JPH02229765A - 導電性セラミックス焼結体およびヒーター - Google Patents
導電性セラミックス焼結体およびヒーターInfo
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- JPH02229765A JPH02229765A JP1051459A JP5145989A JPH02229765A JP H02229765 A JPH02229765 A JP H02229765A JP 1051459 A JP1051459 A JP 1051459A JP 5145989 A JP5145989 A JP 5145989A JP H02229765 A JPH02229765 A JP H02229765A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、窒化珪素系セラミックスを母材とし導電性化
合物を含有する導電性セラミックス焼結体およびヒータ
ーにおいて、高温での耐酸化性をＣｒ酸化物の添加によ
り改善した焼結体およびヒーターに関するものである。
合物を含有する導電性セラミックス焼結体およびヒータ
ーにおいて、高温での耐酸化性をＣｒ酸化物の添加によ
り改善した焼結体およびヒーターに関するものである。
αまたはβＳｉ，Ｎ，を主成分とする窒化珪素、Ｓ ｆ
＠ − ｚ Ａ ｌ ｚ Ｏ ｚ Ｎ ｍ − ｚ
（０ ＜ Ｚ≦４．２）で示されるβサイアロン、Ｍｘ
（ＳＬ，Ａｌ）．（０，Ｎ）．．（ｘ＜２，ＭはＬＬ，
Ｍｇ， ＣＢ， Ｙ ，希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ除＜）
〕で示されるαサイアロン、およびこれらの複合した窒
化珪素系のセラミックスは、高温強度および耐酸化性に
優れ、熱膨張係数が小さく耐熱衝撃性が非常に良いため
、近年種々の分野において利用されている。また一方で
、これらは極めて難加工性材料でもあるため、その対策
として放電加工を可能とするために導電性を付与すると
の提案もなされている（特開昭５７−１８８４５３号公
報、特開昭５７−２００２６５号公報、特開昭５９−２
０７８８１号公報、特開昭６０−３３２６５号公報など
）．また、これらをヒーター材として用いるとの提案も
なされている（特開昭６０−６０９８３号公報、特開昭
６２−１４０３８６号公報など）。
＠ − ｚ Ａ ｌ ｚ Ｏ ｚ Ｎ ｍ − ｚ
（０ ＜ Ｚ≦４．２）で示されるβサイアロン、Ｍｘ
（ＳＬ，Ａｌ）．（０，Ｎ）．．（ｘ＜２，ＭはＬＬ，
Ｍｇ， ＣＢ， Ｙ ，希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ除＜）
〕で示されるαサイアロン、およびこれらの複合した窒
化珪素系のセラミックスは、高温強度および耐酸化性に
優れ、熱膨張係数が小さく耐熱衝撃性が非常に良いため
、近年種々の分野において利用されている。また一方で
、これらは極めて難加工性材料でもあるため、その対策
として放電加工を可能とするために導電性を付与すると
の提案もなされている（特開昭５７−１８８４５３号公
報、特開昭５７−２００２６５号公報、特開昭５９−２
０７８８１号公報、特開昭６０−３３２６５号公報など
）．また、これらをヒーター材として用いるとの提案も
なされている（特開昭６０−６０９８３号公報、特開昭
６２−１４０３８６号公報など）。
またＴｉＮとＳｉＣを複合添加し高抵抗材における電気
抵抗のバラツキを抑制した焼結体について特願昭６３〜
２３８２８１号として本発明者は提案している。
抵抗のバラツキを抑制した焼結体について特願昭６３〜
２３８２８１号として本発明者は提案している。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、上記材料は１０００℃以上の温度域では表面
に厚い酸化膜が形成され、それ以上酸化が進行しないの
に対して、約８００〜９００℃で５０時間以上の長時間
保持した場合に酸化量が異常に大きくなり、ふくれ、割
れ等の発生につながることが明らかになった。これはヒ
ーターとして用いる場合、断線に直接結びつき、寿命の
低下につながるものである。
に厚い酸化膜が形成され、それ以上酸化が進行しないの
に対して、約８００〜９００℃で５０時間以上の長時間
保持した場合に酸化量が異常に大きくなり、ふくれ、割
れ等の発生につながることが明らかになった。これはヒ
ーターとして用いる場合、断線に直接結びつき、寿命の
低下につながるものである。
本発明の目的は、上記の８００〜９００℃における酸化
現象を抑制した耐酸化性に優れる導電性セラミックス焼
結体およびヒーターを提供することである。
現象を抑制した耐酸化性に優れる導電性セラミックス焼
結体およびヒーターを提供することである。
本発明者は前記の８００〜９００℃における酸化現象を
抑制するために種々検討した結果、Ｃｒ酸化物を添加す
ることにより、上記の酸化現象を抑制できることを見出
し本発明を完成するに至った。
抑制するために種々検討した結果、Ｃｒ酸化物を添加す
ることにより、上記の酸化現象を抑制できることを見出
し本発明を完成するに至った。
本発明において、Ｃｒ酸化物の添加により、８００〜９
００℃の耐酸化性を向上することができるのは以下の理
由によるものと考える。
００℃の耐酸化性を向上することができるのは以下の理
由によるものと考える。
すなわち、８００〜９００℃の比較的低温では、１００
０℃以上で形成される厚い酸化膜が形成されておらず、
本系焼結体中の粒界相を通じて大気中の酸素が拡散し、
酸化が進行するものと考えられるが、Ｃｒ酸化物を添加
することにより粒界相中の酸素の拡散が抑制されること
により、酸化が防止されるものと考えられる。
０℃以上で形成される厚い酸化膜が形成されておらず、
本系焼結体中の粒界相を通じて大気中の酸素が拡散し、
酸化が進行するものと考えられるが、Ｃｒ酸化物を添加
することにより粒界相中の酸素の拡散が抑制されること
により、酸化が防止されるものと考えられる。
本発明において、Ｃｒ酸化物の添加量は、０．１〜１０
ｗｔ％であり、その理由は０ ． ｌｗｔ％より少ない
とＣｒ酸化物の添加の効果が現われず、また１０ｗｔ％
を越えて添加した場合には、焼結性が低下するからであ
る．より好ましくは０．３〜３ｗｔ％である．Ｃｒ酸化
物としては、化合物として最も安定なＣｒ，Ｏ，を用い
ればよい。また、Ｃｒ酸化物粉末を原料として加える代
りに、焼結中にＣｒ酸化物に変化する化合物、例えばＣ
ｒ（Ｎ Ｏ，），・９Ｈ，Ｏ，ＣｒＣｌ，・６Ｈ，０な
どを用いることも可能である。
ｗｔ％であり、その理由は０ ． ｌｗｔ％より少ない
とＣｒ酸化物の添加の効果が現われず、また１０ｗｔ％
を越えて添加した場合には、焼結性が低下するからであ
る．より好ましくは０．３〜３ｗｔ％である．Ｃｒ酸化
物としては、化合物として最も安定なＣｒ，Ｏ，を用い
ればよい。また、Ｃｒ酸化物粉末を原料として加える代
りに、焼結中にＣｒ酸化物に変化する化合物、例えばＣ
ｒ（Ｎ Ｏ，），・９Ｈ，Ｏ，ＣｒＣｌ，・６Ｈ，０な
どを用いることも可能である。
また、本発明は従来公知の導電性セラミックス焼結体に
広く遺用が可能である。
広く遺用が可能である。
すなわち、母材となる窒化珪素系セラミックスとしては
、 αまたはβＳｔ，Ｎ４を主成分とする窒化珪素焼結体 Ｓｉ．−ＺＡＩＺＯ！Ｎ，−Ｚ（０＜Ｚ≦４．２）で示
されるβサイアロン焼結体、 Ｍｘ（Ｓｉ，ＡＩ），．（０，Ｎ）．［ｘ（２，ＭはＬ
ｉ，Ｍｇ，Ｃａ， Ｙ ，希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ除＜
）］で示されるαサイアロン焼結体、 およびこれらの複合した窒化珪素系セラミックス焼結体 のいずれであっても所定の効果を得ることができる。な
お、βサイアロンにあっては、ｚ＜１の場合には常温、
高温強度が優れ、硬さ、靭性も高いものとなるので望ま
しい。
、 αまたはβＳｔ，Ｎ４を主成分とする窒化珪素焼結体 Ｓｉ．−ＺＡＩＺＯ！Ｎ，−Ｚ（０＜Ｚ≦４．２）で示
されるβサイアロン焼結体、 Ｍｘ（Ｓｉ，ＡＩ），．（０，Ｎ）．［ｘ（２，ＭはＬ
ｉ，Ｍｇ，Ｃａ， Ｙ ，希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ除＜
）］で示されるαサイアロン焼結体、 およびこれらの複合した窒化珪素系セラミックス焼結体 のいずれであっても所定の効果を得ることができる。な
お、βサイアロンにあっては、ｚ＜１の場合には常温、
高温強度が優れ、硬さ、靭性も高いものとなるので望ま
しい。
また、本系導電性セラミックス焼結体においては、導電
性物質の量を１０〜７０ＶＯ１％とすることが必要であ
る。導電性化合物量が１０ｖｏｌ％未満では導電性を付
与することができず、また７０ｖｏｌ％を越えると窒化
珪素系セラミックスが本来持つ高温強度、耐酸化性が損
なわれるからである。
性物質の量を１０〜７０ＶＯ１％とすることが必要であ
る。導電性化合物量が１０ｖｏｌ％未満では導電性を付
与することができず、また７０ｖｏｌ％を越えると窒化
珪素系セラミックスが本来持つ高温強度、耐酸化性が損
なわれるからである。
導電性物質としては、ＩＶａ，ＶａおよびＶｌａ族の遷
移金属元素の炭化物、窒化物およびこれら化合物から形
成される複化合物の１種または２種以上の導電性化合物
としては、種々のものを選択することが可能であるが、
ＴｉＮを選択した場合には、焼結性、強度、耐酸化性等
の面から好ましい結果が得られる。
移金属元素の炭化物、窒化物およびこれら化合物から形
成される複化合物の１種または２種以上の導電性化合物
としては、種々のものを選択することが可能であるが、
ＴｉＮを選択した場合には、焼結性、強度、耐酸化性等
の面から好ましい結果が得られる。
また、前記複化合物とは炭窒化物、さらに複窒化物、複
炭化物等を言う。
炭化物等を言う。
導電性セラミックスをヒータｉとして用いる場合に高い
電気抵抗率が必要となる場合もある。この場合には、上
記の導電性物質に加え、ＳｉＣを添加すれば電気抵抗率
のパラツキを抑制しつつ、高い電気抵抗率を得ることが
できる．ＳｉＣ添加によって電気抵抗率のパラツキが抑
制される理由は前記特開昭６３〜２３８２８１号に記載
した通りである．ＳｉＣの添加量は０．１〜５０ｖｏｌ
％とする必要がある．０．１ｖｏｌ％末滴ではその効果
が期待できず、５０ｖｏｌ％を越えると焼結性が低下し
、緻密な焼結体を得ることが困難となるからである．さ
らに望ましいＳｉＣの添加量は３〜３０ｖｏｌ％である
。
電気抵抗率が必要となる場合もある。この場合には、上
記の導電性物質に加え、ＳｉＣを添加すれば電気抵抗率
のパラツキを抑制しつつ、高い電気抵抗率を得ることが
できる．ＳｉＣ添加によって電気抵抗率のパラツキが抑
制される理由は前記特開昭６３〜２３８２８１号に記載
した通りである．ＳｉＣの添加量は０．１〜５０ｖｏｌ
％とする必要がある．０．１ｖｏｌ％末滴ではその効果
が期待できず、５０ｖｏｌ％を越えると焼結性が低下し
、緻密な焼結体を得ることが困難となるからである．さ
らに望ましいＳｉＣの添加量は３〜３０ｖｏｌ％である
。
上記の本発明導電性セラミックス焼結体は、次のような
製造方法により得ることができる．すなわちＳｉ，Ｎ４
粉末、Ａｌ，Ｏ，粉末、ＡＩＮ粉末、ＩＩＩａ族元素（
希土類元素を含む）の酸化物粉末，ＭｇＯ粉末等を所定
の窒化珪素および／またはサイアロンとなるように配合
し、これらに対し導電性物質であるＮａ，Ｖａおよび■
ａ族の遷移金属元素の炭化物、窒化物およびこれら化合
物から形成される複化合物の１種または２種以上の粉末
、あるいはさらにＳｉＣ粉末を所定量添加し、さらにＣ
ｒ酸化物粉末（あるいは焼結中にＣｒ酸化物となる物質
）を添加する．そして、混合、成形の後、非酸化性雰囲
気中で焼結する。ここで焼結は常圧焼結、ガス圧焼結、
ＨＩＰ焼結（熱間静水圧プレス）、ホットプレス等の各
種方法を選ぶことができる。焼結の雰囲気は非酸化性雰
囲気で行なうことが好ましく、Ｎ，ガス雰囲気、加圧Ｎ
，ガス雰囲気、減圧Ｎ２ガス雰囲気、Ｎ，を含む不活性
ガス雰囲気等必要に応じ各種の条件で焼結を行なうこと
が可能である。
製造方法により得ることができる．すなわちＳｉ，Ｎ４
粉末、Ａｌ，Ｏ，粉末、ＡＩＮ粉末、ＩＩＩａ族元素（
希土類元素を含む）の酸化物粉末，ＭｇＯ粉末等を所定
の窒化珪素および／またはサイアロンとなるように配合
し、これらに対し導電性物質であるＮａ，Ｖａおよび■
ａ族の遷移金属元素の炭化物、窒化物およびこれら化合
物から形成される複化合物の１種または２種以上の粉末
、あるいはさらにＳｉＣ粉末を所定量添加し、さらにＣ
ｒ酸化物粉末（あるいは焼結中にＣｒ酸化物となる物質
）を添加する．そして、混合、成形の後、非酸化性雰囲
気中で焼結する。ここで焼結は常圧焼結、ガス圧焼結、
ＨＩＰ焼結（熱間静水圧プレス）、ホットプレス等の各
種方法を選ぶことができる。焼結の雰囲気は非酸化性雰
囲気で行なうことが好ましく、Ｎ，ガス雰囲気、加圧Ｎ
，ガス雰囲気、減圧Ｎ２ガス雰囲気、Ｎ，を含む不活性
ガス雰囲気等必要に応じ各種の条件で焼結を行なうこと
が可能である。
なお、ＩＶａ、ＶａおよびＶＩａ族の遷移金属元素の炭
化物、窒化物およびこれら化合物から形成される複化合
物は、焼結中にそれぞれそれらの化合物に変化するもの
を原料として用いることもできる．また、焼結後にＨＩ
Ｐ（熱間静水圧プレス）処理によりさらに特性の向上を
図ったり、熱処理を行ない粒界相を結晶化させたりする
ことも可能である。
化物、窒化物およびこれら化合物から形成される複化合
物は、焼結中にそれぞれそれらの化合物に変化するもの
を原料として用いることもできる．また、焼結後にＨＩ
Ｐ（熱間静水圧プレス）処理によりさらに特性の向上を
図ったり、熱処理を行ない粒界相を結晶化させたりする
ことも可能である。
［実施例］
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳しく説明する
。
。
実施例Ｉ
Ｓｉ，Ｎ，粉末（粒度０．７μｒｎ，α化率９３％）、
Ｙ，Ｏ，粉末（粒度１μｍ，純度９９．９９％）、ＡＩ
Ｎ粉末（粒度１μｍ）、Ａｔ，Ｏ，粉末（粒度０．５μ
ｍ，純度９９．５％）を用い、Ｚの値が０．４のβサイ
アロンとなるような組成に配合した（ｙ，ｏ，量は６ｗ
ｔ％）。これに対し、ＴｉＮ粉末を２５ｖｏｌ％添加し
たものを原料粉末とし、これにＷ．８４Ｃ，Ｚｒ○，、
ＭＯおよびＣ ｒ＠ Ｏ ｓ （粉末粒径１〜３μｍ）
をそれぞれＩＷｔ％添加した後、混合、成形し、１気圧
窒素雰囲気中で１７２０℃×６時間焼結した。
Ｙ，Ｏ，粉末（粒度１μｍ，純度９９．９９％）、ＡＩ
Ｎ粉末（粒度１μｍ）、Ａｔ，Ｏ，粉末（粒度０．５μ
ｍ，純度９９．５％）を用い、Ｚの値が０．４のβサイ
アロンとなるような組成に配合した（ｙ，ｏ，量は６ｗ
ｔ％）。これに対し、ＴｉＮ粉末を２５ｖｏｌ％添加し
たものを原料粉末とし、これにＷ．８４Ｃ，Ｚｒ○，、
ＭＯおよびＣ ｒ＠ Ｏ ｓ （粉末粒径１〜３μｍ）
をそれぞれＩＷｔ％添加した後、混合、成形し、１気圧
窒素雰囲気中で１７２０℃×６時間焼結した。
得られた焼結体より３Ｘ４Ｘ ４０ｍの試験片を切り出
し、大気中で８５０℃、１００時間保持の酸化試験を行
ない、酸化増量を調べた。結果を第１図に示す．これよ
りＣｒ，Ｏ，添加により８００〜９００℃での耐酸化性
が著しく改善されることがわかる． なお、これら焼結体の相対密度はいずれも９８％以上で
あった。
し、大気中で８５０℃、１００時間保持の酸化試験を行
ない、酸化増量を調べた。結果を第１図に示す．これよ
りＣｒ，Ｏ，添加により８００〜９００℃での耐酸化性
が著しく改善されることがわかる． なお、これら焼結体の相対密度はいずれも９８％以上で
あった。
実施例２
実施例１と同様の粉末およびＳｉＣ粉末（粒径０．７Ｉ
Ｌｎ）を用いて，実施例１と同一組成のサイアロンおよ
び２０ｖｏｌ％のＴｉＮ、８ｖ０１％のＳｉＣとなるよ
うな組成に配合した。これにＣｒ，Ｏ，を０．１〜８ｗ
ｔ％添加した。これらを実施例１と同様な条件で焼結し
、得られた焼結体の密度を測定後、これより３Ｘ４Ｘ４
０ｍｍの試験片を切出し、大気中で８５０℃、１５０時
間保持の酸化試験を行ない。酸化増量を測定した。結果
を第１表に示す。
Ｌｎ）を用いて，実施例１と同一組成のサイアロンおよ
び２０ｖｏｌ％のＴｉＮ、８ｖ０１％のＳｉＣとなるよ
うな組成に配合した。これにＣｒ，Ｏ，を０．１〜８ｗ
ｔ％添加した。これらを実施例１と同様な条件で焼結し
、得られた焼結体の密度を測定後、これより３Ｘ４Ｘ４
０ｍｍの試験片を切出し、大気中で８５０℃、１５０時
間保持の酸化試験を行ない。酸化増量を測定した。結果
を第１表に示す。
第 １ 表
で耐酸化性向上が達成されることが理解される。
但し、焼結密度を考慮した場合、０．３〜３ｗｔ％にす
ることが望ましい。
ることが望ましい。
実施例３
実施例１と同様の粉末およびＴｉＣ，ＺｒＮ（いずれも
粒径１ ．５ μｍ）、およびＭｇＯ（粒径０．５μｍ
）を用い、第２表に示す組成のＳｉ，Ｎ４およびサイア
ロンとなるよう配合し、これらに対し２５ｖｏｌ％の導
電性化合物を添加した。さらにＣｒ，Ｏ，を１ ．５ｗ
ｔ％添加し、混合、成形、焼結を行なった。焼結条件は
表中に示す。これらにつき実施例１と同様に試験片を切
り出し、大気中で８５０℃、１５０時間保持の酸化試験
を行なった。ここでそれぞれＣｒ．Ｏ，を添加していな
いものを比較例として用いた。結果を第２表に示す。
粒径１ ．５ μｍ）、およびＭｇＯ（粒径０．５μｍ
）を用い、第２表に示す組成のＳｉ，Ｎ４およびサイア
ロンとなるよう配合し、これらに対し２５ｖｏｌ％の導
電性化合物を添加した。さらにＣｒ，Ｏ，を１ ．５ｗ
ｔ％添加し、混合、成形、焼結を行なった。焼結条件は
表中に示す。これらにつき実施例１と同様に試験片を切
り出し、大気中で８５０℃、１５０時間保持の酸化試験
を行なった。ここでそれぞれＣｒ．Ｏ，を添加していな
いものを比較例として用いた。結果を第２表に示す。
？上より、Ｃｒ■Ｏ，添加量が０．１〜８．Ｏｗｔχの
範囲以上より、各種導電性化合物、サイアロン、Ｓｉ，
Ｎ，の種類によらずＣｒ，○，添加により８００〜９０
０℃の耐酸化性が大幅に改善されることがわかる。
範囲以上より、各種導電性化合物、サイアロン、Ｓｉ，
Ｎ，の種類によらずＣｒ，○，添加により８００〜９０
０℃の耐酸化性が大幅に改善されることがわかる。
以上の実施例により、ＳＬ，Ｎ４基セラミックスを母材
としＴｉＮなとの導電性化合物を添加した導電性セラミ
ックス焼結体およびヒーターにおいて、特に問題となる
８００〜９００℃の急激な酸化現象を抑制するためにＣ
ｒ，Ｏ，を添加することが極めて有効であることがわか
る。
としＴｉＮなとの導電性化合物を添加した導電性セラミ
ックス焼結体およびヒーターにおいて、特に問題となる
８００〜９００℃の急激な酸化現象を抑制するためにＣ
ｒ，Ｏ，を添加することが極めて有効であることがわか
る。
本発明により、従来の導電性を有する窒化珪素、サイア
ロン焼結体において問題である８００〜９００℃におけ
る急激な酸化現象を抑制することが可能となった。これ
によりヒーター材、高温用途への本系材料の使用が可能
となり、用途も大幅に広がる。
ロン焼結体において問題である８００〜９００℃におけ
る急激な酸化現象を抑制することが可能となった。これ
によりヒーター材、高温用途への本系材料の使用が可能
となり、用途も大幅に広がる。
第１図は各種添加元素と酸化増量の関係を示すグラフで
ある。
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性物質が１０〜７０ｖｏｌ％、Ｃｒ酸化物が０
．１〜１０ｗｔ％、残部窒化珪素系セラミックスからな
ることを特徴とする導電性セラミックス焼結体。 ２ 窒化珪素系セラミックスがサイアロンである特許請
求の範囲第１項記載の導電性セラミックス焼結体。 ３ 導電性物質がIVａ、ＶａおよびVIａ族の遷移金属元
素の炭化物、窒化物およびこれら化合物から形成される
複化合物の１種または２種以上の導電性化合物である特
許請求の範囲第１項または第２項記載の導電性セラミッ
クス焼結体。 ４ 導電性物質がＴｉＮである特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の導電性セラミックス焼結体。 ５ 導電性物質がIVａ、ＶａおよびVIａ族の遷移金属元
素の炭化物、窒化物およびこれら化合物から形成される
複化合物の１種または２種以上の導電性化合物が１０〜
７０ｖｏｌ％、ならびに第２の導電性物質としてＳｉＣ
を０．１〜５０ｖｏｌ％、Ｃｒ酸化物が０．１〜１０ｗ
ｔ％、残部窒化珪素系セラミックスからなることを特徴
とする導電性セラミックス焼結体。 ６ 第１の導電性物質がＴｉＮである特許請求の範囲第
５項記載の導電性セラミックス焼結体。 ７ Ｃｒ酸化物の添加量が０．３〜３ｗｔ％であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいず
れかに記載の導電性セラミックス焼結体。 ８ ＴｉＮが１０〜６０ｖｏｌ％、Ｃｒ酸化物が０．１
〜１０ｗｔ％、残部窒化珪素系セラミックスからなるこ
とを特徴とするヒーター。 ９ ＴｉＮが１０〜４０ｖｏｌ％、ＳｉＣが３〜３０ｖ
ｏｌ％、Ｃｒ酸化物が０．１〜１０ｗｔ％、残部窒化珪
素からなることを特徴とするヒーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051459A JPH02229765A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 導電性セラミックス焼結体およびヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051459A JPH02229765A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 導電性セラミックス焼結体およびヒーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02229765A true JPH02229765A (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=12887519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1051459A Pending JPH02229765A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 導電性セラミックス焼結体およびヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02229765A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303055B1 (en) | 1998-01-16 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Composition of a high sensitivity sensor for detecting mechanical quantity |
| JP2003300780A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-21 | Toshiba Corp | 窒化けい素製耐摩耗性部材およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1051459A patent/JPH02229765A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303055B1 (en) | 1998-01-16 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Composition of a high sensitivity sensor for detecting mechanical quantity |
| JP2003300780A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-21 | Toshiba Corp | 窒化けい素製耐摩耗性部材およびその製造方法 |
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