JPH02230129A - 反射型液晶表示デバイス - Google Patents
反射型液晶表示デバイスInfo
- Publication number
- JPH02230129A JPH02230129A JP1050430A JP5043089A JPH02230129A JP H02230129 A JPH02230129 A JP H02230129A JP 1050430 A JP1050430 A JP 1050430A JP 5043089 A JP5043089 A JP 5043089A JP H02230129 A JPH02230129 A JP H02230129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- electrode
- reflective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プロジエクション表示デハイスに利用するア
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関する
ものである。
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関する
ものである。
従来の技術
近年、アクティブ素子を利用した液晶表示デバイスはポ
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
以下に従来の反射型液晶表示デバイスについて説明する
。
。
第３図は従来の反射型液晶表示デバイスの断面図であり
、第４図は薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴ）の具備さ
れた基板の平面図である。ｌは絶縁基板、２はソース電
極、３はゲート電極、４は半導体部、５はドレイン電極
、６はゲート絶縁層、７は絶縁体層、８は反射画素電極
、９は液晶層、１０は対向共通電極、１ｌは対向透明基
板である。
、第４図は薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴ）の具備さ
れた基板の平面図である。ｌは絶縁基板、２はソース電
極、３はゲート電極、４は半導体部、５はドレイン電極
、６はゲート絶縁層、７は絶縁体層、８は反射画素電極
、９は液晶層、１０は対向共通電極、１ｌは対向透明基
板である。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスについ
て、以下その動作について説明する。
て、以下その動作について説明する。
ゲート電極３に電圧が印加されトランジスタがオン状態
になるとソース電極２の信号電流がドレイン電極５に流
れ、反射画素電極９へと流れる。
になるとソース電極２の信号電流がドレイン電極５に流
れ、反射画素電極９へと流れる。
これにより、反射画素電極９上部に設けられた液晶を駆
動させて光をスイッチングし、画素間でコントラストを
取ることによって画像を得る。通常、一つの画素に信号
が書き込まれる時間は非常に短《、現行のテレビ放送（
例えば、ＮＴＳＣ方式）の場合、約６０分の１秒間であ
るのに対し、それ以外の時間は、ゲート電極には無印加
またはオン状態とは逆の極性の電圧が印加され、トラン
ジスタがオフ状態にある。こうして次にゲート電極が選
択され、新たにソース信号が書き込まれるまで、液晶に
加わった電圧を保持する。
動させて光をスイッチングし、画素間でコントラストを
取ることによって画像を得る。通常、一つの画素に信号
が書き込まれる時間は非常に短《、現行のテレビ放送（
例えば、ＮＴＳＣ方式）の場合、約６０分の１秒間であ
るのに対し、それ以外の時間は、ゲート電極には無印加
またはオン状態とは逆の極性の電圧が印加され、トラン
ジスタがオフ状態にある。こうして次にゲート電極が選
択され、新たにソース信号が書き込まれるまで、液晶に
加わった電圧を保持する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のようにＴＰＴのソース電極部分が反
射画素電極に重なっている構成では、ＴＰＴがオフ状態
の時、ソース電極と反射画素電極との間に容量が発生し
、ソースにかかる電位が変化すると液晶に加わっていた
電圧が変化する。（第５図）これによって、液晶ムこ印
加された電圧の保持が出来なくなる。これは、画像の輝
度むらおよびコントラストの低下をきたすという欠点を
有していた。
射画素電極に重なっている構成では、ＴＰＴがオフ状態
の時、ソース電極と反射画素電極との間に容量が発生し
、ソースにかかる電位が変化すると液晶に加わっていた
電圧が変化する。（第５図）これによって、液晶ムこ印
加された電圧の保持が出来なくなる。これは、画像の輝
度むらおよびコントラストの低下をきたすという欠点を
有していた。
本発明は上記の問題点を解決するものでディスプレイ画
面の輝度むらおよびコントラストの低下を解消すること
のできる反射型液晶表示デバイスを提供することを目的
とする。
面の輝度むらおよびコントラストの低下を解消すること
のできる反射型液晶表示デバイスを提供することを目的
とする。
課題を解決するための手段
この目的を解決するために本発明の反射型液晶表示デバ
イスは、ＴＰＴを構成しているソース電極を反射画素電
極に重ならないよう反射画素電極の外側に形成した構成
となっている。
イスは、ＴＰＴを構成しているソース電極を反射画素電
極に重ならないよう反射画素電極の外側に形成した構成
となっている。
作用
この構成によって、ＴＰＴがオフ状態の時にソース電極
と反射画素電極間に発生ずる容量を軽減することができ
、ソース電極の電位が変化しても画素に加わった電位の
変化が少なく、表示における輝度むらまたはコントラス
トの低下を押えることができる。
と反射画素電極間に発生ずる容量を軽減することができ
、ソース電極の電位が変化しても画素に加わった電位の
変化が少なく、表示における輝度むらまたはコントラス
トの低下を押えることができる。
実施例
以下本発明の一実施例の反射型液晶表示デバイスについ
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの断面図であり、第２図は本発明の一実施例におけ
る反射型液晶表示デバイスのＴＰＴが具備された基板の
平面構造を示すものである。
イスの断面図であり、第２図は本発明の一実施例におけ
る反射型液晶表示デバイスのＴＰＴが具備された基板の
平面構造を示すものである。
２Ｉは絶縁基板としてガラス基板、２２はソース電極、
２３はゲート電極、２４は半導体部として非品質珪素、
２５はドレインｔ極、２６はゲート絶縁層として非晶質
窒化珪素層、２７は絶縁体層として非品質窒化珪素、２
８は反射画素電極、２９は液晶、３０は酸化インジウム
・スズ（ＩＴＯ）、３１はガラス基板である。
２３はゲート電極、２４は半導体部として非品質珪素、
２５はドレインｔ極、２６はゲート絶縁層として非晶質
窒化珪素層、２７は絶縁体層として非品質窒化珪素、２
８は反射画素電極、２９は液晶、３０は酸化インジウム
・スズ（ＩＴＯ）、３１はガラス基板である。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスについ
て、その動作は従来例の動作と同様である。
て、その動作は従来例の動作と同様である。
以上のように本実施例によれば、ＴＰＴを構成している
ソース電極が反射画素電極１８と重なっていないために
、ＴＰＴがオフ状態の時にソース電極と反射画素電極間
に発生する容量を軽減することができ、ソース電極の電
位が変化しても画素に加わった電位の変化が少なく、表
示における輝度むらまたはコントラストの低下を抑える
ことができる。
ソース電極が反射画素電極１８と重なっていないために
、ＴＰＴがオフ状態の時にソース電極と反射画素電極間
に発生する容量を軽減することができ、ソース電極の電
位が変化しても画素に加わった電位の変化が少なく、表
示における輝度むらまたはコントラストの低下を抑える
ことができる。
発明の効果
以上のように本発明は反射型液晶表示デバイスにおいて
、薄膜トランジスタを構成しているソース電掻を反射画
素電極と重ならないように反射画素電極間の外側に位置
するような構成にすることにより、ＴＰＴがオフ状態の
時にソース電掻と反射画素電極間に発生する容量を軽減
することができ、ソース電極の電位が変化しても画素に
加わった電位の変化が少なく、すなわち、液晶に加わる
電位が保持され、ディスプレイ表示における輝度むらま
たはコントラストの低下を抑えることができる反射型液
晶表示デバイスを実現できるものである。
、薄膜トランジスタを構成しているソース電掻を反射画
素電極と重ならないように反射画素電極間の外側に位置
するような構成にすることにより、ＴＰＴがオフ状態の
時にソース電掻と反射画素電極間に発生する容量を軽減
することができ、ソース電極の電位が変化しても画素に
加わった電位の変化が少なく、すなわち、液晶に加わる
電位が保持され、ディスプレイ表示における輝度むらま
たはコントラストの低下を抑えることができる反射型液
晶表示デバイスを実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの断面図、第２図は一実施例における反射型液晶表
示デバイスＴＰＴの具備されている基板の平面図、第３
図は従来の反射型液晶表示デバイスの断面図、第４図は
従来の反射型液晶表示デバイスのＴＰＴが具備されてい
る基板の平面図、第５図は従来の反射型液晶表示デバイ
スにおける等価回路図である。 ２１・・・・・・ガラス基板、２２・・・・・・ソース
電極、２３・・・・・・ゲート電極、２４・・・・・・
非晶質珪素、２５・・・・・・ドレイン電極、２６・・
・・・・非品質窒化珪素層、２７・・・・・・非晶質窒
化珪素、２８・・・・・・反射画素電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名図 ど１．３Ｉ 一ガラス基孜 ３０−ＺＴｏ ／−−一絶揉１Ｌ抜 １／ −一一肘間透腑１款 第 図 第 図
イスの断面図、第２図は一実施例における反射型液晶表
示デバイスＴＰＴの具備されている基板の平面図、第３
図は従来の反射型液晶表示デバイスの断面図、第４図は
従来の反射型液晶表示デバイスのＴＰＴが具備されてい
る基板の平面図、第５図は従来の反射型液晶表示デバイ
スにおける等価回路図である。 ２１・・・・・・ガラス基板、２２・・・・・・ソース
電極、２３・・・・・・ゲート電極、２４・・・・・・
非晶質珪素、２５・・・・・・ドレイン電極、２６・・
・・・・非品質窒化珪素層、２７・・・・・・非晶質窒
化珪素、２８・・・・・・反射画素電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名図 ど１．３Ｉ 一ガラス基孜 ３０−ＺＴｏ ／−−一絶揉１Ｌ抜 １／ −一一肘間透腑１款 第 図 第 図
Claims (3)
- （１）液晶を表示させるためにマトリックス上に配列さ
れている反射画素電極群と、前記画素電極に信号を供給
するための逆スタッガー型薄膜トランジスタからなるス
イッチング素子群とを具備した基板と、液晶を介して一
定の間隔を有して前記基板と対向し、共通電極を有して
いる基板とで構成されており、前記薄膜トランジスタを
構成しているソース電極部分が反射画素電極と重ならな
いような構成としたことを特徴とする反射型液晶表示デ
バイス。 - （２）スイッチング素子が各画素に複数形成されている
ことを特徴とする請求項（１）記載の反射型液晶表示デ
バイス。 - （３）反射画素電極群の各表示画素に補助容量が形成さ
れていることを特徴とする請求項（１）記載の反射型液
晶表示デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050430A JPH02230129A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 反射型液晶表示デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050430A JPH02230129A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 反射型液晶表示デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230129A true JPH02230129A (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=12858653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050430A Pending JPH02230129A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 反射型液晶表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230129A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008083731A (ja) * | 2000-01-26 | 2008-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US7554616B1 (en) | 1992-04-28 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| US8017456B2 (en) | 2000-01-26 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1989
- 1989-03-02 JP JP1050430A patent/JPH02230129A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554616B1 (en) | 1992-04-28 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| JP2008083731A (ja) * | 2000-01-26 | 2008-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8017456B2 (en) | 2000-01-26 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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