JPH02239193A - ダイヤモンド半導体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はダイヤモンド半導体およびその製造方法に関し
，さらに詳しく言うと、電気的特性が向上していて、か
つ耐熱性および耐放射線性に優れるとともに放熱性の良
好なダイヤモンド半導体と、このような特長を有するダ
イヤモンド半導体を、半導体特性の設定を容易に、しか
も良好な再現性の下に効率良く得ることができて．特に
．良好な電気的特性を有するＮ型半導体を容易に得るこ
とのできるダイヤモンド半導体の製造方法とに関する． ［従来技術および発明が解決しようとする課題］半導体
材料としては、従来よりＳｉ．ＧａＡｓなどが多用され
ている． しかしながら、たとえばＳｉを用いてなる半導体の動作
可能上限温度は１５０゜Ｃ以下であり、ＧａＡｓを用い
てなる半導体の動作可能上限温度は２５０℃以下てある
。

したがって、より高温下で所期の性能を発揮する半導体
が望まれている． 一方、ダイヤモンドは、従来より多用されているＳｉ．
ＧａＡｓなどに比較してバンドギャップか極めて大きい
ので、ダイヤモンドを用いてなる半導体の動作可能上限
温度は５００゜Ｃ以上に達するものと推測され、しかも
優れた熱伝導性，耐放射績性を有することから、電子素
子材料として，近年、注目されており、またダイヤモン
ド半導体あるいはその製造方法についても種々の提案が
なされている． たとえば特開昭５９−　２１３１２６号公報においては
、基板上にＮ型のダイヤモンド層を気相蒸着法によりエ
ビタキシャル成長させ、次いで，絶縁膜の気相蒸着．フ
才トレジスト塗布・マスキング・露光・エッチング工程
からなるフォトエッチング，およびＰｙＪまたはＮ型不
純物元素のイオン注入と拡散処理、統いて電極となる導
電金属の蒸着工程からなるダイヤモンド半導体素子の製
造法が開示されている． しかしながら，この方法は工程が煩雑であるとともに、
この方法により得られるＮ型・半導体は充分な導電率を
有するものではないという問題がある． また、特開昭６０−　２４６６２７号公報においては、
イオン注入法によりＰ，Ｎ部を形成してなるダイヤモン
ド半導体素子が開示されている． しかしながら、このＮ型半導体素子における比抵抗は最
小１０４〜１０５Ω・ｃｍ程度であり、充分な導電率を
有するものではない．また、イオン注入法においては、
イオン注入工程に起因して放射線損傷による欠陥か生じ
ることが知られているのであるが、前記公報においては
この欠陥についての対策が何ら示されていない． さらに、特開昭６１−　２５１１５８号公報においては
、Ｂ，Ｓｉ，Ｐ，Ａｓ．Ｓｂからなる群より選ばれる少
なくとも１種の不純物を含有し，気相合成により得られ
るダイヤモンドからなる放熱基板か開示されている． しかしながら，前記公報の実施例において示されている
のは、既にＰ型半導体として公知のホウ素（Ｂ）を含有
するダイヤモンドからなる放熱基板のみであり、前記公
報において開示されている放熱基板は、必ずしも良好な
電気的特性を有するＮ型半導体に好適に利用できるもの
ではない．特開昭６２−　７０２９５号公報においては
、ドーバント元素を含むガス、炭化水素ガスおよび水素
からなる反応ガスを，熱分解もしくはプラズマ分解して
基板上に蒸着するＮ型半導体ダイヤモンド膜の製造法が
開示されている． この製造法により得られるＮ型半導体ダイヤモンド膜に
おいては導電率の向上は見られるものの、Ｎ型半導体と
して未だ充分な電気的特性を有するまてには至っていな
い． また、特開昭５２−　１７１９９３号公報においては、
反応容器内に設置された基体に近接して加熱体を設け、
この反応容器内に有機化合物及びホウ素、アルミニウム
，ガリウム、インジウムもしくはタリウムの単体もしく
はその化合物の１種または窒素，リン，ヒ素、アンチモ
ン，もしくはビスマスの単体もしくはその化合物のうち
少なくとも１種を含有する反応ガスを導入して、前記基
体近傍で加熱する半導体ダイヤモンドの製造方法が開示
されている． しかしながら、この方法により得られるＮ型半導体の比
抵抗は、依然として最小１０４〜１０’Ω・ｃｍ程度で
ある． さらに，特開昭６２−　１７６９９２号公報においては
、反応容器内に設置された基体上に電子線を照射する照
射源を設けるとともに、基体近傍に磁界発生源を設け，
この反応容器内に有機化合物及びホウ素、アルミニウム
、ガリウム、インジウムもしくはタリウムの単体もしく
はその化合物の１種または窒素、リン、ヒ素、アンチモ
ン、もしくはビスマスの単体もしくはその化合物のうち
少なくとも１種を含有する反応ガスを導入して、磁界を
印加しながら前記基体上に前記照射源から電子線を照射
する半導体ダイヤモントの製造力法が開示されている。

しかしながら、この方法によっても、得られるＮｙ！ｉ
半導体の比抵抗は、最小１０５Ω・Ｃｍ程度である． さらにまた、特開昭６２−２１．２２９７号公報におい
ては、基板を配置した反応容器内に，少なくとも１種の
有機化合物及びホウ素、アルミニウム，ガリウム，イン
ジウムもしくはタリウムの単体もしくはその化合物のう
ち少なくとも１種または窒素，リン、ヒ素、アンチモン
、もしくはビスマスの単体もしくはその化合物のうち少
なくとも１種を含有する反応ガスを導入して、この反応
ガスに紫外線を照射して光励起および光分解させる半導
体ダイヤモンドの製造方法か開示されている。

しかし、この方法によっても、得られるＮ５半導体の比
抵抗は、依然として最小１０４Ω・ａｍ程度である。

さらに、特開昭６２−　２２３０９５号公報においては
、酸素，炭素および水素を有する含酸素化合物とドーパ
ントの混合ガスを反応させて気相からダイヤモンドを析
出させるダイヤモンド半導体の製造法が開示されている
が、この方法により得られるＮ型半導体にもそのｔｔ．
Ｓ的特性に未だ改善の余地がある． すなわち、充分な導電率を有していて良好な電気的特性
を備えるＮｙＪのダイヤモンド半導体およびその製造方
法が望まれているのが現状である．本発明は、前記の事
情に基いてなされたものである． 本発明の目的は，充分な導電率を有していて良好な電気
的特性を備え、かつ耐熱性および耐放射線性に優れると
ともに放熱性の良好なダイヤモンド半導体と、このよう
な特長を有するダイヤモンド半導体を、半導体特性の設
定を容易に、しかも良好な再現性の下に効率良く得るこ
とができて特に、良好な電気的特性を有するＮ型半導体
を容易に得ることのできるダイヤモント半導体の製造方
法とを提供することにある。

［課題を解決するだめの千段］ 前記課題を解決するために、本発明者らか鋭意検討を重
ねた結果、周期表の特定の族の元素の少なくとも一種と
、さらに他の族の元素の少なくとも一種とを含有するダ
イヤモンド半導体は、充分な導電率を有していて電気的
特性の向上したものであり、しかも、耐熱性および耐放
射線性に優れるとともに放熱性が良好であること，およ
びこのような特長を有するダイヤモンド半導体は，特定
の炭素源ガスを用いる特定の気相法により，半導体特性
の設定を容易に、しかも良好な再現性の下に効率良く得
ることができること、を見い出して、本発明に到達した
。

請求項１の発明の構成は、周期表第Ｖｂ族元素の少なく
とも一種と第［ｂ族元素の少なくとも一種とを含有する
ことを特徴とするダイヤモンド半導体であり、 請求項２の発明の構成は、周期表第Ｖｂ族元素の単体お
よびその化合物の少なくとも一種と、第ＩＩＩｂ族元素
の単体およびその化合物の少なくとも一種とを含有する
炭素源ガスを励起して得られるガスを、基体と接触させ
て前記基体上にダイヤモンド半導体を形成することを特
徴とするダイヤモンド半導体の製造方法である． 請求項１に記載のダイヤモンド半導体は、周期表第Ｖｂ
族元素の少なくとも一種と第ＩＩＩｂ族元素の少なくと
も一種とを含有する． 具体的には，Ｎ，Ｐ．Ａｓ，ＳｂおよびＢｉのうちの少
なくとも一種の元素と、Ｂ．ＡＩ、Ｇａ、ＩｎおよびＴ
ｌのうちの少なくとも一種の元素とを含有する。

請求項１に記載のダイヤモンド半導体は，前記第Ｖｂ族
元素および第ＩＩＩｂ族元素の含有割合により、Ｎ型半
導体であったり、Ｐ型半導体であったりする． これらＮ型半導体、Ｐ型半導体を示す第Ｖｂ＃元素およ
び第ＩＩＩｂ族元素の含有割合は、その含有量や用いる
元素の種類、組合せなどにより異なるのて一般化するこ
とはできない． しかし、通常、前記第Ｖｂ族元素と前記第ＩＩＩｂ族元
素との原子比［（第Ｖｂ族元素の原子数）／（第ＩＩＩ
ｂ族元素の原子数）コが１．２を超えるとき、請求項１
に記載のダイヤモンド半導体はＮｆｉ半導体であり、（
第Ｖｂ族元素の原子数）／（第ＩＩＩｂ族元素の原子数
）が０．８よりも小さいとき、請求項１に記載のダイヤ
モンド半導体はＰ型半導体である． 本発明において、前記第Ｖｂ族元素および第ＩＩＩｂ族
元素の合計の含有率は，通常、ｌｏｐｐｓ＋〜５％の範
囲であり、好ましくは１００　ｐｐ一〜１％の範囲であ
る。この含有率が１０ｐｐｍ未満であると良好な電気的
特性が得られないことかある．方，５％を超えると，ダ
イヤモンド層中に異相か形成されることになるので、ダ
イヤモント半導体が備えるべき所期の特性が得られない
ことがある． 請求項１に記載のダイヤモント半導体を構成するダイヤ
モントは、多結品ダイヤモンドおよび単結品ダイヤモン
ドを主成分とするものであり、非品性ダイヤモンドを一
部含んでいてもよい。

以上の構成からなる請求項ｌに記載のダイヤモンド半導
体の比抵抗は、通常、ｉｏ−’〜ｌ０３Ω・ｃｍであり
、活性化エネルギーは、通常、０．３〜０．１ｅＶであ
る． 請求項ｌに記載のダイヤモンド半導体は，たとえば公知
のイオン注入法，気相法などを採用して製造することか
できるが、特に請求項２に記載の製造方法を好適に採用
して製造することができる。

請求項１に記載のダイヤモンド半導体は，充分な導電率
を有していて電気的特性の向上したものであり、かつ耐
熱性および耐放射線性に優れるとともに良好な放熱性を
有するものである。

そして，このような特長を有する請求項１に記載のダイ
ヤモンド半導体は、次に詳述する請求項２に記載の方法
により、半導体特性の設定を容易に、しかも良好な再現
性の下に効率良く得ることか可能である． 請求項２に記載の方法においては、周期表第Ｖｂ族元素
の単体およびその化合物の少なくとも一種と，第ＩＩＩ
ｂ族元素の単体およびその化合物の少なくとも一種とを
含有する炭素源ガスを使用する． 使用に供される前記炭素源ガスに含有される前記周期表
第Ｖｂ族元素の単体およびその化合物の少なくとも一種
、ならびに前記第ＩＩＩｂ族元素の単体およびその化合
物の少なくとも一種は、通常，トーバントガスとして使
用に供される。

前記第Ｖｂ族元素の単体およびその化合物としては、た
とえばＮ＊　，Ｐ，Ａｓ，Ｂ　ｉ．ｓｂ、ＮＨ：＋　．
　ＰＨ３　．　Ａｓｔｌ＊、Ｎ２Ｈ４、（：ｌｌｔＡｓ
ｌ＋２，　（ＣＨ：＋）：＋Ａｓ、（ＣＨｓ）Ｊｉ、（
Ｃ＊Ｈｓ）Ｊｉ　　．　　ＳｂＴｏ、　Ｃ見Ｃ｝ｌｚｓ
ｂｃ文２　、ＣＨｉＳｂＨ２、（ＣＦ３）ｓＳｂなどが
挙げられる．これらは一種単独で使用してもよいし，二
種以上を併用してもよい． 前記第ＩＩＩｂ族元素の単体およびその化合物としては
、たとえばＢ．Ａｎ、Ｇａ．Ｉｎ，Ｔｌ、Ｒ　．　Ｈ．
、Ｂ４ＨＩ。、　ＣＨＪＣＩ　！　．　［　（ＣＨ３）
Ａ旦ＢｒａＪｚ　．（ＣＨ３Ｌ　Ａｎ　　Ｃｌ、［（Ｃ
Ｈ＊），Ａｕ　］＊．　　Ｇａ２Ｈｇ　、（ＣＨｆｆ）
ｉＧａ，　（ｃｏｉ）ｚｃ＋ａａｕ４．　（ＣＨｉ）３
ｉｎ、　（ＣＨ：ｉ）ｚＴ文などが挙げられる． これらは一種単独で使用してもよいし、二種以上を併用
してもよい． 前記炭素源ガスは前記第Ｖｂ族元素の単体およびその化
合物の少なくとも一種、ならびに前記第ＩＩＩｂ族元素
の単体およびその化合物の少なくとも一種とともに、炭
素原料を含有する．前記炭素原料としては、各種炭化水
素，含ハロゲン化合物，含酸素化合物、含窒素化合物等
のガスを使用することができる． 炭化水素化合物としては，例えばメタン、エタン、プロ
パン，ブタン等のバラフィン系炭化水素：エチレン、プ
ロピレン、ブチレン等のオレフィン系炭化水素：アセチ
レン、アリレン等のアセチレン系炭化水素；ブタジエン
等のジオレフィン系度化水素，シクロプロパン、シクロ
ブタン、シクロベンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭
化水素；シクロブタジエン、ベンゼン、トルエンキシレ
ン、ナフタレン等の芳香族炭化水素：塩化メチル，臭化
メチル、塙化メチレン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化
水素などを挙げることかできる． 含酸素化合物としては、例えばアセトン、シェチルケ１
−ン，ペンゾフェノン等のケトン類：メタノール、エタ
ノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類：
メチルエーテル、エチルエーテル，エチルメチルエーテ
ル、メチルプロとルエーテル，エチルブロビルエーテル
，フェノールエーテル、アセタール、環式エーテル（ジ
才キサン、エチレンオキシド等）のエーテル類：アセト
ン，ビナコリン，メチルオキシド、芳香族ケトン（アセ
トフェノン、ペンゾフェノン等）、ジケトン，環式ケト
ン等のケトン類；ホルムアルデヒド、アセトアルデヒト
、ブチルアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド
類：ギ酸、酢酸、ブロビオン酸，コハク酸、酪酸、シュ
ウ酸、酒石酸、ステアリン酸等の有機酸類；酢酸メチル
、酢酸エチル等の酸エステル類：エチレングリコール，
ジエチレングリコール等の二価アルコール類：一酸化炭
素、二酸化炭素等を挙げることができる． 含窒素化合物としては、例えばトリメチルアミン，トリ
エチルアミンなどのアミン類等を挙げることができる． また、前記炭素原料として、単体ではないが、消防法に
規定される第４類危険物；ガソリンなどの第１石油類，
ケロシン、テレビン油、しょう脳油、松根油などの第２
石油類、重油などの第３石油類、ギャー油、シリンダー
油などの第４石油類などのガスをも使用することができ
る．また前記各種の炭素化合物を混合して使用すること
もてきる。

これらの炭素原料の中でも，常温で気体または蒸気圧の
高いメタン、エタン，ブロバン等のバラフィン系炭化水
素、エチレン、プロピレン等のオレフィン系炭化水素、
あるいはアセトン、ペンゾフェノン等のケトン類、メタ
ノール，エタノール等のアルコール類，一酸化炭素、二
酸化炭素ガス等の含酸素化合物が好ましい。

また、所望により、前記炭素原料とともに、水素ガス、
不活性ガス等のキャリャーガスを用いることもできる． 前記炭素源ガスにおける前記周期表第Ｖｂ族元素の単体
およびその化合物の少なくとも一種、ならびに前記第Ｉ
ＩＩｂ族元素の単体およびその化合物の少なくとも一種
（以下，これらをドーパント元素と称することがある。

）の含有割合は、前記ドーバント元素と前記炭素原料と
の割合［（ドーバント元素）／（炭素原料）］で，通常
、１０−６〜１０−’、好ましくは１０−６〜１０”’
である．この割合が１０−”未満であると、充分な導電
率を有するダイヤモンド半導体が得られないことがある
．一方、ｌＯ−１を超えると２ダイヤモンドとしての結
晶性が低下して，均質で良好な膜が得られず、半導体へ
の適用が困難になることがある． また．前記炭素源ガスにおける前記周期表第Ｖｂ族元素
の単体およびその化合物の少なくとも一種（以下、これ
をＮ型ドーバントと称することがある。）と、前記第Ｉ
ＩＩｂ族元素の単体およびその化合物の少なくとも一種
（以下、これをＰ型ドーバントと称することがある．）
との割合は、通常、１＜（Ｎ型ドーバント）／（Ｐ型ド
ーバン｝−）＜１，ロ００，好ましくは１く（Ｎ型ドー
バント）／（Ｐ型ドーバント）＜１００である。この割
合が１以下であると、良好な電気的特性を有するＰ型半
導体が得られないことがある．一方．１，０００以上で
あっても，それに相当する効果は奏されないことがある
。

本発明の方法においては，前記炭素源ガスを励起して得
られるガスを、基体に接触させて前記基体上にダイヤモ
ンド半導体を形成する。

前記炭素源ガスを励起する手段としては、気相法により
結晶性ダイヤモンドを形成することのできる方法であれ
ば，特に制限はなく、たとえば直流または交流アーク放
電によりプラズマ分解する方法，高周波誘導放電により
プラズマ分解する方法、マイクロ波放電によりプラズマ
分解する方法（有磁場一ＣＶＤ法を含む．）、光エネル
ギーによりプラズマ分解する方法あるいはプラズマ分解
をイオン室またはイオン銃て行なわせ、電界によりイオ
ンを引き出すイオンビーム法、熱フィラメントによる加
熱により熱分解する熱分解法（ＥＡＣＶＤ法を含む．）
，さらに燃焼炎法、スパッタリング法などのいずれをも
採用することができる． 使用に供される前記基体の形成材料には特に制限がなく
、たとえばシリコン、アルミニウム、チタン，タングス
テン、モリブデン、コバルト、クロムなどの金属、これ
らの酸化物、窒化物および炭化物、これらの合金、さら
には各種ガラス、セラミックスや樹脂などの中から選ば
れた任意のものを用いることができる． 本発明の方法においては、通常，以下の条件下に反応が
進行して、前記基体にダイヤモンド半導体が形成される
． すなわち、前記基体の表面の温度は，前記炭素源ガスの
励起手段によって異なるので、一概に決定することはで
きないが、通常、３５０〜１，２００℃、好ましくは５
００〜１，１００℃である．たとえばプラズマＣＶＤ法
を用いる場合には７００〜１，０００℃が好ましい． 前記の温度が、３５０℃より低いと、ダイヤモンドの析
出速度が遅くなったり、非品性のダイヤモンドの含有率
か多くなったりする．一方，ｌ．，２００℃より高くし
ても，それに見合った効果は奏されず、エネルギー効率
の点で不利になるとともに，形成されたダイヤモンド半
導体がエッチングされてしまうことがある． 反応圧力は、通常、１０１〜１０’　ｔｏｒｒ、好まし
くは１Ｇ−’ｔｏｒｒ〜７６０ｔｏｒｒである．反応圧
力が１０””ｔｏｒｒよりも低いと、ダイヤモンド半導
体を形成するダイヤモント半導体薄膜の成膜速度が遅く
なったり、ダイヤモンド半導体薄膜が析出しなくなった
りすることかある．一方、１．０’　ｔｏｒｒより高く
してもそれに見合った効果は奏されないことがある． また、炭素源ガスを含むＲ料ガスの合計流量は、通常，
１〜１，０００　ＳＣＣ婦、好ましくは１０〜５００８
ＣＣ閾である． 反応時間は，前記基体の表面の温度、反応圧力，必要と
する膜厚などにより相違するので一概に決定することは
できないが，通常は．ＩＯ時間以内とすることができる
。

前記ダイヤモンド半導体薄膜の膜厚としては、特に制限
はないか、通常．　０．０１〜５０ｇｍである．このよ
うにして製造されるダイヤモンド半導体の比抵抗は、通
常，　１０−’〜１０’Ω・ｃｍであり、活性化エネル
ギーは，通常、０．１〜０．：ｌｅＶである。

請求項２に記載の方法によると、請求項ｌに記載のダイ
ヤモンド半導体を、半導体特性の設定な容易に、しかも
良好な再現性の下に効率良く得ることが可能であり、特
に、良好な電気的特性を有するＮ型半導体を容易に得る
ことができる．［実施例］ 次に本発明の実施例および比較例を示し，本発明につい
て，さらに具体的に説明する．（実施例ｌ） 低抵抗シリコン基板をマイクロ波プラズマＣｖＤ装置の
反応室内に設Ｈした． 次いで、この反応室内に，一酸化炭素ガスを７　ＳＣＣ
慧で、水素ガスを７９３ＣＣｌｌｌて、また、水素稀釈
０．１％ジボラン（　ＢＪａ／　Ｉｌｔ）ガスを３．Ｓ
ＳＣＣＭで、水素稀釈１１．１％ホスフィン（ＰＨ３／
　Ｈｚ）ガスを１０．５３ＣＣＭで（リンとホウ素との
原子比Ｐ／Ｂ　＝１．５　）　，それぞれ導入し、反応
室内の圧力４０Ｌｏｒｒ、基板温度９００℃の条件下に
、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源の出力を３５
０Ｗに設定した． この条件でマイクロ波放電方式によるプラズマ処理を６
０分間行なって，基板上に厚み約２ｊＬｍの薄膜を有す
るダイヤモンド半導体を得た。

得られたダイヤモンド半導体の比抵抗は、約３Ω−ｃｍ
であった． また、ゼーベツク係数は負となり，Ｎ型半導体であるこ
とが確認された． （実施例２） 前記実施例ｌにおいて、水素稀釈０．１％ジボラン（　
Ｂ　＊　Ｈ　ｓ　／　１１　２　）ガスの流量はそのま
まて、水素穫釈０．１％ホスフィン（ＰＨ，／　Ｈ２）
ガスの流量を１０．５３Ｇ（：Ｍから１４．ＯＳＣＣＭ
　（リンとホウ素との原子比Ｐ／Ｂ＝２．０）に変える
とともに、水素ガスの流量を７９３ＣＣＭから７５．５
３Ｃ（：Ｍに変えたほかは、前記実施例１と同様にして
、基板上に厚み約２ｇｍの薄膜を有するダイヤモンド半
導体を得た．得られたダイヤモンド半導体の比抵抗は、
約ｌΩ・ｃｍであった． また，ゼーベツク係数は負となり、Ｎ型半導体であるこ
とが確認された． （実施例３） 前記実施例１において、木素穫釈０。１％ジポラン（　
Ｂ２Ｈ＆／　Ｈｚ）ガスの流量はそのままで、水素稀釈
０．１％ホスフィン（Ｐｌｌ．／＋１．）ガスの流量を
１０．５３ＣＣＭから３．ＳＳ（：ＣＭ　　（リンとホ
ウ素との原子比Ｐ／Ｂ＝０．５）に変えるとともに，水
素ガスの流量を７９ＳＣＣＭから８６ＳＣＣＭに変えた
ほかは，前記実施例１と同様にして、基板上に厚み約２
ｐｍの薄膜を有するダイヤモンド半導体を得た． 得られたダイヤモンド半導体の比抵抗は、約８Ω・ａｍ
てあった． また，ゼーベツク係数は正となり、Ｐ型半導体であるこ
とが確認された。

（比較例ｌ） 前記実施例１において、水素稀釈０．１％ジボラン（　
ＢＪｓ／　Ｈｚ）ガスは使用しないで、水素稽釈０．１
％ホスフィン（Ｐｌｕｓ／　Ｈｚ）ガスおよび一酸化炭
素ガスの流量はそのままにするとともに，水素ガスの流
量を７９３ＣＣＭから８９３Ｃ（，１１に変えたほかは
、前記実施例１と同様にして、基板上に厚み約２７ｉｍ
の薄膜を有するダイヤモンド半導体を得た．得られたダ
イヤモンド半導体の比抵抗は、約５Ｘ１ロー２Ω・ｃｍ
であった． また，ゼーベツク係数は負となり、Ｎ型半導体であった
． ［発明の効果］

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）周期表第Ｖｂ族元素の少なくとも一種と第IIIｂ
   族元素の少なくとも一種とを含有することを特徴とする
   ダイヤモンド半導体。
2. （２）周期表第Ｖｂ族元素の単体およびその化合物の少
   なくとも一種と、第IIIｂ族元素の単体およびその化合
   物の少なくとも一種とを含有する炭素源ガスを励起して
   得られるガスを、基体と接触させて前記基体上にダイヤ
   モンド半導体を形成することを特徴とするダイヤモンド
   半導体の製造方法。