JPH02239107A - 層状金属カルコゲナイド・ホスト材料 - Google Patents

層状金属カルコゲナイド・ホスト材料

Info

Publication number
JPH02239107A
JPH02239107A JP6185689A JP6185689A JPH02239107A JP H02239107 A JPH02239107 A JP H02239107A JP 6185689 A JP6185689 A JP 6185689A JP 6185689 A JP6185689 A JP 6185689A JP H02239107 A JPH02239107 A JP H02239107A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
host material
element selected
elements
general formula
metal chalcogenide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6185689A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0611642B2 (ja
Inventor
Yoshinao Oosawa
大沢　吉直
Yoshito Goto
義人 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP1061856A priority Critical patent/JPH0611642B2/ja
Publication of JPH02239107A publication Critical patent/JPH02239107A/ja
Publication of JPH0611642B2 publication Critical patent/JPH0611642B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B17/00—Sulfur; Compounds thereof
    • C01B17/20—Methods for preparing sulfides or polysulfides, in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/20—Two-dimensional structures
    • C01P2002/22—Two-dimensional structures layered hydroxide-type, e.g. of the hydrotalcite-type

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は分子レベルの層構造を有し、層間に分子やイオ
ンを取り込むことができる金属カルコゲナイド・ホスト
材料に関するものである。
〔従来技術〕
層状、鎖状あるいはトンネル構造を持ちそれらの分子レ
ベルの空隙にゲスト（分子やイオン）を取り込むことが
できる物質ホストはゲストの取り込み（インター力レー
ション）や取り出し（デインター力レーション）に伴う
変化を利用して，表示材料、電池の正負極活物質、イオ
ン伝導材料等としての幅広い用途を持っている。層状構
造を持つ金属力ルコゲナイドとしてはＭＸ．（Ｍ＝金属
，Ｘ＝カルコゲン）という組成で表わされるダイカルコ
ゲナイドが有名であり、前述した用途が期待されている
。
一方金属二種以上を含む多元系の層状金属カルコゲナイ
ド・ホスト材料は，構造や物性がダイカルコゲナイドよ
りも多様で表示材料、電池の正負極活物質、イオン伝導
材料あるいはその母構造形成材料として優れた機能を発
揮する可能性がある。
〔発明の課題〕
そこで本発明は金属を２種以上含む新規な層状金属カル
コゲナイド・ホスト材料を提供することをそのｉ題とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者は、前記課題を解決すべく種々研究を重ねた結
果、本発明を完成するに至った。
即ち，本発明によれば、下記一般式（１）〜（ＩＶ）で
表わされる組成を有する新規な層状金属カルコゲナイド
・ホスト材料が提供される。これらのものは基本的に同
一の結晶構造を有するものである。
一般式（１） Ａ　ｘ　Ｂ　ｙ　Ｃ　ｚ （式中、ＡはＢｉ．Ｓｂ及びＡｓの中から選ばれる少な
くとも１種の元素，ＢはＴｉ．Ｖ、Ｎｂ及びＴａの中か
ら選ばれる少なくとも１種の元素及びＣはＳ．Ｓｅ及び
Ｔａの中から選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ｘ
は０．８≦ｘ≦１．２の数、ｙは１．６≦ｙ≦２．４の
数及び２は４．０≦２≦６．０の数を示す） 一般式（ｎ） ＡｘＢｙＣｚ （式中、ＡはＰｂ．Ｓｎ及びＧｅの中から選ばれる少な
くとも１種の元素、ＢはＴｉ．Ｖ．Ｎｂ及びＴａの中か
ら選ばれる少なくとも１種の元素及びＣはＳ．Ｓｅ及び
Ｔｅの中から選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｘ
は０．８≦ｘ≦１．２の数，ｙは１。６≦ｙ≦２。４の
数及びＺは４．０≦２≦６．０の数を示す） 一般式（ｍ） ＡｘＢｙＣｚ （式中、Ａは希土類元素の中から選ばれる少なくとも１
種の元素、ＢはＴ１、Ｚｒ．Ｈｆ．Ｖ．Ｎｂ−　Ｔａ．
Ｃｒ．Ｍｏ及びＷの中から選ばれる少なくとも１種の元
素及びＣはＳ．Ｓｅ及びＴｅの中から選ばれる少なくと
も１種の元素を示し、Ｘは０．８≦ｘ≦１．２の数、ｙ
は１．６≦ｙ≦２．４の数及び２は４．０≦２≦６．０
の数を示す）一般式（ＩＶ） Ａ　ｘ　Ｂ　ｙ　Ｃ　ｚ （式中、ＡはＢｉ．Ｓｂ．Ａｓ．Ｐｂ．Ｓｎ．Ｇｅ、及
び希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種の元素、
ＢはＴｉ．Ｚｒ．Ｈｆ．Ｖ．Ｎｂ、Ｔａ．Ｃｒ．Ｍｏ及
びＷの中から選ばれる少なくとも１種の元素、ＣはＳ．
Ｓｅ及びＴｅの中から選ばれる少なくとも１種の元素を
示し、Ｘは０．８≦ｘ≦１．２の数、ｙは１．６≦ｙ≦
２．４の数及び２は４．０≦２≦６．０の数を示す）本
発明の層状金属カルコゲナイド・ホスト材料は，前記組
成に対応する成分の元素粉末あるいは金属力ルコゲナイ
ド粉末を、その組成割合に秤取して、石英等の耐熱耐酸
化性容器中に真空封入し、４００〜１２００℃で加熱処
理した後室温まで冷却することによって製造することが
できる。
このようにして得られたものは、褐色から黒色の粉末で
、粉末Ｘ線回折パターンが殆ど１つの面からの回折線の
みを示す。また条件によっては薄片状結晶が得られ、そ
れが容易に臂開することとあわせ，何らかの層状構造を
持つと推定される。
本発明の金属力ルコゲナイドの場合，成分Ａ．Ｂ．Ｃを
それぞれ一定の範囲で複合化（固溶化）させることが可
能である。
〔発明の効果〕
本発明の層状金属カルコゲナイド・ホスト材料は、層間
に分子やイオンを取り込むことができ，それを利用して
表示材料，Ｌｉ電池の正負極活物質，イオン伝導材料あ
るいはその母構造形成材料として用いられると期待され
る。
一ｒ奨′施例〕 次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例１ 前記一般式（１）の組成に対応する層状金属カルコゲナ
イド・ホスト材料ＢｉＮｂ２Ｓｅ，を次のようにして合
成した。
Ｂｉ．Ｎｂ．Ｓｅをモル比で１：２：５に秤取し石英管
中に真空封入した後４００〜１　２　０　０　’Ｃの温
度に加熱し，次いで室温まで冷却した。石英管を開けて
生成物を粉砕し、粉末Ｘ線回折を測定すると主たる回折
パターンは面間隔１８．５人を持つ面からの回折線およ
びその高次回折線として帰属できた。一方この物質をヒ
ドラジン水和物に加え、一夜攪拌した後、更別し粉末Ｘ
線回折を測定すると主たる回折パターンは、面間隔２２
．３人を持つ面からの回折線およびその高次回折線とし
て帰属された。処理前後の面間隔の伸び３．８人は，ダ
イカノレコゲナイドであるＮｂＳｅ２の層間にヒドラジ
ンが取り込まれた場合の伸び３．３人とほぼ一致する。
それ故ＢｉＮｂ２Ｓｅ，は他の物質を取り込むことので
きる層間を持つ層状金属カルコゲナイド・ホスト材料で
あることが明らかとなった。
実施例２ 実施例１と同様の方法で一般式（　ＩＩ’　）の組成を
持つＰｂＴｉ２Ｓ，を合成した。粉末Ｘ線回折により測
定した面間隔はヒドラジン水和物処理前１７．４人から
処理後の２１．４人へと４．０人伸長した．この値はＴ
ｉＳ２の層間にヒドラジンが取り込まれた場合の伸び３
．９人に良く一致する。それ故ＰｂＴｉｚＳｓは他の物
質を取り込むことのできる層間を持つ層状金属カルコゲ
ナイド・ホスト材料であることが明らかとなった。
実施例３ 実施例１と同様の方法で一般式（Ｉｎ）の組成を持つＬ
ａＮｂ，Ｓｓを合成した．粉末Ｘ線回折により測定した
面間隔はヒドラジン水和物処理前１７６３人から処理後
の２０．５人へと３．２人伸長した。この値はＮｂＳ２
の層間にヒドラジンが取り込まれた場合の伸び２．９人
に良く一致する。それ故ＬａＮｂ２Ｓ，は他の物質を取
り込むことのできる層間を持つ層状金属カルコゲナイド
・ホスト材料であることが明らかとなった。
実施例４ 実施例］、と同様の方法で一般式（ＩＶ）の組成を持つ
Ｂ　ｉ，．，Ｐｂｏ．．Ｔａ２Ｓ，を合成した。粉末Ｘ
線回折により測定した面間隔はヒドラジン水和物処理前
１７．８人から処理後の２１．４人へと３．６人伸長し
た。この値はＴａｇ２の層間にヒげラジンが取り込まれ
た場合の伸び３．０〜４６０人と一致する。それ故Ｂ　
ｉ　ａ．ｇＰｂ０．，Ｔａ，　Ｓ，は他の物質を取り込
むことのできる層間を持つ層状金属カルコゲナイド・ホ
スト材料であることが明らかとなった・

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）一般式（ I ） ＡｘＢｙＣｚ （式中、ＡはＢｉ、Ｓｂ及びＡｓの中から選ばれる少な
    くとも１種の元素、ＢはＴｉ、Ｖ、Ｎｂ及びＴａの中か
    ら選ばれる少なくとも１種の元素及びＣはＳ、Ｓｅ及び
    Ｔｅの中から選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ｘ
    は０．８≦ｘ≦１．２の数、ｙは１．６≦ｙ≦２．４の
    数及びｚは４．０≦ｚ≦６．０の数を示す） で表わされる組成を有することを特徴とする層状金属カ
    ルコゲナイド・ホスト材料。
  2. （２）一般式（II） ＡｘＢｙＣｚ （式中、ＡはＰｂ、Ｓｎ及びＧｅの中から選ばれる少な
    くとも１種の元素、ＢはＴｉ、Ｖ、Ｎｂ及びＴａの中か
    ら選ばれる少なくとも１種の元素及びＣはＳ、Ｓｅ及び
    Ｔｅの中から選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ｘ
    は０．８≦ｘ≦１．２の数、ｙは１．６≦ｙ≦２．４の
    数及びｚは４．０≦ｚ≦６．０の数を示す） で表わされる組成を有することを特徴とする層状金属カ
    ルコゲナイド・ホスト材料。
  3. （３）一般式（III） ＡｘＢｙＣｚ （式中、Ａは希土類元素の中から選ばれる少なくとも１
    種の元素、ＢはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
    ｒ、Ｍｏ及びＷの中から選ばれる少なくとも１種の元素
    及びＣはＳ、Ｓｅ及びＴｅの中から選ばれる少なくとも
    １種の元素を示し、ｘは０．８≦ｘ≦１．２の数、ｙは
    １．６≦ｙ≦２．４の数及びｚは４．０≦ｚ≦６．０の
    数を示す）で表わされる組成を有することを特徴とする
    層状金属カルコゲナイド・ホスト材料。
  4. （４）一般式（IV） ＡｘＢｙＣｚ （式中、ＡはＢｉ、Ｓｂ、Ａｓ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、及
    び希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種の元素、
    ＢはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及
    びＷの中から選ばれる少なくとも１種の元素、ＣはＳ、
    Ｓｅ及びＴｅの中から選ばれる少なくとも１種の元素を
    示し、ｘは０．８≦ｘ≦１．２の数、ｙは１．６≦ｙ≦
    ２．４の数及びｚは４．０≦ｚ≦６．０の数を示す）で
    表わされる組成を有することを特徴とする層状金属カル
    コゲナイド・ホスト材料。
JP1061856A 1989-03-14 1989-03-14 層状金属カルコゲナイド・ホスト材料 Expired - Lifetime JPH0611642B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1061856A JPH0611642B2 (ja) 1989-03-14 1989-03-14 層状金属カルコゲナイド・ホスト材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1061856A JPH0611642B2 (ja) 1989-03-14 1989-03-14 層状金属カルコゲナイド・ホスト材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02239107A true JPH02239107A (ja) 1990-09-21
JPH0611642B2 JPH0611642B2 (ja) 1994-02-16

Family

ID=13183163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1061856A Expired - Lifetime JPH0611642B2 (ja) 1989-03-14 1989-03-14 層状金属カルコゲナイド・ホスト材料

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0611642B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270907A (ja) * 2001-03-06 2002-09-20 Nec Corp 熱電変換材料とそれを用いた素子

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02199006A (ja) * 1989-01-30 1990-08-07 Agency Of Ind Science & Technol １／２／５の組成を有する多元系金属カルコゲナイド

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02199006A (ja) * 1989-01-30 1990-08-07 Agency Of Ind Science & Technol １／２／５の組成を有する多元系金属カルコゲナイド

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270907A (ja) * 2001-03-06 2002-09-20 Nec Corp 熱電変換材料とそれを用いた素子

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0611642B2 (ja) 1994-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Åsbrink et al. Crystal structure studies on trititanium pentoxide, Ti3O5
JPS63239117A (ja) ＩｎＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
Zhang et al. Metavalent bonding in layered phase‐change memory materials
CN111349035B (zh) 一种有机-无机杂化钙钛矿及其制备方法和应用
CN114174216B (zh) 氧卤化物前驱物
Meerschaut et al. Preparation and characterization of new mixed sandwiched layered compoundsLn32Nb28S88 (Ln= La, Ce)
Iandelli et al. On the crystal structure of the compounds CaP, SrP, CaAs, SrAs and EuAs
JPH0350148A (ja) 酸化亜鉛焼結体及びその製造法並びに用途
Toulmin Proustite-pyrargyrite solid solutions
JPH0229614B2 (ja)
US5051204A (en) Multi-element metal chalocogenide
Michelet et al. The crystal structure of Ni3Sn2S2 and related compounds
JPH02199006A (ja) １／２／５の組成を有する多元系金属カルコゲナイド
Stoll et al. Syntheses and crystal structures of a new niobium polysulfide K6Nb4S22 and two new dimorphic tantalum polysulfides K6Ta4S22
JPH0611642B2 (ja) 層状金属カルコゲナイド・ホスト材料
Marushina et al. Crystal structure and unstable valence in a novel intermetallic phase Ce2Ru2Al
Gulo et al. A new niobium cluster oxychloride built from interconnected Nb6Cl12O6 units: Na0. 21Nb6Cl10. 5O3
Mattes et al. Structural and spectroscopic studies of Cs3V2O4F5 and of isostructural phases in the Cs3Mo2O6F3-Cs3V2O2F7 and Cs3Mo2O6F3-Cs3V2O4F5 systems
Wiegers Misfit Layer Compounds Based on Double Layers MX and Sandwiches TX2 (M= Sn, Pb, Sb, Bi, Ln; T= Ti, V, Cr, Nb, Ta; X= S, Se)
JPH02149406A (ja) 多元系金属カルコゲナイド
Mitkova et al. Glass formation in the Se Ag I system
Gupta et al. Synthesis, structure and properties of a new Zintl phase: SrLiSb
CN110177759A (zh) 含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件
Sadanandam et al. Thermal expansion of α-NH4HgCl3
Islam et al. Optical spectra, electrical conductances, densities, and viscosities of glass-forming melts

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term