JPH02238400A - 多層膜 - Google Patents
多層膜Info
- Publication number
- JPH02238400A JPH02238400A JP5778889A JP5778889A JPH02238400A JP H02238400 A JPH02238400 A JP H02238400A JP 5778889 A JP5778889 A JP 5778889A JP 5778889 A JP5778889 A JP 5778889A JP H02238400 A JPH02238400 A JP H02238400A
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- JP
- Japan
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- multilayer film
- layer
- film
- light
- reflectance
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、軟X線領域の光を反射するのに好適な多層膜
に関するものである6 〔従来の技術〕 多層膜は、可視光領域の光の反射防止膜等として、従来
から広く応用されてきた。近年軟X線領域(10〜10
00人)の光源開発,研究の進展に伴い、軟X線領域で
使用できる光学素子として多層膜が注目されている。
に関するものである6 〔従来の技術〕 多層膜は、可視光領域の光の反射防止膜等として、従来
から広く応用されてきた。近年軟X線領域(10〜10
00人)の光源開発,研究の進展に伴い、軟X線領域で
使用できる光学素子として多層膜が注目されている。
重い元素と軽い元素とを交互に積層した軟X線用多層膜
の構造を第4図に示す。図において、1はX線反射率が
大きい重い元素の層でA/lと呼び、2はX線反射率が
小さな軽い元素の層でB層と呼ぶ.3は基板である。上
記の構造を有する多層膜で軟X線を効率よく反射するた
めには、上記AJIのX線反射率と上記B層のX線反射
率との差が大きいことが必要である。そのために、A層
にはX線反射率が大きな重い元素が用いられ、B層には
X線反射率が小さな軽元素が用いられている。従来、用
いられてきた多層膜は、例えばWとCとからなる多層膜
をW/Cと表現すれば、W/C、Mo/SL,Aft/
Cu,Au/C.Ta/C.Cu/C、Re/C.W/
Be等である。
の構造を第4図に示す。図において、1はX線反射率が
大きい重い元素の層でA/lと呼び、2はX線反射率が
小さな軽い元素の層でB層と呼ぶ.3は基板である。上
記の構造を有する多層膜で軟X線を効率よく反射するた
めには、上記AJIのX線反射率と上記B層のX線反射
率との差が大きいことが必要である。そのために、A層
にはX線反射率が大きな重い元素が用いられ、B層には
X線反射率が小さな軽元素が用いられている。従来、用
いられてきた多層膜は、例えばWとCとからなる多層膜
をW/Cと表現すれば、W/C、Mo/SL,Aft/
Cu,Au/C.Ta/C.Cu/C、Re/C.W/
Be等である。
W/C.Au/C,Ta/C,Cu/C.Re/C、W
/ B e等の多層膜において、Be.C等の元素単
体で形成されているB層は.JM子同士相互の結合が弱
くかつB漕を構成する軽元素は原子半径が小さいため、
B層を離れてA層に拡散しやすいという傾向を持ってい
る。例えば、現在用いられているC膜は、グラファイト
状の膜であり、グラファイト内の炭素はダイヤモンドに
較べ分解してA層に拡散しやすい。また、結合が強く分
解や拡散しにくいダイヤモンド状の薄膜も作られつつあ
るが,島状に成長するため表面が平坦な極薄膜を作るこ
とが難しいのが現状である。一方.W/Beに用いられ
ているBeもBe同士の結合が弱く、島状に成長する傾
向があり、Blを離れA層に拡散する傾向がある。また
、Cu/Anのように金属同士の多層膜においては、金
属の性質として歳とCuとはお互いに拡散しやすい。こ
のような相互拡散のためにA/lのX線反射率が下がる
と同時に、BlのX線反射率が上がり、結果として多層
膜の反射率が低下するという問題があった。さらに、上
記B層とA層との相互拡散は、時間や多層膜への光照射
による温度上昇によっても助長されるため、多暦膜の反
射率の経時低下を生じるなどの問題があった。
/ B e等の多層膜において、Be.C等の元素単
体で形成されているB層は.JM子同士相互の結合が弱
くかつB漕を構成する軽元素は原子半径が小さいため、
B層を離れてA層に拡散しやすいという傾向を持ってい
る。例えば、現在用いられているC膜は、グラファイト
状の膜であり、グラファイト内の炭素はダイヤモンドに
較べ分解してA層に拡散しやすい。また、結合が強く分
解や拡散しにくいダイヤモンド状の薄膜も作られつつあ
るが,島状に成長するため表面が平坦な極薄膜を作るこ
とが難しいのが現状である。一方.W/Beに用いられ
ているBeもBe同士の結合が弱く、島状に成長する傾
向があり、Blを離れA層に拡散する傾向がある。また
、Cu/Anのように金属同士の多層膜においては、金
属の性質として歳とCuとはお互いに拡散しやすい。こ
のような相互拡散のためにA/lのX線反射率が下がる
と同時に、BlのX線反射率が上がり、結果として多層
膜の反射率が低下するという問題があった。さらに、上
記B層とA層との相互拡散は、時間や多層膜への光照射
による温度上昇によっても助長されるため、多暦膜の反
射率の経時低下を生じるなどの問題があった。
従来の多層膜に用いられている物質AとBとは化合物を
作る組合わせであることが多く、かつ形成された化合物
も安定であり,界面数層から数十層にわたって化合物を
生じることが多い。例えば、最もよく用いられているW
/C多層膜では、界面でWとCとが化合してWCを形成
し、WCは化学的に安定で形成されやすい6また、B層
にSiを用いると、ほとんどの場合A暦の原子と化合し
てシリサイドを形成してしまう。このように界面に数層
から数十層の化合物ができることによって5AMとB層
間の反射率差が減少し、多層膜の反射率が著しく低下す
るといった問題があった。
作る組合わせであることが多く、かつ形成された化合物
も安定であり,界面数層から数十層にわたって化合物を
生じることが多い。例えば、最もよく用いられているW
/C多層膜では、界面でWとCとが化合してWCを形成
し、WCは化学的に安定で形成されやすい6また、B層
にSiを用いると、ほとんどの場合A暦の原子と化合し
てシリサイドを形成してしまう。このように界面に数層
から数十層の化合物ができることによって5AMとB層
間の反射率差が減少し、多層膜の反射率が著しく低下す
るといった問題があった。
Be.C等でB層を形成すると、元素同士の結合が強い
単結晶薄膜が作りにくいため粒状に成長しやすく、A層
との界面に凸凹ができるためX線の不規則な散乱を生じ
,多層膜の反射率が著しく低下するという問題があった
。
単結晶薄膜が作りにくいため粒状に成長しやすく、A層
との界面に凸凹ができるためX線の不規則な散乱を生じ
,多層膜の反射率が著しく低下するという問題があった
。
また、Ba.C等を用いて極めて薄いBe.C薄膜にし
た場合、基板を低温に保った状態で、化学的に安定でか
つ基板や重い元素層との付看性が良く平坦な薄膜を形成
することは難しいのが現状である。そのため、時間の経
過によって多層膜が基板から剥離してしまうという問題
があった.さらに、この様な軽元素を用いた多層膜にS
R光などの強力な光を照射すると、多層膜には瞬間的に
熱が加えられ,その温度が局部的に上昇し、多暦膜の軽
元素層薄膜が化学的に不安定で付着性が悪いため、多層
膜が基板から剥離してしまうという問題があった。また
、従来のCやBeあるいはCu、Siを形成する際に基
板を加熱すると、界面で重い元素と化合物を形成したり
、あるいは重い元素内に急速に拡散するという問題があ
った。
た場合、基板を低温に保った状態で、化学的に安定でか
つ基板や重い元素層との付看性が良く平坦な薄膜を形成
することは難しいのが現状である。そのため、時間の経
過によって多層膜が基板から剥離してしまうという問題
があった.さらに、この様な軽元素を用いた多層膜にS
R光などの強力な光を照射すると、多層膜には瞬間的に
熱が加えられ,その温度が局部的に上昇し、多暦膜の軽
元素層薄膜が化学的に不安定で付着性が悪いため、多層
膜が基板から剥離してしまうという問題があった。また
、従来のCやBeあるいはCu、Siを形成する際に基
板を加熱すると、界面で重い元素と化合物を形成したり
、あるいは重い元素内に急速に拡散するという問題があ
った。
上記のように,従来用いていた多層膜においては、A層
とB層との界面で、A層を構成する原子とB層を構成す
る原子とが相互に拡散したり、あるいは化合物をつくっ
たり、あるいはまた界面に凹凸ができたりするのが原因
になって、重い元素層Aの軟X線反射率が低下し、同時
に軽元素/WBの反射率が上がるため反射率差を保つこ
とは難しく、設計値どうりの多層膜反射率が得られない
という問題があり、さらにはB層の基板あるいはA層へ
の付着性が悪いため、多層膜が剥離してしまうという問
題があった。
とB層との界面で、A層を構成する原子とB層を構成す
る原子とが相互に拡散したり、あるいは化合物をつくっ
たり、あるいはまた界面に凹凸ができたりするのが原因
になって、重い元素層Aの軟X線反射率が低下し、同時
に軽元素/WBの反射率が上がるため反射率差を保つこ
とは難しく、設計値どうりの多層膜反射率が得られない
という問題があり、さらにはB層の基板あるいはA層へ
の付着性が悪いため、多層膜が剥離してしまうという問
題があった。
本発明は、元素間の結合が弱い単一の軽元素からなる薄
膜を多層膜に用い,軽元素がA層に拡散したり,あるい
は平坦で付着性がいい薄膜が作りにくいために、多層膜
のX線反射率が低下したり多層膜が剥離するという問題
点を解決した多層膜を得ることを目的とする。
膜を多層膜に用い,軽元素がA層に拡散したり,あるい
は平坦で付着性がいい薄膜が作りにくいために、多層膜
のX線反射率が低下したり多層膜が剥離するという問題
点を解決した多層膜を得ることを目的とする。
上記目的は,軽元素層に単一元素と同程度の複素屈折率
を有する、ほう素(B)と炭素(C)からなる化合物B
4Cを用いて、多層膜を形成することにより達成される
。
を有する、ほう素(B)と炭素(C)からなる化合物B
4Cを用いて、多層膜を形成することにより達成される
。
〔作用】
物質の複素屈折率は
n=1−δ一iβ
で表示される。δおよびβはそれぞれ物質固有の値をと
る.C,B元素単体さらにはB4C化合物の軟X線領域
のδを第5図に示す。C.B元素単体やB4C化合物の
軟X線領域のβを第6図に示す。δは0〜100人の間
ではC,B.B,Cともにほぼ同じ大きさを示し、特に
CとBとが吸収端(それぞれ44人、31人)で一時減
少し、B4CがBとCの吸収端で少し減少する以外は殆
ど同じ傾きと大きさを持つ。また、第6図からβは、波
長λがOくλ(20人ではC.B.B4Cともほとんど
同じで,20人〈λ〈44人ではその大きさがB〈B4
C<Cになる。44人〈λ<70人ではCくB4CくB
となり、70人〈λではB<B4C<Cである。
る.C,B元素単体さらにはB4C化合物の軟X線領域
のδを第5図に示す。C.B元素単体やB4C化合物の
軟X線領域のβを第6図に示す。δは0〜100人の間
ではC,B.B,Cともにほぼ同じ大きさを示し、特に
CとBとが吸収端(それぞれ44人、31人)で一時減
少し、B4CがBとCの吸収端で少し減少する以外は殆
ど同じ傾きと大きさを持つ。また、第6図からβは、波
長λがOくλ(20人ではC.B.B4Cともほとんど
同じで,20人〈λ〈44人ではその大きさがB〈B4
C<Cになる。44人〈λ<70人ではCくB4CくB
となり、70人〈λではB<B4C<Cである。
したがって、B4C膜のδおよびβは、多暦膜材料とし
て一般的に用いられているC元素単体からなる膜と同程
度か,波長によっては多層膜材料として複素屈折率が小
さくすぐれているという特徴を有する。
て一般的に用いられているC元素単体からなる膜と同程
度か,波長によっては多層膜材料として複素屈折率が小
さくすぐれているという特徴を有する。
上記のように光学的に従来の元素単体と同程度、あるい
はよりすぐれた値を示すのに加え、B4C化合物は融点
が2350℃と非常に高く、化学的に安定であるという
特徴を有している。したがって、従来の元素単体からな
る膜に較べ局所的な加熱に対しても安定で、分解や拡散
は起らないし、経時変化を起すこともないという利点を
有している。
はよりすぐれた値を示すのに加え、B4C化合物は融点
が2350℃と非常に高く、化学的に安定であるという
特徴を有している。したがって、従来の元素単体からな
る膜に較べ局所的な加熱に対しても安定で、分解や拡散
は起らないし、経時変化を起すこともないという利点を
有している。
さらに,融点が高いことから判るようにBとCとの結合
は強く、単体のB,Cが重い元素と化合物を作りやすい
のに較べ、B4Gは重い元素と化合物を作らないため、
界面で重い元素層とまじることなく、また,分解して重
い元素層内に拡散するおそれが非常に少ない。
は強く、単体のB,Cが重い元素と化合物を作りやすい
のに較べ、B4Gは重い元素と化合物を作らないため、
界面で重い元素層とまじることなく、また,分解して重
い元素層内に拡散するおそれが非常に少ない。
また、基板に強く付着する膜を形成するためには、薄膜
形成時に加熱することが有効であるが,従来は加熱によ
って軽元素が拡散あるいは化合物を作るために,加熱で
きなかった。しかし,B4Cは単一元素薄膜に較べて熱
的に安定であるため、作製に際しては数百度の熱を加え
ても分解して拡散するおそれは少なく、基板を加熱する
ことによって、付着性がよく、かつ平坦な薄膜を作りや
すいという利点を有し,さらに、基板を加熱することが
できるため、一般的にスパッタリング法よりも結合が強
く平坦な薄膜ができるCVD法を用いることにより、薄
膜を作製できるという利点を有している.また.B4G
は2つの成分を有するため,粒状成長の原因ともなる薄
膜内の応力を、BとCとの組成を僅かに変えることで容
易に制御することができる。
形成時に加熱することが有効であるが,従来は加熱によ
って軽元素が拡散あるいは化合物を作るために,加熱で
きなかった。しかし,B4Cは単一元素薄膜に較べて熱
的に安定であるため、作製に際しては数百度の熱を加え
ても分解して拡散するおそれは少なく、基板を加熱する
ことによって、付着性がよく、かつ平坦な薄膜を作りや
すいという利点を有し,さらに、基板を加熱することが
できるため、一般的にスパッタリング法よりも結合が強
く平坦な薄膜ができるCVD法を用いることにより、薄
膜を作製できるという利点を有している.また.B4G
は2つの成分を有するため,粒状成長の原因ともなる薄
膜内の応力を、BとCとの組成を僅かに変えることで容
易に制御することができる。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第1図は本発明による多層膜の一実施例を示す構造図,
第2図は上記多層膜のX線反射率測定系の構成を示す図
、第3図は上記実施例における多層膜のX線反射率を実
験値と理論値で示した図である.B4CをB層に用い、
WをA層に用いて,波長39.8人の軟X線を入射角7
0゜で最も強く反射する多層膜を設計し、第1図に示す
ようにSLを用いた基板3上に、B4C膜10とW膜1
1とをそれぞれ20層ずつ、スパッタリング法により交
互に積層して多層膜を形成した。B4C膜はB1、B2
・・・B20、W膜はA1、A2・・・A20と表示し
、各層の厚さを表1に示す。
第2図は上記多層膜のX線反射率測定系の構成を示す図
、第3図は上記実施例における多層膜のX線反射率を実
験値と理論値で示した図である.B4CをB層に用い、
WをA層に用いて,波長39.8人の軟X線を入射角7
0゜で最も強く反射する多層膜を設計し、第1図に示す
ようにSLを用いた基板3上に、B4C膜10とW膜1
1とをそれぞれ20層ずつ、スパッタリング法により交
互に積層して多層膜を形成した。B4C膜はB1、B2
・・・B20、W膜はA1、A2・・・A20と表示し
、各層の厚さを表1に示す。
以下余白
表1
上記多層膜のX線反射率測定は第2図に示すような構成
で行った。入射X線12は波長39.8人のAg(銀)
の特性X線(M線)で,入射角θl3でA20表面に照
射し、反射X線14を測定したが、その測定例を第3図
に示す。第3図の横軸は入射角,縦軸はX線の反射率で
ある。第3図において実線15は実測値を示し,点線1
1’iは計算値を示してぃるが、実線l5と点線16と
はほぼよく一致し、B4Cが多層膜組成物として有効で
あることを示している。上記Wに代えて、Au.Re,
Bi, Mo. Ta、Rh等を用いても、同様な結
果を得ることができる。
で行った。入射X線12は波長39.8人のAg(銀)
の特性X線(M線)で,入射角θl3でA20表面に照
射し、反射X線14を測定したが、その測定例を第3図
に示す。第3図の横軸は入射角,縦軸はX線の反射率で
ある。第3図において実線15は実測値を示し,点線1
1’iは計算値を示してぃるが、実線l5と点線16と
はほぼよく一致し、B4Cが多層膜組成物として有効で
あることを示している。上記Wに代えて、Au.Re,
Bi, Mo. Ta、Rh等を用いても、同様な結
果を得ることができる。
上記のように、B4Cのδおよびβは、多層膜材料とし
て一般に用いられているC元素単体からなる膜と同程度
か,波長によっては複素屈折率が小さく,多層膜材料と
してよりすぐれた利点をもつ。B4C化合物は融点が2
350℃と非常に高く、化学的に安定である。したがっ
て、局所的な加熱に対しても安定で分解や拡散が起らな
いし、経時変化を起すこともないという利点を有してい
る。
て一般に用いられているC元素単体からなる膜と同程度
か,波長によっては複素屈折率が小さく,多層膜材料と
してよりすぐれた利点をもつ。B4C化合物は融点が2
350℃と非常に高く、化学的に安定である。したがっ
て、局所的な加熱に対しても安定で分解や拡散が起らな
いし、経時変化を起すこともないという利点を有してい
る。
また、B4Cは重い元素と化合物を作らないため、界面
で重い元素層とまじらず、分解して重い元素層内に拡散
するおそれは非常に少なく、単一元素薄膜に較べB4C
は熱的に安定であるため、作製に際し数百度の熱を加え
ても分解して拡散する怖れは少なく、基板を加熱するこ
とによって付着性が良く、かつ平坦な薄膜を作りやすい
という利点を有するため、一般的にスパッタリング法よ
り結合が強い薄膜を作るCVD法を用いて,所定の薄膜
を作製することができる。さらに、B4Cは2つの成分
からなるため,粒状成長の原因になる薄膜内の応力を、
BとCとの組成を僅かに変えることによって容易に制御
することができる。
で重い元素層とまじらず、分解して重い元素層内に拡散
するおそれは非常に少なく、単一元素薄膜に較べB4C
は熱的に安定であるため、作製に際し数百度の熱を加え
ても分解して拡散する怖れは少なく、基板を加熱するこ
とによって付着性が良く、かつ平坦な薄膜を作りやすい
という利点を有するため、一般的にスパッタリング法よ
り結合が強い薄膜を作るCVD法を用いて,所定の薄膜
を作製することができる。さらに、B4Cは2つの成分
からなるため,粒状成長の原因になる薄膜内の応力を、
BとCとの組成を僅かに変えることによって容易に制御
することができる。
上記のように本発明による多層膜は、屈折率がそれぞれ
異なる複数の薄膜を、交互に積層して形成した多層膜に
おいて、上記複数の薄膜のうち一方の薄膜の組成が、ほ
う素(B)と炭素(C)とからなる化合物であることに
より、熱的に安定で経時変化が少ない多層膜が得られ,
強い光を反射する必要があるSR光用のミラーに用いる
ことができる。また、パルス的に強力光を発生するプラ
ズマ光源のミラーに用いることができる。
異なる複数の薄膜を、交互に積層して形成した多層膜に
おいて、上記複数の薄膜のうち一方の薄膜の組成が、ほ
う素(B)と炭素(C)とからなる化合物であることに
より、熱的に安定で経時変化が少ない多層膜が得られ,
強い光を反射する必要があるSR光用のミラーに用いる
ことができる。また、パルス的に強力光を発生するプラ
ズマ光源のミラーに用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による多層膜の一実施例を示す構成図、
第2図は上記多層膜のX線反射率測定系の構成を示す図
、第3図は上記多層膜のX線反射率における実験値と理
論値とを示す図、第4図は多層膜の基本構造を示す図、
第5図は波長0〜100人領域のX線に対するB.C.
B4Gの光学定数δの値を示す図、第6図は波長が0〜
100人領域のX線に対するB.C.B4Gの光学定数
βの値を示す図である. 1・・・重い元素のA層 2・・・軽い元素のBMi
o・・・B4Cの層 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純之助 入射内e(0) 第3図 第4 図 第6 図
第2図は上記多層膜のX線反射率測定系の構成を示す図
、第3図は上記多層膜のX線反射率における実験値と理
論値とを示す図、第4図は多層膜の基本構造を示す図、
第5図は波長0〜100人領域のX線に対するB.C.
B4Gの光学定数δの値を示す図、第6図は波長が0〜
100人領域のX線に対するB.C.B4Gの光学定数
βの値を示す図である. 1・・・重い元素のA層 2・・・軽い元素のBMi
o・・・B4Cの層 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純之助 入射内e(0) 第3図 第4 図 第6 図
Claims (1)
- 1、屈折率がそれぞれ異なる複数の薄膜を、交互に積層
して形成した多層膜において、上記複数の薄膜のうち一
方の薄膜の組成が、ほう素(B)と炭素(C)とからな
る化合物であることを特徴とする多層膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5778889A JPH02238400A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 多層膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5778889A JPH02238400A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 多層膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02238400A true JPH02238400A (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=13065623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5778889A Pending JPH02238400A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 多層膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02238400A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011527436A (ja) * | 2008-07-07 | 2011-10-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | スパッタ耐性材料を含む極紫外線放射反射要素 |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP5778889A patent/JPH02238400A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011527436A (ja) * | 2008-07-07 | 2011-10-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | スパッタ耐性材料を含む極紫外線放射反射要素 |
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