JPH0223956Y2 - - Google Patents
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- JPH0223956Y2 JPH0223956Y2 JP13784785U JP13784785U JPH0223956Y2 JP H0223956 Y2 JPH0223956 Y2 JP H0223956Y2 JP 13784785 U JP13784785 U JP 13784785U JP 13784785 U JP13784785 U JP 13784785U JP H0223956 Y2 JPH0223956 Y2 JP H0223956Y2
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Landscapes
- Incineration Of Waste (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 考案の技術分野
本考案は、高温状態にあるごみ焼却炉のガス冷
却室を冷却するごみ焼却炉の排ガス冷却制御装置
に関する。
却室を冷却するごみ焼却炉の排ガス冷却制御装置
に関する。
(ロ) 技術の背景
一般に燃焼ガス中の煤塵を除去するため、炉出
口と煙突との間に集塵装置が設置されている。こ
の場合、排ガスが集塵装置中を通過する時、集塵
装置の耐熱許容温度より低く排ガス温度を制御す
る必要がある。このため、炉出口と集塵装置との
間にはガス冷却室が設けられ、排ガス冷却制御装
置によつてガス冷却室中の排ガスが所定の温度に
制御されている((社)全国都市清掃会議発行の
「廃棄物処理施設構造指針解説」参照)。
口と煙突との間に集塵装置が設置されている。こ
の場合、排ガスが集塵装置中を通過する時、集塵
装置の耐熱許容温度より低く排ガス温度を制御す
る必要がある。このため、炉出口と集塵装置との
間にはガス冷却室が設けられ、排ガス冷却制御装
置によつてガス冷却室中の排ガスが所定の温度に
制御されている((社)全国都市清掃会議発行の
「廃棄物処理施設構造指針解説」参照)。
(ハ) 従来技術と問題点
従来に於ける排ガス冷却制御装置を第5図によ
つて説明する。
つて説明する。
図示の如く、従来に於けるごみ焼却炉の排ガス
冷却制御装置aは、焼却炉bと、焼却炉bの直上
にあつて焼却炉bに一体に形成されたガス冷却室
cと、ガス冷却室cの壁面c1に設けられた水噴射
ノズルdと、水噴射ノズルdに噴射水を圧送する
ポンプeと、ガス冷却室cの出口c2の温度を検出
する第1温度センサfと、第1温度センサfから
検出された温度信号を受けてガス冷却室cの出口
c2の温度が一定値(約300℃)となるようにポン
プeからの噴射水の水量を制御するガス冷却室出
口ガス温度制御装置gと、焼却炉bの壁面に設け
られた炉温制御用空気ノズルhと、炉温制御用空
気ノズルhに空気を送風するフアンiと、焼却炉
bの温度を検出する第2温度センサjと、第2温
度センサjから検出された温度信号を受けて焼却
炉bの温度が高温状態(約900℃)とならないよ
うにフアンiからの空気量を制御する炉出口ガス
温度制御装置kとから構成されている。
冷却制御装置aは、焼却炉bと、焼却炉bの直上
にあつて焼却炉bに一体に形成されたガス冷却室
cと、ガス冷却室cの壁面c1に設けられた水噴射
ノズルdと、水噴射ノズルdに噴射水を圧送する
ポンプeと、ガス冷却室cの出口c2の温度を検出
する第1温度センサfと、第1温度センサfから
検出された温度信号を受けてガス冷却室cの出口
c2の温度が一定値(約300℃)となるようにポン
プeからの噴射水の水量を制御するガス冷却室出
口ガス温度制御装置gと、焼却炉bの壁面に設け
られた炉温制御用空気ノズルhと、炉温制御用空
気ノズルhに空気を送風するフアンiと、焼却炉
bの温度を検出する第2温度センサjと、第2温
度センサjから検出された温度信号を受けて焼却
炉bの温度が高温状態(約900℃)とならないよ
うにフアンiからの空気量を制御する炉出口ガス
温度制御装置kとから構成されている。
しかしながら、水噴射ノズルdからの水噴射の
みによりガス冷却室c内のガス温度を所定の目標
温度まで下げといる従来の装置にあつては、ごみ
焼却炉に特有の「ごみがれ時」や「停止時」など
の負荷の急激な低下に際して、次の不具合があ
る。即ち、このような状況の時には水噴射ノズル
dからガス冷却室cに噴射される噴射水の流量は
ガス冷却室c内の温度に追従せず、従つて、必要
以上の噴射水がガス冷却室c内に噴射される。こ
の結果、噴射水滴が完全に蒸発せずにガス冷却室
cの壁面を濡らし、さらに極端な場合には余剰水
として、下部から流出することがある。ガス冷却
室cの壁面が濡れると、高温度の炉体耐火物はス
ポークリングを起こして損傷するという問題があ
る。
みによりガス冷却室c内のガス温度を所定の目標
温度まで下げといる従来の装置にあつては、ごみ
焼却炉に特有の「ごみがれ時」や「停止時」など
の負荷の急激な低下に際して、次の不具合があ
る。即ち、このような状況の時には水噴射ノズル
dからガス冷却室cに噴射される噴射水の流量は
ガス冷却室c内の温度に追従せず、従つて、必要
以上の噴射水がガス冷却室c内に噴射される。こ
の結果、噴射水滴が完全に蒸発せずにガス冷却室
cの壁面を濡らし、さらに極端な場合には余剰水
として、下部から流出することがある。ガス冷却
室cの壁面が濡れると、高温度の炉体耐火物はス
ポークリングを起こして損傷するという問題があ
る。
加えて、余剰水が水噴射ノズルdに付着した
り、噴射水が冷却室cの壁面の温度に追従した状
態で水噴射ノズルdに供給されないため水噴射ノ
ズルdが過熱され、排ガス中のHCl,SOxなどの
腐食性の強いガスによつて高温腐食を引き起こす
という問題がある。
り、噴射水が冷却室cの壁面の温度に追従した状
態で水噴射ノズルdに供給されないため水噴射ノ
ズルdが過熱され、排ガス中のHCl,SOxなどの
腐食性の強いガスによつて高温腐食を引き起こす
という問題がある。
又、ガス冷却室cが炉と別置の場合には、ガス
冷却室下部のダスト搬出装置(図示せず)が余剰
水により腐食を起こすという問題がある。
冷却室下部のダスト搬出装置(図示せず)が余剰
水により腐食を起こすという問題がある。
(ニ) 考案の目的
本考案は、上記の問題を解決するためになされ
たもので、その目的は、噴射水によつて冷却され
るガス冷却室に余剰水を出さず、且つ、水噴射ノ
ズルを保護する焼却炉の排ガス冷却制御装置を提
供することにある。
たもので、その目的は、噴射水によつて冷却され
るガス冷却室に余剰水を出さず、且つ、水噴射ノ
ズルを保護する焼却炉の排ガス冷却制御装置を提
供することにある。
(ホ) 考案の構成
上記目的を達成するために、本考案は、焼却炉
と、ガス冷却室と、ガス冷却室の壁面に設けられ
た水噴射ノズルと、水噴射ノズルに噴射水を圧送
するポンプと、ガス冷却室出口の温度を検出する
温度センサと、温度センサから検出された温度信
号を受けてガス冷却室出口の温度が所定の値とな
るようにポンプからの噴射水の流量を制御するガ
ス冷却室出口ガス温度制御装置とを備えたごみ焼
却炉の排ガス冷却制御装置に於て、ガス冷却室の
壁面に水噴射ノズルを囲んで空気噴射口を設け、
この空気噴射口に空気を送風するフアンを配し、
ガス冷却室出口ガス温度制御装置の指令により、
所定の温度付近より高い時にポンプから水噴射ノ
ズルに噴射水を圧送し、所定の温度付近より低い
時にはフアンから空気噴射口に冷却空気を送風す
るように構成したものである。
と、ガス冷却室と、ガス冷却室の壁面に設けられ
た水噴射ノズルと、水噴射ノズルに噴射水を圧送
するポンプと、ガス冷却室出口の温度を検出する
温度センサと、温度センサから検出された温度信
号を受けてガス冷却室出口の温度が所定の値とな
るようにポンプからの噴射水の流量を制御するガ
ス冷却室出口ガス温度制御装置とを備えたごみ焼
却炉の排ガス冷却制御装置に於て、ガス冷却室の
壁面に水噴射ノズルを囲んで空気噴射口を設け、
この空気噴射口に空気を送風するフアンを配し、
ガス冷却室出口ガス温度制御装置の指令により、
所定の温度付近より高い時にポンプから水噴射ノ
ズルに噴射水を圧送し、所定の温度付近より低い
時にはフアンから空気噴射口に冷却空気を送風す
るように構成したものである。
(ヘ) 考案の作用
上記の如き構成に係る本考案によれば、ガス冷
却室出口ガス温度が所定の温度付近以上の時には
ガス冷却室は水噴射ノズルから噴射された噴射水
によつて冷却される。
却室出口ガス温度が所定の温度付近以上の時には
ガス冷却室は水噴射ノズルから噴射された噴射水
によつて冷却される。
一方、ガス冷却室出口ガス温度が所定の温度付
近より低い時には、ガス冷却室は冷却空気によつ
て冷却され、水噴射ノズルは空気噴射口を通過す
る冷却空気によつて冷却される。又、この時に
は、蓄積されたガス冷却室の壁面を冷却空気によ
つて冷却して冷却効率を落とすことによつて水噴
射の場合に比べて著しく冷却時間を長くすること
ができる。
近より低い時には、ガス冷却室は冷却空気によつ
て冷却され、水噴射ノズルは空気噴射口を通過す
る冷却空気によつて冷却される。又、この時に
は、蓄積されたガス冷却室の壁面を冷却空気によ
つて冷却して冷却効率を落とすことによつて水噴
射の場合に比べて著しく冷却時間を長くすること
ができる。
(ト) 考案の実施例
以下、図面により本考案の実施例を詳細に説明
する。
する。
第1図は本実施例に係るごみ焼却炉の排ガス冷
却制御装置を示す。
却制御装置を示す。
図示の如く、ごみ焼却炉の排ガス冷却制御装置
1は、焼却炉2と、焼却炉2の直上にあつて焼却
炉2に一体に形成された耐火キヤスタブル製のガ
ス冷却室3と、ガス冷却室3の壁面3aに設けら
れた水噴射ノズル4と、水噴射ノズル4に噴射水
を圧送するポンプ5と、ガス冷却室3の出口3b
の温度を検出する第1温度センサ6と、第1温度
センサ6から検出された温度信号を受けてガス冷
却室3の出口3bの温度が一定値(約300℃)と
なるようにポンプ5からの噴射水の流量を制御す
る第1ガス冷却室出口温度制御装置7と、焼却炉
2の壁面2aに設けられた炉温制御用空気ノズル
8と、炉温制御用空気ノズル8に冷却空気を送風
するフアン9と、送風フアン9と炉温制御用空気
ノズル8との間に設けられた炉用ダンパ10と、
焼却炉2の温度を検出する第2温度センサ11
と、第2温度センサ11から検出された温度信号
を受けて焼却炉2の温度が高温(約900℃)とな
らないようにフアン9からの空気量を制御する炉
出口ガス温度制御装置12と、水噴射ノズル4を
囲んでガス冷却室3の壁面3aに配設された空気
噴射口13(第2図に詳細を図示)と、空気噴射
口13とフアン9の間に設けられた冷却室用ダン
パ14と、第1温度センサ6から検出された温度
信号を受けて炉用ダンパ10、冷却用ダンパ1
4、フアン9を制御する第2ガス冷却室出口温度
制御装置15とから構成されている。16は噴射
水の水量調整弁、17はフアンを運転するモータ
である。
1は、焼却炉2と、焼却炉2の直上にあつて焼却
炉2に一体に形成された耐火キヤスタブル製のガ
ス冷却室3と、ガス冷却室3の壁面3aに設けら
れた水噴射ノズル4と、水噴射ノズル4に噴射水
を圧送するポンプ5と、ガス冷却室3の出口3b
の温度を検出する第1温度センサ6と、第1温度
センサ6から検出された温度信号を受けてガス冷
却室3の出口3bの温度が一定値(約300℃)と
なるようにポンプ5からの噴射水の流量を制御す
る第1ガス冷却室出口温度制御装置7と、焼却炉
2の壁面2aに設けられた炉温制御用空気ノズル
8と、炉温制御用空気ノズル8に冷却空気を送風
するフアン9と、送風フアン9と炉温制御用空気
ノズル8との間に設けられた炉用ダンパ10と、
焼却炉2の温度を検出する第2温度センサ11
と、第2温度センサ11から検出された温度信号
を受けて焼却炉2の温度が高温(約900℃)とな
らないようにフアン9からの空気量を制御する炉
出口ガス温度制御装置12と、水噴射ノズル4を
囲んでガス冷却室3の壁面3aに配設された空気
噴射口13(第2図に詳細を図示)と、空気噴射
口13とフアン9の間に設けられた冷却室用ダン
パ14と、第1温度センサ6から検出された温度
信号を受けて炉用ダンパ10、冷却用ダンパ1
4、フアン9を制御する第2ガス冷却室出口温度
制御装置15とから構成されている。16は噴射
水の水量調整弁、17はフアンを運転するモータ
である。
次に、本実施例の作用を第3図、第4図に従つ
て説明する。
て説明する。
焼却炉2の運転開始後、ガス冷却室出口ガス温
度Tg1が250℃以下の場合には、冷却室用ダンパ
14は開状態で炉用ダンパ10と閉状態となつて
いる(ステツプS1)。焼却炉2内のごみの燃焼負
荷の上昇に伴つてガス冷却室出口ガス温度Tg1が
250℃以上になると(ステツプS2)、第2ガス冷
却室出口温度制御装置15の起動命令によつて、
フアン9が起動し(ステツプ3)、空気噴射口1
3に冷却用ダンパ14を介して冷却空気が送られ
る。燃焼負荷の上昇に伴つてガス冷却室出口ガス
温度Tg1は上昇し、冷却空気量が適切に制御され
ることによつて270℃に保持され、一定時間経過
後再び上昇する。
度Tg1が250℃以下の場合には、冷却室用ダンパ
14は開状態で炉用ダンパ10と閉状態となつて
いる(ステツプS1)。焼却炉2内のごみの燃焼負
荷の上昇に伴つてガス冷却室出口ガス温度Tg1が
250℃以上になると(ステツプS2)、第2ガス冷
却室出口温度制御装置15の起動命令によつて、
フアン9が起動し(ステツプ3)、空気噴射口1
3に冷却用ダンパ14を介して冷却空気が送られ
る。燃焼負荷の上昇に伴つてガス冷却室出口ガス
温度Tg1は上昇し、冷却空気量が適切に制御され
ることによつて270℃に保持され、一定時間経過
後再び上昇する。
そして、ガス冷却室出口ガス温度Tg1が290℃
以上になると(ステツプS4)、第2ガス冷却室出
口温度制御装置15の指令によつて冷却室用ダン
パ14が閉状態になり、炉用ダンパ10が開状態
となると共に、フアン9も停止する。同時に第1
ガス冷却室出口温度制御装置7の命令によつてポ
ンプ5が起動する。従つて、水噴射ノズル4にポ
ンプ5から噴射水が供給され、フアン9からの空
気噴射口13への冷却空気は停止される(ステツ
プS5)。さらに、ガス冷却室出口ガス温度Tg1が
上昇して300℃(燃焼負荷の検出温度は制御温度
の300℃より低い290℃としている。)になると、
第1温度センサ6の温度信号を受けた第1ガス冷
却室出口温度制御装置7の指令によつてポンプ5
からの噴射水量が水量調整弁16を介して制御さ
れる。このためガス冷却室出口ガス温度Tg1は、
燃焼負荷が変化しても、常時300℃に制御される。
以上になると(ステツプS4)、第2ガス冷却室出
口温度制御装置15の指令によつて冷却室用ダン
パ14が閉状態になり、炉用ダンパ10が開状態
となると共に、フアン9も停止する。同時に第1
ガス冷却室出口温度制御装置7の命令によつてポ
ンプ5が起動する。従つて、水噴射ノズル4にポ
ンプ5から噴射水が供給され、フアン9からの空
気噴射口13への冷却空気は停止される(ステツ
プS5)。さらに、ガス冷却室出口ガス温度Tg1が
上昇して300℃(燃焼負荷の検出温度は制御温度
の300℃より低い290℃としている。)になると、
第1温度センサ6の温度信号を受けた第1ガス冷
却室出口温度制御装置7の指令によつてポンプ5
からの噴射水量が水量調整弁16を介して制御さ
れる。このためガス冷却室出口ガス温度Tg1は、
燃焼負荷が変化しても、常時300℃に制御される。
一方、焼却炉出口ガス温度Tg2が900℃以上に
なると(ステツプS6)、炉出口温度制御装置12
の指令によつてフアン9は起動する(ステツプ
S7)。従つて、炉温制御用空気ノズル8には炉用
ダンパ10を介して冷却空気が送風され、炉出口
温度制御装置12によつて焼却炉2へ供給される
冷却空気量が制御される。この結果、焼却炉2内
の温度は一定温度範囲内(約900℃〜約950℃)に
維持され、炉体寿命が長くなり、窒素酸化物の発
生も制限される。
なると(ステツプS6)、炉出口温度制御装置12
の指令によつてフアン9は起動する(ステツプ
S7)。従つて、炉温制御用空気ノズル8には炉用
ダンパ10を介して冷却空気が送風され、炉出口
温度制御装置12によつて焼却炉2へ供給される
冷却空気量が制御される。この結果、焼却炉2内
の温度は一定温度範囲内(約900℃〜約950℃)に
維持され、炉体寿命が長くなり、窒素酸化物の発
生も制限される。
焼却炉出口ガス温度Tg2が900℃以下になると、
炉出口ガス温度制御装置12の指令によつてフア
ン9は停止し(ステツプS8)、炉温制御用空気ノ
ズル8には冷却空気は送風されない。
炉出口ガス温度制御装置12の指令によつてフア
ン9は停止し(ステツプS8)、炉温制御用空気ノ
ズル8には冷却空気は送風されない。
燃焼負荷が低下し、ガス冷却室出口ガス温度
Tg1が300℃より下がり、290℃に達すると(ステ
ツプS4)、第2ガス冷却室出口温度制御装置15
の命令によつて冷却室用ダンパ14が開状態とな
り、炉用ダンパ10が閉状態となると共にフアン
9が起動する。同時に第1ガス冷却室出口温度制
御装置7の命令によつてポンプ5が停止する。従
つて、ポンプ5から水噴射ノズル4への噴射水の
供給が停止され、空気噴射口13に冷却空気がフ
アン9から送風される(ステツプS9)。さらに、
燃焼負荷の減少に伴い、ガス冷却室出口ガス温度
Tg1が250℃以下になると、第2ガス冷却室出口
温度制御装置15の命令によつてフアン9が停止
する(ステツプS10)。
Tg1が300℃より下がり、290℃に達すると(ステ
ツプS4)、第2ガス冷却室出口温度制御装置15
の命令によつて冷却室用ダンパ14が開状態とな
り、炉用ダンパ10が閉状態となると共にフアン
9が起動する。同時に第1ガス冷却室出口温度制
御装置7の命令によつてポンプ5が停止する。従
つて、ポンプ5から水噴射ノズル4への噴射水の
供給が停止され、空気噴射口13に冷却空気がフ
アン9から送風される(ステツプS9)。さらに、
燃焼負荷の減少に伴い、ガス冷却室出口ガス温度
Tg1が250℃以下になると、第2ガス冷却室出口
温度制御装置15の命令によつてフアン9が停止
する(ステツプS10)。
以上の如き構成に係るごみ焼却炉の排ガス冷却
制御装置1にあつては、ガス冷却室出口ガス温度
Tg1が290℃以上の時にはポンプ5から水噴射ノ
ズル4に噴射水が供給され、ガス冷却室出口ガス
温度は300℃に冷却制御される。ガス冷却室出口
ガス温度Tg1が290℃以下の時にはフアン9から
空気噴射口13に冷却空気が送風され、冷却空気
によつてガス冷却室3は冷却される。従つて、こ
の場合ガス冷却室3は噴射水の蒸発によつて冷却
されないので、ガス冷却室3内の壁面3aが余剰
水によつて濡れることはなく、壁面3aを構成す
る耐火レンガはスポークリングを起こさず損傷し
ない。
制御装置1にあつては、ガス冷却室出口ガス温度
Tg1が290℃以上の時にはポンプ5から水噴射ノ
ズル4に噴射水が供給され、ガス冷却室出口ガス
温度は300℃に冷却制御される。ガス冷却室出口
ガス温度Tg1が290℃以下の時にはフアン9から
空気噴射口13に冷却空気が送風され、冷却空気
によつてガス冷却室3は冷却される。従つて、こ
の場合ガス冷却室3は噴射水の蒸発によつて冷却
されないので、ガス冷却室3内の壁面3aが余剰
水によつて濡れることはなく、壁面3aを構成す
る耐火レンガはスポークリングを起こさず損傷し
ない。
又、同時に、以下に示す理由によつて、空気噴
射口13を通過する冷却空気によつて水噴射ノズ
ル4が冷却される時間が長くなり、水噴射ノズル
4は過熱されることなく、高温腐食を引き起こさ
ない。
射口13を通過する冷却空気によつて水噴射ノズ
ル4が冷却される時間が長くなり、水噴射ノズル
4は過熱されることなく、高温腐食を引き起こさ
ない。
ガス冷却室出口ガス温度が290℃以下の時、水
噴射ノズル4は冷却空気によつて冷却される。冷
却空気による冷却は水噴射による冷却による場合
よりも冷却効率が低い。従つて、蓄積されたガス
冷却室3の壁面3aの冷却効率が低く、水噴射の
場合に比べて著しく冷却時間が長くなる。このた
め、ガス冷却室出口ガス温度が290℃以下の時に
は冷却空気はほとんど常時送風されている。
噴射ノズル4は冷却空気によつて冷却される。冷
却空気による冷却は水噴射による冷却による場合
よりも冷却効率が低い。従つて、蓄積されたガス
冷却室3の壁面3aの冷却効率が低く、水噴射の
場合に比べて著しく冷却時間が長くなる。このた
め、ガス冷却室出口ガス温度が290℃以下の時に
は冷却空気はほとんど常時送風されている。
(チ) 考案の効果
以上述べたように本考案によれば、焼却炉の排
ガス冷却制御装置にあつて、噴射水によつて冷却
されるガス冷却室に余剰水を出さず、且つ水噴射
ノズルを保護することができるという効果を奏す
る。
ガス冷却制御装置にあつて、噴射水によつて冷却
されるガス冷却室に余剰水を出さず、且つ水噴射
ノズルを保護することができるという効果を奏す
る。
第1図は本考案の実施例に係るごみ焼却炉の排
ガス冷却制御装置の構成図、第2図は第1図のA
部拡大図、第3図は同排ガス冷却制御装置の制御
動作説明図、第4図は同排ガス冷却制御装置のフ
ローチヤート、第5図は従来に於けるごみ焼却炉
の排ガス冷却制御装置の構成図である。 1……ごみ焼却炉の排ガス冷却制御装置、3…
…ガス冷却室、3a……壁面、3b……出口、4
……水噴射ノズル、5……ポンプ、6……第1温
度センサ、7……第1ガス冷却室出口温度制御装
置、8……炉温制御用空気ノズル、9……フア
ン、10……炉用ダンパ、11……第2温度セン
サ、12……炉出口温度制御装置、13……空気
噴射口、14……冷却室用ダンパ、15……第2
ガス冷却室出口温度制御装置。
ガス冷却制御装置の構成図、第2図は第1図のA
部拡大図、第3図は同排ガス冷却制御装置の制御
動作説明図、第4図は同排ガス冷却制御装置のフ
ローチヤート、第5図は従来に於けるごみ焼却炉
の排ガス冷却制御装置の構成図である。 1……ごみ焼却炉の排ガス冷却制御装置、3…
…ガス冷却室、3a……壁面、3b……出口、4
……水噴射ノズル、5……ポンプ、6……第1温
度センサ、7……第1ガス冷却室出口温度制御装
置、8……炉温制御用空気ノズル、9……フア
ン、10……炉用ダンパ、11……第2温度セン
サ、12……炉出口温度制御装置、13……空気
噴射口、14……冷却室用ダンパ、15……第2
ガス冷却室出口温度制御装置。
Claims (1)
- 焼却炉と、ガス冷却室と、ガス冷却室の壁面に
設けられた水噴射ノズルと、水噴射ノズルに噴射
水を圧送するポンプと、ガス冷却室出口の温度を
検出する温度センサと、温度センサから検出され
た温度信号を受けてガス冷却室出口の温度が所定
の値となるようにポンプからの噴射水の流量を制
御するガス冷却室出口ガス温度制御装置とを備え
たごみ焼却炉の排ガス冷却制御装置に於て、ガス
冷却室の壁面に水噴射ノズルを囲んで空気噴射口
を設け、この空気噴射口に空気を送風するフアン
を配し、ガス冷却室出口ガス温度制御装置の指令
により、所定の温度付近より高い時にポンプから
水噴射ノズルに噴射水を圧送し、所定の温度付近
より低い時にはフアンから空気噴射口に冷却空気
を送風するように構成したことを特徴とするごみ
焼却炉の排ガス冷却制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13784785U JPH0223956Y2 (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13784785U JPH0223956Y2 (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245534U JPS6245534U (ja) | 1987-03-19 |
| JPH0223956Y2 true JPH0223956Y2 (ja) | 1990-06-29 |
Family
ID=31042281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13784785U Expired JPH0223956Y2 (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0223956Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP13784785U patent/JPH0223956Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6245534U (ja) | 1987-03-19 |
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