JPH04360009A - 多層磁気構造及び磁気抵抗センサ - Google Patents

多層磁気構造及び磁気抵抗センサ

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JPH04360009A
JPH04360009A JP4017535A JP1753592A JPH04360009A JP H04360009 A JPH04360009 A JP H04360009A JP 4017535 A JP4017535 A JP 4017535A JP 1753592 A JP1753592 A JP 1753592A JP H04360009 A JPH04360009 A JP H04360009A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は概して磁気媒体から情報
信号を読み取るための磁気トランスデューサに関し、具
体的には、改良された磁気抵抗読取トランスデューサに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
技術は、磁気抵抗（ＭＲ）センサまたは磁気抵抗ヘッド
と呼ばれる磁気トランスデューサを開示しており、この
ＭＲセンサは、大きな線形密度で磁気表面からデータを
読み取ることができることが明らかにされている。ＭＲ
センサは、磁性体から作られた読取素子の抵抗変化によ
り、この素子によって感知される磁束の量および方向の
関数として磁界信号を検出する。これら従来技術のＭＲ
センサは、抵抗の１成分が磁化と電流の方向との間の角
度のｃｏｓ２として変化する異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）
効果に基づいて動作する。たとえＡＭＲ効果が抵抗の非
常に小さな変化をもたらすにすぎなくとも、これらのＭ
ＲセンサはＡＭＲ効果に基づいて動作していた。
【０００３】もっと最近になって、増強されたＭＲ効果
を得るための技術に関する報告が発表された。これらの
発表の１つであるＧ．バイナッシュ（Ｂｉｎａｓｃｈ）
等の論文”Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉ
ｓｔａｎｃｅ　ｉｎ　Ｌａｙｅｒｅｄ　Ｍａｇｎｅｔｉ
ｃ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｗｉｔｈ　Ａｎｔｉｆｅｒ
ｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ　Ｅｘｃ
ｈａｎｇｅ”，　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ，　
Ｂ．　Ｖ３９，　ｐ．４８２８（１９８９　年）は、磁
化の反平行整合によって生じる、増強されたＭＲ効果を
もたらす層状磁気構造について記載している。しかし、
これらの抵抗変化を得るために必要な飽和磁界は余りに
大きく、かつ効果は非線形にすぎるので、実用的なＭＲ
センサを製造するには適していなかった。
【０００４】もう１つの発表であるＰ．グルンバーグ（
Ｇｒｕｎｂｅｒｇ）等の論文　”Ｌａｙｅｒｅｄ　Ｍａ
ｇｎｅｔｉｃ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ：　Ｅｘｃｈａｎ
ｇｅ　Ｃｏｕｐｌｉｎｇ　ｏｆ　Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅ
ｔｉｃ　Ｌａｙｅｒｓ　Ａｃｒｏｓｓ　Ｉｎｔｅｒｌａ
ｙｅｒｓ”，　ＭＲＳ，　Ｉｎｔｌ．　Ｍｔｇ．　Ａｄ
ｖ．　Ｍａｔｓ．，　Ｖ．１０，　ｐ．２５５　（１９
８９　年）、および１９６０年代に遡る諸研究が、広汎
な系について、そのような系における強磁性結合が、磁
性層の分離が増大するに従って単調に減衰することを示
している。
【０００５】従来技術は、磁気抵抗が高く、かつ磁界が
十分低くてＭＲセンサとして有用である、多層システム
を示していない。
【０００６】したがって、本発明の主な目的は、大きな
磁気抵抗値を有するＭＲセンサを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＭＲセ
ンサは、強磁性材料と非磁性材料の交互の層を含む、基
板上に形成された多層構造を備え、強磁性材料と非磁性
材料層が、二層構造を形成し、この二層構造は、多層構
造の磁気抵抗が非磁性材料層の厚みの関数として振動す
るという特性を示す。ＭＲセンサにより電流が発生し、
ＭＲセンサの抵抗率の変化が、検出される磁界の関数と
して検出される。
【０００８】非磁性層の厚みを、磁気抵抗のピークに対
応する厚みに選定することにより、非常に大きな飽和磁
気抵抗を得ることができる。この飽和磁気抵抗は室温で
６５％を超え、４．２Ｋで１１０％を超える値に達し、
これまでに観測されたどの値よりも大きい。
【０００９】
【実施例】本発明によれば、磁性材料と非磁性材料の交
互の層を含む金属多層構造が提供される。この金属多層
構造は従来技術の構造に比べて予期しないほど高い飽和
磁気抵抗値を示し、ある種の材料では、これらの構造の
磁気抵抗が非磁性層の厚みの関数として変化することが
見出された。
【００１０】図１に示すように、従来技術は、これらの
層状構造の飽和磁気抵抗が非磁性層の厚みと共に単調に
減少することを教示している。この従来技術の教示とは
対照的に、本発明者等は、ある種の材料の組合せについ
て、例えば図２に示すように、飽和磁気抵抗が非磁性層
の厚みと共に変化することを見出した。磁気抵抗は非磁
性層の厚みと共に振動し、この特定の実施例では９Åと
１０Åの間に第１のピークがあり、１９Åまたは２０Å
付近に第２のピークがあり、３０Åの少し上に第３のピ
ークがあることに留意されたい。
【００１１】この振動特性を示す材料を使用すれば、非
磁性金属層の厚みを、例えば図２に示すようなピークの
１つに対する厚みと一致するように選定することにより
、大きな磁気抵抗変化を生じるＭＲセンサを作ることが
可能である。
【００１２】非磁性層の厚みの関数として飽和磁気抵抗
の大きさの振動を発生する、磁性層と非磁性層の材料の
組合せは、例えば、それらの概略状態図にみられるそれ
らの特性を考慮することによって選ぶことができる。一
般に、これらの材料の組合せは互いに化合物を形成せず
、大きな混和性ギャップがある。
【００１３】これらの材料系の具体例を次に示す。磁気
抵抗（ＭＲ）センサの特定の実施例を図３に示す。ＭＲ
センサ１０は、適当な基板１１上に形成され、強磁性材
料１２と非磁性金属材料１４の交互の層を有する多層金
属構造を備える。選択された数Ｎの層１２および１４の
組合せが形成され、この組立体は、センサ１０の保護層
として働くキャップ層１６を備える。
【００１４】図３に示した本発明の特定の実施例は以下
の材料の二層構造を含む。Ｓｉ／Ｃｕ（４８Å）／［Ｃ
ｏ（９Å）／Ｃｕ（ｔｃｕ）］ｎ／Ｃｕ（５０Å）この
構造は、幾つかのサンプルでは２０個の二層構造、他の
サンプルでは１６個の二層構造で作成されたが、これら
の構造の磁気抵抗を図４に示す。１６個の二層構造を有
する構造では、磁気抵抗が幾分小さいが、１６個および
２０個の二層構造で振動のパターンは同じであり、１０
および２０オングストローム近辺と、３０オングストロ
ームを少し過ぎたところに銅のピークがある。バッファ
層およびキャップ層を通る分路は磁気抵抗の大きさを減
少させるが、バッファ層およびキャップ層の材料として
高い抵抗率のものを選び、材料層の組合せの数Ｎとして
大きな値（例えば、４０−６０）を選ぶことにより、磁
気抵抗の大きさを最大にすることができる。
【００１５】図５に示した本発明の特定の実施例は、基
板１１上に付着した四層構造を含み、この四層構造は第
１の強磁性材料層１２、第１の非磁性金属材料層１４、
第２の強磁性材料層１３、および第２の非磁性金属材料
層１５を含む。選択された数Ｎの材料組合せの層１２、
１３、１４、１５が形成され、この組立体はキャップ層
１６を備える。
【００１６】本発明による四層構造の特定の実施例は以
下の構造を含む。 Ｓｉ／［Ｃｏ（１０Å）／Ｃｕ（ｔｃｕ）／Ｎｉ（１１
．５Å）／Ｃｕ（ｔｃｕ）］ｎ／ この構造は図６のグラフで、１０および２０オングスト
ロームの少し手前にピークを有する厚みの有限振動を示
す。
【００１７】上述の層状構造で認められる非常に大きな
磁気抵抗効果は、ある種のバッファ層上への付着によっ
てかなり増強できることも発見された。図７は図３と同
様な二層構造を示すが、第１の強磁性層１２の形成に先
立ってバッファ層１８が基板１１上に設けられる点が異
なっている。キャップ層１６の付着に続いて、ＭＲセン
サ構造、電流源２４および検出手段２６の間に回路パタ
ーンを形成するためにリード線２０および２２が設けら
れる。
【００１８】図８は、同数のＣｏ層およびＣｕ層を有し
、さらに障壁層１８およびキャップ層１６としてＦｅお
よびＣｕの種々の組合せを有する、４つの二層構造のグ
ラフを示す。これらのグラフは３倍以上の飽和磁気抵抗
の変化を示す。これらの差は、バッファ層を通る電流分
路の減少および本構造の薄膜の成長形態の変化によるも
のである。
【００１９】バッファ層の材料は、最適の磁気抵抗が得
られるように選ばなければならない。最初に考慮すべき
点は基板材料と反応してはならないということであり、
第２の要件は平坦性であり、これは薄い非磁性スペーサ
層（すなわち、第１のピークの近傍における）にとって
特に重要であるように思われる。さらに、分路効果を最
小にするためにバッファ層はできるだけ薄くする必要が
あり、同時にバッファ層が連続層であることを保証しな
ければならない。バッファ層は、例えば、Ｆｅ、Ｒｕ、
Ｃｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、ＲｅまたはＣｒを含むことができ、
Ｆｅの適切な厚みは約１５ないし５０オングストローム
の範囲である。
【００２０】図２のグラフは、バッファ層を有する構造
の具体例であり、以下の構造を有する。 Ｓｉ／Ｆｅ（４５Å）／［Ｃｏ（１０Å）／Ｃｕ（ｔｃ
ｕ）］ｎ 図２に示すデータは、室温、すなわち３００゜Ｋで取っ
たものであるが、ヘリウム温度（４．２Ｋ）での同じ構
造のデータを図９に示す。これら２つのグラフは類似し
ており、磁気抵抗のピークが温度と無関係であることを
示している。
【００２１】図１０は、図５に示したものと同様の四層
構造を含むＭＲセンサを示すが、第１の強磁性層１２の
形成に先立ってバッファ層１８が基板１１上に設けられ
る点が異なる。バッファ層を有する四層構造の具体例は
以下の構造を含む。 Ｓｉ／Ｒｕ（１００Å）／［Ｃｏ（１６Å）／Ｒｕ（ｔ
ｓ）／Ｎｉ（４５Å）／Ｒｕ（ｔｓ）］１０／Ｒｕ（５
０Å）
【００２２】この構造の飽和磁界とバッファ層１８の厚
みの関係を図１１に示す。１０Åの手前、２０Åの手前
および３０Åの近くに飽和磁界のピークがあることに留
意されたい。このグラフは、飽和磁界と飽和磁気抵抗が
密接に関係していることを示し、さらにそれらの大きさ
が約８ないし１０Åの周期でＲｕバッファ層の厚みの関
数として振動することを示す。飽和磁界のピークは非磁
性スペーサ層の厚みの変化に応じて、磁気抵抗のピーク
よりも速く減衰する。飽和磁界のピークが１／（ｔｓ）
ｐ（Ｐは約１．７〜２）として変化するのに対し、磁気
抵抗のピークはほぼ１／ｔｓとして変化する。
【００２３】図１２は、銅スペーサ層の厚みを変えた６
個のＣｏ／Ｃｕ二層構造の磁気抵抗／磁界曲線を示す。 この構造は以下のものを含む。 Ｓｉ／Ｆｅ（４０Å）／［Ｃｏ（１０Å）／Ｃｕ（ｔｃ
ｕ）］１６ 明らかに磁気抵抗の大きさは、Ｃｕ層の厚みが５．３Å
の場合には非常に小さいが、厚みが９．３Åの場合は大
きくなる。Ｃｕ層の厚みが増大するに従い、磁気抵抗の
大きさは図１２に示すように小さい値から大きい値へと
振動する。
【００２４】磁気抵抗応答を発生させるために必要な磁
界がＣｕ層の厚みと共に変化することも理解できよう。 例えば、９．３ÅのＣｕの第１ピークは約５５％の磁気
抵抗をもつ。しかし、必要な磁界は〜３ＫＯｅである。 １９．１ÅＣｕの第２ピークは約４５％とさらに低い磁
気抵抗を有し、また約〜０．５ＫＯｅとさらに低い磁界
を有する。このデータを使用することにより、磁気抵抗
が最大の第１ピークで動作するように、あるいは磁気抵
抗は大きいが磁界がより低い第２ピークで動作するよう
にＣｕ層の厚みを選ぶことができる。
【００２５】図１３は、以下の構造を含むＭＲセンサの
特定の実施例に関するデータを示す。 Ｓｉ／Ｒｕ（５０Å）／［Ｃｏ（１０Å）／Ｃｕ（ｔｃ
ｕ）］ｎ／Ｒｕ（１５Å） このデータは磁気抵抗の振動を示し、これらの振動は、
銅層の厚みが約６０Åのときかなり減衰する。銅層の厚
みがもっと大きい場合は、磁気抵抗値は銅層の厚みに反
比例して変化する。このデータはまた、銅層の厚みが４
００オングストロームを超える非常に大きな値の場合に
磁気抵抗の値が大きいことを示す。
【００２６】さらに低い磁界で２８％と幾分小さい磁気
抵抗を生じる構造の一例を図１４に示す。この構造は以
下のものを含む。 Ｓｉ／Ｒｕ（５０Å）／［Ｃｏ（１０Å）／Ｃｕ（１７
．４Å）］２０／Ｒｕ（１５Å）
【００２７】非磁性層の厚みの変化に従った飽和磁気抵
抗の振動の特性を示す多数の例を種々の材料の組合せに
ついて示した。特定の材料の組合せはＦｅ／Ｃｒおよび
Ｃｏ／Ｃｒを含むものである。Ｃｕは一般に、例えば、
Ｃｏ／Ｃｕ、ＮｉＦｅ／Ｃｕ、Ｃｏ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｕ
、Ｃｏ／Ｃｕ／Ｆｅ／Ｃｕ、Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／Ｃ
ｕ、Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｉＣｏ／Ｃｕなど大部分の強磁性材
料と協働する。Ｒｕは一般に、例えば、Ｆｅ／Ｒｕ、Ｃ
ｏ／Ｒｕ、Ｎｉ／Ｒｕ、ＮｉＦｅ／Ｒｕ、ＮｉＣｏ／Ｒ
ｕ、Ｆｅ／Ｒｕ／Ｃｏ／Ｒｕ、Ｃｏ／Ｒｕ／Ｎｉ／Ｒｕ
、Ｃｏ／Ｒｕ／ＮｉＣｏ／Ｒｕ、Ｃｏ／Ｒｕ／ＮｉＦｅ
／Ｒｕなど大部分の強磁性材料と協働する。Ｉｒ、Ｒｅ
およびＲｈも一般に大部分の強磁性材料と協働する。
【００２８】強磁性層の厚みも磁気抵抗に影響を及ぼす
ものであり、強磁性層はできるだけ薄くしなければなら
ないことを示すことができる。しかし、図１５は以下の
形の３種類の二層構造の横磁気抵抗と面内磁界の関係を
示す。 Ｓｉ／Ｆｅ（４０Å）［Ｃｏ（ｔｃｏ）／Ｃｕ（９．３
Å）］１６／Ｃｕ（１９Å） これらの曲線は強磁性層の厚みの変化に従った磁気抵抗
および磁界の両方の大きな変動を示す。コバルト層の厚
みが〜１０Å以上に増加すると、飽和磁気抵抗の大きさ
はほぼコバルト層の厚みに反比例して減少する。
【００２９】
【発明の効果】多層構造の磁気抵抗が非磁性材料層の厚
みの関数として振動するという特性を示す、強磁性材料
および非磁性材料の組合せを用いたＭＲセンサについて
説明した。非磁性材料の厚みとして磁気抵抗のピークに
対応する厚みを選ぶことにより、６０％を超える非常に
大きな飽和磁気抵抗を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術の教示による、非磁性スペーサ層によ
って分離された強磁性層を含む構造における、飽和磁気
抵抗を非磁性スペーサ層の厚みの関数として示すグラフ
である。
【図２】本発明による関連する多層構造系列の飽和磁気
抵抗と非磁性層の厚みの関係を示すグラフである。
【図３】本発明による二層構造を含む磁気抵抗センサの
特定の実施例の端面図である。
【図４】本発明による二層構造の特定の実施例の飽和磁
気抵抗と非磁性層の厚みの関係を示すグラフである。
【図５】本発明による四層構造を含む磁気抵抗センサの
特定の実施例の端面図である。
【図６】本発明による四層構造の特定の実施例の飽和磁
気抵抗と非磁性層の厚みの関係を示すグラフである。
【図７】本発明による二層構造を含む磁気抵抗センサの
特定の実施例の端面図である。
【図８】図７に示した形式の４種の類似構造の磁気抵抗
と面内磁界の関係を示すグラフである。
【図９】４．２Ｋの温度における、図２に示した構造系
列の飽和磁気抵抗と非磁性層の厚みの関係を示すグラフ
である。
【図１０】本発明による四層構造を含む磁気抵抗センサ
の実施例の端面図である。
【図１１】図１０に示した形式の構造の飽和磁界と非磁
性層の厚みの関係を示すグラフである。
【図１２】図７に示した形式の６種の代表的構造の磁気
抵抗と面内磁界の関係を示す一連のグラフ（ａ）−（ｆ
）である。
【図１３】図７に示した形式の構造の磁気抵抗と非磁性
層の厚みの関係を示すグラフである。
【図１４】低磁界で高磁気抵抗を示す、図７に示した形
式の構造の磁気抵抗と磁界の関係を示すグラフである。
【図１５】図７に示した形式の３種の構造の、強磁性層
の厚みを変化させた場合の磁気抵抗と面内磁界の関係を
示すグラフである。
【符号の説明】
１０　　ＭＲセンサ １１　　基板 １２　　強磁性層 １４　　非磁性層 １６　　キャップ層 １８　　バッファ層 ２４　　電流源 ２６　　検出手段

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板と上記基板上に形成された多層構造と
    を含み、上記層状構造が強磁性材料と非磁性金属材料の
    交互の層を含み、上記強磁性材料と上記非磁性材料が、
    上記多層構造の磁気抵抗が上記非磁性材料層の厚みの関
    数として振動するという特性を示す二層構造を形成する
    、磁気抵抗センサと、上記磁気抵抗センサを通る電流を
    生じる手段と、検出される磁界の関数として上記磁気抵
    抗センサの抵抗率の変化を検出する手段とを備えた磁気
    抵抗検出システム。
  2. 【請求項２】上記磁気抵抗対上記非磁性材料層の厚み曲
    線が、少なくとも第１および第２のピークを含む、請求
    項１の磁気抵抗検出システム。
  3. 【請求項３】磁気抵抗センサが上記磁気抵抗対上記非磁
    性材料層の厚み曲線の第１のピークで動作するように、
    上記非磁性材料層の厚みが選ばれる、請求項２の磁気抵
    抗検出システム。
  4. 【請求項４】磁気抵抗センサが上記磁気抵抗対上記非磁
    性材料層の厚み曲線の第２のピークで動作するように、
    上記非磁性材料層の厚みが選ばれる、請求項２の磁気抵
    抗検出システム。
  5. 【請求項５】上記非磁性材料層が、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｒｕ、
    Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈのうちから選ばれた材料で形成される
    、請求項１の磁気抵抗検出システム。
  6. 【請求項６】上記非磁性材料層が銅である、請求項５の
    磁気抵抗検出システム。
  7. 【請求項７】上記強磁性材料層が、コバルト、ＮｉＦｅ
    、ＮｉＣｏのうちから選ばれた材料で形成される、請求
    項６の磁気抵抗検出システム。
  8. 【請求項８】上記非磁性材料がＲｕである、請求項５の
    磁気抵抗検出システム。
  9. 【請求項９】上記強磁性材料層が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
    ＮｉＦｅ、ＮｉＣｏのうちから選ばれた材料で形成され
    る、請求項８の磁気抵抗検出システム。
  10. 【請求項１０】さらに、上記基板と上記強磁性材料層の
    間にバッファ層を備える、請求項１の磁気抵抗検出シス
    テム。
  11. 【請求項１１】上記バッファ層が、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒ、
    Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅのうちから選ばれた材料で形成
    される、請求項１０の磁気抵抗検出システム。
  12. 【請求項１２】基板と上記基板上に形成された多層構造
    とを含み、上記層状構造が第１および第２の強磁性材料
    と非磁性材料の交互の層を含み、上記第１および第２の
    強磁性材料と上記非磁性材料が、上記多層構造の磁気抵
    抗が上記非磁性材料層の厚みの関数として振動するとい
    う特性を示す四層構造を形成する、磁気抵抗センサと、
    上記磁気抵抗センサを通る電流を生じる手段と、検出さ
    れる磁界の関数として上記磁気抵抗センサの抵抗率の変
    化を検出する手段とを備えた磁気抵抗検出システム。
  13. 【請求項１３】上記多層構造の上記磁気抵抗対上記非磁
    性材料層の厚み曲線が少なくとも第１および第２のピー
    クを含む、請求項１２の磁気抵抗検出システム。
  14. 【請求項１４】磁気抵抗センサが上記磁気抵抗対上記非
    磁性材料層の厚み曲線の第１のピークで動作するように
    、上記非磁性材料層の厚みが選ばれる、請求項１３の磁
    気抵抗検出システム。
  15. 【請求項１５】磁気抵抗センサが上記磁気抵抗対上記非
    磁性材料層の厚み曲線の第２ピークで動作するように、
    上記非磁性材料層の厚みが選ばれる、請求項１３の磁気
    抵抗検出システム。
  16. 【請求項１６】上記非磁性材料層が、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｒｕ
    、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈのうちから選ばれた材料で形成され
    る、請求項１２の磁気抵抗検出システム。
  17. 【請求項１７】上記非磁性材料層が銅である、請求項１
    ６の磁気抵抗検出システム。
  18. 【請求項１８】上記第１および第２の強磁性材料層が、
    ＣｏとＮｉ、ＣｏとＦｅ、ＣｏとＮｉＦｅ、ＣｏとＮｉ
    Ｃｏのうちから選ばれた材料で形成される、請求項１７
    の磁気抵抗検出システム。
  19. 【請求項１９】上記非磁性材料層が、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｅ
    、Ｒｈのうちから選ばれた材料で形成される、請求項１
    ６の磁気抵抗検出システム。
  20. 【請求項２０】上記第１および第２の強磁性材料層が、
    ＦｅとＣｏ、ＣｏとＮｉ、ＣｏとＮｉＣｏ、ＣｏとＮｉ
    Ｆｅ、ＮｉとＦｅのうちから選ばれた材料で形成される
    、請求項１９の磁気抵抗検出システム。
  21. 【請求項２１】さらに、上記基板と上記強磁性材料層の
    間にバッファ層を備える、請求項１２の磁気抵抗検出シ
    ステム。
  22. 【請求項２２】上記バッファ層が、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｒ、
    Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｅのうちから選ばれた材料で形成
    される、請求項２１の磁気抵抗検出システム。
  23. 【請求項２３】基板と上記基板上に形成された多層構造
    とを含み、上記層状構造が強磁性材料と非磁性材料の交
    互の層を含み、上記強磁性材料と上記非磁性材料が、上
    記多重構造の磁気抵抗が上記非磁性材料層の厚みの関数
    として振動するという特性を示す二層構造を形成するこ
    とを特徴とする、磁気抵抗センサ。
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