JPH02234329A - 液体金属イオン源 - Google Patents
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- JPH02234329A JPH02234329A JP1052020A JP5202089A JPH02234329A JP H02234329 A JPH02234329 A JP H02234329A JP 1052020 A JP1052020 A JP 1052020A JP 5202089 A JP5202089 A JP 5202089A JP H02234329 A JPH02234329 A JP H02234329A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は白金および硅素を主成分とする合金を加熱して
溶融し、高電界を印加して高輝度の白金イオンおよび硅
素イオンのビームを放射させる液体金属イオン源に関す
る。
溶融し、高電界を印加して高輝度の白金イオンおよび硅
素イオンのビームを放射させる液体金属イオン源に関す
る。
(従来の技術)
液体金属イオン源を用いた集束イオンビーム技術は、直
径0.1μm程度の非常に細いイオンビームを得ること
が可能であることから、フォトマスクの修正、マスクレ
スイオン注入、イオンビーム露光等の半導体分野での応
用が期待されている。
径0.1μm程度の非常に細いイオンビームを得ること
が可能であることから、フォトマスクの修正、マスクレ
スイオン注入、イオンビーム露光等の半導体分野での応
用が期待されている。
マスクレスイオン注入の分野ではイオン種として硅素(
St)は必須である。硅素は単体では融点が高く、溶融
させることが困難であるため、通常は金・硅素・ベリリ
ウム合金(例えば^us*sizJe.、数値は原子比
、融点約400℃)が用いられ、1000時間程度の寿
命を有するイオン源が開発されている(特開昭59−
189545号公報)。
St)は必須である。硅素は単体では融点が高く、溶融
させることが困難であるため、通常は金・硅素・ベリリ
ウム合金(例えば^us*sizJe.、数値は原子比
、融点約400℃)が用いられ、1000時間程度の寿
命を有するイオン源が開発されている(特開昭59−
189545号公報)。
最近、半導体製造技術が進むにつれて集束イオンビーム
の径をより細く絞ることが要望されている.集束イオン
ビームの径および角電流密度は一般に色収差によって制
限されるので、細いイオンビームを得るためにはイオン
ビームのエネルギー分布を小さくすることが重要である
.硅素イオンビームのエネルギー分布は金・硅素・ベリ
リウム合金を用いたときよりも白金・硅素(PtSi)
合金を用いたときの方が小さい(文献:H,^rimo
to :J.Vac.Scl.Technol. B
6 ( 3 ) 、May /Jun 1988)
。
の径をより細く絞ることが要望されている.集束イオン
ビームの径および角電流密度は一般に色収差によって制
限されるので、細いイオンビームを得るためにはイオン
ビームのエネルギー分布を小さくすることが重要である
.硅素イオンビームのエネルギー分布は金・硅素・ベリ
リウム合金を用いたときよりも白金・硅素(PtSi)
合金を用いたときの方が小さい(文献:H,^rimo
to :J.Vac.Scl.Technol. B
6 ( 3 ) 、May /Jun 1988)
。
したがって、白金・.硅素合金を用いる方がより細い硅
素イオンビームを得ることができる。
素イオンビームを得ることができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、白金・硅素合金は比較的融点が高く、た
とえばPt.tSiz:+ (原子比)の融点は850
℃であり、従来用いられているタングステン製針状電極
の場合、タングステンが前記合金で浸食され、数時間で
寿命に達する。この外にホウ化クロム製の針状電極も知
られているが、この場合も十数時間の寿命であることが
判明し、実用的な寿命を有する白金・硅素合金の液体金
属イオン源が得られなかった。本発明は実用的な寿命を
有し、かつ安定なイオンビームが得られる白金・硅素合
金の液体金属イオン源を提供することを目的とする。
とえばPt.tSiz:+ (原子比)の融点は850
℃であり、従来用いられているタングステン製針状電極
の場合、タングステンが前記合金で浸食され、数時間で
寿命に達する。この外にホウ化クロム製の針状電極も知
られているが、この場合も十数時間の寿命であることが
判明し、実用的な寿命を有する白金・硅素合金の液体金
属イオン源が得られなかった。本発明は実用的な寿命を
有し、かつ安定なイオンビームが得られる白金・硅素合
金の液体金属イオン源を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、針状電極の表面に白金および硅素を主成分と
する合金を液体で支持し、電界の作用で前記針状電極の
先端から白金イオンおよび硅素イオンを放射させる液体
金属イオン源において、前記針状電極がホウ化タングス
テンからなることを特徴とする液体金属イオン源である
。
する合金を液体で支持し、電界の作用で前記針状電極の
先端から白金イオンおよび硅素イオンを放射させる液体
金属イオン源において、前記針状電極がホウ化タングス
テンからなることを特徴とする液体金属イオン源である
。
本発明においてホウ化タングステンとはりJ −.WB
, l’l!BSなどの化合物が代表的なものであるが
、WとBとの不定比化合物であってもよく、また、Wと
Bとの混晶であってもよい。ホウ化タングステンの針状
電極としてはホウ化タングステンの焼結体を針状に加工
したもの、ホウ化タングステンの単結晶を針状に加工し
たもの、あるいはタングステン、タンタル、モリブデン
などの高融点金属を針状に加工し、その表面にホウ化タ
ングステンを被覆したものでもよい。
, l’l!BSなどの化合物が代表的なものであるが
、WとBとの不定比化合物であってもよく、また、Wと
Bとの混晶であってもよい。ホウ化タングステンの針状
電極としてはホウ化タングステンの焼結体を針状に加工
したもの、ホウ化タングステンの単結晶を針状に加工し
たもの、あるいはタングステン、タンタル、モリブデン
などの高融点金属を針状に加工し、その表面にホウ化タ
ングステンを被覆したものでもよい。
これらの針状電極の製造方法を説明する。まず、ホウ化
タングステンの焼結体の場合、ホウ化タングステンの粉
末に必要に応してバインダーとして少量の鉄、ニッケル
、コバルトなどの金属粉末を加え、ホットプレス成型機
により圧力100kg/cflI以上、温度1600
〜2100゜Cで焼結成型する.なお、バインダーを多
く添加しすぎると、焼結体を針状電極として使用すると
きに白金・硅素合金による粒界腐食の問題が生ずるので
バインダーの使用量は必要最小限にとどめることが望ま
しい. ホウ化タングステンの単結晶はフローティングゾーン法
等により製造される。ホウ化タングステンの焼結体また
は単結晶から針状に加工するには、まず必要に応じて放
電加工法により針状に加工し、次に機械研摩または電解
研摩により先端を尖らせ、先端の曲率半径を1〜2μm
以下にする。ホウ化タングステンで被覆された針状電極
を製造するには、あらかじめ先端の曲率半径を1〜2μ
m以下に研摩した高融点金属の表面にホウ化タングステ
ンをCVD法、プラズマ熔射法等で被覆すればよい。
タングステンの焼結体の場合、ホウ化タングステンの粉
末に必要に応してバインダーとして少量の鉄、ニッケル
、コバルトなどの金属粉末を加え、ホットプレス成型機
により圧力100kg/cflI以上、温度1600
〜2100゜Cで焼結成型する.なお、バインダーを多
く添加しすぎると、焼結体を針状電極として使用すると
きに白金・硅素合金による粒界腐食の問題が生ずるので
バインダーの使用量は必要最小限にとどめることが望ま
しい. ホウ化タングステンの単結晶はフローティングゾーン法
等により製造される。ホウ化タングステンの焼結体また
は単結晶から針状に加工するには、まず必要に応じて放
電加工法により針状に加工し、次に機械研摩または電解
研摩により先端を尖らせ、先端の曲率半径を1〜2μm
以下にする。ホウ化タングステンで被覆された針状電極
を製造するには、あらかじめ先端の曲率半径を1〜2μ
m以下に研摩した高融点金属の表面にホウ化タングステ
ンをCVD法、プラズマ熔射法等で被覆すればよい。
白金および硅素を主成分とする合金は針状電極の表面を
覆う程度の量で足りるが、長時間使用するためには該合
金を貯蔵するリザーバを針状電極に併設することが好ま
しい。リザーバはTa,W,Moなどの高融点金属、T
ic ..ZrC , TaC , WCなどの炭化物
、TiB2、ZrB.、TaB,、WB, CrB2な
どのホウ化物、TtN % TaNなどの窒化物の成形
体が用いられる。これらの材料の中でもホウ化タングス
テンは前記の通り白金・硅素合金に対する耐食性に/優
れるので好ましい。リザーバの構造は前記合金を液体で
貯蔵するとともに、針状電極に安定に供給できるもので
あればよいが、針状電極の基部外形に合わせた内面を有
する基部と前記合金を貯蔵する凹部を備えたものが好ま
しい。
覆う程度の量で足りるが、長時間使用するためには該合
金を貯蔵するリザーバを針状電極に併設することが好ま
しい。リザーバはTa,W,Moなどの高融点金属、T
ic ..ZrC , TaC , WCなどの炭化物
、TiB2、ZrB.、TaB,、WB, CrB2な
どのホウ化物、TtN % TaNなどの窒化物の成形
体が用いられる。これらの材料の中でもホウ化タングス
テンは前記の通り白金・硅素合金に対する耐食性に/優
れるので好ましい。リザーバの構造は前記合金を液体で
貯蔵するとともに、針状電極に安定に供給できるもので
あればよいが、針状電極の基部外形に合わせた内面を有
する基部と前記合金を貯蔵する凹部を備えたものが好ま
しい。
前記合金を液体に保つためにヒーターを併設することが
好ましい。ヒーターはグラッシーカーボンまたは熱分解
カーボン等カーボンのブロソクを針状電極に圧接してカ
ーボンブロックに通電する構造にするとよい。とくにリ
ザーバをホウ化タングステンなどの導電性の高い材料で
製作し、針状電極、リザーバおよびヒーターをこの順序
で圧接すると、ヒーターへの通電が容易で、かつ安定し
た構造の液体金属イオン源になる。なお、この場合に、
リザーバとヒーターの間にカーボン板など液体合金との
漏れ性が小さく、かつ導電性の材料からなる隔壁を設け
ると、液体合金のヒーターへの浸透が防止できる。
好ましい。ヒーターはグラッシーカーボンまたは熱分解
カーボン等カーボンのブロソクを針状電極に圧接してカ
ーボンブロックに通電する構造にするとよい。とくにリ
ザーバをホウ化タングステンなどの導電性の高い材料で
製作し、針状電極、リザーバおよびヒーターをこの順序
で圧接すると、ヒーターへの通電が容易で、かつ安定し
た構造の液体金属イオン源になる。なお、この場合に、
リザーバとヒーターの間にカーボン板など液体合金との
漏れ性が小さく、かつ導電性の材料からなる隔壁を設け
ると、液体合金のヒーターへの浸透が防止できる。
(実施例)
以下、実施例1〜3および比較例1〜3により本発明を
具体的に説明する。針状電極の材料として表に示す各ホ
ウ化物の粉末をホットプレスにより、温度2000℃、
圧力150ksr/cdの条件で30分間加圧焼結して
、ホウ化物の成型体を製造した。いずれのホウ化物成型
体も相対密度は95%以上あった。ホウ化物成型体をワ
イヤカソト放電加工機によりQ, 5 鶴X 0. 5
鶴×5鶴の棒状に切断した。その先端を機械研摩して、
先端が円錐形の針状電極にした。該円錐の円錐角は30
度とし、円錐先端の曲率半径は2μmにした。
具体的に説明する。針状電極の材料として表に示す各ホ
ウ化物の粉末をホットプレスにより、温度2000℃、
圧力150ksr/cdの条件で30分間加圧焼結して
、ホウ化物の成型体を製造した。いずれのホウ化物成型
体も相対密度は95%以上あった。ホウ化物成型体をワ
イヤカソト放電加工機によりQ, 5 鶴X 0. 5
鶴×5鶴の棒状に切断した。その先端を機械研摩して、
先端が円錐形の針状電極にした。該円錐の円錐角は30
度とし、円錐先端の曲率半径は2μmにした。
次に、前記針状電極と同じホウ化物の成型体をワイヤカ
ット放電加工法によって加工して、先端が湾曲したスプ
ーン状のリザーバを製作した。第1図に示すとおり、針
状電極1の両側にリザーバ2A,2B,グラシーカーボ
ン製の隔壁3A、3B、熱分解カーボン製のヒーター4
A,4Bおよびステンレス製の電極5A,5Bを配置し
、ボルト6、絶縁座金7A、7Bおよびナツ}8A、8
Bにより締め付けてこれらの部品を固定した。
ット放電加工法によって加工して、先端が湾曲したスプ
ーン状のリザーバを製作した。第1図に示すとおり、針
状電極1の両側にリザーバ2A,2B,グラシーカーボ
ン製の隔壁3A、3B、熱分解カーボン製のヒーター4
A,4Bおよびステンレス製の電極5A,5Bを配置し
、ボルト6、絶縁座金7A、7Bおよびナツ}8A、8
Bにより締め付けてこれらの部品を固定した。
なお、電極5A,5Bは金属板9A,9Bを経て端子1
0A、IOHに接続され、端子は碍子1lに固定される
。
0A、IOHに接続され、端子は碍子1lに固定される
。
このようにして得られた液体金属イオン源を真空装置内
に取付け、圧力2 X 1 0 −”Torrの真空に
した.この真空装置内にはあらかじめ白金・硅素合金(
PbtSit3−原子比)を満たした窒化ホウ素製のル
ツボを入れておき、ルツボを加熱して該合金を溶融させ
ておいた。液体金属イオン源のヒーターに通電して針状
電極を加熱しながら、針状電極の先端をルツボ中の溶融
合金に浸すことよって溶融合金を針状電極に沿って上昇
させ、針状電極とリザーバの間に合金を溜めた。
に取付け、圧力2 X 1 0 −”Torrの真空に
した.この真空装置内にはあらかじめ白金・硅素合金(
PbtSit3−原子比)を満たした窒化ホウ素製のル
ツボを入れておき、ルツボを加熱して該合金を溶融させ
ておいた。液体金属イオン源のヒーターに通電して針状
電極を加熱しながら、針状電極の先端をルツボ中の溶融
合金に浸すことよって溶融合金を針状電極に沿って上昇
させ、針状電極とリザーバの間に合金を溜めた。
このようにして作製された液体金属イオン源を別の真空
装置に取付け、装置内を圧力8X10−’Torrの真
空にした。液体金属イオン源のヒーターに通電し、その
電流の調節により針状電極先端の温度を輝度温度で10
00℃にした。なお、輝度温度は光高温計で測定した。
装置に取付け、装置内を圧力8X10−’Torrの真
空にした。液体金属イオン源のヒーターに通電し、その
電流の調節により針状電極先端の温度を輝度温度で10
00℃にした。なお、輝度温度は光高温計で測定した。
針状電極先端より1. 5 0離れたところに穴あき金
属円板からなる引出し電極を設け、引出し電極に印加す
る電圧の調節により電流lOμAのイオンビームを放出
させた。定電流モードでイオンビームの放出を続け、引
出し電圧の変動を測定し、下記の式でイオンビーム変動
率を求めた。
属円板からなる引出し電極を設け、引出し電極に印加す
る電圧の調節により電流lOμAのイオンビームを放出
させた。定電流モードでイオンビームの放出を続け、引
出し電圧の変動を測定し、下記の式でイオンビーム変動
率を求めた。
観察したところ、針状電極が白金・硅素合金により浸食
され、針状電掘先端の曲率半径が10μm以上に大きく
なっていた。
され、針状電掘先端の曲率半径が10μm以上に大きく
なっていた。
表
Esax:10分間の引出し電圧の最大値[!−1−
: 1 0分間の引出し電圧の最小値表から明らかなよ
うに針状電極およびリザーバにホウ化タングステンを用
いた液体金属イオン源の場合にはイオンビーム変動率は
0. 3%以下と良好であった。150時間作動させた
のち、液体金属イオン源を真空装置から取出して観察し
たが針状電極やリザーバに異常はなかった。
: 1 0分間の引出し電圧の最小値表から明らかなよ
うに針状電極およびリザーバにホウ化タングステンを用
いた液体金属イオン源の場合にはイオンビーム変動率は
0. 3%以下と良好であった。150時間作動させた
のち、液体金属イオン源を真空装置から取出して観察し
たが針状電極やリザーバに異常はなかった。
いっぽう、針状電極およびリザーバにホウ化クロム、ホ
ウ化チタンまたはホウ化ジルコニウムを用いた液体金属
イオン源の場合には表に示すとおり、イオンビーム変動
率が大きく、5.5〜11時間でイオンビームを放出さ
せることができなくなった。液体金属イオン源を真空装
置から取出して(発明の効果) 本発明の液体金属イオン源はイオンビーム変動率が小さ
く、また白金・硅素合金による針状電極の浸食がなく、
長時間安定に使用することができる.
ウ化チタンまたはホウ化ジルコニウムを用いた液体金属
イオン源の場合には表に示すとおり、イオンビーム変動
率が大きく、5.5〜11時間でイオンビームを放出さ
せることができなくなった。液体金属イオン源を真空装
置から取出して(発明の効果) 本発明の液体金属イオン源はイオンビーム変動率が小さ
く、また白金・硅素合金による針状電極の浸食がなく、
長時間安定に使用することができる.
第1図は本発明の液体金属イオン源の正面図でである。
符号
1・一針状電極、
3A・3B−隔壁、
5A・5B・一電極、
7A・7B一絶縁座金、
9A・9B一金属板、
11一碍子。
2A・2B−リザーバ、
4A・4B− ヒーター
6・−ボルト、
8A・8B−ナット、
10A−10B一端子、
Claims (1)
- 針状電極の表面に白金および硅素を主成分とする合金を
液体で支持し、電界の作用で前記針状電極の先端から白
金イオンおよび硅素イオンを放射させる液体金属イオン
源において、前記針状電極がホウ化タングステンからな
ることを特徴とする液体金属イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052020A JPH02234329A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 液体金属イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052020A JPH02234329A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 液体金属イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02234329A true JPH02234329A (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12903131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052020A Pending JPH02234329A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 液体金属イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02234329A (ja) |
-
1989
- 1989-03-06 JP JP1052020A patent/JPH02234329A/ja active Pending
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