JPH0223681A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
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- JPH0223681A JPH0223681A JP63174743A JP17474388A JPH0223681A JP H0223681 A JPH0223681 A JP H0223681A JP 63174743 A JP63174743 A JP 63174743A JP 17474388 A JP17474388 A JP 17474388A JP H0223681 A JPH0223681 A JP H0223681A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 4
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910034327 TiC Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気抵抗効果を利用した磁界センサに係わり、
特に磁界検出用センサ、磁気ヘッドに好適な磁気抵抗効
果素子に関する。
特に磁界検出用センサ、磁気ヘッドに好適な磁気抵抗効
果素子に関する。
（従来の技術）
周知のように、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型
素子は高感度で比較的大きな出力が得られるため、磁界
センサ、磁気ヘッドとして広く利用されている。このよ
うな磁界センサ、磁気ヘッドにおいては感度を高めるた
め及び線形応答に近づけるためにバイアスとして直流磁
界を印加している。従来、磁気抵抗効果型素子には２％
程度の磁気抵抗変化率を示すパーマロイ合金薄膜が広く
用いられている。
素子は高感度で比較的大きな出力が得られるため、磁界
センサ、磁気ヘッドとして広く利用されている。このよ
うな磁界センサ、磁気ヘッドにおいては感度を高めるた
め及び線形応答に近づけるためにバイアスとして直流磁
界を印加している。従来、磁気抵抗効果型素子には２％
程度の磁気抵抗変化率を示すパーマロイ合金薄膜が広く
用いられている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、パーマロイ合金薄膜の磁気抵抗変化率は微弱な
磁界を測定するためにはまだ／卦さく、高感度磁気セン
サ、高密度磁気記録用磁気ヘッド等に用いた場合に充分
な感度が得られないという問題点があった。
磁界を測定するためにはまだ／卦さく、高感度磁気セン
サ、高密度磁気記録用磁気ヘッド等に用いた場合に充分
な感度が得られないという問題点があった。
本発明の目的は上記従来技術の欠点をなくし、磁気抵抗
変化率が大きく高感度な磁気抵抗変化型素子を提供する
ことにある。
変化率が大きく高感度な磁気抵抗変化型素子を提供する
ことにある。
（課題を解決するだめの手段）
上記問題点を解決するために、本発明では磁気抵抗効果
を有する強磁性薄膜と電気伝導度の高い金属導体薄膜と
を交互に積層した多層膜を用いる。
を有する強磁性薄膜と電気伝導度の高い金属導体薄膜と
を交互に積層した多層膜を用いる。
以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
第１図は本発明の磁気抵抗効果素子の一例を示す部分断
面構造図である。非磁性基板１と、その上に交互に積層
された磁気抵抗効果を有する強磁性層２と電気伝導度の
高い金属導体層３を含む。
面構造図である。非磁性基板１と、その上に交互に積層
された磁気抵抗効果を有する強磁性層２と電気伝導度の
高い金属導体層３を含む。
第１図では基板１上にまず強磁性層２を形成し、次に金
属導体層３を形成し最後の層も金属導体層で終わるよう
に記しであるが、本発明の磁気抵抗効果素子の特性はこ
れらの層の積層順序には依らない。
属導体層３を形成し最後の層も金属導体層で終わるよう
に記しであるが、本発明の磁気抵抗効果素子の特性はこ
れらの層の積層順序には依らない。
本発明に係わる非磁性基板１の材料にはガラス、Ｓｉ、
Ａｌ□０３、ＴｉＣ，５ｉＣ１Ａ１２０３とＴｉＣと
の焼結体、フェライト等を用いることが出来、また強磁
性層２にはＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性
合金、あるいはこれらに添加物を加えたものを用いるこ
とが出来る。また、本発明に係わる金属導体層３の材料
としてはＡｕ、 Ａｇ、 Ｃｕ、 Ａ１等の電気伝導度
の高い金属、あるいはこれらに添加物を加えたものを用
いることが出来る。
Ａｌ□０３、ＴｉＣ，５ｉＣ１Ａ１２０３とＴｉＣと
の焼結体、フェライト等を用いることが出来、また強磁
性層２にはＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性
合金、あるいはこれらに添加物を加えたものを用いるこ
とが出来る。また、本発明に係わる金属導体層３の材料
としてはＡｕ、 Ａｇ、 Ｃｕ、 Ａ１等の電気伝導度
の高い金属、あるいはこれらに添加物を加えたものを用
いることが出来る。
上記の強磁性材料と金属導体材料とを２基の蒸発源を持
つ真空蒸着装置、もしくは２基のターゲットを持つスパ
ッタリング装置で蒸発させ、２基の蒸発源シャッターを
交互に開閉したり、あるいは基板を２基の蒸発源上を交
互に通過させることによって、基板上に２種類の材料を
交互に積層させ、本発明の多層膜構造を作ることが出来
る。
つ真空蒸着装置、もしくは２基のターゲットを持つスパ
ッタリング装置で蒸発させ、２基の蒸発源シャッターを
交互に開閉したり、あるいは基板を２基の蒸発源上を交
互に通過させることによって、基板上に２種類の材料を
交互に積層させ、本発明の多層膜構造を作ることが出来
る。
（実施例）
以下に本発明の詳細を実施例により説明する。
２基のターゲットを用いたＡｒガス中でのｒｆマグネト
ロンスパッタリングにより、第１表に示す強磁性層と金
属導体層とを交互に連続的に積層した多層膜試料１〜６
を作成した。基板にはサファイア基板を用い、基板温度
は２００°Ｃとした。成膜速度は１人／秒とし、シャッ
ターの開閉時間を変えて各層の膜厚を制御した、スパッ
タ電力は１．３Ｗ／ａｍ２、スパッタ圧力は５Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒであった。ここで、膜全体の厚さは全て１０
０ＯＡと一定した。これらの試料の磁気特性を振動試料
型磁力計で測定したところ異方性磁界はいずれも１００
ｅ以下であり、磁気抵抗効果素子に適した軟磁気特性を
示した。
ロンスパッタリングにより、第１表に示す強磁性層と金
属導体層とを交互に連続的に積層した多層膜試料１〜６
を作成した。基板にはサファイア基板を用い、基板温度
は２００°Ｃとした。成膜速度は１人／秒とし、シャッ
ターの開閉時間を変えて各層の膜厚を制御した、スパッ
タ電力は１．３Ｗ／ａｍ２、スパッタ圧力は５Ｘ１０−
３Ｔｏｒｒであった。ここで、膜全体の厚さは全て１０
０ＯＡと一定した。これらの試料の磁気特性を振動試料
型磁力計で測定したところ異方性磁界はいずれも１００
ｅ以下であり、磁気抵抗効果素子に適した軟磁気特性を
示した。
これらの試料の磁気抵抗変化率を１ｋＯｅの回転磁場中
での４端子法によって測定し、第１表にまとめた。第１
表から明らかなように、強磁性薄膜と金属導体薄膜とを
交互に積層した多層膜においては従来材料であるパーマ
ロイ合金薄膜の数倍の大きな第１表 次に２基の蒸発源を用いた電子ビーム真空蒸着法により
第２表に示す強磁性層と金属導体層とを交互に連続的に
積層した多層膜試料７〜１２を作成した。
での４端子法によって測定し、第１表にまとめた。第１
表から明らかなように、強磁性薄膜と金属導体薄膜とを
交互に積層した多層膜においては従来材料であるパーマ
ロイ合金薄膜の数倍の大きな第１表 次に２基の蒸発源を用いた電子ビーム真空蒸着法により
第２表に示す強磁性層と金属導体層とを交互に連続的に
積層した多層膜試料７〜１２を作成した。
基板にはガラス基板を用い、基板温度は１００°Ｃとし
た。成膜速度は１人１秒とし、各蒸発源のシャッターの
開閉時間を変えて各層の膜厚を制御した、蒸着中の真空
度は５ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒであった。ここで、膜全体
の厚さは全て１００ＯＡと一定にした。これらの試料の
磁気特性を振動試料型磁力計で測定したところ異方性磁
界はいずれも１００ｅ以下であり、磁気抵抗効果素子に
適した軟磁気特性を示した。
た。成膜速度は１人１秒とし、各蒸発源のシャッターの
開閉時間を変えて各層の膜厚を制御した、蒸着中の真空
度は５ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒであった。ここで、膜全体
の厚さは全て１００ＯＡと一定にした。これらの試料の
磁気特性を振動試料型磁力計で測定したところ異方性磁
界はいずれも１００ｅ以下であり、磁気抵抗効果素子に
適した軟磁気特性を示した。
これらの試料の磁気抵抗変化率を１ｋＯｅの回転磁場中
での４端子法によって測定し、第２表にまとめた。第２
表から明らかなように、強磁性薄膜と金属導体薄膜とを
交互に積層した多層膜においては従来材料であるパーマ
ロイ合金薄膜の２倍以上の太き（発明の効果） 本発明は磁気抵抗効果素子において、非磁性基板上に磁
気抵抗効果を有する強磁性薄膜と電気伝導度の高い金属
導体薄膜とを交互に積層した多層構造を持つことによっ
て、磁気抵抗変化率が大きく、高感度な磁気抵抗変化型
素子が得られるという効果がある。
での４端子法によって測定し、第２表にまとめた。第２
表から明らかなように、強磁性薄膜と金属導体薄膜とを
交互に積層した多層膜においては従来材料であるパーマ
ロイ合金薄膜の２倍以上の太き（発明の効果） 本発明は磁気抵抗効果素子において、非磁性基板上に磁
気抵抗効果を有する強磁性薄膜と電気伝導度の高い金属
導体薄膜とを交互に積層した多層構造を持つことによっ
て、磁気抵抗変化率が大きく、高感度な磁気抵抗変化型
素子が得られるという効果がある。
第１図は本発明の磁気抵抗効果素子の構造を示す部分断
面図である。 １・・・非磁性基板、２・・・第１の強磁性層、３・・
・第２の強磁性
面図である。 １・・・非磁性基板、２・・・第１の強磁性層、３・・
・第２の強磁性
Claims (1)
- 磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜と電気伝導度の高い金
属導体薄膜とを交互に積層した多層膜からなることを特
徴とする磁気抵抗効果素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174743A JPH0223681A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174743A JPH0223681A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223681A true JPH0223681A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15983902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174743A Pending JPH0223681A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0223681A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991018424A1 (en) * | 1990-05-21 | 1991-11-28 | Ube Industries, Ltd. | Magnetoresistance effect element |
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| JPH04360009A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-12-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層磁気構造及び磁気抵抗センサ |
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| US5277991A (en) * | 1991-03-08 | 1994-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive materials |
| EP0581295A1 (en) * | 1992-07-31 | 1994-02-02 | Sony Corporation | Magnetoresistance film and method of manufacturing same |
| JPH06244476A (ja) * | 1993-02-16 | 1994-09-02 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子薄膜 |
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| US6125019A (en) * | 1992-04-13 | 2000-09-26 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head including magnetoresistive element |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63174743A patent/JPH0223681A/ja active Pending
Cited By (21)
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| US5578385A (en) * | 1991-03-29 | 1996-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| US6633465B2 (en) | 1992-04-13 | 2003-10-14 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive element |
| US6249405B1 (en) | 1992-04-13 | 2001-06-19 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head including magnetoresistive element |
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