”Superconductivity at
52.5 K inthe Lanthancv+−B
arium−Copper−Oxide Syste+
w lScience ム碧L国,235巻、567
〜569頁(1987年1月) P − 4 : R.J.Cava,R.B.vanD
over+B.Batlog+及びE.^.Rietm
an+ ’Bulk Superconductivi
ty at 36κin Lad. ssre. 1C
uQ*’+、ハ■旦虹Review Letters,
58巻、4号、408〜410頁(1987年1月)P
− 5 : J.M.Tarascon,L.H.
Greene,W.R.McKinnon,G.W.l
lull,及びT.H.Geballe, ’Supe
rconductivity at 40 K in
the Oxygen−Defect Perov
skites Lag−xsrxcuo4−y ,
Science Re■セLs, 235巻、137
3〜1376頁(1987年3月13日)P − 6
: M,![.Wu,J.R,Ashburn,C.
J.Torng,P.H,nor. R.L. Men
g+ L. Gao. Z. J. Huang, Y
.Q. Wang,及びC.W.Chu, ”Sup
erconductivity at 93 K in
a NewMixed−Phase Y−Ba−Cu
−O Compound System at Amb
ienL Pressure + 貴■且以dRevi
ew Letters, 58巻、9号、908〜9
10頁(1987年3月2日)文献P−1〜P−6に記
載された実験の詳細は、調製して研究された希土類アル
カリ土類銅酸化物が、燃焼によって中間体酸化物を形成
し、この中間体酸化物を粉砕しまたは微粉砕し、形成さ
れた粒状中間体酸化物を円筒形ペレットに圧縮し、次い
で焼結して多結晶ベレットを生成することによって生成
された円筒形ベレットの形態であることを示している.
次に、ベレフトを粉砕して超電導セラミックの粉末を形
成することができる。焼結粉末を形成する別の方法は超
電導セラミック粉末の形成にも適用できる。
これらの超電導セラミック化合物の多く、たとえば、ペ
ロプスカイト酸化物、たとえば、YBa!Cu307−
.は室温において水分の存在下で、特に粉末の形態で大
きな反応表面積を露出している場合に、不安定である。
ロプスカイト酸化物、たとえば、YBa!Cu307−
.は室温において水分の存在下で、特に粉末の形態で大
きな反応表面積を露出している場合に、不安定である。
水分及びおそらく二酸化炭素との反応によって複素多相
系が形成され、しばしば超電導性の減少または劣化が引
き起こされる。これらの物質及びそれらから作られる製
品の使用における保存寿命、加工パラメーター及び寿命
を延長するために、また、厚手フィルム装置の製造に有
用な超電導ペーストまたはインクを製造するのに水ベー
スの溶媒を使用する融通性を可能にするために、これら
の化合物の水分によって引き起こされる劣化は防ぐ必要
がある。
系が形成され、しばしば超電導性の減少または劣化が引
き起こされる。これらの物質及びそれらから作られる製
品の使用における保存寿命、加工パラメーター及び寿命
を延長するために、また、厚手フィルム装置の製造に有
用な超電導ペーストまたはインクを製造するのに水ベー
スの溶媒を使用する融通性を可能にするために、これら
の化合物の水分によって引き起こされる劣化は防ぐ必要
がある。
本発明の目的は、表面が周囲空気と接触した場合に導電
率が低下する超電導セラミック酸化物、及び該セラミッ
ク酸化物の表面と周囲空気との間に介在せしめられた、
セラミック酸化物を安定化するために選ばれた第2の物
質を含んでなる組体を提供することにある。
率が低下する超電導セラミック酸化物、及び該セラミッ
ク酸化物の表面と周囲空気との間に介在せしめられた、
セラミック酸化物を安定化するために選ばれた第2の物
質を含んでなる組体を提供することにある。
前記本発明の目的は、第2の物質がポリエステルアイオ
ノマー及びアルキルセルロースからなる群から選ばれる
不動態化ポリマーである場合に達成される。
ノマー及びアルキルセルロースからなる群から選ばれる
不動態化ポリマーである場合に達成される。
前述のような種々の形態のセラミック酸化物の二次加工
に有用な前駆体である粒子の形態のセラミック酸化物は
高い表面積対体積比を示し、従って、特に不安定になり
やすいため、以下の説明は特に、本発明の好ましい実施
態様としてのセラミソク酸化物粒子の保護に関する。記
載した保護の一1的適用性は記載した好ましい及び関連
した適用から明白であろう。
に有用な前駆体である粒子の形態のセラミック酸化物は
高い表面積対体積比を示し、従って、特に不安定になり
やすいため、以下の説明は特に、本発明の好ましい実施
態様としてのセラミソク酸化物粒子の保護に関する。記
載した保護の一1的適用性は記載した好ましい及び関連
した適用から明白であろう。
好ましい一実施態様において、本発明はその目的として
、水の存在下において安定な、希土類アルカリ土N銅酸
化物型の粒子のような利用可能な超電導性及び同様なセ
ラミック酸化物粒子を製造する。すなわち、新規な粒子
は水分子またはヒドロキシルイオンと容易には反応しな
いので、水の存在下において同様な先行技術の粒子の場
合に通常観察される粒子の導電性の低下は実質的に減少
されるか排除されて、通常の大気条件下での長時間貯蔵
が可能になり、さらに新規粒子の水性媒体での処理が可
能になる。
、水の存在下において安定な、希土類アルカリ土N銅酸
化物型の粒子のような利用可能な超電導性及び同様なセ
ラミック酸化物粒子を製造する。すなわち、新規な粒子
は水分子またはヒドロキシルイオンと容易には反応しな
いので、水の存在下において同様な先行技術の粒子の場
合に通常観察される粒子の導電性の低下は実質的に減少
されるか排除されて、通常の大気条件下での長時間貯蔵
が可能になり、さらに新規粒子の水性媒体での処理が可
能になる。
さらに特定の実施態様において、本発明は水性媒体中に
おいて保護されたセラミック酸化物粒子を使用する厚手
フィルムの二次加工に役立つ。本発明は、もちろん、厚
手フィルムが二次加工された手法にかかわらず、二次加
工後の厚手フィルムの保護にも適用できる. 用語「希土類アルカリ土頚銅酸化物」は、少なくとも1
種の希土類元素、少なくとも1種のアルカリ土類元素、
銅及び酸素を含む物質の咀成を指す。用語「希土類」は
イットリウム及びランタニドーすなわち、ランタニド系
の元素を表すのに用いる。ランタン、サマリウム、ユー
ロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム
、エルビウム及びイッテルビウムが特に好ましいランタ
ニドである。用語「アルカリ土類」はAmerican
Chemical Societyによって採用された
元素のうち周期表の第2族の元素を示す6カルシウム、
ストロンチウム及びバリウムが本発明の実施に好ましい
アルカリ土類元素である。
おいて保護されたセラミック酸化物粒子を使用する厚手
フィルムの二次加工に役立つ。本発明は、もちろん、厚
手フィルムが二次加工された手法にかかわらず、二次加
工後の厚手フィルムの保護にも適用できる. 用語「希土類アルカリ土頚銅酸化物」は、少なくとも1
種の希土類元素、少なくとも1種のアルカリ土類元素、
銅及び酸素を含む物質の咀成を指す。用語「希土類」は
イットリウム及びランタニドーすなわち、ランタニド系
の元素を表すのに用いる。ランタン、サマリウム、ユー
ロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム
、エルビウム及びイッテルビウムが特に好ましいランタ
ニドである。用語「アルカリ土類」はAmerican
Chemical Societyによって採用された
元素のうち周期表の第2族の元素を示す6カルシウム、
ストロンチウム及びバリウムが本発明の実施に好ましい
アルカリ土類元素である。
含まれる金属の最初の文字に基づく頭字語を代用するこ
とによって混合金属酸化物の非常に長い化学名を短縮す
る、窯業の技術分野における確立された慣例と一致して
、用語rRAC Jは以下において、希土類アルカリ土
類銅酸化物を包括的に示すのに用いる.希土類成分とし
て特にランタニドまたはイットリウムを表わそうとする
場合には、Rの代わりにLまたはYを各々用い、アルカ
リ土類成分として特にストロンチウムまたはバリウムを
表わそうとする場合には、八の代わりにSまたはBを各
々用いる。
とによって混合金属酸化物の非常に長い化学名を短縮す
る、窯業の技術分野における確立された慣例と一致して
、用語rRAC Jは以下において、希土類アルカリ土
類銅酸化物を包括的に示すのに用いる.希土類成分とし
て特にランタニドまたはイットリウムを表わそうとする
場合には、Rの代わりにLまたはYを各々用い、アルカ
リ土類成分として特にストロンチウムまたはバリウムを
表わそうとする場合には、八の代わりにSまたはBを各
々用いる。
RAC酸化物化合物のいくつか及び他のセラミノク酸化
物、たとえば、PAC酸化物(Pはpnictide、
たとえばビスマスである)が超電導性を有することは公
知である。これらの酸化物の少なくともいくつかの電気
的性質が水分の存在で低下することもまた、公知である
。以下の説明はXが0.5未満の実施態様YBazCu
iOt−x粉末に特に関するが、他の同様なセラミック
酸化物へ一般的に適用可能なことは容易に理解できる。
物、たとえば、PAC酸化物(Pはpnictide、
たとえばビスマスである)が超電導性を有することは公
知である。これらの酸化物の少なくともいくつかの電気
的性質が水分の存在で低下することもまた、公知である
。以下の説明はXが0.5未満の実施態様YBazCu
iOt−x粉末に特に関するが、他の同様なセラミック
酸化物へ一般的に適用可能なことは容易に理解できる。
一Cに、本発明によれば、周囲空気中において導電率の
低下を示す超電導セラミノク酸化物は、もしそうしなけ
れば空気または水分接触に暴露されるであろう超電導セ
ラミソク酸化物表面上に被膜を形成するポリマーで処理
する。
低下を示す超電導セラミノク酸化物は、もしそうしなけ
れば空気または水分接触に暴露されるであろう超電導セ
ラミソク酸化物表面上に被膜を形成するポリマーで処理
する。
本発明は、水との接触時に相分離を示す超電導酸化物粉
末に用いるのに特に適当である。RAC酸化物ペロプス
力イト及び特にYBa,CuzOt−xがこのような超
電導粉末の代表的なものである。
末に用いるのに特に適当である。RAC酸化物ペロプス
力イト及び特にYBa,CuzOt−xがこのような超
電導粉末の代表的なものである。
アルキルセルロースポリマー及びポリエステルアイオノ
マーポリマーが超電導セラミック酸化物の安定化に有効
であるのに他のポリマーは有効でないということはまっ
たく思いがけなく判明した。
マーポリマーが超電導セラミック酸化物の安定化に有効
であるのに他のポリマーは有効でないということはまっ
たく思いがけなく判明した。
ポリエステルアイオノマーは少なくとも1つのイオン部
分を含むポリエステルである。
分を含むポリエステルである。
このようなイオン部分はイオン性ジオール反復単位また
はイオン性ジカルボン酸反復単位によって、しかし好ま
しくは後者によって提供され得る.このようなイオン部
分は事実上アニオン性またはカチオン性のいずれである
こともできるが、好ましくはアニオン性である。イオン
性基の例としては、カルボン酸、スルホン酸、第四アン
モニウム、ジスルホニルイミノ基及びそれらの塩が挙げ
られる。
はイオン性ジカルボン酸反復単位によって、しかし好ま
しくは後者によって提供され得る.このようなイオン部
分は事実上アニオン性またはカチオン性のいずれである
こともできるが、好ましくはアニオン性である。イオン
性基の例としては、カルボン酸、スルホン酸、第四アン
モニウム、ジスルホニルイミノ基及びそれらの塩が挙げ
られる。
本発明の好ましい実施M様において、非品質ポリエステ
ルはジカルポン酸反復単位の総モルに基づき約2〜25
モル%のイオン性ジカルボン酸反復単位を含んでなる。
ルはジカルポン酸反復単位の総モルに基づき約2〜25
モル%のイオン性ジカルボン酸反復単位を含んでなる。
本発明の実施に特に有用であることが判明したイオン性
ジカルボン酸は式: 〔式中、m及び0は各々0もしくはlであり且つrn及
びnの和は1であり;Xはそれぞれ力ルボニルであり;
Qは式: を有し一Q tは式: を有し;Yは二価の芳香族基、たとえばアリーレン(た
とえば、フェニレン、ナフタレン、キシレンなど)もし
くは了りーリジン(たとえば、フェネニル、ナフチリジ
ンなど)であり;Y′は一価の芳香族裁、たとえば、ア
リール、アルアルキルもしくはアルカリール(たとえば
、フエニル、pメチルフエニル、ナフチルなど)、また
は炭素数1〜l2のアルキル、たとえば、メチル、エチ
ル、イソプロビル、n−ペンチル、ネオペンチル、2ク
ロロヘキシルなど、好ましくは炭素数1〜6のアルキル
であり:Mは可溶化カチオン、好ましくは一価のカチオ
ン、たとえば、アルカリ金属またはアンモニウムカチオ
ンである〕 で表される単位を有するものである。
ジカルボン酸は式: 〔式中、m及び0は各々0もしくはlであり且つrn及
びnの和は1であり;Xはそれぞれ力ルボニルであり;
Qは式: を有し一Q tは式: を有し;Yは二価の芳香族基、たとえばアリーレン(た
とえば、フェニレン、ナフタレン、キシレンなど)もし
くは了りーリジン(たとえば、フェネニル、ナフチリジ
ンなど)であり;Y′は一価の芳香族裁、たとえば、ア
リール、アルアルキルもしくはアルカリール(たとえば
、フエニル、pメチルフエニル、ナフチルなど)、また
は炭素数1〜l2のアルキル、たとえば、メチル、エチ
ル、イソプロビル、n−ペンチル、ネオペンチル、2ク
ロロヘキシルなど、好ましくは炭素数1〜6のアルキル
であり:Mは可溶化カチオン、好ましくは一価のカチオ
ン、たとえば、アルカリ金属またはアンモニウムカチオ
ンである〕 で表される単位を有するものである。
このようなイオン性反復単位が誘導される好ましいジカ
ルボン酸及び官能等価物の例は、3.3′一〔(ソジオ
イミノ)ジスルホニル〕二安息香酸;3,3’−((ボ
タシオイミノ)ジスルホニル〕二安息香酸.3.3’−
((リチオイミノ)ジスルホニル〕二安息香酸.4.4
’−((リチオイミノ)ジスルホニル〕二安息香酸;4
,4’〔(ソジオイミノ)ジスルホニル〕二安息香酸;
4,4’−((ボタシオイミノ)ジスルホニル〕二安息
香酸.3.4’−((リチオイミノ)ジスルホニル〕二
安息香酸:3,4’−((ソジオイミノ)ジスルホニル
〕二安息香酸i5−(4−クロロナフト−1−イルスル
ホニル(ソジオイミノ)スルホニル〕イソフタル酸.4
.4’−((ポタシオイミノ)ジスルホニル〕ジナフト
エ酸;5一〔p一トリルスルホニル(ボタシオイミノ)
スルホニル〕イソフタル酸;4−(1)−トリルスルホ
ニル(ソジオイミノ)スルホニル)−1.5一ナフタレ
ンジカルボン酸;5−(n−ヘキシルスルホニル(リチ
オイミノ)スルホニル〕イソフタル酸;2−〔フエニル
スルホニル(ポタシオイミノ)スルホニル〕テレフタル
酸及びそれらの官能等価物である。好ましいイオン性反
復単位を形成するのに有用なこれらの及び他のジカルボ
ン酸はCald−we11らの米国特許第3,546,
180号に記載されている。
ルボン酸及び官能等価物の例は、3.3′一〔(ソジオ
イミノ)ジスルホニル〕二安息香酸;3,3’−((ボ
タシオイミノ)ジスルホニル〕二安息香酸.3.3’−
((リチオイミノ)ジスルホニル〕二安息香酸.4.4
’−((リチオイミノ)ジスルホニル〕二安息香酸;4
,4’〔(ソジオイミノ)ジスルホニル〕二安息香酸;
4,4’−((ボタシオイミノ)ジスルホニル〕二安息
香酸.3.4’−((リチオイミノ)ジスルホニル〕二
安息香酸:3,4’−((ソジオイミノ)ジスルホニル
〕二安息香酸i5−(4−クロロナフト−1−イルスル
ホニル(ソジオイミノ)スルホニル〕イソフタル酸.4
.4’−((ポタシオイミノ)ジスルホニル〕ジナフト
エ酸;5一〔p一トリルスルホニル(ボタシオイミノ)
スルホニル〕イソフタル酸;4−(1)−トリルスルホ
ニル(ソジオイミノ)スルホニル)−1.5一ナフタレ
ンジカルボン酸;5−(n−ヘキシルスルホニル(リチ
オイミノ)スルホニル〕イソフタル酸;2−〔フエニル
スルホニル(ポタシオイミノ)スルホニル〕テレフタル
酸及びそれらの官能等価物である。好ましいイオン性反
復単位を形成するのに有用なこれらの及び他のジカルボ
ン酸はCald−we11らの米国特許第3,546,
180号に記載されている。
イオン性ジカルポン酸反復単位はまた5−ソジオスルホ
ベンゼン−1,3−ジカルボン酸、5ーソジオスルホシ
ク口ヘキサン−1.3−ジカルボン酸、5−(4−ソジ
オスルホフエノキシ)ベンゼン−1,3−ジカルボン酸
、5−(4−ソジオスルホフエノキシ)シクロヘキサン
−1,3−ジカルボン酸、同様な化合物及びそれらの官
能等価物ならびに英国特許明細書第1.470.059
号(1977年4月14日に公告)に記載された他の化
合物から誘導することができる。
ベンゼン−1,3−ジカルボン酸、5ーソジオスルホシ
ク口ヘキサン−1.3−ジカルボン酸、5−(4−ソジ
オスルホフエノキシ)ベンゼン−1,3−ジカルボン酸
、5−(4−ソジオスルホフエノキシ)シクロヘキサン
−1,3−ジカルボン酸、同様な化合物及びそれらの官
能等価物ならびに英国特許明細書第1.470.059
号(1977年4月14日に公告)に記載された他の化
合物から誘導することができる。
非品質ポリエステルは、好ましくは、ジカルボン酸反復
単位の総モルに基づき約75〜98モル%の事実上非イ
オン性のジカルボン酸反復単位を含んでなる。このよう
な非イオン性単位は、得られるポリエステルが実質的に
非品質でありさえずれば、ジオールと縮合する任意の適
当なジカルポン酸または官能等価物から誘導することが
できる。好まし《は、このような単位は式: 〔式中、Rは飽和または不飽和二価炭化水素である〕を
有する.Rは好ましくは、炭素数2〜20のアルキレン
(たとえば、エチレン、プロピレン、ネオペンチレン、
2−クロロブチレンなど);炭素数5〜10のシクロ゛
rルキレン(たとえば、シクロベンチレン、1.3−シ
クロヘキシレン、1.4−シクロヘキシレン、1,4−
ジメチルシク口ヘキシレンなど);または炭素数6〜1
2のアリーレン(たとえば、フェニレン、キシレンなど
)である。より好ましくは、Rは炭素数2〜20のアル
キレンである。
単位の総モルに基づき約75〜98モル%の事実上非イ
オン性のジカルボン酸反復単位を含んでなる。このよう
な非イオン性単位は、得られるポリエステルが実質的に
非品質でありさえずれば、ジオールと縮合する任意の適
当なジカルポン酸または官能等価物から誘導することが
できる。好まし《は、このような単位は式: 〔式中、Rは飽和または不飽和二価炭化水素である〕を
有する.Rは好ましくは、炭素数2〜20のアルキレン
(たとえば、エチレン、プロピレン、ネオペンチレン、
2−クロロブチレンなど);炭素数5〜10のシクロ゛
rルキレン(たとえば、シクロベンチレン、1.3−シ
クロヘキシレン、1.4−シクロヘキシレン、1,4−
ジメチルシク口ヘキシレンなど);または炭素数6〜1
2のアリーレン(たとえば、フェニレン、キシレンなど
)である。より好ましくは、Rは炭素数2〜20のアル
キレンである。
このような反復単位は、たとえば、フタル酸、イソフタ
ル酸、テレフタル酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸
、アジビン酸、スベリン酸及び1.3−シクロヘキサン
ジカルボン酸ならびにそれらの官能等価物から誘導され
る.化学線に惑受性の部分を有するジカルボン酸も有用
である。輻射線惑受性ジカルボン酸またはそれらの官能
等価物はArcesiら米国特許第3, 929, 4
89号に記載されている。
ル酸、テレフタル酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸
、アジビン酸、スベリン酸及び1.3−シクロヘキサン
ジカルボン酸ならびにそれらの官能等価物から誘導され
る.化学線に惑受性の部分を有するジカルボン酸も有用
である。輻射線惑受性ジカルボン酸またはそれらの官能
等価物はArcesiら米国特許第3, 929, 4
89号に記載されている。
ジカルボン酸反復単位はポリエステル中において、ジカ
ルボン酸またはその官能等価物と縮合できる二官能化合
物から誘導された反復単位によって結合される。このよ
うな二官能化合物としては、弐〇〇−R’一〇〇 (式
中、R1は炭素数2〜12の二価の脂肪族、脂環式また
は芳香族基であり、水素、炭素及び場合によってはエー
テル酸素原子を含む〕のジオールが挙げられる。
ルボン酸またはその官能等価物と縮合できる二官能化合
物から誘導された反復単位によって結合される。このよ
うな二官能化合物としては、弐〇〇−R’一〇〇 (式
中、R1は炭素数2〜12の二価の脂肪族、脂環式また
は芳香族基であり、水素、炭素及び場合によってはエー
テル酸素原子を含む〕のジオールが挙げられる。
このような脂肪族、脂環式及び芳香族基としてはアルキ
レン、シクロアルキレン、アリーレン、アルキレンアリ
ーレン、アルキレンシクロアルキレン、アルキレンビス
アリーレン、シクロアルキレンビスアルキレン、アリー
レンビスアルキレン、アルキレン〜オキシアルキレン、
アルキレンーオキシーアリーレンーオキシーアルキレン
、アリーレンーオキシーアルキレン、アルキレンーオキ
シーシクロアルキレンーオキシーアルキレンなどが挙げ
られる。好ましくはRlは、たとえば、シクロアルキレ
ンーオキシーアルキレンまたはアルキ吟レンーオキシー
アルキレンにおけるようなエーテル結合を含む. ジオールの例としてはエチレングリコール、ジエチレン
グリコール、トリエチレングリコール、1.3−プロパ
ンジオール、1.4−ブタンジオール、2−メチル−1
,5−ペンタンジオール、不オベンチルグリ:l−ル、
1.4−シクロ・\キサンジメタノール、1.4−ビス
(β−ヒドロキシエ1キシ)一シクロヘートサン、キニ
トール、ノルカンファンジオール、2,2,4.4−テ
トラアJレ:1一ノレシクL:Iフ゛クンーl,3−ジ
オーノレ、p−キシレンジオール及びビスフェノール八
が挙げられる。
レン、シクロアルキレン、アリーレン、アルキレンアリ
ーレン、アルキレンシクロアルキレン、アルキレンビス
アリーレン、シクロアルキレンビスアルキレン、アリー
レンビスアルキレン、アルキレン〜オキシアルキレン、
アルキレンーオキシーアリーレンーオキシーアルキレン
、アリーレンーオキシーアルキレン、アルキレンーオキ
シーシクロアルキレンーオキシーアルキレンなどが挙げ
られる。好ましくはRlは、たとえば、シクロアルキレ
ンーオキシーアルキレンまたはアルキ吟レンーオキシー
アルキレンにおけるようなエーテル結合を含む. ジオールの例としてはエチレングリコール、ジエチレン
グリコール、トリエチレングリコール、1.3−プロパ
ンジオール、1.4−ブタンジオール、2−メチル−1
,5−ペンタンジオール、不オベンチルグリ:l−ル、
1.4−シクロ・\キサンジメタノール、1.4−ビス
(β−ヒドロキシエ1キシ)一シクロヘートサン、キニ
トール、ノルカンファンジオール、2,2,4.4−テ
トラアJレ:1一ノレシクL:Iフ゛クンーl,3−ジ
オーノレ、p−キシレンジオール及びビスフェノール八
が挙げられる。
好ましい実施態様においては、ここに記載した実rt的
に非品質のポリエステルは弐 −0買CH2CH20一嶺 またはとしでは以下の
ものが挙げられる: ポリ 〔1,4−シクロヘキシレンジ(オキシエチレン
)−3.3’−((ソジオイミノ)ジスルホニル〕ジベ
ンゾエートーコースクシネート(モル比5:95)); ポリ〔1,4−シクロへキシレンジ(オキシーエチレン
)−コーエチレン(モル比75:25));ポリ (3
.3’一((ボタシオイミノ)ジスルホニル〕ジベンゾ
エートーコーアゼレート(モル比10:90) )
; ポリ {1.4−シクロヘキシレン(オキシエチレン)
−3.3’−((ソジオイミノ)ジスルホニル〕−ジベ
ンゾエートーコーアジペート(モル〔戊中、pは1〜4
の÷y数である〕 のいずれかのジオール反復m位を含んでなる。このよう
な反復単位は、ジオール反復単位の総モルに括づき少な
くとも50モル%、最も好まし・くは約50・〜100
モル%の星でポリエステル中に存在する。
に非品質のポリエステルは弐 −0買CH2CH20一嶺 またはとしでは以下の
ものが挙げられる: ポリ 〔1,4−シクロヘキシレンジ(オキシエチレン
)−3.3’−((ソジオイミノ)ジスルホニル〕ジベ
ンゾエートーコースクシネート(モル比5:95)); ポリ〔1,4−シクロへキシレンジ(オキシーエチレン
)−コーエチレン(モル比75:25));ポリ (3
.3’一((ボタシオイミノ)ジスルホニル〕ジベンゾ
エートーコーアゼレート(モル比10:90) )
; ポリ {1.4−シクロヘキシレン(オキシエチレン)
−3.3’−((ソジオイミノ)ジスルホニル〕−ジベ
ンゾエートーコーアジペート(モル〔戊中、pは1〜4
の÷y数である〕 のいずれかのジオール反復m位を含んでなる。このよう
な反復単位は、ジオール反復単位の総モルに括づき少な
くとも50モル%、最も好まし・くは約50・〜100
モル%の星でポリエステル中に存在する。
本発明の実施に特に有用な非品質ポリエステルレン)−
3.3’−((ソジオイミノ)ジスルホニル〕−ジベン
ゾエートーコ−3.3’−(1.4−フエニレン)ジプ
ロピオネート(モル比20;80) ) ;及び ポリ 〔p−フェニレンビス(オキシエチレン)5−(
4−ソジオスルホフェノキシ)−1.3一ベンゼンジカ
ルボキシレートーコーテレフタレ’}3 ’? G’4
qf A1’ 冊1’l43qニ開示サレテイル。
3.3’−((ソジオイミノ)ジスルホニル〕−ジベン
ゾエートーコ−3.3’−(1.4−フエニレン)ジプ
ロピオネート(モル比20;80) ) ;及び ポリ 〔p−フェニレンビス(オキシエチレン)5−(
4−ソジオスルホフェノキシ)−1.3一ベンゼンジカ
ルボキシレートーコーテレフタレ’}3 ’? G’4
qf A1’ 冊1’l43qニ開示サレテイル。
超電導セラミック酸化物は水分によって分解されやすい
ので、これらのポリエステルアイオノマーの水溶液は未
発明の超電導セラミック酸化物を安定化するのに有効で
あることは特に驚くべきことである。
ので、これらのポリエステルアイオノマーの水溶液は未
発明の超電導セラミック酸化物を安定化するのに有効で
あることは特に驚くべきことである。
ポリエステルアイオノマーの他に、アルキルセルロース
ポリマーはまた、超電導セラミック酸化物を安定化する
のに有効であることが観察された。
ポリマーはまた、超電導セラミック酸化物を安定化する
のに有効であることが観察された。
一般に任意の可溶性アルキルセルロースを使用できる。
好ましいアルキルセルロースポリマーはアルキル部分が
1〜10個、最適には約1〜6個の炭素原子を含むもの
である。これらのポリマーは一般に最も昔通の有機溶媒
中に可溶性であることが認められている。有用なアルキ
ルセルロースの特定の好ましい例はメチルセルロース、
エチルセルロース、n−プロビルセルロース、イソブチ
ルセルロース及びn−ヘキシルセルロースである。
1〜10個、最適には約1〜6個の炭素原子を含むもの
である。これらのポリマーは一般に最も昔通の有機溶媒
中に可溶性であることが認められている。有用なアルキ
ルセルロースの特定の好ましい例はメチルセルロース、
エチルセルロース、n−プロビルセルロース、イソブチ
ルセルロース及びn−ヘキシルセルロースである。
第1図に図示したように、最初に、表面に不動態化また
は安定化被膜を有する導電粉末の製造方法を記載し、次
いで、このような安定化粉末を使用する中間製品及び導
電製品の製造方法を記載することによって、最もよく発
明が理解できる。
は安定化被膜を有する導電粉末の製造方法を記載し、次
いで、このような安定化粉末を使用する中間製品及び導
電製品の製造方法を記載することによって、最もよく発
明が理解できる。
第1図の工程Aに関しては、超電導化合物粉末は、成分
金属の酸化物及び/または炭酸塩を化合物中に適当な比
率で混合し、次いで焼成し、粉砕し且つ焼結して単相超
電導化合物を形成し、そして化合物を粉砕して当業界に
おいて公知の未塗被超電導粉末lを形成することによっ
て製造する。
金属の酸化物及び/または炭酸塩を化合物中に適当な比
率で混合し、次いで焼成し、粉砕し且つ焼結して単相超
電導化合物を形成し、そして化合物を粉砕して当業界に
おいて公知の未塗被超電導粉末lを形成することによっ
て製造する。
セラミック酸化物粉末を製造するための任意の他の都合
のよい常法、たとえばカルボン酸塩(たとえば蓚酸塩)
、硝酸塩、塩化物などの噴霧乾燥も使用できる。
のよい常法、たとえばカルボン酸塩(たとえば蓚酸塩)
、硝酸塩、塩化物などの噴霧乾燥も使用できる。
厚手フィルム製品の製造に粉末を用いようとする場合に
は粉末の粒度は塗被のために都合のよい任意の寸法であ
ることができる。粒子は形成される被膜の厚さ以下の平
均直径を示すことができるが、平均粒径が形成される最
終フィルムの厚さに関して比較的小さい場合にはより均
一なフィルムが実現される。代表的には厚さ5〜200
trraの超電導厚手フィルムの製造に関しては、粒
子は平均直径が好ましくは約2一未満、最適には1一未
満である。粒子の最小平均直径は合成の都合によっての
み限定される。
は粉末の粒度は塗被のために都合のよい任意の寸法であ
ることができる。粒子は形成される被膜の厚さ以下の平
均直径を示すことができるが、平均粒径が形成される最
終フィルムの厚さに関して比較的小さい場合にはより均
一なフィルムが実現される。代表的には厚さ5〜200
trraの超電導厚手フィルムの製造に関しては、粒
子は平均直径が好ましくは約2一未満、最適には1一未
満である。粒子の最小平均直径は合成の都合によっての
み限定される。
工程Bにおいて、単相超電導酸化物粉末を不動態化ポリ
マーを含む溶液と混合する。溶液は、そのポリマー及び
水または他の溶媒へのその溶解度に応じてポリマーの水
溶液または非水溶液であることができる。次いで粉末を
、たとえばオーブン中でまたはヒートランプによって乾
燥して、ポリマー被膜3を有する粉末粒子1からなる不
動態化された(passiνa ted)超電導粉末2
を生じる。この粉末は将来使用するために大気条件下で
貯蔵してもよいし、または直ちに使用してもよい。直ち
に使用する場合には前記乾燥工程は省かれる。ポリマー
の必要量は不動態化される粉末の表面積に依存する。一
般に、不動態化のための適当な被覆量を達成するポリマ
ーの最小量は、超電導セラミソク酸化物によって示され
る表面積の平方メーター当リポリマー約1■である。実
際上は、ポリマーの最大量は約200■/m (超電導
セラミソク酸化物表面!)である。この量以上の量は安
定化を増さず、以後の処理工程における超電導体の所望
の装填を不利に限定するかもしれない。
マーを含む溶液と混合する。溶液は、そのポリマー及び
水または他の溶媒へのその溶解度に応じてポリマーの水
溶液または非水溶液であることができる。次いで粉末を
、たとえばオーブン中でまたはヒートランプによって乾
燥して、ポリマー被膜3を有する粉末粒子1からなる不
動態化された(passiνa ted)超電導粉末2
を生じる。この粉末は将来使用するために大気条件下で
貯蔵してもよいし、または直ちに使用してもよい。直ち
に使用する場合には前記乾燥工程は省かれる。ポリマー
の必要量は不動態化される粉末の表面積に依存する。一
般に、不動態化のための適当な被覆量を達成するポリマ
ーの最小量は、超電導セラミソク酸化物によって示され
る表面積の平方メーター当リポリマー約1■である。実
際上は、ポリマーの最大量は約200■/m (超電導
セラミソク酸化物表面!)である。この量以上の量は安
定化を増さず、以後の処理工程における超電導体の所望
の装填を不利に限定するかもしれない。
不動態化ポリマーはまた粘度を増加させることができる
。これによって、厚手フィルム塗被及びスクリーン印刷
において使用されるような粉末組成物による塗被が容易
になる。公知の粘度調整剤を組成物の別の成分として組
成物中に使用することももちろん一法である。
。これによって、厚手フィルム塗被及びスクリーン印刷
において使用されるような粉末組成物による塗被が容易
になる。公知の粘度調整剤を組成物の別の成分として組
成物中に使用することももちろん一法である。
工程Cにおいて、少量の液体ベヒクルを不動態化粉末2
と混合して塗被可能なスラリーまたはべ−ストを形成す
る。粉末の不動態化により、粉末の分解の危険を伴わず
に水性ベヒクルの使用が可能になる。粒子の凝集を促進
することによってペーストを形成するためにはごく少量
の液体しか必要でない。代表的には、液体は総徂成物の
20重景%未満、好ましくは15重量%未満を構成する
。最適ペースト稠度はペーストの塗被方法の選択によっ
て変動し得るが一般にはペースト粘度は5X10’〜3
X10’センチボアズ、好ましくは1×105〜2.5
XIO”センチボアズの範囲にあると考えられる。次い
で、ペーストは支持体4、たとえば、単結晶マグネシア
または多結晶質アルミナに厚手フィルム5の形態で塗布
される。公知の手法のいずれか、たとえば、噴霧、スク
リーン印刷またはドクターブレーディングを、支持体4
にペーストを塗布するのに使用できる。フィルムは所望
により、均一な連続フィルムであってもよいし型押しフ
ィルムであってもよい。考えられるフィルム厚さは5〜
200−、好ましくは約lθ〜100μのオーダーであ
る.しかしながら、フィルム厚さは決定的なものではな
く前記厚さよりも厚くても薄くてもよい。
と混合して塗被可能なスラリーまたはべ−ストを形成す
る。粉末の不動態化により、粉末の分解の危険を伴わず
に水性ベヒクルの使用が可能になる。粒子の凝集を促進
することによってペーストを形成するためにはごく少量
の液体しか必要でない。代表的には、液体は総徂成物の
20重景%未満、好ましくは15重量%未満を構成する
。最適ペースト稠度はペーストの塗被方法の選択によっ
て変動し得るが一般にはペースト粘度は5X10’〜3
X10’センチボアズ、好ましくは1×105〜2.5
XIO”センチボアズの範囲にあると考えられる。次い
で、ペーストは支持体4、たとえば、単結晶マグネシア
または多結晶質アルミナに厚手フィルム5の形態で塗布
される。公知の手法のいずれか、たとえば、噴霧、スク
リーン印刷またはドクターブレーディングを、支持体4
にペーストを塗布するのに使用できる。フィルムは所望
により、均一な連続フィルムであってもよいし型押しフ
ィルムであってもよい。考えられるフィルム厚さは5〜
200−、好ましくは約lθ〜100μのオーダーであ
る.しかしながら、フィルム厚さは決定的なものではな
く前記厚さよりも厚くても薄くてもよい。
最初に工程Bにおけるように不動態化ポリマーを形成し
、次いで工程Cにおけるように支持体に塗布されるベー
ス1〜またはスラリーを形成する他の方法としてはまた
、たとえば、厚手フィルム製品を製造に関しては粉末の
不動態化と使用との間に長時間が存在しない場合には、
工程Bにおいて形成された粉末一ポリマー溶液スラリー
を工程Cに記載されるようにして支持体に直接塗布する
ことができると考えられる。これは、最初に不動態化ざ
れた粉末を乾燥し、次いでスラリーを再構成してから支
持体上に被膜としてスラリーを塗布する必要性を排除す
る。
、次いで工程Cにおけるように支持体に塗布されるベー
ス1〜またはスラリーを形成する他の方法としてはまた
、たとえば、厚手フィルム製品を製造に関しては粉末の
不動態化と使用との間に長時間が存在しない場合には、
工程Bにおいて形成された粉末一ポリマー溶液スラリー
を工程Cに記載されるようにして支持体に直接塗布する
ことができると考えられる。これは、最初に不動態化ざ
れた粉末を乾燥し、次いでスラリーを再構成してから支
持体上に被膜としてスラリーを塗布する必要性を排除す
る。
記載された態様において工程Cは支持体上に厚手フィル
ムを形成することを含むが、工程Bにおいて形成される
粉末−ポリマー溶液スラリーは代わりに前記形態のいず
れかのような任意の所望の型の造形品を形成するのに使
用できること並びにホットプレス、押出、スリップ流延
、テープ流延、線引きなどのような任意の都合のよい常
用の造形法を使用できることは明白である。
ムを形成することを含むが、工程Bにおいて形成される
粉末−ポリマー溶液スラリーは代わりに前記形態のいず
れかのような任意の所望の型の造形品を形成するのに使
用できること並びにホットプレス、押出、スリップ流延
、テープ流延、線引きなどのような任意の都合のよい常
用の造形法を使用できることは明白である。
工程Dにおいて、厚手フィルム5を乾燥して支持体4上
に乾燥した厚手不動態化超電導粒子フィルム7を含んで
なる安定な製品6を残すことができる。この製品6はさ
らに処理するために次の製造業者に販売でき、たとえば
工程Eに示されるように製品6を約600℃より高い温
度、好ましくは850℃より高い温度で加熱して超電導
粒子から不動態化ポリマーフィルムを除去し、そして粒
子を焼結して支持体4上の密度の高い超電導厚手フィル
ム9からなる最終超電導製品8を形成する。
に乾燥した厚手不動態化超電導粒子フィルム7を含んで
なる安定な製品6を残すことができる。この製品6はさ
らに処理するために次の製造業者に販売でき、たとえば
工程Eに示されるように製品6を約600℃より高い温
度、好ましくは850℃より高い温度で加熱して超電導
粒子から不動態化ポリマーフィルムを除去し、そして粒
子を焼結して支持体4上の密度の高い超電導厚手フィル
ム9からなる最終超電導製品8を形成する。
前記方法は超電導酸化物層を絶縁支持体上全体に形成し
た極めて簡単な製品によって説明したが、多《の実際の
用途においては支持体表面上に超電導酸化物層の一部分
のみが直接形成されることが理解される。たとえば、電
気回路成分を二次加工する場合には、最初に外部リード
線(ピン)接続を容易にするために絶縁支持体上に金属
パッド(導電部)を塗被するのが普通である。超電導酸
化物層または超電導酸化物層のいくつかの部分を絶縁支
持体上に形成して、間隔をおいて配置されたパッドまた
は予め支持体上に形成された他の導電域の間に1つまた
は複数の導電路を形成できる。
た極めて簡単な製品によって説明したが、多《の実際の
用途においては支持体表面上に超電導酸化物層の一部分
のみが直接形成されることが理解される。たとえば、電
気回路成分を二次加工する場合には、最初に外部リード
線(ピン)接続を容易にするために絶縁支持体上に金属
パッド(導電部)を塗被するのが普通である。超電導酸
化物層または超電導酸化物層のいくつかの部分を絶縁支
持体上に形成して、間隔をおいて配置されたパッドまた
は予め支持体上に形成された他の導電域の間に1つまた
は複数の導電路を形成できる。
超電導酸化物層を形成するのに必要な温度に耐えられる
支持体上に任意の導電材料を下塗りできる.たとえば、
金パッドが電気回路成分の二次加工に常用され、本発明
に必要とされる超電導酸化物層の二次加工と完全に適合
する。すでに支持体上に塗被し且つ燃焼して導電性の超
電導酸化物層を形成した厚手フィルムの表面への電気接
続も可能である。金属パッド(たとえば、インジウム)
を、比較的低い温度において(200℃未満)結晶超電
導酸化物表面に付着するように形成できる。上に存在す
る金属パッドへの次の電気的接続は従来の接着法を用い
て形成できる。金属パッドへのはんだ付け結線がもちろ
ん最も普通である。我々は、はんだを用いずにインジウ
ム金属パッドに直接線を接着できることを観察した.我
々はまた、最初にセラミンク酸化物本体に接着バンドを
形成せずに超電導セラミック酸化物に線を接着すること
に成功した。
支持体上に任意の導電材料を下塗りできる.たとえば、
金パッドが電気回路成分の二次加工に常用され、本発明
に必要とされる超電導酸化物層の二次加工と完全に適合
する。すでに支持体上に塗被し且つ燃焼して導電性の超
電導酸化物層を形成した厚手フィルムの表面への電気接
続も可能である。金属パッド(たとえば、インジウム)
を、比較的低い温度において(200℃未満)結晶超電
導酸化物表面に付着するように形成できる。上に存在す
る金属パッドへの次の電気的接続は従来の接着法を用い
て形成できる。金属パッドへのはんだ付け結線がもちろ
ん最も普通である。我々は、はんだを用いずにインジウ
ム金属パッドに直接線を接着できることを観察した.我
々はまた、最初にセラミンク酸化物本体に接着バンドを
形成せずに超電導セラミック酸化物に線を接着すること
に成功した。
セラミソク酸化物本体を含む最終装置が形成されると、
セラミック酸化物本体の露出面に適用された不動態化ポ
リマーがセラミノク酸化物本体を分解から保護すること
が認められる。
セラミック酸化物本体の露出面に適用された不動態化ポ
リマーがセラミノク酸化物本体を分解から保護すること
が認められる。
導電性結晶セラミック酸化物層は種々の支持体上に形成
できる。一般に、処理温度に耐えられる任意の常用の電
気導体支持体を使用できる。たとえば、金属、ガラス、
セラミック及び半導体支持体はすべて、前記手法の1つ
または複数によって適用される結晶超電導酸化物層を受
け入れるのに充分な熱安定性を有する。多結晶及び単結
晶型の両方の支持体をうまく使用できる。
できる。一般に、処理温度に耐えられる任意の常用の電
気導体支持体を使用できる。たとえば、金属、ガラス、
セラミック及び半導体支持体はすべて、前記手法の1つ
または複数によって適用される結晶超電導酸化物層を受
け入れるのに充分な熱安定性を有する。多結晶及び単結
晶型の両方の支持体をうまく使用できる。
前に言及した製品は、型模様が所望の回路または製品、
たとえば、コイルの形態を取ることができる型押しまた
は連続厚手フィルムのいずれかの形態であるが、前述の
いずれかのような、他の型の導電性製品の製造に不動態
化された超電導粉末を使用できること、ならびに中間体
または最終用途製品の安定化のためにこれらの装置のい
ずれかのセラミック酸化物露出面と不動態化ポリマーを
接触させることができることを理解すべきである。
たとえば、コイルの形態を取ることができる型押しまた
は連続厚手フィルムのいずれかの形態であるが、前述の
いずれかのような、他の型の導電性製品の製造に不動態
化された超電導粉末を使用できること、ならびに中間体
または最終用途製品の安定化のためにこれらの装置のい
ずれかのセラミック酸化物露出面と不動態化ポリマーを
接触させることができることを理解すべきである。
?実施例〕
本発明に係る製品の製造及び性能の詳細ならびに超電導
粉末の不動態化をしない以外は同様にして形成された製
品との比較を以下の例及び第2図によって説明する。
粉末の不動態化をしない以外は同様にして形成された製
品との比較を以下の例及び第2図によって説明する。
酊
この例は、平均(+sean)粒度くlミクロン平均(
average)粒度の単相正斜方品粉末の形態の単相
超電導YBa.Cu307−X化合物の形成を説明する
。粉末は、第3図に示した従来の混合酸化物セラミック
処理によって形成する。
average)粒度の単相正斜方品粉末の形態の単相
超電導YBa.Cu307−X化合物の形成を説明する
。粉末は、第3図に示した従来の混合酸化物セラミック
処理によって形成する。
YBa.CulO1−.の粉末1 kgを製造するため
には、イソプロビルアルコール及びZrO■ボールを用
いてボールミル中でBaCOz 560g SYzOi
172g及びCu0 363gを300分間一緒に混
合した。次いで、混合物を空気中、875℃において6
00分間焼成した。次に、湿潤化のためにイソブロビル
アルコールを用いてボールミル中で300分間、焼成し
た混合物を粉砕した。然る後に、微粉砕した粒子を酸素
中、920℃において600分間焼成して単相YBaz
Cu301−,l化合物を形成した。得られた物質は超
電導性であり、再び300分間粉砕して1一未満の平均
(mean)粒度を有する微粉を得た.X線回折の研究
によって、粉末が単相正斜方品物質であることが示され
る。
には、イソプロビルアルコール及びZrO■ボールを用
いてボールミル中でBaCOz 560g SYzOi
172g及びCu0 363gを300分間一緒に混
合した。次いで、混合物を空気中、875℃において6
00分間焼成した。次に、湿潤化のためにイソブロビル
アルコールを用いてボールミル中で300分間、焼成し
た混合物を粉砕した。然る後に、微粉砕した粒子を酸素
中、920℃において600分間焼成して単相YBaz
Cu301−,l化合物を形成した。得られた物質は超
電導性であり、再び300分間粉砕して1一未満の平均
(mean)粒度を有する微粉を得た.X線回折の研究
によって、粉末が単相正斜方品物質であることが示され
る。
劃ユ」』■■1−
例1に従って製造した非不動態化粉末に対する水の作用
を、この粉末を20!1%の脱イオン水と混合し、次い
で混合物をヒートランプ下で乾燥することによって測定
した。この水処理粉末のX線回折の研究によって、超電
導正斜方晶相、CuO相及びBaCOz相を含んでなる
多相構造が示された。
を、この粉末を20!1%の脱イオン水と混合し、次い
で混合物をヒートランプ下で乾燥することによって測定
した。この水処理粉末のX線回折の研究によって、超電
導正斜方晶相、CuO相及びBaCOz相を含んでなる
多相構造が示された。
■主
本発明に従って、例lの単相超電導粉末を、総重量に基
づき20重量%のボリ〔p−フェニレンビス(オキシエ
チレン)−5− (4−ソジオスルホフェノキシ)−1
.3−ベンゼンジカルボキシレートーコーテレフクレー
ト(モル比30:70))の水溶液(ポリエステルアイ
オノマーが水の重量に基づき15重量%の濃度で存在す
る)を混合し、ヒ−トランプ下で乾燥した。ポリエステ
ルアイオノマーで処理された粉末のX線回折のパターン
は最初の粉末と同一の単相正斜方晶構造の存在を示しな
。これは、アイオノマーが粉末を水による分解から保護
したことを示す。
づき20重量%のボリ〔p−フェニレンビス(オキシエ
チレン)−5− (4−ソジオスルホフェノキシ)−1
.3−ベンゼンジカルボキシレートーコーテレフクレー
ト(モル比30:70))の水溶液(ポリエステルアイ
オノマーが水の重量に基づき15重量%の濃度で存在す
る)を混合し、ヒ−トランプ下で乾燥した。ポリエステ
ルアイオノマーで処理された粉末のX線回折のパターン
は最初の粉末と同一の単相正斜方晶構造の存在を示しな
。これは、アイオノマーが粉末を水による分解から保護
したことを示す。
氾
本発明に従って、例1の単相超電導粉末を、総重量に基
づき20重量%のトリメチルベンチルイソブチレート中
に溶解されたエチルセルロース(溶媒の重量に基づき酢
酸セルロース15重量%、溶液はElectro Sc
ience Laboratoriesから購入)と混
合した.この混合物をまたヒートランプ下で乾燥した.
乾燥したエチルセルロースで処理された粉末のXi回折
のパターンも、粉末の分解がないことを示す単相正斜方
晶構造を示した。
づき20重量%のトリメチルベンチルイソブチレート中
に溶解されたエチルセルロース(溶媒の重量に基づき酢
酸セルロース15重量%、溶液はElectro Sc
ience Laboratoriesから購入)と混
合した.この混合物をまたヒートランプ下で乾燥した.
乾燥したエチルセルロースで処理された粉末のXi回折
のパターンも、粉末の分解がないことを示す単相正斜方
晶構造を示した。
列j」11d1一
不動態化ポリマーの代わりにターポリマー、ポリ 〔ス
チレンーコープチルアクリレートーコーメタクリル酸(
モル比45:50:5))を用いた以外は例3及び4と
同様な試験法を繰り返した。例2に記載したような相分
離が起こった。
チレンーコープチルアクリレートーコーメタクリル酸(
モル比45:50:5))を用いた以外は例3及び4と
同様な試験法を繰り返した。例2に記載したような相分
離が起こった。
倒』」』J姐請一
不動態化ポリマーの代わりにポリビニルアルコールを用
いた以外は例3及び4と同様な試験法を繰り返した。例
2に記載したような相分離が起こった・ 剥ユ」』J■引一 不動態化ポリマーの代わりにポリビニルブチラールを用
いた以外は例3及び4と同様な試験法を繰り返した。例
2に記載したような相分離が起こった。
いた以外は例3及び4と同様な試験法を繰り返した。例
2に記載したような相分離が起こった・ 剥ユ」』J■引一 不動態化ポリマーの代わりにポリビニルブチラールを用
いた以外は例3及び4と同様な試験法を繰り返した。例
2に記載したような相分離が起こった。
これらの実験から、水は超電導セラミック酸化物粉末に
おいて相分離を促進して、YBazCuzOt−xの場
合にはCuO及びBaCO.相を形成することが結論さ
れた。ポリエステルアイオノマー及びアルキルセルロー
スのみが有効な不動態化物質であることが観察された。
おいて相分離を促進して、YBazCuzOt−xの場
合にはCuO及びBaCO.相を形成することが結論さ
れた。ポリエステルアイオノマー及びアルキルセルロー
スのみが有効な不動態化物質であることが観察された。
斑エ
例2〜4に前述したようにして処理・された種々の粉末
から製造された厚手フィルムのような製品の超電導i生
に対する相分離及び不vjM化の作用を測定するために
、(a)水処理された粉末、(b)ポリエステルアイオ
ノマー処理された粉末及び(c)エチルセルロース処理
された粉末の厚手フィルムを調製し、それらの超電導性
を測定した。
から製造された厚手フィルムのような製品の超電導i生
に対する相分離及び不vjM化の作用を測定するために
、(a)水処理された粉末、(b)ポリエステルアイオ
ノマー処理された粉末及び(c)エチルセルロース処理
された粉末の厚手フィルムを調製し、それらの超電導性
を測定した。
これらの実験を各々例8a w cに記載する。
処理された粉末を各々20i!量%脱イオン水と混合し
て、粘稠なペーストを調製し、公知のドクターブレード
法によって単結晶マグネシア支持体一Fにドクターブレ
ード塗布して厚手フィルム(〜30,tIm)を形成し
た。然る後に、フィルムを酸素中、950℃において5
分間加熱し、次いで酸素環境において室温まで冷却した
。酸素環境は超電導フィルムの酸素含量を釣り合わせる
のに助けとなる。
て、粘稠なペーストを調製し、公知のドクターブレード
法によって単結晶マグネシア支持体一Fにドクターブレ
ード塗布して厚手フィルム(〜30,tIm)を形成し
た。然る後に、フィルムを酸素中、950℃において5
分間加熱し、次いで酸素環境において室温まで冷却した
。酸素環境は超電導フィルムの酸素含量を釣り合わせる
のに助けとなる。
これらのサンプルに関する室温におけるシート抵抗は以
下の通りであった: a6水で処理された粉末から誘導されたフィルム−4オ
ーム/平方 b.水性ポリエステルアイオノマーで処理された粉末か
ら誘導されたフィルム−1オーム/平方C.非水性エチ
ルセルロースで処理された粉末から誘導されたフィルム
−1オーム/平方.これらの測定は、非不動態化超電導
酸化物粉末の室温抵抗に対する水の有害作用を示す。そ
れらはまた、サンプル(a)において観察された水の悪
影響が永続的であって、高温処理によって元へ戻せない
ことを示す。非不動態化粉末の水暴露による微細構造の
特徴の分解がまた走査電子顕微鏡によって確認された。
下の通りであった: a6水で処理された粉末から誘導されたフィルム−4オ
ーム/平方 b.水性ポリエステルアイオノマーで処理された粉末か
ら誘導されたフィルム−1オーム/平方C.非水性エチ
ルセルロースで処理された粉末から誘導されたフィルム
−1オーム/平方.これらの測定は、非不動態化超電導
酸化物粉末の室温抵抗に対する水の有害作用を示す。そ
れらはまた、サンプル(a)において観察された水の悪
影響が永続的であって、高温処理によって元へ戻せない
ことを示す。非不動態化粉末の水暴露による微細構造の
特徴の分解がまた走査電子顕微鏡によって確認された。
低温(超電導)抵抗データも、前記フィルムの各々から
取った。これらの測定結果を、標準化抵抗(nor+a
alized resistance)が温度(″K)
に対してプロソトされた第2図に示す。第2図からわか
るように、水処理された酸化物粉末から調製されたサン
プル8aは8″Kもの低い温度でさえゼロ抵抗に達しな
い。これに比べて、ポリマー処理されたサンプル8b及
び8cは75〜80″Kの範囲の温度においてゼロ抵抗
の超電導状態に達する。さらに、水処理された、不動態
化サンプル5aにおいて、Tc、抵抗減少の開始前の物
質の主要な半導体挙動も顕著である。
取った。これらの測定結果を、標準化抵抗(nor+a
alized resistance)が温度(″K)
に対してプロソトされた第2図に示す。第2図からわか
るように、水処理された酸化物粉末から調製されたサン
プル8aは8″Kもの低い温度でさえゼロ抵抗に達しな
い。これに比べて、ポリマー処理されたサンプル8b及
び8cは75〜80″Kの範囲の温度においてゼロ抵抗
の超電導状態に達する。さらに、水処理された、不動態
化サンプル5aにおいて、Tc、抵抗減少の開始前の物
質の主要な半導体挙動も顕著である。
さらに他の実験において、未処理超電導粉末及び前述の
ようにしてポリエステルアイオノマー及びエチルセルロ
ースによって不動態化された粉末を、相対湿度70%及
び50℃で1時間、24時間、3日間、3カ月及び6カ
月の耐環境安定度試験に供した。X線回折パターンはま
た、試験室において経時的に増加するBaC03及びC
uO相の形成によって実証されるように未処理粉末の分
解を示すが、本発明に従って処理された粉末ではこのよ
うな分解は6カ月後でさえ見られなかった。
ようにしてポリエステルアイオノマー及びエチルセルロ
ースによって不動態化された粉末を、相対湿度70%及
び50℃で1時間、24時間、3日間、3カ月及び6カ
月の耐環境安定度試験に供した。X線回折パターンはま
た、試験室において経時的に増加するBaC03及びC
uO相の形成によって実証されるように未処理粉末の分
解を示すが、本発明に従って処理された粉末ではこのよ
うな分解は6カ月後でさえ見られなかった。
〔発明の効果〕
本発明は、大気中の水分を含めて、水の存在下で不安定
な超電導性及び同様なセラミソク酸化物を保護する。発
明は全ての可能な物理的形態、たとえば、粒子、ペレッ
ト、薄手もしくは厚手フィルム、ロンド、線材、中空管
、及び焼結された、押出された、プレスされた、流延さ
れたまたは他の方法で造形された製品に広く適用できる
。さらに、本発明によってこれらのセラミック酸化物に
与えられる保護はセラミック酸化物の形成に用いられる
方法とは無関係である。
な超電導性及び同様なセラミソク酸化物を保護する。発
明は全ての可能な物理的形態、たとえば、粒子、ペレッ
ト、薄手もしくは厚手フィルム、ロンド、線材、中空管
、及び焼結された、押出された、プレスされた、流延さ
れたまたは他の方法で造形された製品に広く適用できる
。さらに、本発明によってこれらのセラミック酸化物に
与えられる保護はセラミック酸化物の形成に用いられる
方法とは無関係である。
第1図は方法の工程及びそれによって形成される製品を
示す略図であり; 第2図は本発明に従って処理された超電導粉末から形成
された製品及び未処理粉末から形成された製品に関する
温度(″K)の関数としての一連の抵抗(標準化)のプ
ロットであり; 第3図はセラミック超電導粉末の形成のための方法の工
程を示すフローチャートである。 l・・・超電導粉末、 2・・・不動態化超電導粉末
、3・・・ポリマー被膜、 4・・・支持体、5・・・
厚手フィルム、 6・・・安定な製品、7・・・不動態
化超電導フィルム、 8・・・最終超電導製品、 9・・・密度の高い超電導フィルム、 a・・・第2図の曲線、 b・・・第2図の曲線、C・
・・第2図の曲線。 F/6.2 10T+ 温度(゜K) FIG. / F/G.3
示す略図であり; 第2図は本発明に従って処理された超電導粉末から形成
された製品及び未処理粉末から形成された製品に関する
温度(″K)の関数としての一連の抵抗(標準化)のプ
ロットであり; 第3図はセラミック超電導粉末の形成のための方法の工
程を示すフローチャートである。 l・・・超電導粉末、 2・・・不動態化超電導粉末
、3・・・ポリマー被膜、 4・・・支持体、5・・・
厚手フィルム、 6・・・安定な製品、7・・・不動態
化超電導フィルム、 8・・・最終超電導製品、 9・・・密度の高い超電導フィルム、 a・・・第2図の曲線、 b・・・第2図の曲線、C・
・・第2図の曲線。 F/6.2 10T+ 温度(゜K) FIG. / F/G.3
Claims (1)
- 1.表面が周囲空気と接触した時に導電率が低下する超
電導セラミック酸化物及び該セラミック酸化物の表面と
周囲空気との間に介在せしめられた第2の物質を含んで
なる組体であって、該第2の物質がポリエステルアイオ
ノマー及びアルキルセルロースからなる群から選ばれた
不動態化ポリマーである超電導セラミック酸化物組体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US290670 | 1988-12-27 | ||
| US07/290,670 US4997808A (en) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | Superconductive ceramic oxide combination |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02229701A true JPH02229701A (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=23117064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1335217A Pending JPH02229701A (ja) | 1988-12-27 | 1989-12-26 | 超電導セラミック酸化物組体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4997808A (ja) |
| EP (1) | EP0376862A3 (ja) |
| JP (1) | JPH02229701A (ja) |
| CA (1) | CA2004702A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2674688B2 (ja) * | 1995-11-14 | 1997-11-12 | 九州大学長 | 湿式グレインコーティングによるYBa2Cu3Oxの焼結方法 |
| AU2002241771A1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-06-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Thick film high temperature superconducting device supporting high critical currents and method for fabricating same |
| DE10111938A1 (de) * | 2001-03-13 | 2002-09-26 | Merck Patent Gmbh | Herstellung von Hochtemperatur-Supraleiter-Pulvern in einem Pulsationsreaktor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4097282A (en) * | 1976-10-15 | 1978-06-27 | Eastman Kodak Company | Anionic imino-containing polymeric adhesives for photographic materials |
| US4252921A (en) * | 1979-10-03 | 1981-02-24 | Eastman Kodak Company | Polyesterionomers having utility in liquid electrographic developer compositions |
| US4291153A (en) * | 1980-08-01 | 1981-09-22 | Eastman Kodak Company | Water-dispersible polyester adhesives for photographic materials |
| US4419437A (en) * | 1981-02-11 | 1983-12-06 | Eastman Kodak Company | Image-forming compositions and elements containing ionic polyester dispersing agents |
| US4395475A (en) * | 1981-07-20 | 1983-07-26 | Eastman Kodak Company | Condensation polymeric photoconductors containing pendant arylamines |
| CA1329952C (en) * | 1987-04-27 | 1994-05-31 | Yoshihiko Imanaka | Multi-layer superconducting circuit substrate and process for manufacturing same |
| DE3889160T2 (de) * | 1987-07-27 | 1994-11-03 | Sumitomo Electric Industries | Supraleitender Dünnfilm und Verfahren, um diesen zu präparieren. |
-
1988
- 1988-12-27 US US07/290,670 patent/US4997808A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-12-06 CA CA 2004702 patent/CA2004702A1/en not_active Abandoned
- 1989-12-22 EP EP19890420511 patent/EP0376862A3/en not_active Withdrawn
- 1989-12-26 JP JP1335217A patent/JPH02229701A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2004702A1 (en) | 1990-06-27 |
| EP0376862A2 (en) | 1990-07-04 |
| EP0376862A3 (en) | 1990-08-29 |
| US4997808A (en) | 1991-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3091192B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| US4908346A (en) | Crystalline rare earth alkaline earth copper oxide thick film circuit element with superconducting onset transition temperature in excess of 77% | |
| US4535064A (en) | Ceramic compositions for a reduction-reoxidation type semiconducting capacitor | |
| US5081070A (en) | Superconducting circuit board and paste adopted therefor | |
| US5075282A (en) | Printing method of forming oxide superconducting films on La2 Cu O.sub. | |
| JPH02229701A (ja) | 超電導セラミック酸化物組体 | |
| JP3032819B2 (ja) | SrTiO3 系粒界絶縁型誘電体 | |
| Klee et al. | TfI14: Ferroelectric thin films for memory applications: Sol-gel processing and decomposition of organo-metallic compounds | |
| EP0299796A2 (en) | Silver additives for ceramic superconductors | |
| JPS63279521A (ja) | 超電導体装置 | |
| JPS61285609A (ja) | チタン酸鉛強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
| WO1989003126A1 (fr) | Structure de cablage supraconducteur et procede de production | |
| EP0376865A2 (en) | Superconducting thick films for hybrid circuitry applications | |
| JPS63276812A (ja) | 酸化物超電導体 | |
| JP3385626B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH01192762A (ja) | チタン酸バリウムを基材とする誘電性セラミック組成物 | |
| JPH0744323B2 (ja) | 超電導セラミツク基板 | |
| JP2722457B2 (ja) | セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPS61256968A (ja) | 誘電磁器組成物 | |
| JP3152773B2 (ja) | 半導体収容用パッケージ | |
| JPH0238540B2 (ja) | ||
| JPH01164725A (ja) | 電子デバイス用酸化物超電導薄膜 | |
| JPH084191B2 (ja) | 超電導性配線の形成方法 | |
| JPH0282413A (ja) | MgO基板積層超電導セラミックス膜 | |
| JPH06321645A (ja) | チタン酸バリウム系磁器半導体の製造方法及びそれに用いる融着防止剤の固定液 |