JPH0772357B2 - 電気メッキ方法 - Google Patents
電気メッキ方法Info
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- JPH0772357B2 JPH0772357B2 JP1055341A JP5534189A JPH0772357B2 JP H0772357 B2 JPH0772357 B2 JP H0772357B2 JP 1055341 A JP1055341 A JP 1055341A JP 5534189 A JP5534189 A JP 5534189A JP H0772357 B2 JPH0772357 B2 JP H0772357B2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 55
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は平板状の被メッキ部材にメッキ膜を形成する電
気メッキ方法に関する。
気メッキ方法に関する。
従来より光電変換用半導体チップと、信号処理用シリコ
ンIC半導体チップとにインジウム等の軟質金属からなる
バンプ電極を形成し、これを向き合わせて熱圧着したハ
イブリッド型赤外線イメージセンサーが知られている。
バンプ電極は典型的にはインジウム等の軟質金属からな
り、直径25ミクロン、高さ10ミクロン、ピッチ50ミクロ
ンで例えば64×64個配列されたものである。またその形
成方法は、開口を設けたレジスト膜をメッキ下地金属膜
上に形成し、続いてメッキ下地金属膜を陰極として開口
部にのみバンプ電極をメッキ成長させた後、不用のレジ
スト膜とメッキ下地金属膜を除去するものである。
ンIC半導体チップとにインジウム等の軟質金属からなる
バンプ電極を形成し、これを向き合わせて熱圧着したハ
イブリッド型赤外線イメージセンサーが知られている。
バンプ電極は典型的にはインジウム等の軟質金属からな
り、直径25ミクロン、高さ10ミクロン、ピッチ50ミクロ
ンで例えば64×64個配列されたものである。またその形
成方法は、開口を設けたレジスト膜をメッキ下地金属膜
上に形成し、続いてメッキ下地金属膜を陰極として開口
部にのみバンプ電極をメッキ成長させた後、不用のレジ
スト膜とメッキ下地金属膜を除去するものである。
しかし、こうした従来のバンプ電極用のメッキ膜形成で
は、第３図に示すように基板１のメッキ下地金属２上に
形成されたレジスト膜３が疎水性のため、その開口部は
メッキ液５に充分に濡れにくく、開口部に気泡７が残
り、メッキ不良が生じ易い。当然ながらメッキ不良の箇
所は画素欠陥となり、イメージセンサーの性能を損うも
のとなる。特に形成しようとするバンプの高さが大きい
ほどレジスト膜厚が大きくなり、また素子を微細化する
ほど開口径が小さくなるため、濡れ性の悪さによるメッ
キ不良が顕著である。
は、第３図に示すように基板１のメッキ下地金属２上に
形成されたレジスト膜３が疎水性のため、その開口部は
メッキ液５に充分に濡れにくく、開口部に気泡７が残
り、メッキ不良が生じ易い。当然ながらメッキ不良の箇
所は画素欠陥となり、イメージセンサーの性能を損うも
のとなる。特に形成しようとするバンプの高さが大きい
ほどレジスト膜厚が大きくなり、また素子を微細化する
ほど開口径が小さくなるため、濡れ性の悪さによるメッ
キ不良が顕著である。
さらに、表面活性材の添加は濡れ性をある程度改善する
がメッキ膜中への不純物混入を招き、メッキされたバン
プの硬さを増してしまう等の理由で熱圧着性を損うた
め、この場合には適用できない。
がメッキ膜中への不純物混入を招き、メッキされたバン
プの硬さを増してしまう等の理由で熱圧着性を損うた
め、この場合には適用できない。
こうしてバンプメッキ形成不良の発生はセンサーの大画
素化、微細化の障害となっていた。
素化、微細化の障害となっていた。
本発明の目的は上記の欠点を解決し、濡れ性を改善して
欠陥バンプ発生をなくした電気メッキ方法を提供するこ
とにある。
欠陥バンプ発生をなくした電気メッキ方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するために、本発明は、内部に被メッキ
部材と陽極板とを対向して配置したメッキ槽を真空に排
気し、続いて、前記メッキ槽の内部に供給したメッキ液
中に、前記被メッキ部材を浸した後、電気メッキを開始
するようにしたものである。
部材と陽極板とを対向して配置したメッキ槽を真空に排
気し、続いて、前記メッキ槽の内部に供給したメッキ液
中に、前記被メッキ部材を浸した後、電気メッキを開始
するようにしたものである。
被メッキ部材は開口を設けたレジスト膜が形成されたも
のであるが、本発明の電気メッキ方法ではこれにメッキ
液が供給される際は真空中であるため、レジスト開口部
には空気等の気体は残っておらず気泡が残ることがな
い。従ってメッキ液は開口部のメッキ下地金属に充分接
触し、表面活性材等を何等必要とせず濡れ性を改善でき
るので、欠陥のない良好なバンプを形成できる。
のであるが、本発明の電気メッキ方法ではこれにメッキ
液が供給される際は真空中であるため、レジスト開口部
には空気等の気体は残っておらず気泡が残ることがな
い。従ってメッキ液は開口部のメッキ下地金属に充分接
触し、表面活性材等を何等必要とせず濡れ性を改善でき
るので、欠陥のない良好なバンプを形成できる。
次に、本発明をInバンプメッキに適用した実施例につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の電気メッキ方法を適用
したInバンプ形成の過程を示した図であり、第２図はこ
れを実施するために使用するメッキ装置の例を示す部分
断面図である。ここでメッキ膜を形成しようとする被メ
ッキ部材は第１図（ａ）に示すように、平板状の基板１
上にメッキ下地金属２が形成され、さらにそのうえに開
口部４を設けたレジスト膜３がマスクとして形成された
ものである。
したInバンプ形成の過程を示した図であり、第２図はこ
れを実施するために使用するメッキ装置の例を示す部分
断面図である。ここでメッキ膜を形成しようとする被メ
ッキ部材は第１図（ａ）に示すように、平板状の基板１
上にメッキ下地金属２が形成され、さらにそのうえに開
口部４を設けたレジスト膜３がマスクとして形成された
ものである。
第２図において、まず、メッキ槽11とメッキ液タンク16
間をつなぐ配管に設けた弁17a,17b,17c,17dを閉じ、メ
ッキ液タンク16にメッキ液を入れておき、メッキ槽11の
内部に陰極とする被メッキ部材12と、インジウムからな
る陽極板13とを対向して配置する。次に真空ポンプ15又
は大気に通ずる配管の弁17eを切り替えて真空ポンプ15
によりメッキ槽11内を真空排気する。メッキ槽11は真空
を保てる密閉容器である。続いて弁17a,17cを開き、液
送ポンプ14によりメッキ液タンク16からメッキ液５を導
入し、被メッキ部材12と陽極枝13をメッキ液５中に浸
す。ここで第１図（ｂ）に示すように、メッキ液５は被
メッキ部材のレジスト膜３の開口部４に入り込んでメッ
キ下地金属に充分に接触する。この後メッキ電源18から
電流を印加することで、第１図（ｃ）に示すようにInメ
ッキバンプ６が形成される。
間をつなぐ配管に設けた弁17a,17b,17c,17dを閉じ、メ
ッキ液タンク16にメッキ液を入れておき、メッキ槽11の
内部に陰極とする被メッキ部材12と、インジウムからな
る陽極板13とを対向して配置する。次に真空ポンプ15又
は大気に通ずる配管の弁17eを切り替えて真空ポンプ15
によりメッキ槽11内を真空排気する。メッキ槽11は真空
を保てる密閉容器である。続いて弁17a,17cを開き、液
送ポンプ14によりメッキ液タンク16からメッキ液５を導
入し、被メッキ部材12と陽極枝13をメッキ液５中に浸
す。ここで第１図（ｂ）に示すように、メッキ液５は被
メッキ部材のレジスト膜３の開口部４に入り込んでメッ
キ下地金属に充分に接触する。この後メッキ電源18から
電流を印加することで、第１図（ｃ）に示すようにInメ
ッキバンプ６が形成される。
ここでメッキ槽11にメッキ液５を満たした後、通常は弁
17eを切り替えて大気を導入しておけば良いのである
が、メッキ中も真空に引き続けることにより、液槽ポン
プの制御は複雑になるがメッキ中に発生する気泡もを効
果的に除去できる。
17eを切り替えて大気を導入しておけば良いのである
が、メッキ中も真空に引き続けることにより、液槽ポン
プの制御は複雑になるがメッキ中に発生する気泡もを効
果的に除去できる。
メッキ終了後は弁17a,17cを閉じ、弁17b,17dを開いて液
送ポンプ14によりメッキ液をメッキ液タンク16へ戻すこ
とで、次の被メッキ部材に交換をすれば良い。本発明の
方法では第３図に示したように気泡は残らずバンプメッ
キ不良は生じない。
送ポンプ14によりメッキ液をメッキ液タンク16へ戻すこ
とで、次の被メッキ部材に交換をすれば良い。本発明の
方法では第３図に示したように気泡は残らずバンプメッ
キ不良は生じない。
尚、以上の実施例はあくまでも一例であり、インジウム
以外のバンプメッキにも同様に適用できることはいうま
でもない。
以外のバンプメッキにも同様に適用できることはいうま
でもない。
以上説明したように本発明によれば、バンプメッキを形
成する開口部に気泡が残ることがなく、従ってメッキ不
良欠陥のないバンプを形成することができる。
成する開口部に気泡が残ることがなく、従ってメッキ不
良欠陥のないバンプを形成することができる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の電気メッキ方法を適用
したInバンプ形成の過程を説明するための被メッキ部材
の拡大図、第２図はこれを実施するために使用するメッ
キ装置の例を示す部分断面図、第３図は従来の方法によ
るInバンプ形状を示す図である。 １……基板、２……メッキ下地金属 ３……レジスト膜、４……開口部 ５……メッキ液、６……Inメッキバンプ ７……気泡、11……メッキ槽 12……被メッキ部材、13……陽極板 14……液送ポンプ、15……真空ポンプ 16……メッキ液タンク、17a,17b,17c,17d,17e……弁 18……メッキ電源
したInバンプ形成の過程を説明するための被メッキ部材
の拡大図、第２図はこれを実施するために使用するメッ
キ装置の例を示す部分断面図、第３図は従来の方法によ
るInバンプ形状を示す図である。 １……基板、２……メッキ下地金属 ３……レジスト膜、４……開口部 ５……メッキ液、６……Inメッキバンプ ７……気泡、11……メッキ槽 12……被メッキ部材、13……陽極板 14……液送ポンプ、15……真空ポンプ 16……メッキ液タンク、17a,17b,17c,17d,17e……弁 18……メッキ電源
Claims (1)
- 【請求項１】内部に被メッキ部材と陽極板とを対向して
配置したメッキ槽を真空に排気し、続いて、前記メッキ
槽の内部に供給したメッキ液中に、前記被メッキ部材を
浸した後、電気メッキを開始することを特徴とする電気
メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055341A JPH0772357B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 電気メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055341A JPH0772357B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 電気メッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02236295A JPH02236295A (ja) | 1990-09-19 |
| JPH0772357B2 true JPH0772357B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=12995809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055341A Expired - Fee Related JPH0772357B2 (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | 電気メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772357B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103866365A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 诺发系统公司 | 电镀填充真空电镀槽 |
| US9455139B2 (en) | 2009-06-17 | 2016-09-27 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US9613833B2 (en) | 2013-02-20 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US9617648B2 (en) | 2015-03-04 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias |
| US9677188B2 (en) | 2009-06-17 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Electrofill vacuum plating cell |
| US9721800B2 (en) | 2009-06-17 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2789317B2 (ja) * | 1995-09-14 | 1998-08-20 | 株式会社コンドウ | めっき又は洗浄用処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE7603626L (sv) * | 1975-03-27 | 1977-01-04 | Otto Alfred Becker | Anordning for att galvanisera metallytor, serskilt vid snittkantytor hos genom stapling tillskurna platar |
| FI53841C (fi) * | 1975-05-07 | 1978-08-10 | Teuvo Tapio Korpi | Elektrolytisk ytbelaeggningsanordning |
| JP2628886B2 (ja) * | 1988-05-19 | 1997-07-09 | 三菱電機株式会社 | 電解メッキ装置 |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP1055341A patent/JPH0772357B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9455139B2 (en) | 2009-06-17 | 2016-09-27 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US9677188B2 (en) | 2009-06-17 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Electrofill vacuum plating cell |
| US9721800B2 (en) | 2009-06-17 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
| US9828688B2 (en) | 2009-06-17 | 2017-11-28 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US9852913B2 (en) | 2009-06-17 | 2017-12-26 | Novellus Systems, Inc. | Wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
| US10301738B2 (en) | 2009-06-17 | 2019-05-28 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US10840101B2 (en) | 2009-06-17 | 2020-11-17 | Novellus Systems, Inc. | Wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
| CN103866365A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 诺发系统公司 | 电镀填充真空电镀槽 |
| US9613833B2 (en) | 2013-02-20 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US10128102B2 (en) | 2013-02-20 | 2018-11-13 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
| US9617648B2 (en) | 2015-03-04 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02236295A (ja) | 1990-09-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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