JPH02236295A - 電気メッキ方法 - Google Patents
電気メッキ方法Info
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- JPH02236295A JPH02236295A JP5534189A JP5534189A JPH02236295A JP H02236295 A JPH02236295 A JP H02236295A JP 5534189 A JP5534189 A JP 5534189A JP 5534189 A JP5534189 A JP 5534189A JP H02236295 A JPH02236295 A JP H02236295A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 10
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は平板状の被メッキ部材にメッキ膜を形成する電
気メッキ方法に関する。
気メッキ方法に関する。
従来より光電変換用半導体チップと、信号処理用シリコ
ンＩＣ半導体チップとにインジウム等の軟質金属からな
るバンプＮ．極を形成し，これを向き合わせて熱圧着し
たハイブリッド型赤外線イメージセンサーが知られてい
る。バンプ電極は典型的にはインジウム等の軟質金属か
らなり、直径２５ミクロン，高さ１０ミクロン、ピッチ
５０ミクロンで例えば６４ Ｘ ６４個配列されたもの
である。またその形成方法は，開口を設けたレジスト膜
をメッキ下地金属膜上に形成し、続いてメッキ下地金属
膜を陰極として開口部にのみバンプ電極をメッキ成長さ
せた後，不用のレジスト膜とメッキ下地金属膜を除去す
るものである。
ンＩＣ半導体チップとにインジウム等の軟質金属からな
るバンプＮ．極を形成し，これを向き合わせて熱圧着し
たハイブリッド型赤外線イメージセンサーが知られてい
る。バンプ電極は典型的にはインジウム等の軟質金属か
らなり、直径２５ミクロン，高さ１０ミクロン、ピッチ
５０ミクロンで例えば６４ Ｘ ６４個配列されたもの
である。またその形成方法は，開口を設けたレジスト膜
をメッキ下地金属膜上に形成し、続いてメッキ下地金属
膜を陰極として開口部にのみバンプ電極をメッキ成長さ
せた後，不用のレジスト膜とメッキ下地金属膜を除去す
るものである。
しかし、こうした従来のバンプ電極用のメッキ膜形成で
は、第３図に示すように基板１のメッキ下地金属２上に
形成されたレジスト膜３が疎水性のため，その開口部は
メッキ液５に充分に濶れレこくく、開口部に気泡７が残
り、メッキ不良が生じ易い。当然ながらメッキ不良の箇
所は画素欠陥となり、イメージセンサーの性能を損うも
のとなる。
は、第３図に示すように基板１のメッキ下地金属２上に
形成されたレジスト膜３が疎水性のため，その開口部は
メッキ液５に充分に濶れレこくく、開口部に気泡７が残
り、メッキ不良が生じ易い。当然ながらメッキ不良の箇
所は画素欠陥となり、イメージセンサーの性能を損うも
のとなる。
特に形成しようとするバンプの高さが大きい；よどレジ
スト膜厚が大きくなり．また素子を微細化するほど開口
径が小さくなるため、濡れ性の悪さによるメッキ不良が
顕著である。
スト膜厚が大きくなり．また素子を微細化するほど開口
径が小さくなるため、濡れ性の悪さによるメッキ不良が
顕著である。
さらに、表面活性材の添加は濡れ性をある程度改善する
がメッキ膜中ヘの不純物混入を招き、メッキされたバン
プの硬さを増してしまう等の理由で熱圧着性を損うため
、この場合には適用できなｂ１。
がメッキ膜中ヘの不純物混入を招き、メッキされたバン
プの硬さを増してしまう等の理由で熱圧着性を損うため
、この場合には適用できなｂ１。
こうしてパンプメツキ形成不良の発生はセンサーの大画
素化、微細化の障害となっていた。
素化、微細化の障害となっていた。
本発明の目的は上記の欠点を解決し、濡れ性を改善して
欠陥バンプ発生をなくした電気メッキ方法を提供するこ
とにある。
欠陥バンプ発生をなくした電気メッキ方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するため、本発明による電気メッキ方法
においては、内部に被メッキ部材と陽極板とを対向して
配置したメッキ槽を真空に徘気し、続いて槽内に供給し
たメッキ液中に前記被メッキ部材を浸した後、電気メッ
キを開始するものである。また、電気メッキ中において
も真空排気を続けることもできる。
においては、内部に被メッキ部材と陽極板とを対向して
配置したメッキ槽を真空に徘気し、続いて槽内に供給し
たメッキ液中に前記被メッキ部材を浸した後、電気メッ
キを開始するものである。また、電気メッキ中において
も真空排気を続けることもできる。
被メッキ部材は開口を設けたレジスト膜が形成されたも
のであるが、本発明の電気メッキ方法ではこれにメッキ
液が供給される際は真空中であるため、レジスト開口部
には空気等の気体は残っておらず気泡が残ることがない
。従ってメッキ液は開口部のメッキ下地金属に充分接触
し、表面活性材等を何等必要とせず濡れ性を改善できる
ので、欠陥のない良好なバンプを形成できる。
のであるが、本発明の電気メッキ方法ではこれにメッキ
液が供給される際は真空中であるため、レジスト開口部
には空気等の気体は残っておらず気泡が残ることがない
。従ってメッキ液は開口部のメッキ下地金属に充分接触
し、表面活性材等を何等必要とせず濡れ性を改善できる
ので、欠陥のない良好なバンプを形成できる。
次に、本発明をＩｎパンプメッキに適用した実施例につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の電気メッキ方法を適用
したＩｎバンプ形成の過程を示した図であり、第２図は
これを実施するために使用するメッキ装置の例を示す部
分断面図である。ここでメッキ膜を形成しようとする被
メッキ部材は第１図（ａ）に示すように、平板状の基板
１上にメッキ下地金属２が形成され、さらにそのうえに
開口部４を設けたレジスト膜３がマスクとして形成され
たものである。
したＩｎバンプ形成の過程を示した図であり、第２図は
これを実施するために使用するメッキ装置の例を示す部
分断面図である。ここでメッキ膜を形成しようとする被
メッキ部材は第１図（ａ）に示すように、平板状の基板
１上にメッキ下地金属２が形成され、さらにそのうえに
開口部４を設けたレジスト膜３がマスクとして形成され
たものである。
第２図において、まず、メッキ槽１１とメッキ液タンク
１６間をつなぐ配管に設けた弁１７ａ， １７ｂ， １
７ｃ，１７ｄを閉じ、メッキ液タンク１６にメッキ液を
入れておき、メッキ槽１１の内部に陰極とする被メッキ
部材１２と、インジウムからなる陽極板１３とを対向し
て配置する。次に真空ボンプ１５又は大気に通ずる配管
の弁１７ｅを切り替えて真空ボンプ１５によりメッキ槽
ｌＩ内を真空排気する。メツキ槽１１は真空を保てる密
閉容器である。続いて弁１７ａ， １７ｃを開き、液送
ポンプ１４によりメッキ液タンク１６からメノキ液５を
導入し、被メッキ部材１２と陽極板１３をメッキ液５中
に浸す。ここで第１図（ｂ）に示すように，メッキ液５
は被メッキ部材のレジスト膜３の開口部４に入り込んで
メッキ下地金属に充分に接触する。この後メッキ電源１
８から電流を印加することで、第１図（ｃ）に示すよう
にＩｎメッキバンプ６が形成される。
１６間をつなぐ配管に設けた弁１７ａ， １７ｂ， １
７ｃ，１７ｄを閉じ、メッキ液タンク１６にメッキ液を
入れておき、メッキ槽１１の内部に陰極とする被メッキ
部材１２と、インジウムからなる陽極板１３とを対向し
て配置する。次に真空ボンプ１５又は大気に通ずる配管
の弁１７ｅを切り替えて真空ボンプ１５によりメッキ槽
ｌＩ内を真空排気する。メツキ槽１１は真空を保てる密
閉容器である。続いて弁１７ａ， １７ｃを開き、液送
ポンプ１４によりメッキ液タンク１６からメノキ液５を
導入し、被メッキ部材１２と陽極板１３をメッキ液５中
に浸す。ここで第１図（ｂ）に示すように，メッキ液５
は被メッキ部材のレジスト膜３の開口部４に入り込んで
メッキ下地金属に充分に接触する。この後メッキ電源１
８から電流を印加することで、第１図（ｃ）に示すよう
にＩｎメッキバンプ６が形成される。
ここでメッキ槽ｌ１にメッキ液５を満たした後、通常は
弁１７ｅを切り替えて大気を導入しておけば良いのであ
るが，メッキ中も真空に引き続けることにより、液槽ポ
ンプの制御は複雑になるがメッキ中に発生する気泡をも
効果的に除去できる。
弁１７ｅを切り替えて大気を導入しておけば良いのであ
るが，メッキ中も真空に引き続けることにより、液槽ポ
ンプの制御は複雑になるがメッキ中に発生する気泡をも
効果的に除去できる。
メッキ終了後は弁１７ａ， １７ｃを閉じ、弁１７ｂ，
１７ｄを開いて液送ボンプ１４によりメッキ液をメッ
キ液タンクｌ６へ戻すことで、次の被メッキ部材に交換
をすれば良い。本発明の方法では第３図に示したように
気泡は残らずパンブメッキ不良は生じない。
１７ｄを開いて液送ボンプ１４によりメッキ液をメッ
キ液タンクｌ６へ戻すことで、次の被メッキ部材に交換
をすれば良い。本発明の方法では第３図に示したように
気泡は残らずパンブメッキ不良は生じない。
尚、以上の実施例はあくまでも一例であり、インジウム
以外のバンプメソキにも同様に適用できることはいうま
でもない。
以外のバンプメソキにも同様に適用できることはいうま
でもない。
以上説明したように本発明によれば、パンプメッキを形
成する開口部に気泡が残ることがなく、従ってメッキ不
良欠陥のないバンプを形成することができる。
成する開口部に気泡が残ることがなく、従ってメッキ不
良欠陥のないバンプを形成することができる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の電気メッキ方法を適用
したＩｎバンプ形成の過程を説明するための被メッキ部
材の拡大図、第２図はこれを実施するために使用するメ
ッキ装置の例を示す部分断面図、第３図は従来の方法に
よるＩｎバンプ形状を示す図である。 １・・・基板 ２・・・メッキ下地金属３・
・・レジスト膜 ４・・・開口部５・・・メッキ
液 ６・・・Ｉｎメッキバンプ７・・・気泡
１１・・・メッキ槽１２・・被メッキ部材
１３・・・陽極板１４・・・液送ボンプ １５
・・・真空ポンプ１６−・・メッキ液タンク １７ａ
，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ，１７ｅ−弁１８・・・メッ
キ電源 特許出願人 日本電気株式会社
したＩｎバンプ形成の過程を説明するための被メッキ部
材の拡大図、第２図はこれを実施するために使用するメ
ッキ装置の例を示す部分断面図、第３図は従来の方法に
よるＩｎバンプ形状を示す図である。 １・・・基板 ２・・・メッキ下地金属３・
・・レジスト膜 ４・・・開口部５・・・メッキ
液 ６・・・Ｉｎメッキバンプ７・・・気泡
１１・・・メッキ槽１２・・被メッキ部材
１３・・・陽極板１４・・・液送ボンプ １５
・・・真空ポンプ１６−・・メッキ液タンク １７ａ
，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ，１７ｅ−弁１８・・・メッ
キ電源 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (2)
- （１）内部に被メッキ部材と陽極板とを対向して配置し
たメッキ槽を真空に排気し、続いて槽内に供給したメッ
キ液中に前記被メッキ部材を浸した後、電気メッキを開
始することを特徴とする電気メッキ方法。 - （２）電気メッキ中においても真空排気を続けることを
特徴とする請求項第１項に記載の電気メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055341A JPH0772357B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 電気メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055341A JPH0772357B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 電気メッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02236295A true JPH02236295A (ja) | 1990-09-19 |
| JPH0772357B2 JPH0772357B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=12995809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055341A Expired - Fee Related JPH0772357B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 電気メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772357B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0978300A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-25 | Kondo:Kk | めっき又は洗浄用処理装置 |
| JP2014139341A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-07-31 | Novellus Systems Incorporated | 電気充填真空めっきセル |
| US10128102B2 (en) | 2013-02-20 | 2018-11-13 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US10840101B2 (en) | 2009-06-17 | 2020-11-17 | Novellus Systems, Inc. | Wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9677188B2 (en) | 2009-06-17 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Electrofill vacuum plating cell |
| US9455139B2 (en) | 2009-06-17 | 2016-09-27 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US9617648B2 (en) | 2015-03-04 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120937A (en) * | 1975-03-27 | 1976-10-22 | Becker Otto Alfred | Apparatus for electroplating metal surface * especially cut edge formed by piling cut metal plate |
| JPS51149131A (en) * | 1975-05-07 | 1976-12-21 | Rarusu Edobin Anderuson | Chemical or electrochemical treatment method and apparatus therefor |
| JPH01294888A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 電解メッキ装置 |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP1055341A patent/JPH0772357B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| JPS51149131A (en) * | 1975-05-07 | 1976-12-21 | Rarusu Edobin Anderuson | Chemical or electrochemical treatment method and apparatus therefor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0978300A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-25 | Kondo:Kk | めっき又は洗浄用処理装置 |
| JP2789317B2 (ja) * | 1995-09-14 | 1998-08-20 | 株式会社コンドウ | めっき又は洗浄用処理装置 |
| US10840101B2 (en) | 2009-06-17 | 2020-11-17 | Novellus Systems, Inc. | Wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
| JP2014139341A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-07-31 | Novellus Systems Incorporated | 電気充填真空めっきセル |
| US10128102B2 (en) | 2013-02-20 | 2018-11-13 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0772357B2 (ja) | 1995-08-02 |
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