JPH0223608A - 投影露光方法 - Google Patents
投影露光方法Info
- Publication number
- JPH0223608A JPH0223608A JP63174114A JP17411488A JPH0223608A JP H0223608 A JPH0223608 A JP H0223608A JP 63174114 A JP63174114 A JP 63174114A JP 17411488 A JP17411488 A JP 17411488A JP H0223608 A JPH0223608 A JP H0223608A
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- JP
- Japan
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- pellicle
- reticle
- substrates
- air
- foreign matters
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、所望の基板上に、レジスト層を形成し、パタ
ーン・マスクを通し、投影露光を行い、その後レジスト
層を現像し、レジストパターンを形成する方法における
、特に投影露光方法に関する。
ーン・マスクを通し、投影露光を行い、その後レジスト
層を現像し、レジストパターンを形成する方法における
、特に投影露光方法に関する。
［従来の技術］
所望の基板上にレジストパターンを形成する方法として
は、所望の基板上に紫外線などの光線に感応するポジ型
またはネガ型のフォトレジスト層を設け、この基板にパ
ターン・マスクを通し、投影露光を行い、その後レジス
ト層を現像し、所望レジストパターンを得るという方法
が一般的である。この時、パターン・マスク上の特に透
明な領域に異物があった場合、この異物もパターン・マ
スク化し、基板上に転写し、所望のレシストパクンが得
られないばかりか、不良の原因となる。
は、所望の基板上に紫外線などの光線に感応するポジ型
またはネガ型のフォトレジスト層を設け、この基板にパ
ターン・マスクを通し、投影露光を行い、その後レジス
ト層を現像し、所望レジストパターンを得るという方法
が一般的である。この時、パターン・マスク上の特に透
明な領域に異物があった場合、この異物もパターン・マ
スク化し、基板上に転写し、所望のレシストパクンが得
られないばかりか、不良の原因となる。
そこで、特公昭５１−２８７１６のように、直接異物が
パターン・マスクに付着しないようにある程度の間隔を
置いてペリクルを設ける方法が提案された。これは、特
に縮小投影露光方法において、比較的大きな異物でもデ
フォーカスになることより、異物の転写を防げるもので
ある。
パターン・マスクに付着しないようにある程度の間隔を
置いてペリクルを設ける方法が提案された。これは、特
に縮小投影露光方法において、比較的大きな異物でもデ
フォーカスになることより、異物の転写を防げるもので
ある。
〔発明が解決しようとする課題）
しかし、前述の従来方法では、露光開始前にペリクル上
に異物がないことが確認されても、露光中に異物がペリ
クル表面に付着した場合、この異物が基板上に転写し、
不良を生じることがある。
に異物がないことが確認されても、露光中に異物がペリ
クル表面に付着した場合、この異物が基板上に転写し、
不良を生じることがある。
また、ペリクルの場合、できるだけ大きな異物でも転写
しないようにするためには、ペリクルとパターン・マス
クの間隔を広くする必要があり、そのようにすること、
パターン・マスク保管ケースの容積を多く必要とし、し
いては、パターン・マスク保管所を広くしなければなら
ないという課題を有する。
しないようにするためには、ペリクルとパターン・マス
クの間隔を広くする必要があり、そのようにすること、
パターン・マスク保管ケースの容積を多く必要とし、し
いては、パターン・マスク保管所を広くしなければなら
ないという課題を有する。
そこで、本発明はこのような課題を解決するもので、そ
の目的とするところは、露光中に異物がペリクル上に付
着しても、基板に転写しないようにすると共に、ペリク
ルとパターン・マスクの間隔をできるだけ狭くし、パタ
ーン・マスクの保管所の省スペース化を行うものである
。
の目的とするところは、露光中に異物がペリクル上に付
着しても、基板に転写しないようにすると共に、ペリク
ルとパターン・マスクの間隔をできるだけ狭くし、パタ
ーン・マスクの保管所の省スペース化を行うものである
。
［課題を解決するための手段〕
本発明の投影露光方法は、不透明な領域及び透明な領域
を有するパターンが形成された透明基板をパターン・マ
スクとして用い行う、投影露光方法において、前記透明
基板の少なくとも一方の面にペリクルを備え、露光中に
前記ペリクルを振動させることを特徴とする。
を有するパターンが形成された透明基板をパターン・マ
スクとして用い行う、投影露光方法において、前記透明
基板の少なくとも一方の面にペリクルを備え、露光中に
前記ペリクルを振動させることを特徴とする。
［作 用］
本発明の上記の構成によれば、露光中にペリクル面に異
物が付着しても、ペリクルを振動させることにより異物
が上下、あるいは前後左右に振動あるいは移動するため
、異物が基板へ転写、結像しにく（なるものである。
物が付着しても、ペリクルを振動させることにより異物
が上下、あるいは前後左右に振動あるいは移動するため
、異物が基板へ転写、結像しにく（なるものである。
【実 施 例ｊ
本発明の効果を調査すべく、以下のような実験を行った
。まず、第１図に示すようなペリクル３を備えたレチク
ル１を用意した。本実験では、本発明の効果を示すため
、レチクルｌとペリクル３の間隔を意識的に狭くした。
。まず、第１図に示すようなペリクル３を備えたレチク
ル１を用意した。本実験では、本発明の効果を示すため
、レチクルｌとペリクル３の間隔を意識的に狭くした。
すなわち、不透明なパターン（本実験ではクロムパター
ン２）が形成されている方の面とペリクル３の間隔りは
、４゜３ｍｍ、この反対の面とペリクル３の間隔ｄは２
．０ｍｍとした。今回、ペリクル３にはニトロセルロー
スをイ吏用した。そして、このペリクル３の上に約２０
〜６０ｕｍのポリマチレン製の真球ビーズ５を付着した
。この真球ビーズ５は、実験上の異物として意識的に付
着させるものである。
ン２）が形成されている方の面とペリクル３の間隔りは
、４゜３ｍｍ、この反対の面とペリクル３の間隔ｄは２
．０ｍｍとした。今回、ペリクル３にはニトロセルロー
スをイ吏用した。そして、このペリクル３の上に約２０
〜６０ｕｍのポリマチレン製の真球ビーズ５を付着した
。この真球ビーズ５は、実験上の異物として意識的に付
着させるものである。
そして、このレチクルｌを縮小投影露光装置（以下スラ
ッパという；図示しない）を搬送し、露光位置にレチク
ルアライメントする。スラッパ内には、第１図のように
アライメントされたレチクルｌの両面のペリクル３にま
んべんなく送風できるような複数の送風口６を設け、さ
らに、異物を含むと考えられる空気をスワツパ外へ除去
すべ（排出口８を設けている。送風口６からは、今回Ｎ
２圧縮ガス７が出るが、圧力は調整でき、１０μｍ以上
の異物は送らないようフィルター（図示しない）を設け
た。Ｎ２圧縮ガス７の圧力はペリクル３を破らない範囲
で、できるだけ高い方がよいが、今回はフィルター通過
時に２Ｋｇ＋１ｃｍ２であった。次に、この機構を備え
た、ペリクル及びスラッパにて、基板上にレジストをバ
クーニングする。ズラッパは、Ｎ５Ｒ１５０５−Ｇ４Ｄ
、ＮＡ＝０．４５ （日本光学社製）を使う。基板（図
示しない）は６インチＳｉ基板で、レジストは、ポジレ
ジストＰＦＲ７７５０（日本合成ゴム社製）をＯＡＰペ
ーパー処理後、約１μｍにスピン塗布し、ホットプレー
トにて１００°Ｃ９０秒のベークを施した。これを、上
記スラッパにて露光する。露光量は、クロムパターン２
の、４μｍの不透明なパターンが、Ｓｉ基板上で０．８
ｕｍに解像する露光時間に設定した（本スラッパは５：
１の縮小投影型である。）そして、Ｓｉ基板１０枚に対
し、上板には、送風口６からＮ２圧縮ガス７を送りなが
ら露光し残りの５枚は、送風をしないで露光した。露光
後の現像は、ＴＭＡ２ ３８％（関東化学社製）を２３
°Ｃにて、静止バドルにより６５秒間行った。その後ホ
ットプレートにて、１００°Ｃ２分間のベークを行い、
測長ＳＥＭ、Ｓ−６０００（日立製作所社製）にて真球
ビーズ５の転写後の大きさを測長した。
ッパという；図示しない）を搬送し、露光位置にレチク
ルアライメントする。スラッパ内には、第１図のように
アライメントされたレチクルｌの両面のペリクル３にま
んべんなく送風できるような複数の送風口６を設け、さ
らに、異物を含むと考えられる空気をスワツパ外へ除去
すべ（排出口８を設けている。送風口６からは、今回Ｎ
２圧縮ガス７が出るが、圧力は調整でき、１０μｍ以上
の異物は送らないようフィルター（図示しない）を設け
た。Ｎ２圧縮ガス７の圧力はペリクル３を破らない範囲
で、できるだけ高い方がよいが、今回はフィルター通過
時に２Ｋｇ＋１ｃｍ２であった。次に、この機構を備え
た、ペリクル及びスラッパにて、基板上にレジストをバ
クーニングする。ズラッパは、Ｎ５Ｒ１５０５−Ｇ４Ｄ
、ＮＡ＝０．４５ （日本光学社製）を使う。基板（図
示しない）は６インチＳｉ基板で、レジストは、ポジレ
ジストＰＦＲ７７５０（日本合成ゴム社製）をＯＡＰペ
ーパー処理後、約１μｍにスピン塗布し、ホットプレー
トにて１００°Ｃ９０秒のベークを施した。これを、上
記スラッパにて露光する。露光量は、クロムパターン２
の、４μｍの不透明なパターンが、Ｓｉ基板上で０．８
ｕｍに解像する露光時間に設定した（本スラッパは５：
１の縮小投影型である。）そして、Ｓｉ基板１０枚に対
し、上板には、送風口６からＮ２圧縮ガス７を送りなが
ら露光し残りの５枚は、送風をしないで露光した。露光
後の現像は、ＴＭＡ２ ３８％（関東化学社製）を２３
°Ｃにて、静止バドルにより６５秒間行った。その後ホ
ットプレートにて、１００°Ｃ２分間のベークを行い、
測長ＳＥＭ、Ｓ−６０００（日立製作所社製）にて真球
ビーズ５の転写後の大きさを測長した。
［発明の効果］
上記実験における測長結果を第２図に示す。これは、同
一条件で露光したＳｉ基板各５枚の平均値である。また
、曲線Ａは送風した時、曲線Ｂは送風しない時である。
一条件で露光したＳｉ基板各５枚の平均値である。また
、曲線Ａは送風した時、曲線Ｂは送風しない時である。
第２図がらすると、送風すると、しない時に比べ、真珠
ビーズ５がずっと小さく転写していることがわかる。こ
れは真珠ビーズ５がペリクル３上に付着しているにもが
かわらず、送風により、たえず上下あるいは、多少前後
左右にも振動しているために転写しにくくなったためと
考えられる。また、今回の実験では、振動を送風により
発生させているために、通常の自然に付着した異物なら
ば、送風により異物の除去も可能である。いずれにして
も、今回のように送風することにより従来より大きな異
物でも転写しないか、転写してもずっと小さく、不良の
原因にはなり得ないことがわかる。また、以上のことが
ら、レチクルｌとペリクル３の間隔りあるいはｄが小さ
くても異物の転写を小さくおさえることより、レチクル
保管所の省スペース化が行える。これは、レチクルを初
めとするパターン・マスクの大型化によるパターン・マ
スクの保管所のスペース確保の難化な緩和するものであ
る。
ビーズ５がずっと小さく転写していることがわかる。こ
れは真珠ビーズ５がペリクル３上に付着しているにもが
かわらず、送風により、たえず上下あるいは、多少前後
左右にも振動しているために転写しにくくなったためと
考えられる。また、今回の実験では、振動を送風により
発生させているために、通常の自然に付着した異物なら
ば、送風により異物の除去も可能である。いずれにして
も、今回のように送風することにより従来より大きな異
物でも転写しないか、転写してもずっと小さく、不良の
原因にはなり得ないことがわかる。また、以上のことが
ら、レチクルｌとペリクル３の間隔りあるいはｄが小さ
くても異物の転写を小さくおさえることより、レチクル
保管所の省スペース化が行える。これは、レチクルを初
めとするパターン・マスクの大型化によるパターン・マ
スクの保管所のスペース確保の難化な緩和するものであ
る。
なお、今回はペリクルに振動を生しさせるために、送風
を行ったが、例えば機械的に振動を生じさせる等その方
法は問わない。また、今回のような送風の場合でも、送
風をＮ２圧縮ガスで行わず、例えば圧縮空気など他のガ
スで行ってもかまわない。
を行ったが、例えば機械的に振動を生じさせる等その方
法は問わない。また、今回のような送風の場合でも、送
風をＮ２圧縮ガスで行わず、例えば圧縮空気など他のガ
スで行ってもかまわない。
以上のような効果は、実施例に使われなかった他の投影
露光装置、パターン・マスクでも期待できることは言う
までもない。また、パターニングの方法（基板、レジス
ト、現像液等）は特定しない。
露光装置、パターン・マスクでも期待できることは言う
までもない。また、パターニングの方法（基板、レジス
ト、現像液等）は特定しない。
第１図は、本発明の投影露光方法の実施例を示す概略図
であり、レチクルがペリクルを備え、露光装置に送風機
構が設けられていることを示す。 第２図は、実施例における、ペリクル上の真球ビーズの
大きさと、８１基板上のレジストパターンサイズの関係
を示した図である。 １・・・・レチクル ２ ・ ・ ・ ３ ・ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ５ ・ ・ ・ ６ ・ ・ ・ ７ ・ ・ ・ ８ ・ ・ ・ Ｄ、 ｄ ・ 曲線Ａ・ 曲線Ｂ・ クロムパターン ペリクル ペリクル枠 真球ビーズ 送風口 Ｎ２圧縮ガス 排出口 レクチル１とペリクル３の間隔 送風を行った時 送風を行っていない時 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
であり、レチクルがペリクルを備え、露光装置に送風機
構が設けられていることを示す。 第２図は、実施例における、ペリクル上の真球ビーズの
大きさと、８１基板上のレジストパターンサイズの関係
を示した図である。 １・・・・レチクル ２ ・ ・ ・ ３ ・ ・ ・ ４ ・ ・ ・ ５ ・ ・ ・ ６ ・ ・ ・ ７ ・ ・ ・ ８ ・ ・ ・ Ｄ、 ｄ ・ 曲線Ａ・ 曲線Ｂ・ クロムパターン ペリクル ペリクル枠 真球ビーズ 送風口 Ｎ２圧縮ガス 排出口 レクチル１とペリクル３の間隔 送風を行った時 送風を行っていない時 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 不透明な領域及び透明な領域を有するパターンが形成さ
れた透明基板をパターン・マスクとして用い行う、投影
露光方法において、前記透明基板の少なくとも一方の面
にペリクルを備え、露光中に前記ペリクルを振動させる
ことを特徴とする投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174114A JPH0223608A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174114A JPH0223608A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 投影露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223608A true JPH0223608A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15972885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174114A Pending JPH0223608A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0223608A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI895243B (zh) * | 2018-05-31 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 微影設備 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63174114A patent/JPH0223608A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI895243B (zh) * | 2018-05-31 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 微影設備 |
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