JPH0458167B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0458167B2 JPH0458167B2 JP58151947A JP15194783A JPH0458167B2 JP H0458167 B2 JPH0458167 B2 JP H0458167B2 JP 58151947 A JP58151947 A JP 58151947A JP 15194783 A JP15194783 A JP 15194783A JP H0458167 B2 JPH0458167 B2 JP H0458167B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etched
- etching
- mask
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は光線、電子ビームなどに感応する感
応性レジスト膜を用いて微細パターンを形成する
方法に関するものである。
応性レジスト膜を用いて微細パターンを形成する
方法に関するものである。
半導体集積回路装置などの製造工程において
は、半導体基板の主面上にエツチングによつて微
細パターンを形成すべきポリシリコン膜などの被
エツチング膜を形成し、この被エツチング膜の表
面上に、光線、Ｘ線、電子ビームまたはイオンビ
ームに感応する感応性レジストをスピンナ法など
で塗布しベーキングして感応性レジスト膜を成膜
したのちに、この感応性レジスト膜の被エツチン
グ膜の微細パターンを形成すべき部分上の部分が
残るように、この感応性レジスト膜に光線、Ｘ
線、電子ビームまたはイオンビームを照射し現像
してエツチングマスク用レジスト膜を形成し、こ
のレジスト膜をマスクとして被エツチング膜にエ
ツチングを施して被エツチング膜の微細パターン
を形成する工程がある。
は、半導体基板の主面上にエツチングによつて微
細パターンを形成すべきポリシリコン膜などの被
エツチング膜を形成し、この被エツチング膜の表
面上に、光線、Ｘ線、電子ビームまたはイオンビ
ームに感応する感応性レジストをスピンナ法など
で塗布しベーキングして感応性レジスト膜を成膜
したのちに、この感応性レジスト膜の被エツチン
グ膜の微細パターンを形成すべき部分上の部分が
残るように、この感応性レジスト膜に光線、Ｘ
線、電子ビームまたはイオンビームを照射し現像
してエツチングマスク用レジスト膜を形成し、こ
のレジスト膜をマスクとして被エツチング膜にエ
ツチングを施して被エツチング膜の微細パターン
を形成する工程がある。
ところで、このような方法では、半導体基板の
主面部に段差がある場合には、この半導体基板の
主面上に形成される被エツチング膜の表面部にも
半導体基板の主面部における段差と同様の段差が
できる。しかし、この段差のある被エツチング膜
の表面上にスピンナ法などで形成される感応性レ
ジスト膜の表面は比較的平坦になるので、この感
応性レジスト膜の被エツチング膜の段差の上面側
の部分の膜厚は段差の下面側の部分の膜厚より薄
くなる。従つて、膜厚の薄い部分と膜厚の厚い部
分とがある感応性レジスト膜によつて微細パター
ンのエツチングマスク用レジスト膜を精度よく形
成することは容易ではないという問題があつた。
主面部に段差がある場合には、この半導体基板の
主面上に形成される被エツチング膜の表面部にも
半導体基板の主面部における段差と同様の段差が
できる。しかし、この段差のある被エツチング膜
の表面上にスピンナ法などで形成される感応性レ
ジスト膜の表面は比較的平坦になるので、この感
応性レジスト膜の被エツチング膜の段差の上面側
の部分の膜厚は段差の下面側の部分の膜厚より薄
くなる。従つて、膜厚の薄い部分と膜厚の厚い部
分とがある感応性レジスト膜によつて微細パター
ンのエツチングマスク用レジスト膜を精度よく形
成することは容易ではないという問題があつた。
このような問題を解決するために、三層レジス
トプロセスと呼ばれる方法が提案されている。
トプロセスと呼ばれる方法が提案されている。
第１図Ａ〜Ｆは従来の三層レジストプロセスの
一例の主要段階の状態を示す断面図である。
一例の主要段階の状態を示す断面図である。
まず、第１図Ａに示すように、半導体基板１の
主面上に被エツチング膜２を形成したのちに、被
エツチング膜２の表面上にフオトレジストなどの
有機物の塗布液をスピンナ法などで塗布しベーキ
ングして有機膜３を成膜する。次いで、有機膜３
の表面上に酸化シリコン膜などの中間膜４を
CVD法などで形成し、更に、中間膜４の表面上
に光線、Ｘ線、電子ビームまたはイオンビームに
感応する感応性レジストをスピンナ法などで塗布
しベーキングして感応性レジスト膜５を成膜す
る。
主面上に被エツチング膜２を形成したのちに、被
エツチング膜２の表面上にフオトレジストなどの
有機物の塗布液をスピンナ法などで塗布しベーキ
ングして有機膜３を成膜する。次いで、有機膜３
の表面上に酸化シリコン膜などの中間膜４を
CVD法などで形成し、更に、中間膜４の表面上
に光線、Ｘ線、電子ビームまたはイオンビームに
感応する感応性レジストをスピンナ法などで塗布
しベーキングして感応性レジスト膜５を成膜す
る。
次に、第１図Ｂに示すように、感応性レジスト
膜５の被エツチング膜２の微細パターンを形成す
べき部分に対応する部分が残るように、感応性レ
ジスト膜５に光線、Ｘ線、電子ビームまたはイオ
ンビームを照射し現像して中間膜４の表面上にエ
ツチングマスク用レジスト膜５ａを形成する。
膜５の被エツチング膜２の微細パターンを形成す
べき部分に対応する部分が残るように、感応性レ
ジスト膜５に光線、Ｘ線、電子ビームまたはイオ
ンビームを照射し現像して中間膜４の表面上にエ
ツチングマスク用レジスト膜５ａを形成する。
次に、第１図Ｃに示すように、レジスト膜５ａ
をエツチングマスクとして中間膜４にエツチング
を施してレジスト膜５ａの下に中間膜４ａを残
す。
をエツチングマスクとして中間膜４にエツチング
を施してレジスト膜５ａの下に中間膜４ａを残
す。
次に、第１図Ｄに示すように、レジスト膜５ａ
および中間膜４ａをエツチングマスクとして、有
機膜３に酸素O2のプラズマによる異方性エツチ
ングを施して中間膜４ａの下に有機膜３ａを残
す。
および中間膜４ａをエツチングマスクとして、有
機膜３に酸素O2のプラズマによる異方性エツチ
ングを施して中間膜４ａの下に有機膜３ａを残
す。
次に、第１図Ｅに示すように、レジスト膜５
ａ、中間膜４ａおよび有機膜３ａをエツチングマ
スクとして被エツチング膜２にエツチングを施し
て有機膜３ａの下に被エツチング膜２ａを残す。
ａ、中間膜４ａおよび有機膜３ａをエツチングマ
スクとして被エツチング膜２にエツチングを施し
て有機膜３ａの下に被エツチング膜２ａを残す。
最後に、第１図Ｆに示すように、レジスト膜５
ａ、中間膜４ａおよび有機膜３ａを順次エツチン
グ除去すると、この従来例の三層レジストプロセ
スの作業が完了する。
ａ、中間膜４ａおよび有機膜３ａを順次エツチン
グ除去すると、この従来例の三層レジストプロセ
スの作業が完了する。
この従来例の三層レジストプロセスでは、半導
体基板１の主面部に段差があり、被エツチング膜
２の表面部に段差がある場合でも、有機膜３が被
エツチング膜２の表面上にスピンナ法などで成膜
されるので、有機膜３の表面は平坦になる。従つ
て、有機膜３の平坦な表面上に順次形成される中
間膜４および感応性レジスト膜５の表面も平坦に
なり、感応性レジスト膜５の膜厚は均一になるの
で、感応性レジスト膜５によつて微細パターンの
エツチングマスク用レジスト膜５ａを精度よく形
成することができる。そして、レジスト膜５ａの
下に順次形成される中間膜４ａ、有機膜３ａおよ
び被エツチング膜２ａのパターンがレジスト膜５
ａのパターンに対応するパターンになるので、被
エツチング膜２ａのパターンの微細化を図ること
ができる。
体基板１の主面部に段差があり、被エツチング膜
２の表面部に段差がある場合でも、有機膜３が被
エツチング膜２の表面上にスピンナ法などで成膜
されるので、有機膜３の表面は平坦になる。従つ
て、有機膜３の平坦な表面上に順次形成される中
間膜４および感応性レジスト膜５の表面も平坦に
なり、感応性レジスト膜５の膜厚は均一になるの
で、感応性レジスト膜５によつて微細パターンの
エツチングマスク用レジスト膜５ａを精度よく形
成することができる。そして、レジスト膜５ａの
下に順次形成される中間膜４ａ、有機膜３ａおよ
び被エツチング膜２ａのパターンがレジスト膜５
ａのパターンに対応するパターンになるので、被
エツチング膜２ａのパターンの微細化を図ること
ができる。
しかしながら、この従来例のプロセスでは、工
程数が非常に多いという欠点がある上に、中間膜
４ａの除去が非常に困難であるという欠点もあつ
た。すなわち、中間膜４ａが酸化シリコン
（SiO2）膜またはアルミニウム（Al）膜である場
合が多く、この場合には、中間膜４ａの除去時の
エツチングによつて半導体基板１が損傷された
り、被エツチング膜２ａのパターンが劣化したり
する。
程数が非常に多いという欠点がある上に、中間膜
４ａの除去が非常に困難であるという欠点もあつ
た。すなわち、中間膜４ａが酸化シリコン
（SiO2）膜またはアルミニウム（Al）膜である場
合が多く、この場合には、中間膜４ａの除去時の
エツチングによつて半導体基板１が損傷された
り、被エツチング膜２ａのパターンが劣化したり
する。
この発明は、かかる欠点を除去する目的でなさ
れたもので、半導体基板の主面上に形成された被
エツチング膜の表面上に有機膜、中間膜および感
応性レジスト膜の三層膜を形成し、この三層膜を
用いて被エツチング膜の微細パターンを形成する
方法において、中間膜を被エツチング膜のエツチ
ング時にエツチング除去可能な材質および膜厚に
設定することによつて、被エツチング膜のパター
ンの微細化を図ることができ、しかも半導体基板
の損傷や被エツチング膜のパターンの劣化のおそ
れのない、工程数の少ない微細パターンの形成方
法を提供するものである。
れたもので、半導体基板の主面上に形成された被
エツチング膜の表面上に有機膜、中間膜および感
応性レジスト膜の三層膜を形成し、この三層膜を
用いて被エツチング膜の微細パターンを形成する
方法において、中間膜を被エツチング膜のエツチ
ング時にエツチング除去可能な材質および膜厚に
設定することによつて、被エツチング膜のパター
ンの微細化を図ることができ、しかも半導体基板
の損傷や被エツチング膜のパターンの劣化のおそ
れのない、工程数の少ない微細パターンの形成方
法を提供するものである。
第２図Ａ〜Ｆはこの発明の一実施例の微細パタ
ーンの形成方法の主要段階の状態を示す断面図で
ある。
ーンの形成方法の主要段階の状態を示す断面図で
ある。
まず、第２図Ａに示すように、半導体基板１の
主面上に0.3〜1μm程度の厚さの被エツチング膜
２を形成したのちに、被エツチング膜２の表面上
に感応性レジストとほぼ同一のエツチング速度で
除去可能なポリイミド樹脂などの有機物の塗布液
をスピンナ法などで塗布しベーキングして１〜
3μm程度の厚さの有機膜３を成膜する。次いで、
有機膜３の表面上に中間膜４をプラズマCVD法
または光CVD法で成膜する。この中間膜４とし
ては、被エツチング膜２をエツチングする際にエ
ツチング除去できるようにするために、例えば被
エツチング膜２がポリシリコン膜である場合に
は、ポリシリコン膜またはポリシリコン膜とほぼ
同一のエツチング速度で除去可能なアモルフアス
シリコン膜にし、その膜厚は被エツチング膜２の
膜厚より薄くなるように設定する。しかるのち、
中間膜４の表面上に光線、Ｘ線、電子ビームまた
はイオンビームに感応する感応性レジストをスピ
ンナ法などで塗布しベーキングして有機膜３の厚
さより薄い0.2〜0.4μm程度の厚さの感応性レジス
ト膜５を成膜する。
主面上に0.3〜1μm程度の厚さの被エツチング膜
２を形成したのちに、被エツチング膜２の表面上
に感応性レジストとほぼ同一のエツチング速度で
除去可能なポリイミド樹脂などの有機物の塗布液
をスピンナ法などで塗布しベーキングして１〜
3μm程度の厚さの有機膜３を成膜する。次いで、
有機膜３の表面上に中間膜４をプラズマCVD法
または光CVD法で成膜する。この中間膜４とし
ては、被エツチング膜２をエツチングする際にエ
ツチング除去できるようにするために、例えば被
エツチング膜２がポリシリコン膜である場合に
は、ポリシリコン膜またはポリシリコン膜とほぼ
同一のエツチング速度で除去可能なアモルフアス
シリコン膜にし、その膜厚は被エツチング膜２の
膜厚より薄くなるように設定する。しかるのち、
中間膜４の表面上に光線、Ｘ線、電子ビームまた
はイオンビームに感応する感応性レジストをスピ
ンナ法などで塗布しベーキングして有機膜３の厚
さより薄い0.2〜0.4μm程度の厚さの感応性レジス
ト膜５を成膜する。
次に、第２図Ｂに示すように、感応性レジスト
膜５の被エツチング膜２の微細パターンを形成す
べき部分に対応する部分が残るように、感応性レ
ジスト膜５に光線、Ｘ線、電子ビームまたはイオ
ンビームを照射し現像して中間膜４の表面上にエ
ツチングマスク用レジスト膜５ａを形成する。
膜５の被エツチング膜２の微細パターンを形成す
べき部分に対応する部分が残るように、感応性レ
ジスト膜５に光線、Ｘ線、電子ビームまたはイオ
ンビームを照射し現像して中間膜４の表面上にエ
ツチングマスク用レジスト膜５ａを形成する。
次に、第２図Ｃに示すように、レジスト膜５ａ
をエツチングマスクとして、フレオン115
（C2ClF5）のプラズマによる異方性エツチングを
中間膜４に施してレジスト膜５ａの下にマスク用
中間膜４ａを残す。
をエツチングマスクとして、フレオン115
（C2ClF5）のプラズマによる異方性エツチングを
中間膜４に施してレジスト膜５ａの下にマスク用
中間膜４ａを残す。
次に、第２図Ｄに示すようにマスク用中間膜４
ａをエツチングマスクとして、有機膜３にO2の
プラズマによる異方性エツチングを施してマスク
用中間膜４ａの下にマスク用有機膜３ａを残す。
このとき、レジスト膜５ａの厚さはマスク用有機
膜３ａの厚さより薄いので、レジスト膜５ａはエ
ツチング除去される。
ａをエツチングマスクとして、有機膜３にO2の
プラズマによる異方性エツチングを施してマスク
用中間膜４ａの下にマスク用有機膜３ａを残す。
このとき、レジスト膜５ａの厚さはマスク用有機
膜３ａの厚さより薄いので、レジスト膜５ａはエ
ツチング除去される。
次に、第２図Ｅに示すように、マスク用有機膜
３ａをエツチングマスクとして、フレオン115
（C2ClF5）のプラズマによる異方性エツチングを
被エツチング膜２に施してマスク用有機膜３ａの
下に被エツチング膜２ａを残す。このとき、被エ
ツチング膜２がポリシリコン膜である場合には、
マスク用中間膜４ａはポリシリコン膜またはアモ
ルフアスシリコン膜であり、マスク用中間膜４ａ
の膜厚は被エツチング膜２の膜厚より薄いので、
マスク用中間膜４ａはエツチング除去される。
３ａをエツチングマスクとして、フレオン115
（C2ClF5）のプラズマによる異方性エツチングを
被エツチング膜２に施してマスク用有機膜３ａの
下に被エツチング膜２ａを残す。このとき、被エ
ツチング膜２がポリシリコン膜である場合には、
マスク用中間膜４ａはポリシリコン膜またはアモ
ルフアスシリコン膜であり、マスク用中間膜４ａ
の膜厚は被エツチング膜２の膜厚より薄いので、
マスク用中間膜４ａはエツチング除去される。
最後に、第２図Ｆに示すように、有機膜３ａを
O2のプラズマによるエツチングで除去すると、
この実施例の方法の作業が完了する。
O2のプラズマによるエツチングで除去すると、
この実施例の方法の作業が完了する。
この実施例の方法では、第１図に示した従来例
と同様に、半導体基板１の主面部に段差があり、
被エツチング膜２の表面部に段差がある場合で
も、有機膜３の表面が平坦になり、この有機膜３
の表面上に順次形成される中間膜４および感応性
レジスト膜５の膜厚が均一になるので、この感応
性レジスト膜５によつて微細パターンのエツチン
グマスク用レジスト膜５ａを精度よく形成するこ
とができる。そして、中間膜４ａ、マスク用有機
膜３ａおよび被エツチング膜２ａのパターンがレ
ジスト膜５ａのパターンに対応するパターンにな
るので、被エツチング膜２ａのパターンの微細化
を図ることができる。しかも、マスク用中間膜４
ａが被エツチング膜２とほぼ同一のエツチング速
度で除去可能な材質で構成されており、その上レ
ジスト膜５ａの膜厚がレジスト膜５ａとほぼ同一
のエツチング速度で除去可能なマスク用有機膜３
の膜厚より薄く設定され、マスク用中間膜４ａの
膜厚がマスク用中間膜４ａとほぼ同一のエツチン
グ速度で除去可能な被エツチング膜２の膜厚より
薄く設定されているので、レジスト膜５ａおよび
マスク用中間膜４ａはそれぞれマスク用有機膜３
ａおよび被エツチング膜２ａの形成時のエツチン
グによつて自動的にエツチング除去される。従つ
て、最終段階においてマスク用有機膜３ａのみを
エツチング除去すればよいので、半導体基板１を
損傷させたり、被エツチング膜２ａのパターンを
劣化させたりするおそれがなく、工程数を第１図
に示した従来例の工程数より少なくすることがで
きる。
と同様に、半導体基板１の主面部に段差があり、
被エツチング膜２の表面部に段差がある場合で
も、有機膜３の表面が平坦になり、この有機膜３
の表面上に順次形成される中間膜４および感応性
レジスト膜５の膜厚が均一になるので、この感応
性レジスト膜５によつて微細パターンのエツチン
グマスク用レジスト膜５ａを精度よく形成するこ
とができる。そして、中間膜４ａ、マスク用有機
膜３ａおよび被エツチング膜２ａのパターンがレ
ジスト膜５ａのパターンに対応するパターンにな
るので、被エツチング膜２ａのパターンの微細化
を図ることができる。しかも、マスク用中間膜４
ａが被エツチング膜２とほぼ同一のエツチング速
度で除去可能な材質で構成されており、その上レ
ジスト膜５ａの膜厚がレジスト膜５ａとほぼ同一
のエツチング速度で除去可能なマスク用有機膜３
の膜厚より薄く設定され、マスク用中間膜４ａの
膜厚がマスク用中間膜４ａとほぼ同一のエツチン
グ速度で除去可能な被エツチング膜２の膜厚より
薄く設定されているので、レジスト膜５ａおよび
マスク用中間膜４ａはそれぞれマスク用有機膜３
ａおよび被エツチング膜２ａの形成時のエツチン
グによつて自動的にエツチング除去される。従つ
て、最終段階においてマスク用有機膜３ａのみを
エツチング除去すればよいので、半導体基板１を
損傷させたり、被エツチング膜２ａのパターンを
劣化させたりするおそれがなく、工程数を第１図
に示した従来例の工程数より少なくすることがで
きる。
この実施例において、感応性レジスト膜５、中
間膜４および有機膜３のいずれか一つまたは全部
に感応性レジスト膜５を感応させる光線、Ｘ線、
電子ビームまたはイオンビームを吸収可能な色素
などの添加物を混入または化合させて、半導体基
板１からの光線もしくはＸ線の反射または電子ビ
ームもしくはイオンビームの後方散乱による悪影
響を減らすようにしてもよい。
間膜４および有機膜３のいずれか一つまたは全部
に感応性レジスト膜５を感応させる光線、Ｘ線、
電子ビームまたはイオンビームを吸収可能な色素
などの添加物を混入または化合させて、半導体基
板１からの光線もしくはＸ線の反射または電子ビ
ームもしくはイオンビームの後方散乱による悪影
響を減らすようにしてもよい。
なお、この実施例では、被エツチング膜２がポ
リシリコン膜である場合を例示したが、この発明
はこれに限らず、有機膜３に対するエツチングと
は異なるエツチングによつて除去し得るAl膜、
SiO2膜などのその他の被膜である場合にも適用
することができる。
リシリコン膜である場合を例示したが、この発明
はこれに限らず、有機膜３に対するエツチングと
は異なるエツチングによつて除去し得るAl膜、
SiO2膜などのその他の被膜である場合にも適用
することができる。
また、この実施例では、有機膜３のエツチング
にO2のプラズマを用いたが、必ずしもこれはO2
のプラズマである必要がなく、O2とCF4、CCl4な
どのハロゲン化合物との混合ガスのプラズマを用
いてもよく、この場合には有機膜３に対するエツ
チング速度を大きくすることができる。
にO2のプラズマを用いたが、必ずしもこれはO2
のプラズマである必要がなく、O2とCF4、CCl4な
どのハロゲン化合物との混合ガスのプラズマを用
いてもよく、この場合には有機膜３に対するエツ
チング速度を大きくすることができる。
この実施例では、レジスト膜５ａが有機膜３へ
のエツチング時にエツチング除去されるようにし
たが、必ずしも有機膜３へのエツチング時にエツ
チング除去されるようにする必要はない。
のエツチング時にエツチング除去されるようにし
たが、必ずしも有機膜３へのエツチング時にエツ
チング除去されるようにする必要はない。
〔発明の効果〕
以上、説明したように、この発明の微細パター
ンの形成方法においては、半導体基板の主面上に
形成された被エツチング膜の表面上に有機膜、中
間膜および感応性レジスト膜の三層膜を形成し、
この三層膜を用いて被エツチング膜の微細パター
ンを形成するので、半導体基板の主面部に段差が
あり、被エツチング膜の表面部に段差がある場合
でも、有機膜の表面が平坦になり、この有機膜の
表面上に順次形成される中間膜および感応性レジ
スト膜の膜厚が均一になる。従つて、この感応性
レジスト膜によつて微細パターンのエツチングマ
スク用レジスト膜を精度よく形成することができ
るので、このエツチングマスク用レジスト膜のパ
ターンをエツチングによつて順次下層に転写して
最終的に形成される被エツチング膜のパターンの
微細化を図ることができる。しかも、中間膜を被
エツチング膜のエツチング時にエツチング除去可
能な材質および膜厚に設定するので、中間膜がエ
ツチングマスク用レジスト膜のパターンの被エツ
チング膜への転写時のエツチングによつて自動的
に除去されるので、被エツチング膜に接している
下部層、例えば半導体基板の表面の損傷や被エツ
チング膜のパターンの劣化のおそれが少なくな
り、工程数を従来例の工程数より少なくすること
ができる。
ンの形成方法においては、半導体基板の主面上に
形成された被エツチング膜の表面上に有機膜、中
間膜および感応性レジスト膜の三層膜を形成し、
この三層膜を用いて被エツチング膜の微細パター
ンを形成するので、半導体基板の主面部に段差が
あり、被エツチング膜の表面部に段差がある場合
でも、有機膜の表面が平坦になり、この有機膜の
表面上に順次形成される中間膜および感応性レジ
スト膜の膜厚が均一になる。従つて、この感応性
レジスト膜によつて微細パターンのエツチングマ
スク用レジスト膜を精度よく形成することができ
るので、このエツチングマスク用レジスト膜のパ
ターンをエツチングによつて順次下層に転写して
最終的に形成される被エツチング膜のパターンの
微細化を図ることができる。しかも、中間膜を被
エツチング膜のエツチング時にエツチング除去可
能な材質および膜厚に設定するので、中間膜がエ
ツチングマスク用レジスト膜のパターンの被エツ
チング膜への転写時のエツチングによつて自動的
に除去されるので、被エツチング膜に接している
下部層、例えば半導体基板の表面の損傷や被エツ
チング膜のパターンの劣化のおそれが少なくな
り、工程数を従来例の工程数より少なくすること
ができる。
第１図は従来の三層レジストプロセスの一例の
主要段階の状態を順次示す断面図、第２図はこの
発明の一実施例の微細パターンの形成方法の主要
段階の状態を順次示す断面図である。 図において、１は半導体基板、２および２ａは
被エツチング膜、３および３ａは有機膜、４およ
び４ａは中間膜、５は感応性レジスト膜、５ａは
エツチングマスク用レジスト膜である。なお、図
中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
主要段階の状態を順次示す断面図、第２図はこの
発明の一実施例の微細パターンの形成方法の主要
段階の状態を順次示す断面図である。 図において、１は半導体基板、２および２ａは
被エツチング膜、３および３ａは有機膜、４およ
び４ａは中間膜、５は感応性レジスト膜、５ａは
エツチングマスク用レジスト膜である。なお、図
中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の主面上に形成された被エツチン
グ膜の表面上に順次有機膜、上記被エツチング膜
のエツチング時にエツチング除去可能な材質及び
膜厚に設定された中間膜および感応性レジスト膜
を形成する工程、 上記感応性レジスト膜の上記被エツチング膜の
微細パターンを形成すべき部分上の部分が残るよ
うに上記感応性レジスト膜を感応させ現像してエ
ツチングマスク用レジスト膜を形成する工程、 このエツチングマスク用レジスト膜のパターン
をマスクとして上記中間膜をエツチングによつて
マスク用中間膜を形成する工程、 このマスク用中間膜をマスクとして上記有機膜
をエツチングによつてマスク用有機膜を形成する
工程、 このマスク用有機膜をマスクとして上記被エツ
チング膜をエツチングによつて除去し被エツチン
グ膜の微細パターンを形成すると同時に、上記マ
スク用中間膜を除去する工程、 上記マスク用有機膜をエツチングによつて除去
する工程を備えた微細パターンの形成方法。 ２ 感応性レジスト膜を感応させる光線、Ｘ線、
電子ビームまたはイオンビームを吸収可能な添加
物が混入または化合された中間膜を用いることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の微細パタ
ーンの形成方法。 ３ 感応性レジスト膜を感応させる光線、Ｘ線、
電子ビームまたはイオンビームを吸収可能な添加
物が混入または化合された有機膜を用いることを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の微細パターンの形成方法。 ４ 感応性レジスト膜を感応させる光線、Ｘ線、
電子ビームまたはイオンビームを吸収可能な添加
物が混入または化合された感応性レジスト膜を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第３項のいずれかに記載の微細パターンの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151947A JPS6043827A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151947A JPS6043827A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043827A JPS6043827A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH0458167B2 true JPH0458167B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=15529679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151947A Granted JPS6043827A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043827A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248039A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Hitachi Ltd | パタ−ンの形成方法 |
| JPS6316623A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0754210B2 (ja) * | 1987-05-06 | 1995-06-07 | 三洋電機株式会社 | 吸収式冷温水機のプレ−ト式熱交換器 |
| JP2691175B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1997-12-17 | 日本電信電話株式会社 | パターン化酸化物超伝導膜形成法 |
| JPH03235380A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Sumitomo Cement Co Ltd | 超伝導薄膜パターンの製造方法 |
| US5126231A (en) * | 1990-02-26 | 1992-06-30 | Applied Materials, Inc. | Process for multi-layer photoresist etching with minimal feature undercut and unchanging photoresist load during etch |
| JP4496631B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2010-07-07 | 富士通株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
-
1983
- 1983-08-20 JP JP58151947A patent/JPS6043827A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6043827A (ja) | 1985-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6323657B2 (ja) | ||
| JPS6043827A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0466345B2 (ja) | ||
| JPH05234965A (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
| WO1983003485A1 (en) | Electron beam-optical hybrid lithographic resist process | |
| JPS6148771B2 (ja) | ||
| KR930006133B1 (ko) | 모스소자의 콘택트홀 형성방법 | |
| JPH06267842A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS6156349A (ja) | フオト・マスクの製造方法 | |
| JP3167398B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH058856B2 (ja) | ||
| JP2811724B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JPS60106132A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS61288426A (ja) | アルミニウム膜のテ−パエツチング方法 | |
| KR100399889B1 (ko) | 반도체소자의감광층패턴형성방법 | |
| KR20070000204A (ko) | 미세 패턴 형성 방법 | |
| JPH0313949A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS5950053B2 (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| KR100212011B1 (ko) | 패턴 형성용 마스크 및 이를 이용한 노광방법 | |
| JPH03104113A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS61271838A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6046049A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100289664B1 (ko) | 노광 마스크의 제조방법 | |
| JPS62137831A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6354726A (ja) | レジスト膜のエツチング方法 |