JPH02238620A - シリコン膜の選択成長方法 - Google Patents
シリコン膜の選択成長方法Info
- Publication number
- JPH02238620A JPH02238620A JP5796289A JP5796289A JPH02238620A JP H02238620 A JPH02238620 A JP H02238620A JP 5796289 A JP5796289 A JP 5796289A JP 5796289 A JP5796289 A JP 5796289A JP H02238620 A JPH02238620 A JP H02238620A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- silicon film
- film
- region
- selective growth
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要〕
本発明は、シリコン膜の選択成長方法に関し、ガス組成
の制御を著しく軽減したシリコン膜の選択成長方法を提
供することを目的とし、シリコンを含むガスをシンクロ
トロン放射光で内殻励起させることによってシリコンイ
オンを生成させる工程、および 最表面にシリコンから成る領域と酸化シリコンから成る
領域とを有する基板に上記シリコンイオンを接触させる
ことによって、上記シリコン領域上にシリコンを堆積さ
せると同時に上記酸化シリコン領域をエッチングする工
程 を含むように構成する。
の制御を著しく軽減したシリコン膜の選択成長方法を提
供することを目的とし、シリコンを含むガスをシンクロ
トロン放射光で内殻励起させることによってシリコンイ
オンを生成させる工程、および 最表面にシリコンから成る領域と酸化シリコンから成る
領域とを有する基板に上記シリコンイオンを接触させる
ことによって、上記シリコン領域上にシリコンを堆積さ
せると同時に上記酸化シリコン領域をエッチングする工
程 を含むように構成する。
本発明は、シリコン膜の選択成長方法に関する。
近年、半導体装置の製造において、たとえば、シリコン
基板が露出した領域だけにシリコン膜を成長させ、それ
以外の領域（例えば酸化シリコンでおおわれた部分）に
は、シリコン膜を成長させないという選択成長が行なわ
れている。選択成長は、シリコン膜を成長させながら同
時に素子間の必要な分離も行なえるため、製造工程を短
縮する上で非常に大きな利点がある。
基板が露出した領域だけにシリコン膜を成長させ、それ
以外の領域（例えば酸化シリコンでおおわれた部分）に
は、シリコン膜を成長させないという選択成長が行なわ
れている。選択成長は、シリコン膜を成長させながら同
時に素子間の必要な分離も行なえるため、製造工程を短
縮する上で非常に大きな利点がある。
従来、選択成長はシリコン膜の成長に用いる原料ガスで
あるＳｉｔｌｚＣＩ２ｚ ＋Ｈ２にＨＣβガスを添加す
ることによって行なっていた。しかし、良好な膜質でシ
リコン結晶膜を成長させることと、シリコン結晶膜だけ
を選択的に成長させることとを両立させるためには、原
料ガス＆ｌＩＣｆｆガスとの多成分混合ガスの組成（特
にＨＣＩ！．ガスの添加量）を極めて厳密に制御する必
要があるため、実際の製造工程においてその制御のため
に多大の負担が避けられなかった。
あるＳｉｔｌｚＣＩ２ｚ ＋Ｈ２にＨＣβガスを添加す
ることによって行なっていた。しかし、良好な膜質でシ
リコン結晶膜を成長させることと、シリコン結晶膜だけ
を選択的に成長させることとを両立させるためには、原
料ガス＆ｌＩＣｆｆガスとの多成分混合ガスの組成（特
にＨＣＩ！．ガスの添加量）を極めて厳密に制御する必
要があるため、実際の製造工程においてその制御のため
に多大の負担が避けられなかった。
本発明は、ガス組成の制御を著しく軽減したシリコン膜
の選択成長方法を提供することを目的とする。
の選択成長方法を提供することを目的とする。
上記の目的は、本発明によれば、
シリコンを含むガスをシンクロトロン放射光で内殻励起
さ・Ｕることによってシリコンイオンを生成させる工程
、および 最表面にシリコンから成る領域と酸化シリコンから成る
領域とを有する基板に上記シリコンイオンを接触させる
ごとによって、上記ンリコン領域上にシリコンを堆積さ
せると同時に上記酸化シリコン領域をエソチングする工
程 を含むことを特徴とするシリコン膜の選択成長方法 によって達成される。
さ・Ｕることによってシリコンイオンを生成させる工程
、および 最表面にシリコンから成る領域と酸化シリコンから成る
領域とを有する基板に上記シリコンイオンを接触させる
ごとによって、上記ンリコン領域上にシリコンを堆積さ
せると同時に上記酸化シリコン領域をエソチングする工
程 を含むことを特徴とするシリコン膜の選択成長方法 によって達成される。
本発明では、シリコンを構成元素として含むガス（例え
ばＳ ｉ ＩＩ ａ ． Ｓ ｉ ２ Ｉ１ ６など）
に、シンクロ１〜ロン放射光などの高工不ルギー光を照
射するごとによって生しるシリコンイオン（Ｓｉ’ ）
が、たとえば基板シリコンの露光した領域ではシリコン
膜を堆積し、酸化シリコンでおおわれた領域では酸化シ
リコンをエッチングする事を利用してシリコン膜を選択
成長させる。
ばＳ ｉ ＩＩ ａ ． Ｓ ｉ ２ Ｉ１ ６など）
に、シンクロ１〜ロン放射光などの高工不ルギー光を照
射するごとによって生しるシリコンイオン（Ｓｉ’ ）
が、たとえば基板シリコンの露光した領域ではシリコン
膜を堆積し、酸化シリコンでおおわれた領域では酸化シ
リコンをエッチングする事を利用してシリコン膜を選択
成長させる。
？実施例］
本発明の方法を行なうための、シンクロトロン放射光励
起を利用したシリコン膜選択成長装置の一例を第１図に
示す。ガス供給装置よりＳｉＨ．又はｓｉ２１１６ガス
（＋１２，ｆ｛ｅ等で希釈しても良い）を反応室に流す
。反応圧力は、成長速度、光強度との関係で一定しない
がおおよそ１．０””Ｔｏｒｒ〜ｌ Ｔｏｒｒの範囲と
する。シンクロトロン放射光は、ＳｉＨｎやＳｉ２Ｉｔ
６を分解しＳｉ”を生成するのに必要なエネルギー光（
おおむね１００〜１５０ｅＶ）を含むようにする。この
ような条件下で第２図（ａ）に示すように酸化シリコン
で一部おおわれたシリコン基板にシンクロ１・ロン放射
光を照射する事により基板表面付近でＳｉ゛ イオンが
生成し、第２図（ｂ）に示すようにＳｉの露出した領域
にはＳｉ膜が堆積し、同時にＳｉｎ２のある領域では下
記反応：ＳｉＯ■−１−Ｓｉ” →２ＳｉＯ↑により
ＳｉＯが生成され、これが蒸発する事によりエンチング
反応が起る。
起を利用したシリコン膜選択成長装置の一例を第１図に
示す。ガス供給装置よりＳｉＨ．又はｓｉ２１１６ガス
（＋１２，ｆ｛ｅ等で希釈しても良い）を反応室に流す
。反応圧力は、成長速度、光強度との関係で一定しない
がおおよそ１．０””Ｔｏｒｒ〜ｌ Ｔｏｒｒの範囲と
する。シンクロトロン放射光は、ＳｉＨｎやＳｉ２Ｉｔ
６を分解しＳｉ”を生成するのに必要なエネルギー光（
おおむね１００〜１５０ｅＶ）を含むようにする。この
ような条件下で第２図（ａ）に示すように酸化シリコン
で一部おおわれたシリコン基板にシンクロ１・ロン放射
光を照射する事により基板表面付近でＳｉ゛ イオンが
生成し、第２図（ｂ）に示すようにＳｉの露出した領域
にはＳｉ膜が堆積し、同時にＳｉｎ２のある領域では下
記反応：ＳｉＯ■−１−Ｓｉ” →２ＳｉＯ↑により
ＳｉＯが生成され、これが蒸発する事によりエンチング
反応が起る。
本発明によれば、単一ガスで選択成長が実現できるため
、ガス組成の制御が極めて容易であり、成長条件を容易
に制御できる。更に、塩素系ガスを用いないために、不
純物の混入の少ない良質の膜を成長でき、熱エネルギー
ではなく光エネルギーを用いているため低温での成長が
可能であるという利点もある。
、ガス組成の制御が極めて容易であり、成長条件を容易
に制御できる。更に、塩素系ガスを用いないために、不
純物の混入の少ない良質の膜を成長でき、熱エネルギー
ではなく光エネルギーを用いているため低温での成長が
可能であるという利点もある。
第１図は、本発明のシリコン膜の選択成長方法を行なう
ための装置の一例を示す模式図、および第２図（ａ）お
よび（ｂ）は、本発明によってシリコン膜の選択成長を
行なう工程を示す断面図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・酸化シリコン膜、
３・・・シリコン膜。
ための装置の一例を示す模式図、および第２図（ａ）お
よび（ｂ）は、本発明によってシリコン膜の選択成長を
行なう工程を示す断面図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・酸化シリコン膜、
３・・・シリコン膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シリコンを含むガスをシンクロトロン放射光で内殻
励起させることによってシリコンイオンを生成させる工
程、および 最表面にシリコンから成る領域と酸化シリコンから成る
領域とを有する基板に上記シリコンイオンを接触させる
ことによって、上記シリコン領域上にシリコンを堆積さ
せると同時に上記酸化シリコン領域をエッチングする工
程 を含むことを特徴とするシリコン膜の選択成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5796289A JPH02238620A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | シリコン膜の選択成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5796289A JPH02238620A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | シリコン膜の選択成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02238620A true JPH02238620A (ja) | 1990-09-20 |
Family
ID=13070638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5796289A Pending JPH02238620A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | シリコン膜の選択成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02238620A (ja) |
-
1989
- 1989-03-13 JP JP5796289A patent/JPH02238620A/ja active Pending
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