JPH02239611A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH02239611A JPH02239611A JP1061252A JP6125289A JPH02239611A JP H02239611 A JPH02239611 A JP H02239611A JP 1061252 A JP1061252 A JP 1061252A JP 6125289 A JP6125289 A JP 6125289A JP H02239611 A JPH02239611 A JP H02239611A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0452—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Y10S438/907—Continuous processing
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
集積回路などの半導体装置を製造するための半導体製造
装置に関し、 メンテナンス技術者が該半導体製造装置を手元で操作で
きるようにすることによって、メンテナンス作業の作業
性と能率を高め、同時に質の高いメンテナンス作業を可
能とし、常に最良の性能を維持し続けることができる半
導体製造装置を実現することを目的とし、 半導体製造装置を手動で操作するための手動操作部を、
該半導体製造装置から独立して移動可能に設け、 半導体製造装置には、手動操作部と通信するための中継
部を複数箇所に設け、 前記複数の中継部のうちの、少なくともいずれか１つの
中継部と、手動操作部との間の有線通信によって、半導
体製造装置を手動操作するように構成する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路などの半導体装置を製造するための
半導体製造装置に関する。
装置に関し、 メンテナンス技術者が該半導体製造装置を手元で操作で
きるようにすることによって、メンテナンス作業の作業
性と能率を高め、同時に質の高いメンテナンス作業を可
能とし、常に最良の性能を維持し続けることができる半
導体製造装置を実現することを目的とし、 半導体製造装置を手動で操作するための手動操作部を、
該半導体製造装置から独立して移動可能に設け、 半導体製造装置には、手動操作部と通信するための中継
部を複数箇所に設け、 前記複数の中継部のうちの、少なくともいずれか１つの
中継部と、手動操作部との間の有線通信によって、半導
体製造装置を手動操作するように構成する． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路などの半導体装置を製造するための
半導体製造装置に関する。
半導体装置の微細加工化と高集積化にともない、作業環
境の無塵化や無振化等が製品の歩留り向上にとって重要
である。したがって、無塵化、無振化のための諸方策を
実施している。
境の無塵化や無振化等が製品の歩留り向上にとって重要
である。したがって、無塵化、無振化のための諸方策を
実施している。
第３図は、従来の半導体製造装置の一例を説明する平面
図である。
図である。
同図の半導体製造装置は、処理の実作業たとえばエッチ
ングなどをおこなうチャンバーを有する作業部ｌと、該
作業部ｌ内のガスを排出する真空ポンプ２、該作業部１
に高周波電力と直流電力を供給する高周波電源３、直流
電源４等から成り、各々は独立して設置されている。
ングなどをおこなうチャンバーを有する作業部ｌと、該
作業部ｌ内のガスを排出する真空ポンプ２、該作業部１
に高周波電力と直流電力を供給する高周波電源３、直流
電源４等から成り、各々は独立して設置されている。
また、作業部１には隔壁７ａ，７ｂを設け、装置の運転
操作を行なう操作部５、およびウエハー出入口６が有る
面を残し、該隔壁７ａ．７ｂ内に半導体製造装置を埋め
込んでいる。
操作を行なう操作部５、およびウエハー出入口６が有る
面を残し、該隔壁７ａ．７ｂ内に半導体製造装置を埋め
込んでいる。
これらは無塵化、無振化の諸方策による結果である。次
にこの理由を説明する。
にこの理由を説明する。
方策■
発塵源や振動源となる真空ポンプ２、直流電源３、高周
波電源４を、作業部ｌと分離して設置した． 場合によっては、真空ボンブ２、直流電源３、高周波電
源４を別室に置《こともある。
波電源４を、作業部ｌと分離して設置した． 場合によっては、真空ボンブ２、直流電源３、高周波電
源４を別室に置《こともある。
方策■
ウエハーの出し入れ、運搬等などを行なう領域すなわち
ウヱハー取り扱い領域９の無塵度を高めるために、発塵
源となる真空ポンブ２、直流電源３、高周波電源４等が
有る領域すなわちメンテナンス領域８を、隔壁？ａ，７
ｂで分離した．方策■ 前記の方策■は、半導体製造装置のメンテナンス作業に
ともなう発塵が、ウェハー取り扱い領域９を汚染しない
ようにするためでもある。
ウヱハー取り扱い領域９の無塵度を高めるために、発塵
源となる真空ポンブ２、直流電源３、高周波電源４等が
有る領域すなわちメンテナンス領域８を、隔壁？ａ，７
ｂで分離した．方策■ 前記の方策■は、半導体製造装置のメンテナンス作業に
ともなう発塵が、ウェハー取り扱い領域９を汚染しない
ようにするためでもある。
半導体製造装置にとって、所定の性能を維持するための
メンテナンス作業は特に重要である。
メンテナンス作業は特に重要である。
しかし、半導体製造装置のメンテナンス作業には、種々
の困難が生じている。
の困難が生じている。
困難■
操作部５の操作時や半導体製造装置の処理プロセス時に
、作業部ｌの内部や真空ポンブ２、直流電源３、高周波
電源４の状態を観察する場合は、メンテナンス領域８で
各装置を観察するためのメンテナンス技術者１０と、操
作部５を操作するためのメンテナンス技術者１ｌが必要
であり、メンテナンス技術者が２名必要である。
、作業部ｌの内部や真空ポンブ２、直流電源３、高周波
電源４の状態を観察する場合は、メンテナンス領域８で
各装置を観察するためのメンテナンス技術者１０と、操
作部５を操作するためのメンテナンス技術者１ｌが必要
であり、メンテナンス技術者が２名必要である。
困難■
真空ボンプ２、直流電源３、高周波電源４等が、作業部
ｌを設置した部屋以外の別室に設置してある場合は、メ
ンテナンス技術者１０とメンテナンス技術者１１は、電
話やトランシーバーなどを介して通話する必要がある。
ｌを設置した部屋以外の別室に設置してある場合は、メ
ンテナンス技術者１０とメンテナンス技術者１１は、電
話やトランシーバーなどを介して通話する必要がある。
困難■
半導体製造装置が順次に行なう処理プロセスの、各処理
プロセス段階間の移行にともなう作動を観察する場合に
、該半導体製造装置の起動／停止や作動の微調整を行な
うことがある。
プロセス段階間の移行にともなう作動を観察する場合に
、該半導体製造装置の起動／停止や作動の微調整を行な
うことがある。
このような場合は、メンテナンス技術者１０がメンテナ
ンス技術者１１に操作指示を与えながら行なうことにな
る。
ンス技術者１１に操作指示を与えながら行なうことにな
る。
したがって、操作指示と実際の操作タイミング、あるい
は操作量に食い違いが生じ、思うようなメンテナンス作
業ができない場合が多い。
は操作量に食い違いが生じ、思うようなメンテナンス作
業ができない場合が多い。
困難■
１人でメンテナンス作業を行なう場合は、１人で抛作部
５を操作したり、各装置を観察する必要がある。
５を操作したり、各装置を観察する必要がある。
そのため、メンテナンス技術者が隔壁７ａ，７ｂを部分
的に開放し、メンテナンス領域８とウェハー取り扱い領
域９とを行き来することになる。
的に開放し、メンテナンス領域８とウェハー取り扱い領
域９とを行き来することになる。
したがって、無塵度の高いウェハー取り扱い領域９に、
メンテナンス領域８の塵埃が入り込み、該ウエハー取り
扱い領域９が塵埃汚染される。
メンテナンス領域８の塵埃が入り込み、該ウエハー取り
扱い領域９が塵埃汚染される。
また、身体に塵埃を付着したままのメンテナンス技術者
が、ウェハー取り扱い領域９に入ることによって、該ウ
エハー取り扱い領域９の塵埃汚染が生じる。
が、ウェハー取り扱い領域９に入ることによって、該ウ
エハー取り扱い領域９の塵埃汚染が生じる。
以上■〜■は、操作部５が作業部１に固定して設けられ
ており、メンテナンス領域８に居るメンテナンス技術者
ｌＯが、手元で該操作部５を操作できないことに原因し
ている。
ており、メンテナンス領域８に居るメンテナンス技術者
ｌＯが、手元で該操作部５を操作できないことに原因し
ている。
他方、操作部５が作業部ｌと分離独立している装置や、
分離可能の装置もある。
分離可能の装置もある。
しかし、これらは前記■〜■の困難を解消するためのも
のではない。
のではない。
すなわち、（困難■）
例えばステッパ装置等では、温度変化にともなう装置の
膨張／収縮を解消するために、該装置の作業部を恒温槽
に入れている。そのため、周囲温度に対して該作業部の
温度は高く設定維持されている。したがって、高温に耐
えられない操作部を作業部から分離して設けている。
膨張／収縮を解消するために、該装置の作業部を恒温槽
に入れている。そのため、周囲温度に対して該作業部の
温度は高く設定維持されている。したがって、高温に耐
えられない操作部を作業部から分離して設けている。
また、専門的知識を持たない者が誤った手動操作を行っ
たり、処理プロセスの条件を変更したりすることを防止
するためや、半導体製造装置の状態を集中管理するため
に、操作部５のうち手動操作部を分離独立して設けたも
のがある。
たり、処理プロセスの条件を変更したりすることを防止
するためや、半導体製造装置の状態を集中管理するため
に、操作部５のうち手動操作部を分離独立して設けたも
のがある。
しかし、いずれの場合も、装置本体と手動操作部は所定
の１箇所で接続するように構成されている。
の１箇所で接続するように構成されている。
したがって、この場合も前記■〜■の困難がともなうの
である。
である。
これらを一言で説明するならば、メンテナンスの作業性
と能率が悪く、また、ウェハー取り扱い領域９の塵埃汚
染を生じることである。
と能率が悪く、また、ウェハー取り扱い領域９の塵埃汚
染を生じることである。
本発明の技術的課題は、従来の半導体製造装置における
以上のような問題を解消し、メンテナンス技術者が該半
導体製造装置を手元で操作できるようにすることによっ
て、メンテナンス作業の作業性と能率を高め、同時に質
の高いメンテナンス作業を可能とし、常に最良の性能を
維持し続けることができる半導体製造装置を実現するこ
とにある。
以上のような問題を解消し、メンテナンス技術者が該半
導体製造装置を手元で操作できるようにすることによっ
て、メンテナンス作業の作業性と能率を高め、同時に質
の高いメンテナンス作業を可能とし、常に最良の性能を
維持し続けることができる半導体製造装置を実現するこ
とにある。
第１図は、本発明の基本原理を説明する平面図である。
本発明の半導体製造装置は、該製造装置のメンテナンス
技術者が、該製造装置を手元で操作できるようにしたと
ころに特徴がある。
技術者が、該製造装置を手元で操作できるようにしたと
ころに特徴がある。
すなわち、半導体製造装置１２を手動で操作するための
手動操作部１３を、該半導体製造装置１２から独立して
移動可能に設け、他方、半導体製造装置１２には、手動
操作部１３と通信するための複数の中継部１４ａ， １
４ｂ， １４ｃ， １４ｄ． １４ｅ． １４ｆ ，−
”を設ける。
手動操作部１３を、該半導体製造装置１２から独立して
移動可能に設け、他方、半導体製造装置１２には、手動
操作部１３と通信するための複数の中継部１４ａ， １
４ｂ， １４ｃ， １４ｄ． １４ｅ． １４ｆ ，−
”を設ける。
そして、前記複数の中継部１４ａ． １４ｂ． １４ｃ
， １４ｄ． １４ｅ．ｌ４ｆ．・・・のうちの、少な
くともいずれか１つの中継部と、手動操作部１３との間
の有線通信によって、半導体製造装置１２を手動操作す
る半導体製造装置である。
， １４ｄ． １４ｅ．ｌ４ｆ．・・・のうちの、少な
くともいずれか１つの中継部と、手動操作部１３との間
の有線通信によって、半導体製造装置１２を手動操作す
る半導体製造装置である。
しかし、中継部と手動操作部１３との通信は有線通信に
限る必要はなく、無線通信で行なうことも可能である。
限る必要はなく、無線通信で行なうことも可能である。
また、半導体製造装置１２が複数の装置部分に分かれて
いて、それぞれの装置部分を距離を隔てて設置している
場合は、各々の装置部分に手動操作部１３と通信するた
めの中継部を設ける。
いて、それぞれの装置部分を距離を隔てて設置している
場合は、各々の装置部分に手動操作部１３と通信するた
めの中継部を設ける。
もちろん、半導体製造装置１２を自動運転するために操
作する自動操作部１５が、該半導体製造装置１２に設け
てある場合においても該中継部を設け、またその場合に
、自動操作部１５を設けた面と同一の面に中継部を設け
ることも有効である。
作する自動操作部１５が、該半導体製造装置１２に設け
てある場合においても該中継部を設け、またその場合に
、自動操作部１５を設けた面と同一の面に中継部を設け
ることも有効である。
本発明の半導体製造装置をメンテナンスする場合は、メ
ンテナンス現場に手動操作部１３を持ち込み、該メンテ
ナンス現場に最も近い所にある中継部と該手動操作部１
３とを接続し、メンテナンス作業を行なう． すなわち、メンテナンス技術者は、メンテナンス現場に
おいて、手元で半導体製造装置を操作できるようになる
． したがって、１人で半導体製造装置の提作を行いつつ装
置の様子を観察し、メンテナンス作業を行なうことが可
能となる。
ンテナンス現場に手動操作部１３を持ち込み、該メンテ
ナンス現場に最も近い所にある中継部と該手動操作部１
３とを接続し、メンテナンス作業を行なう． すなわち、メンテナンス技術者は、メンテナンス現場に
おいて、手元で半導体製造装置を操作できるようになる
． したがって、１人で半導体製造装置の提作を行いつつ装
置の様子を観察し、メンテナンス作業を行なうことが可
能となる。
その結果、２人でメンテナンス作業を行うことに付随し
ていた、操作指示や連絡による操作タイミングや微調整
操作の不一致から解放され、能率良く、質の高いメンテ
ナンス作業を行うことができるようになる。また、メン
テナンス領域８とウェハー取り扱い領域９との間を行き
来する必要もなくなり、ウェハー取り扱い領域９の塵埃
汚染もなくなる。
ていた、操作指示や連絡による操作タイミングや微調整
操作の不一致から解放され、能率良く、質の高いメンテ
ナンス作業を行うことができるようになる。また、メン
テナンス領域８とウェハー取り扱い領域９との間を行き
来する必要もなくなり、ウェハー取り扱い領域９の塵埃
汚染もなくなる。
（実施例〕
（１）手動操作部と中継部の通信手段
■有線通信の場合
中継部に電気的接続を目的とするコネクタを設け、手動
操作部と中継部をワイヤーケーブルと該コネクタに嵌合
するもう１つのコネクタによって接続する． したがって、半導体製造装置に手動操作部が電気的に結
合し、該製造装置の手動操作が可能となる． また、ワイヤーケーブルの代わりに光ファイバーケーブ
ルを使用する場合は、中継部に光ファイバーケーブル対
応の光コネクタを使用する。
操作部と中継部をワイヤーケーブルと該コネクタに嵌合
するもう１つのコネクタによって接続する． したがって、半導体製造装置に手動操作部が電気的に結
合し、該製造装置の手動操作が可能となる． また、ワイヤーケーブルの代わりに光ファイバーケーブ
ルを使用する場合は、中継部に光ファイバーケーブル対
応の光コネクタを使用する。
■無線通信の場合
（ａ）中継部に所定の周波数の受信機あるいは送受信機
を設け、他方、手動操作部には前記周波数と一致した送
信機あるいは送受信機を設ける．したがって、手動操作
部の操作信号を無線送信して中継部で受信し、半導体製
造装置の手動操作が可能となる． また、手動操作部および中継部に送受信機を使用すれば
、半導体製造装置の状態信号などを手動操作部に送るこ
ともできる。
を設け、他方、手動操作部には前記周波数と一致した送
信機あるいは送受信機を設ける．したがって、手動操作
部の操作信号を無線送信して中継部で受信し、半導体製
造装置の手動操作が可能となる． また、手動操作部および中継部に送受信機を使用すれば
、半導体製造装置の状態信号などを手動操作部に送るこ
ともできる。
（ｂ）中継部にはアンテナのみを設け、他方、半導体製
造装置には１台だけ受信機あるいは送受信機を設けるこ
とで、前記（ａ）の目的を実現できる．（ｃ）その他、
赤外線送受信機によって前記通信を行なうことも可能で
ある。
造装置には１台だけ受信機あるいは送受信機を設けるこ
とで、前記（ａ）の目的を実現できる．（ｃ）その他、
赤外線送受信機によって前記通信を行なうことも可能で
ある。
（２）半導体製造装置の実施例
第２図は、本発明による半導体製造装置の実施例を説明
する平面図である。
する平面図である。
この装置は、Ｒ Ｉ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ
Ｅｔｃｈｉｎｇ）チャンバー（ ｃｈａｍｂｅｒ）
２３とダウンフロー（ｄｏｗｎ ｆｌｏｗ）チャンバー
１７を持つ、２連チャンバ一方式のエッチング装置であ
る． 本装置は、ウェハーを納めたキャリアをキャリアステー
ション１６ａ ， １６ｂに装着すると、ウエハーをロ
ードロック２０に搬送し、次に該ロードロツタ２０を真
空状態とした後に該ウエハーを搬送室２ｌに搬送し、そ
の後、ダウンフローチャンバー１７とＲＩＥチャンバー
２３とに搬送してエッチング作業を行なうもので、作業
完了後のウェハーは、再びロードロック２０を通してキ
ャリアステーション１６ａ，１６ｂのキャリアに納め、
全工程を終了する．このエッチング装置は、前記のエッ
チング作業を行なう作業部１ａの他に、各室およびチャ
ンバーのガス抜きを行なうダウンフロー用真空ボンプｌ
９、搬送室およびロードロック用真空ボンプ２２、ＲＩ
Ｅ用真空ポンプ２５、を別置きとして該作業部１ａと距
離を隔てて設置し、該作業部１ａのキャリアステーショ
ン１６ａ，１６ｂ以外は、隔壁７ａ，７ｂによって分離
している。
Ｅｔｃｈｉｎｇ）チャンバー（ ｃｈａｍｂｅｒ）
２３とダウンフロー（ｄｏｗｎ ｆｌｏｗ）チャンバー
１７を持つ、２連チャンバ一方式のエッチング装置であ
る． 本装置は、ウェハーを納めたキャリアをキャリアステー
ション１６ａ ， １６ｂに装着すると、ウエハーをロ
ードロック２０に搬送し、次に該ロードロツタ２０を真
空状態とした後に該ウエハーを搬送室２ｌに搬送し、そ
の後、ダウンフローチャンバー１７とＲＩＥチャンバー
２３とに搬送してエッチング作業を行なうもので、作業
完了後のウェハーは、再びロードロック２０を通してキ
ャリアステーション１６ａ，１６ｂのキャリアに納め、
全工程を終了する．このエッチング装置は、前記のエッ
チング作業を行なう作業部１ａの他に、各室およびチャ
ンバーのガス抜きを行なうダウンフロー用真空ボンプｌ
９、搬送室およびロードロック用真空ボンプ２２、ＲＩ
Ｅ用真空ポンプ２５、を別置きとして該作業部１ａと距
離を隔てて設置し、該作業部１ａのキャリアステーショ
ン１６ａ，１６ｂ以外は、隔壁７ａ，７ｂによって分離
している。
また、エッチング作業を行なうための高周波電源、μ波
電源、および作業部１ａに直流電力を供給する直流電源
等は、電源ラック２６に納めて別置きとし、各々を必要
とする装置部分に給電している。
電源、および作業部１ａに直流電力を供給する直流電源
等は、電源ラック２６に納めて別置きとし、各々を必要
とする装置部分に給電している。
他方、該エッチング装置の制御は、作業部ｌａ中にある
図に示されないマイクロコンピュータシステムによって
行ない、操作部および表示部２７で操作することによっ
て運転操作するものである。
図に示されないマイクロコンピュータシステムによって
行ない、操作部および表示部２７で操作することによっ
て運転操作するものである。
本エッチング装置には、操作部および表示部２７を設け
た正面位置に中継部■１４ｇを設け、ダウンフローチャ
ンバー１７のある左側面位置に中継部■１４ｈ 、搬送
室２ｌのある背面位置に中継部■１４ｉ、ＲＩＥチャン
バー２３のある右側面位置に中継部■１４ｊ、電源ラッ
ク２６に中継部■１４ｋを設けている．該中継部は、電
気的接続を行なうコネクタで構成し、前記した制御用の
マイクロコンピュータシステムに接続配線し、手動操作
部１３と該中継部の接続はワイヤーケーブルと前記コネ
クタに嵌合するコネクタによって行なう。
た正面位置に中継部■１４ｇを設け、ダウンフローチャ
ンバー１７のある左側面位置に中継部■１４ｈ 、搬送
室２ｌのある背面位置に中継部■１４ｉ、ＲＩＥチャン
バー２３のある右側面位置に中継部■１４ｊ、電源ラッ
ク２６に中継部■１４ｋを設けている．該中継部は、電
気的接続を行なうコネクタで構成し、前記した制御用の
マイクロコンピュータシステムに接続配線し、手動操作
部１３と該中継部の接続はワイヤーケーブルと前記コネ
クタに嵌合するコネクタによって行なう。
すなわち、該中継部に手動操作部１３を接続し、該手動
操作部１３の操作信号を制御用のマイクロコンピュータ
システムに送信することによって、エッチング装置の手
動操作を可能とするものである。
操作部１３の操作信号を制御用のマイクロコンピュータ
システムに送信することによって、エッチング装置の手
動操作を可能とするものである。
したがって、例えばダウンフローチャンバー１７やその
周辺での搬送系、ガス系等のトラブルの際は、手動湿作
部１３を中継部■１４ｈに接続してメンテナンス作業を
行い、表示部２７が異常と思われる時は、手動操作部１
３を中継部■１４ｇに接続し、操作と表示の対応を確認
すればよい． その他、中継部■１４ｉ〜中継部■１４ｋについても同
様であり、メンテナンス作業現場の中継部に手動操作部
１３を接続し、メンテナンス作業を行えばよい。
周辺での搬送系、ガス系等のトラブルの際は、手動湿作
部１３を中継部■１４ｈに接続してメンテナンス作業を
行い、表示部２７が異常と思われる時は、手動操作部１
３を中継部■１４ｇに接続し、操作と表示の対応を確認
すればよい． その他、中継部■１４ｉ〜中継部■１４ｋについても同
様であり、メンテナンス作業現場の中継部に手動操作部
１３を接続し、メンテナンス作業を行えばよい。
また手動操作部１３は、手動運転のための操作コマンド
の他に自動運転のための操作コマンドも有しており、い
かなるメンテナンス現場においても手動運転と自動運転
の操作を行なうことができる。
の他に自動運転のための操作コマンドも有しており、い
かなるメンテナンス現場においても手動運転と自動運転
の操作を行なうことができる。
以上の結果、本実施例の場合約１５％以上のメンテナン
ス時間の削減ができた。しかも、メンテナンス作業は１
人で行なうことが可能となった。
ス時間の削減ができた。しかも、メンテナンス作業は１
人で行なうことが可能となった。
以上のように本発明の半導体製造装置によれば、半導体
製造装置のメンテナンス作業を行なう場合に、メンテナ
ンス技術者が該半導体製造装置を手元で操作できるよう
になる。
製造装置のメンテナンス作業を行なう場合に、メンテナ
ンス技術者が該半導体製造装置を手元で操作できるよう
になる。
したがって、メンテナンス作業の作業性と能率が高くな
り、同時に質の高いメンテナンス作業を行なうことがで
きるようになる。
り、同時に質の高いメンテナンス作業を行なうことがで
きるようになる。
その結果、常に最良の性能を維持し続けることができる
半導体製造装置を実現することができる。
半導体製造装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の基本原理を説明する平面図、第２図
は、本発明による半導体製造装置の実施例を説明する平
面図、 第３図は、従来の半導体製造装置の一例を説明する平面
図、である。 図において、１．ｌａは作業部、２は真空ポンプ、３は
直流電源、４は高周波電源、５は操作部、６はウエハー
出入口、７ａ，７ｂは隔壁、８はメンテナンス領域、９
はウェハー取り扱い領域、１０．１１はメンテナンス技
術者、１２は半導体製造装置、１３は手動操作部、１４
ａ， １４ｂ， １４ｃ． １４ｄ， １４ｅ， １４
４は中継部、１４ｇは中継部■、１４ｈは中継部■、１
４ｉは中継部■、１４ｊ は中継部■、１４ｋは中継部
■、１５は自動操作部、１６ａ， １６ｂはキャリアス
テーション、ｌ７はダウンフローチャンバー、１８はμ
波立体回路およびプロセスガス配管系、ｌ９はダウンフ
ロー用真空ボンブ、２０はロードロツタ、２１は搬送室
、２２は搬送室およびロードロツタ用真空ポンプ、２３
はＲＩＥ用チャンバー、２４はＲＦフィルターおよびプ
ロセスガス配管系、２５はＲＩＥ用真空ボンブ、２６は
電源ラック、２７は操作部および表示部、をそれぞれ示
している．
は、本発明による半導体製造装置の実施例を説明する平
面図、 第３図は、従来の半導体製造装置の一例を説明する平面
図、である。 図において、１．ｌａは作業部、２は真空ポンプ、３は
直流電源、４は高周波電源、５は操作部、６はウエハー
出入口、７ａ，７ｂは隔壁、８はメンテナンス領域、９
はウェハー取り扱い領域、１０．１１はメンテナンス技
術者、１２は半導体製造装置、１３は手動操作部、１４
ａ， １４ｂ， １４ｃ． １４ｄ， １４ｅ， １４
４は中継部、１４ｇは中継部■、１４ｈは中継部■、１
４ｉは中継部■、１４ｊ は中継部■、１４ｋは中継部
■、１５は自動操作部、１６ａ， １６ｂはキャリアス
テーション、ｌ７はダウンフローチャンバー、１８はμ
波立体回路およびプロセスガス配管系、ｌ９はダウンフ
ロー用真空ボンブ、２０はロードロツタ、２１は搬送室
、２２は搬送室およびロードロツタ用真空ポンプ、２３
はＲＩＥ用チャンバー、２４はＲＦフィルターおよびプ
ロセスガス配管系、２５はＲＩＥ用真空ボンブ、２６は
電源ラック、２７は操作部および表示部、をそれぞれ示
している．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体製造装置（１２）を手動で操作するための手
動操作部（１３）を、該半導体製造装置（１２）から独
立して移動可能に設け、 半導体製造装置（１２）には、手動操作部（１３）と通
信するための中継部（１４ａ）、（１４ｂ）、（１４ｃ
）、（１４ｄ）、（１４ｅ）、（１４ｆ）、・・・を複
数箇所に設け、前記複数の中継部（１４ａ）、（１４ｂ
）、（１４ｃ）、（１４ｄ）、（１４ｅ）、（１４ｆ）
、・・・のうちの、少なくともいずれか１つの中継部と
、手動操作部（１３）との間の有線通信によって、 半導体製造装置（１２）を手動操作することを特徴とす
る半導体製造装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の半導体製造装置におい
て、 中継部（１４ａ）、（１４ｂ）、（１４ｃ）、（１４ｄ
）、（１４ｅ）、（１４ｆ）、・・・と手動操作部（１
３）との間の通信を、有線通信にかえて無線通信で行な
うことを特徴とする半導体製造装置。 ３、半導体製造装置（１２）が複数の装置部分に分かれ
ていて、それぞれの装置部分を距離を隔てて設置してい
る場合において、 各々の装置部分に、手動操作部（１３）と通信するため
の中継部を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項もしくは第２項記載の半導体製造装置。 ４、半導体製造装置（１２）を自動運転するために操作
する自動操作部（１５）が、該半導体製造装置（１２）
の一方の面に設けてあることを特徴とする特許請求の範
囲第１項もしくは第２項記載の半導体製造装置。 ５、手動操作部（１３）と通信するための中継部のうち
の１つを、自動操作部（１５）を設けた面と同一の面に
設けたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の半
導体製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061252A JP2528708B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体製造装置 |
| EP90104489A EP0387709B1 (en) | 1989-03-14 | 1990-03-09 | Semiconductor device manufacturing apparatus |
| KR1019900003264A KR930010066B1 (ko) | 1989-03-14 | 1990-03-12 | 반도체 제조장치 |
| US07/492,139 US5078824A (en) | 1989-03-14 | 1990-03-13 | Semiconductor device manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061252A JP2528708B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02239611A true JPH02239611A (ja) | 1990-09-21 |
| JP2528708B2 JP2528708B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=13165859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1061252A Expired - Lifetime JP2528708B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体製造装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5078824A (ja) |
| EP (1) | EP0387709B1 (ja) |
| JP (1) | JP2528708B2 (ja) |
| KR (1) | KR930010066B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9303329B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-04-05 | Tel Nexx, Inc. | Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management |
Citations (7)
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| JPS62285200A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | 株式会社日立製作所 | 保守点検装置 |
| JPS62299024A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Toshiba Mach Co Ltd | ウエハ処理装置用制御システム |
| JPS6345605A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 複合制御装置 |
| JPS6357734U (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-18 | ||
| JPS6450198A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | Advising device for work |
| JPH0268923A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Tel Sagami Ltd | 縦形熱処理装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4252595A (en) * | 1976-01-29 | 1981-02-24 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Etching apparatus using a plasma |
| JPS5619635A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-24 | Hitachi Ltd | Manufacturing apparatus |
| JPS58197262A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-16 | Canon Inc | 量産型真空成膜装置及び真空成膜法 |
| JPS6362233A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
| JPS63252439A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-10-19 | アプライド マテリアルズインコーポレーテッド | 多チャンバの統合処理システム |
-
1989
- 1989-03-14 JP JP1061252A patent/JP2528708B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-09 EP EP90104489A patent/EP0387709B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-12 KR KR1019900003264A patent/KR930010066B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-13 US US07/492,139 patent/US5078824A/en not_active Expired - Lifetime
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| US9303329B2 (en) | 2013-11-11 | 2016-04-05 | Tel Nexx, Inc. | Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0387709B1 (en) | 1995-08-09 |
| KR900015250A (ko) | 1990-10-26 |
| KR930010066B1 (ko) | 1993-10-14 |
| JP2528708B2 (ja) | 1996-08-28 |
| EP0387709A3 (en) | 1991-07-03 |
| EP0387709A2 (en) | 1990-09-19 |
| US5078824A (en) | 1992-01-07 |
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