JPH02230715A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH02230715A JPH02230715A JP1050040A JP5004089A JPH02230715A JP H02230715 A JPH02230715 A JP H02230715A JP 1050040 A JP1050040 A JP 1050040A JP 5004089 A JP5004089 A JP 5004089A JP H02230715 A JPH02230715 A JP H02230715A
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- JP
- Japan
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- silicon substrate
- quartz
- substrate
- ray
- mask
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- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線露光に使用するＸ線マスクの製造方法に関し、
寸法精度のよいＸ線マスクを従来のノリコン半導体技術
を利用して形成することができるＸ線マスクの製造方法
を提供することを目的とし、シリコン基板を石英基板に
貼り合わせる工程と、前記シリコン基板を所定のパター
ンにエンチングする工程と、前記エッチングしたシリコ
ン基板にＸ線透過係数の低い重金属膜を埋め込む工程と
、前記石英基板の周辺以外の部分を除去し石英枠を形成
する工程とを含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方
法を含み構成する。
を利用して形成することができるＸ線マスクの製造方法
を提供することを目的とし、シリコン基板を石英基板に
貼り合わせる工程と、前記シリコン基板を所定のパター
ンにエンチングする工程と、前記エッチングしたシリコ
ン基板にＸ線透過係数の低い重金属膜を埋め込む工程と
、前記石英基板の周辺以外の部分を除去し石英枠を形成
する工程とを含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方
法を含み構成する。
本発明は、Ｘ線露光に使用するＸ線マスクの製造方法に
関する。
関する。
近年、半導体装置製造プロセスにおいて、素子の微細化
に伴い、従来の光学的手段による露光方法が限界に近づ
いてきている。このため、Ｘ線を用いてマスクパターン
をウエハ上のレジストに転写するＸ線露光方法が検討さ
れている。このＸ線露光に使用するＸ線マスクとしては
、例えば、特開昭５８−２１５０２３号公報に開示され
たものがあり、第２図（ａ）〜（ｄ）はこのような従来
のＸ線マスクの製造工程を示す断面図である。
に伴い、従来の光学的手段による露光方法が限界に近づ
いてきている。このため、Ｘ線を用いてマスクパターン
をウエハ上のレジストに転写するＸ線露光方法が検討さ
れている。このＸ線露光に使用するＸ線マスクとしては
、例えば、特開昭５８−２１５０２３号公報に開示され
たものがあり、第２図（ａ）〜（ｄ）はこのような従来
のＸ線マスクの製造工程を示す断面図である。
まず、同図（ａ）に示すように、例えば、２ｍｍ程度の
厚さの石英基板１が用意され、同図（ｂ）に示すように
、この石英基板１の表面に、化学蒸着法によりＸ線を透
過する窒化ケイ素などからなるメンプラン膜２が形成さ
れる。そして、同図（Ｃ）に示すように、このメンプラ
ン膜２上にＸ線阻止能を有する金などの重金属膜３がパ
ターン状に形成され、その後、同図（ｄ）に示すように
、石英基板１を裏面側からエッチングして石英枠４を形
成することにより、Ｘ線マスクが形成される。
厚さの石英基板１が用意され、同図（ｂ）に示すように
、この石英基板１の表面に、化学蒸着法によりＸ線を透
過する窒化ケイ素などからなるメンプラン膜２が形成さ
れる。そして、同図（Ｃ）に示すように、このメンプラ
ン膜２上にＸ線阻止能を有する金などの重金属膜３がパ
ターン状に形成され、その後、同図（ｄ）に示すように
、石英基板１を裏面側からエッチングして石英枠４を形
成することにより、Ｘ線マスクが形成される。
従来のＸ線マスクの製造において、薄膜のメンプラン膜
２を石英基板１に形成したり、このメンプラン膜２上に
重金属膜パターン３を精度よく形成することは、高度の
製造技術を必要とし製造が困難であり、また従来の確立
した微細加工に適したシリコン半導体集積回路の製造技
術を利用することができず、特別の加工技術を必要とし
ていた。
２を石英基板１に形成したり、このメンプラン膜２上に
重金属膜パターン３を精度よく形成することは、高度の
製造技術を必要とし製造が困難であり、また従来の確立
した微細加工に適したシリコン半導体集積回路の製造技
術を利用することができず、特別の加工技術を必要とし
ていた。
そこで本発明は、寸法精度のよいＸ線マスクを従来のシ
リコン半導体集積回路の製造技術を利用して形成するこ
とができるＸ線マスクの製造方法を提供することを目的
とする。
リコン半導体集積回路の製造技術を利用して形成するこ
とができるＸ線マスクの製造方法を提供することを目的
とする。
上記課題は、シリコン基板を石英基板に貼り合わせる工
程と、前記シリコン基板を所定のパターンにエッチング
する工程と、前記エッチングしたシリコン基板にＸ線透
過係数の低い重金属膜を埋め込む工程と、前記石英基板
を周辺以外の部分を除去し石英枠に形成する工程とを含
むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法によって達成
される。
程と、前記シリコン基板を所定のパターンにエッチング
する工程と、前記エッチングしたシリコン基板にＸ線透
過係数の低い重金属膜を埋め込む工程と、前記石英基板
を周辺以外の部分を除去し石英枠に形成する工程とを含
むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法によって達成
される。
〔作用］
本発明では、石英基板にシリコン基板を貼り合わせ、こ
のシリコン基板に所定のパターンをエッチング形成し、
このパターンにＸ線透過係数の低い重金属膜を埋め込み
、石英基板を石英枠に形成するため、シリコン半導体集
積回路製造の確立した微細加工技術を利用することが可
能になる。従って、従来の半導体製造装置を使用するこ
とができ、寸法精度のよいＸ線マスクを製造できるよう
になる。
のシリコン基板に所定のパターンをエッチング形成し、
このパターンにＸ線透過係数の低い重金属膜を埋め込み
、石英基板を石英枠に形成するため、シリコン半導体集
積回路製造の確立した微細加工技術を利用することが可
能になる。従って、従来の半導体製造装置を使用するこ
とができ、寸法精度のよいＸ線マスクを製造できるよう
になる。
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明実施例のＸ線マスクの製
造工程断面図である。
造工程断面図である。
まず、同図（ａ）に示すように、厚さが約５００μｍ程
度の石英基板１１上に、同じ５００μｍ程度の厚さのシ
リコン基板１２を貼り合わせる。この貼り合わせは、例
えば、数ｔ／ｃｍｚ程度の高い圧力を加えた状態で、約
１（｝００゜Ｃ程度の高温度で熱処理を行うか、または
パルスで発生させた静電気力を利用するなどの知られた
方法を用いる。前記した高圧力、高温度を用いる方法で
は、石英基板１１とシリコン基板１２の接触する表面の
原子が、圧力と熱により互に整合した位置に移動し落着
くことにより貼り合わされるものと理解される。
度の石英基板１１上に、同じ５００μｍ程度の厚さのシ
リコン基板１２を貼り合わせる。この貼り合わせは、例
えば、数ｔ／ｃｍｚ程度の高い圧力を加えた状態で、約
１（｝００゜Ｃ程度の高温度で熱処理を行うか、または
パルスで発生させた静電気力を利用するなどの知られた
方法を用いる。前記した高圧力、高温度を用いる方法で
は、石英基板１１とシリコン基板１２の接触する表面の
原子が、圧力と熱により互に整合した位置に移動し落着
くことにより貼り合わされるものと理解される。
次に、同図（ｂ）に示すように、シリコン基板ｌ２を機
械的な研削と化学的なエッチング法とを組合わせたポリ
ッシング技術を用いて、１〜１０μｍ程度の薄膜が残る
ようにする。
械的な研削と化学的なエッチング法とを組合わせたポリ
ッシング技術を用いて、１〜１０μｍ程度の薄膜が残る
ようにする。
次に、同図（Ｃ）に示すように、パターン描画を電子ビ
ーム露光によって形成したレジスト膜１３をマスクとし
て、シリコン基板１２を例えば、四塩化ケイ素（ＳｉＣ
１４）ガスを用いて異方性エッチングを行う。これによ
り、シリコン基板１２には、露光用のパターンを形成す
る溝が形成される。
ーム露光によって形成したレジスト膜１３をマスクとし
て、シリコン基板１２を例えば、四塩化ケイ素（ＳｉＣ
１４）ガスを用いて異方性エッチングを行う。これによ
り、シリコン基板１２には、露光用のパターンを形成す
る溝が形成される。
次に、同図（ｄ）に示すように、Ｘ線透過率の低い金（
Ａｕ）、タングステン（一）などの重金属膜１４をスバ
ッター法などにより、シリコン基板１２の露光用のパタ
ーンを形成した溝に埋め込み、さらにシリコン基板１２
の表面に２点鎖線で示すように厚く堆積する。その後、
シリコン基板１２の表面が露出するよう、厚く堆積した
重金属膜１４を研削する。
Ａｕ）、タングステン（一）などの重金属膜１４をスバ
ッター法などにより、シリコン基板１２の露光用のパタ
ーンを形成した溝に埋め込み、さらにシリコン基板１２
の表面に２点鎖線で示すように厚く堆積する。その後、
シリコン基板１２の表面が露出するよう、厚く堆積した
重金属膜１４を研削する。
次に、同図（ｅ）に示すように、石英基板１１の裏面側
に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）などのマスク１５
を用いて、石英基板１１を枠となる周辺部分を除いて、
フッ酸（ＨＦ）溶液などを用いたウエットエッチングで
除去し、石英枠１６を形成する。
に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）などのマスク１５
を用いて、石英基板１１を枠となる周辺部分を除いて、
フッ酸（ＨＦ）溶液などを用いたウエットエッチングで
除去し、石英枠１６を形成する。
上記Ｘ線マスクの製造方法によれば、石英基板１１に貼
り合わされたシリコン基板１１に所定のパターンをエッ
チング形成し、このパターンにＸ線透過係数の低い重金
属膜１４を埋め込み、石英基板１１を石英枠１６に形成
するもので、このような製造工程は、シリコン半導体集
積回路製造における確立した微細加工技術を利用して実
施することができる。従って、従来のシリコンの半導体
製造装置をそのまま使用することができ、微細加工技術
で寸法精度のよいＸ線マスクが製造できる。
り合わされたシリコン基板１１に所定のパターンをエッ
チング形成し、このパターンにＸ線透過係数の低い重金
属膜１４を埋め込み、石英基板１１を石英枠１６に形成
するもので、このような製造工程は、シリコン半導体集
積回路製造における確立した微細加工技術を利用して実
施することができる。従って、従来のシリコンの半導体
製造装置をそのまま使用することができ、微細加工技術
で寸法精度のよいＸ線マスクが製造できる。
なお、上記実施例においては、重金属膜１４としてＡｕ
， Ｗなどを用いているが、Ｘ線透過率の低い材料であ
れば、例えば、タンタル（Ｔａ）などを用いることもで
きる。
， Ｗなどを用いているが、Ｘ線透過率の低い材料であ
れば、例えば、タンタル（Ｔａ）などを用いることもで
きる。
（発明の効果）
以上説明した様に本発明によれば、石英基板にシリコン
基板を貼り合わせ、このシリコン基板に所定のパターン
をエッチング形成し、このパターンにＸ線透過係数の低
い重金属膜を埋め込み、石英基板から石英枠を形成する
ため、シリコン半導体 製造の確立した微細加工技術を
利用することが可能になる。従って、従来の半導体製造
装置を使用し、寸法精度のよいＸ線マスクを製造できる
効果がある。
基板を貼り合わせ、このシリコン基板に所定のパターン
をエッチング形成し、このパターンにＸ線透過係数の低
い重金属膜を埋め込み、石英基板から石英枠を形成する
ため、シリコン半導体 製造の確立した微細加工技術を
利用することが可能になる。従って、従来の半導体製造
装置を使用し、寸法精度のよいＸ線マスクを製造できる
効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明実施例のＸ線マスクの製
造工程断面図、 第２図（ａ）〜（ｄ）は従来のＸ線マスクの製造工程断
面図である。 図中、 １１は石英基板、 １２はシリコン基板、 １３はレジスト膜、 １４は重金属膜、 １５はマスク、 １６は石英枠 を示す。 ４−１は梗 ５−・マスク 特許出願人 富士通株式会社
造工程断面図、 第２図（ａ）〜（ｄ）は従来のＸ線マスクの製造工程断
面図である。 図中、 １１は石英基板、 １２はシリコン基板、 １３はレジスト膜、 １４は重金属膜、 １５はマスク、 １６は石英枠 を示す。 ４−１は梗 ５−・マスク 特許出願人 富士通株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコン基板（１２）を石英基板（１１）に貼り合わせ
る工程と、 前記シリコン基板（１２）を所定のパターンにエッチン
グする工程と、 前記エッチングしたシリコン基板（１２）にＸ線透過係
数の低い重金属膜（１４）を埋め込む工程と、前記石英
基板（１１）の周辺以外の部分を除去し石英枠（１６）
を形成する工程とを含むことを特徴とするＸ線マスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050040A JPH02230715A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1050040A JPH02230715A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230715A true JPH02230715A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12847888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1050040A Pending JPH02230715A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230715A (ja) |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1050040A patent/JPH02230715A/ja active Pending
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