JPH0223607A

JPH0223607A - 投影露光方法

Info

Publication number: JPH0223607A
Application number: JP63174109A
Authority: JP
Inventors: Naoaki Sugimoto; 杉本　直明
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1988-07-12
Filing date: 1988-07-12
Publication date: 1990-01-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野］本発明は、所望の基板上に、レジスト層を形成し、パタ
ーン・マスクを通し、投影露光を行い、その後レジスト
層を現像し、レジストパターンを形成する方法における
、特に投影露光方法に関する。

［従来の技術１所望の基板上にレジストパターンを形成する方法として
は、所望の基板上に紫外線などの光線に感応するポジ型
またはネガ型のフォトレジスト層を設け、この基板にパ
ターン・マスクを通し、投影露光を行い、その後レジス
ト層を現像し、所望レジストパターンを得るという方法
が一般的である。この時、パターン・マスク上の特に透
明な領域に異物があった場合、この異物もパターン・マ
スク化し、基板上に転写し、所望のレジストバタンか得
られないばかりか、不良の原因となる。

そこで、特公昭５４−２８７１６のように、直接異物が
パターン・マスクに付着しないようにある程度の間隔を
置いてペリクルを設ける方法が提案された。これは、特
に縮小投影露光方法において、比較的大きな異物でもデ
フォーカスになることより、異物の転写を防げるもので
ある。

（発明が解決しようとする課題）しかし、前述の従来方法では、露光開始前にパターン・
マスク、あるいはペリクル上に異物がないことが確認さ
れても、露光中に異物がパターン・マスク、あるいはペ
リクル表面に付着した場合、この異物が基板上に転写し
、不良を生じることがある。また、ペリクルの場合、で
きるだけ大きな異物でも転写しないようにするためには
、ペリクルとパターン・マスクの間隔を広くする必要が
あり、そのようにすること、パターン・マスク保管ケー
スの容積を多（必要とし、しいては、パターン・マスク
保管所を広くしなければならないという課題を有する。

そこで、本発明はこのような課題を解決するもので、そ
の目的とするところは、露光中に異物が、パターン・マ
スク、あるいはペリクル上に付着しないようにし、異物
の転写による不良を減らすと共に、ペリクルの場合、ペ
リクルとパターンマスクの間隔をできるだけ狭くし、パ
ターン・マスクの保管所の省スペース化を行うものであ
る。

［課題を解決するための手段１本発明の投影露光方法は、（１）不透明な領域及び透明な領域を有するパターンが
形成された透明基板をパターン・マスクとして用い行う
、投影露光方法において、露光中に前記透明基板の少な
くとも一方の面に気流を送ることを特徴とする。

（２）前記透明基板の少なくとも一方の面に、ペリクル
を備え、露光中に、前記ペリクルの表面に気流を送るこ
とを特徴とする。

［作　用］本発明の上記の構成によれば、露光中にパターン・マス
ク、あるいはペリクルの面に異物がイ」着しても、気流
により除去し、異物の基板上への転写をなくすものであ
る。また、ペリクルの場合、気流によりペリクルが振動
するため、異物がペリクル上にあったとしても、基板に
結像しないものである。

［実　施　例１本発明の効果を調査すべく、以下のような実験を行った
。まず、第１図に示すようなペリクル３を備えたレチク
ル１を用意した。本実験では、本発明の効果を示すため
、レチクル１とペリクル３の間隔を意識的に狭くした。

すなわち、不透明なパターン（本実験ではクロムパター
ン２）が形成されている方の面とペリクル３の間隔りは
、４３ｍｍ、この反対の面とペリクル３の間隔ｄは２．
０ｍｍとした。今回、ペリクル３にはニトロセルロース
をイ吏用した。そして、このペリクル３の上に約２０〜
６０μｍのポリマチレン製の真球ビーズ５を付着した。

この真球ビーズ５は、実験上の異物として意識的に付着
させるものである。

そして、このレチクル１を縮小投影露光装置（以下スラ
ッパという；図示しない）を搬送し、露光位置にレチク
ルアライメントする。スラツバ内には、第１図のように
アライメントされたレチクル１の両面のペリクル３にま
んべんなく送風できるような複数の送風口６を設け、さ
らに、異物を含むと考えられる空気をスワツパ外へ除去
すべく排出口８を設けている。送風口６からは、今回Ｎ
２圧縮ガス７が出るが、圧力は調整でき、１０μｍ以上
の異物は送らないようフィルター（図示しない）を設け
た。Ｎ２圧縮ガス７の圧力はペリクル３を破らない範囲
で、できるだけ高い方がよいが、今回はフィルター通過
時に２Ｋｇ＋１ｃｍ２であった。次に、この機構を備え
た、ペリクル及びスラッパにて、基板上にレジストをパ
ターニングする。スラッパは、Ｎ５Ｒ１５０５−Ｇ４Ｄ
、ＮＡ＝０．４５　（日本光学社製）を使う。基板（図
示しない）は６インチＳｉ基板で、レジストは、ポジレ
ジストＰＦＲ７７５０（日本合成ゴム社製）をＯＡＰベ
ーパー処理後、約１μｍにスピン塗布し、ホットプレー
トにて１００℃９０秒のベークを施した。これを、上記
スラツパにて露光する。露光量は、クロムパターン２の
、４μｍの不透明なパターンが、８１基板上で０８μｍ
に解像する露光時間に設定した（本スラツパは５１の縮
小投影型である。）そして、Ｓｉ基板１０枚に対し、６
枚には、送風口６からＮ２圧綿ガス７を送りながら露光
し残りの５枚には、送風をしないで露光した。露光後の
現像は、ＴＭＡ　２３８％（関東化学社製）を２３℃に
て、静止パドルにより６５秒間行った。その後ホットプ
レートにて、１００℃２分間のベークを行い、測長ＳＥ
Ｍ、Ｓ−６０００（日立製作所社製）にて真球ビーズ５
の転写後の大きさを測長じた。

［発明の効果］上記実験における測呆結果を第２図に示す。これは、同
一条件で露光したＳｉ基板各５枚の平均値である。また
、曲線Ａは送風した時、曲線Ｂは送風しない時である。

第２図からすると、送風すると、しない時に比べ、真球
ビーズ５が、ずっと小さく転写していることがわかる。

これは、真球ビーズ５がペリクル３上に付着しているに
もかかわらず、送風により、たえず上下あるいは多少前
後左右にも振動しているために、転写しにくくなったた
めと考えられる。また、今回の実験と異なり、自然に付
着した異物は、送風にて除去されるものが多く、このよ
うな異物は転写しない。いずれにしても、送風すること
により、従来より、大きな異物でも転写しないか、転写
してもずっと小さく、不良の原因にはなり得ないことが
わかる。

これは、ペリクル３を備えない普通のレチクルにも言え
ることがある。また、以上のことからペリクル３を備え
ている場合、従来よりレチクル１とペリクル３の間隔り
あるいはｄが小さくても異物の転写を小さくおさえられ
ることより、レチクル保管所の省スペース化が行える。

これは、レチクルを初めとするパターン・マスクの大型
化によるパターン・マスクの保管所のスペース確保の難
化な緩和するものである。

以上のような効果は、実施例に使われなかった他の投影
露光装置、パターン・マスクでも期待できることは言う
までもない。

また、今回送風はＮ２圧縮ガスにて行ったが、圧縮空気
など他のガスであってもかまわない。

さらに、パターニングの方法（基板、レジスト、現像液
等）は、特定しない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の投影露光方法を示す概略図であり、
レチクルがペリクルを備え、露光装置に送風機構が設け
られていることを示す。第２図は、実施例における、ペリクル上の真球ビーズの
大きさと、Ｓｉ基板上のレジストパターンサイズの関係
を示した図である。１　・　・　・２　・　・　・３　・　・　・４　・　・　・５　・　・　・６　・　・７　・　・８　・　・　・Ｄ、　　ｄ曲線Ａ・曲線Ｂ・レチクルクロムパターンペリクルペリクル枠真珠ビーズ送風口Ｎ２圧縮ガス排出口レチクル１とペリクル３の間隔送風を行った時送風を行っていない時以上

Claims

【特許請求の範囲】

（１）不透明な領域及び透明な領域を有するパターンが
形成された透明基板をパターン・マスクとして用い行う
、投影露光方法において、露光中に、前記透明基板の少
なくとも一方の面に気流を送ることを特徴とする投影露
光方法。
（２）前記透明基板の少なくとも一方の面に、ペリクル
を備え、露光中に、前記ペリクルの表面に気流を送る請
求項１記載の投影露光方法。