JPH02237986A - オキセタノシン重要中間体の製造方法 - Google Patents

オキセタノシン重要中間体の製造方法

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JPH02237986A
JPH02237986A JP1058128A JP5812889A JPH02237986A JP H02237986 A JPH02237986 A JP H02237986A JP 1058128 A JP1058128 A JP 1058128A JP 5812889 A JP5812889 A JP 5812889A JP H02237986 A JPH02237986 A JP H02237986A
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JP
Japan
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derivative
synthesis
oxetanocin
activator
production
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Pending
Application number
JP1058128A
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English (en)
Inventor
Hideyuki Sugimura
杉村 秀幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Noguchi Institute
Original Assignee
Noguchi Institute
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はオキセタノシン重要中閏体の製造方法に間する
ものである. 詳しくはN−ブロモコハク酸イミド(以下NBSと略す
)等の活性化剤の存在下で2−アルキルチオあるいは2
−7リールチオオキセダン誘導体とアデニン等の核酸塩
基をカップリングさせることによりオキセタノシンの重
要中間体である2一(9−アデニル)オキセタン誘導体
等を合成する方法に間するものである. オキセタノシンは、抗ウイルス、抗腫瘍、抗菌活性を有
するヌクレオシド抗生物質であり、さらに最近AIDS
の原因となるHIVの増殖を抑える働きがあることなど
も見いだされ、医薬の分野で注目を集めている物質であ
る・[J.^nNbiot.+1987年 , 40巻
 ,  1077へ0−シ゛].オキセタノシンの合成
については現在までに三つの方法が報告されているが、
いずれの方法も反応工程数が多く、また、収率の低い反
応工程が含まれており、工業的に有利な方法とは言い難
い〔Tetrahedron Lett.,  198
7年,28巻, 3967.  4713へ0−ノ“、
  同 ,  1988年. 29巻,  4739.
  4743へ0−シ゛、  j.Am.  Chew
.  Soc.,  1988年 , 1lθ巻 , 
 ?217へ’−シ゛〕。
本発明者は、上記の観点から鋭意研究した結果、2.3
−0−アルキリデンーアルデヒドーアルドースと1−7
ルケニルスルフィドより容易に合成できる2−7ルキル
チオあるいは2−7リールチオオキセタンをNBSなど
の活性化剤の存在下でアデニンなどの核酸塩基と作用さ
せることによって、オキセタノシンの合成中閏体となり
うる2−(9−アデニル)オキセタン誘導体などが収率
よく合成できることを見いだし本発明に到達した.すな
わち、本発明の要旨は2−アルキルチオあるいは2−ア
リールチオオキセタンと核酸塩基を活性化剤によりカッ
プリングさせることを特徴とするオキセタノシンの重要
中閏体の製造方法である.以下、本発明について詳締に
説明する.この発明の方法に使用される2−アルキルチ
オおよび2−アリールテオオキセタンは2.3−0一ア
ルキリデンー7ルデヒドーアルドース類と1−アルキル
あるいはアリールアルケニルスルフィドより既知の方法
によって容易にg4I1できる[出順番号 昭63−4
47011.  2位のアルキルチオ基としてはメチル
チオ、エチルチオ、プロビルテオ、イソプロビルチオ基
など周知のアルキル基であればよく、特に制限はない.
また、アリールチオ基についても同様であり、フェニル
チオ、 トリルチオ、ビリジルチオ基など制限はない. 核酸塩基としては、周知のアデニン、グアニン、ウラシ
ル、テミン、シトシン及びその水酸基やアミノ基を保護
した誘導体が使用できる.保護基としては特に制限はな
いが、 トリアルキルシリル基などが有用である. 活性化剤としては、一般にチオグリコシドのグリコシル
化の際に用いられるものが挙げられる。
すなわち、N B S,  ニトロソニウムテトラフル
才口ポレート( N O B F a)、メチルトリフ
ルオロメタンスルホナートや酢酸水銀、硝酸水銀などの
水銀塩、銀トリフルオロメタンスルホナート等の銀塩、
さらに臭素、ヨウ素等があるが、NBSが最も有効であ
る. 反応に用いる溶媒はエーテル、ベンゼン、 トルエン、
ジクロロメタン、クロロホルム、アセトニトリル、ジメ
チルスルホキシド等周知の非プロトン性有機溶媒がよく
、特に制限はない.反応温度、反応時閏は用いる活性化
剤、溶媒等により異なり、特に限定されないが、それぞ
れ10分〜50時問、0−100℃が適当である.活性
化剤の使用量に特に制限はないが、通常はオキセタンに
対して1.0〜2.0当量のIII囲で添加する。
オキセタンに対して核酸塩基を過剰に用いる方がよく、
通常は2.0〜6.0当量である.本発明方法は、この
ようにオキセタノシンの重要中間体を簡便にしかも良好
な収率で得るものであり、その工業的価値は大である. 以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り、以下の51施例
により何等の制限も受けるものではない. 実施例 1 MPIIQ−MeOC6H4− N6ベンゾイルアデニン 6 7 5 #g( 3 m
 m o + )をアルゴン雰囲気下、乾燥ベンゼン3
0mlに懸濁し、クロロトリメチルシラン 1.90m
l  (15mmo+)とトリエチルアミン2.10*
I(15mmo1)を加え、2時問加熱還流する.放冷
後、減圧下セライトを通して濾過し、襦液の溶媒を留去
、さらに減圧下( 1 sellg)、 100℃で1
時閏乾燥する.得られたアデニンのビストリメチルシリ
ル誘導体2を51のジクロロメタンに溶解し、これを2
−フエニルチオオキセタン誘導体1  507.(0.
98mmo+)のジクロ口メタン溶液(10一1〉の中
へ加える.このm液にモレキスラーシーブス4A.0.
50gを加え15分間攪はんする.この溶液にNBS 
 210+g(1.18  mmo+)を加え、室温に
て30分閏攪はん後、濾過し、濾液をチオ硫酸ナトリウ
ム水溶液で洗浄する.硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し
、シリカゲル力ラムクロマトグラフィーにより単離精製
して2−(9一アデニル)オキセタン誘導体3を359
■ (58モル%)得る. ’HNMR   (CDC  I  3):   δ 
 1.4+   (s,  3H),1.51 (s,
 3N), 2.03 阜nd 2.09 (sx2,
 3H), 2.78−3.08  (+w,  II
I),  3.77  and  3.79  (sx
2,  38),  3.9−4.3  (m,  4
H),  4.3−4.76  (m,  4tl),
  5.51  and  5.56(sx2,  I
H)..  6.76−7.04  (m,  3N)
,  ?.2レ7.65  (m,5N), 8.00
−8.50 (s+, 3N9, 8.94 and 
9.28 (sx2,IH). 実施例 2−7エニルチオオキセタン誘導体4 206(0.4
1mmol)とアデニン誘導体2(2 mmof)、モ
レキュラーシーブス4A0.20g,N B S  8
 0 mg ( 0 . 4 5 m m o l )
より、実施例1と同様の反応操作により、2−(9−ア
デニル)オキセタン誘導体6を149■(57モル%)
得る. ’NMR  (CDCla):   δ 1.43  
(S,  9N>.  1.46  (s,  3}1
),  2.80−3.08  (w,  1N), 
 3.82−4.99  (m,8H).  6.94
  (d.  J:1.4  Hz,  IH),  
7.07−7.75  (−,OH),  7.95−
8.41  (s,  5H),  9.23  (s
,  IN).実施例 3 2−フエニルチオオキセタン誘導体8110.(0.2
0mmol)とアデニン誘導体2(0.4mmol)、
モレキュラーシーブス4A0.15g,NBS  40
mg (0.23mmo l)より、実施例1と同様の
反応操作により、2−(9−アデニル)オキセタン誘導
体7を4 9 w< ( 3 8モル%)得 る.

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、2−アルキルチオあるいは2−アリールチオオキセ
    タン誘導体と核酸塩基を活性化剤によりカップリングさ
    せることを特徴とするオキセタノシン重要中間体の製造
    方法。 2、活性化剤としてN−ブロモコハク酸イミドを用いる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の製造方法
    。 3、核酸塩基としてN^6,9−ビストリメチルシリル
    −N^6−ベンゾイルアデニンを用いることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
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