JPH02239678A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はいわゆるジャンクションダウン組立を施す半
導体装置、特に半導体レーザ装置に関するものである。

〔従来の技術Ｊ 第３図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。

図において（１）はｎ型（以下、Ｄ−と略す）　ＱａＡ
ｓ基板、（２）はｎ−ＧａＡｓ基板（１）上に設けられ
たｎ　−　Ａｌｏ，３Ｇａｏ，７Ａａ第１クラツド層、
（３）はｒｌ　−　ＡＩ０，３ＱＱｒＢＡ４１クラツド
層（２）上に設けられたコンドーグ（以下ｕｎ−と略す
）ＧａＡｓ活性層，（４）はｕｎ−ＧａＡｓ活性層（３
）上に設けられたストライプ状凸部（５）を有するｐ型
（以下ｐ一と略す）　Ａｌｏ．３Ｇａｎ４Ａ８第２クフ
ッド層、（６）はｐ−　Ａｌｏ．３Ｇａｎ．７Ａｓ第２
クフツド７ｍ（４）のストライブ状凸部（５）上に設け
られたｐ　−　ＧａＡｓ第１コンタクト層、（７）はｐ
　−　Ａｌｏ，３Ｇａｏ，７Ａｓ第２クラツド層（４）
及びｐ　−　ＧａＡａ第１コンタクト層（６）上にほぼ
均一の厚さで設けられ、高さｈのストライプ状凸部（８
）を有するｎ　−　ＧａＡｓ電流阻止層、（９）はｎ−
ＧａＡｅｆｉ流阻止層（７）のストライプ状凸部（８）
にのみ選択的にｐ　−　ＧａＡｓ第１コン冫クト層（６
）に達するようにＺｏが拡散されたｚｒＩ拡散ｐ型領域
、（１０）はＺｎ拡散ｐ型領域（９）上に設けられたｐ
側電極、（ｌ１）はローＧｓＡｓ基板（１）下部に設け
られたｎ側電極である。

次に動作について説明する。ｐ側ＩＥ極（１０）とｎ側
ｔＦＭ（１ｌ）の間にｐ側電極（１０）が正となるよう
なバイアヌを印加すると、ストライプ状凸部（８）直下
のｕｎ−ＧａＡｓ活性層（３）に正孔及び電子が注入さ
れ再結合して光をふく射する。注入レベルを上げて行く
と誘導ふく射が始まり、やがてレーザ発振に至るＯ 〔発明が解決しようとする課題Ｊ 半導体レーザ装置は動作させると熱を発生する。

発生した熱により半導体レーザ装置はその発振しきい値
電流が上昇したり、発光効率が低下する。

甚しい場合には発振停止に至る。従って動作により発生
した熱を効率良く逃がすことが実用上重要である。放熱
を改善するための手段としてヒートジンク上に動作領域
を近づけてマウントするいわゆるジャンクンヨンダウン
組立方式がある。従来半導体装置は以上のように構成さ
れているので、ジャンクションダウン組立を施す場合に
は、高さｈのストライプ状凸部が動作領域直上のチップ
表面に存在するために、ヒートシンクとチップを圧力を
かけてマウントする際に動作領域にストレスが加わり、
半導体装置の信頼性を低下させるという問題点があった
う この発明はかかる問題点を解消するためになされたもの
であり、ジャンクションダウン組立に際して動作領域に
ストレスが加わらない半導体装置を得ることを目的とす
る。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係わる半導体装置は能動領域直上のストライ
プ状凸部の高さよりも厚い金属層を該ストフイプ状凸部
以外の領域上に設けたものであるっ〔作用Ｊ この発明における能動領域直上のストライブ状凸部の高
さよりも厚い金属層は、ジャンクショウダウン組立に際
し、ヒートシンクとストライプ状凸部が直接触れること
を抑制し、ストレスを能動領域に加えない。

〔実施例〕

第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示す半
導体レーザ装置の断面図、第２図は第１図の半導体レー
ザ装置をジャンクションダウン方式でヒートシンク上に
マウントした状況を示す断面図である◇図において（１
）〜（１１）は第３図の従来例に示したものと同等であ
るので説明を省略する。

（１２）はＺｎ拡散ｐ型領域（９）以外の領域上に設け
られたＳ１０２膜、（１３）はストライグ状凸部（８）
以外の領域上に設けられた高さがｈよりも大きな金属層
、（１４）はヒートシンク、（１５）ははんだ材である
。

次に動作について説明する。第２図に示すようにジャン
クションダウン方式で組立てる際には、ストライグ状凸
部（８）の高さよりも金属層（．１３　）の高さが高い
ために、レーザ発振領域直上のストライプ状凸部（８）
がヒートシンク（１４）と直接接触することがなく、ス
トレスをレーザ発振領域に与えることがない。したがっ
て、組立に起因する信頼性の低下を防止することができ
る。

〔発明の効果Ｊ この発明に係る半導体装置は、能動領域直上のストライ
プ状凸部の高さよりも厚い金属層をストライプ状凸部以
外の領域上に設けたので、ヒートシンク上にジャンクシ
ョンダウンでマウントする際に能動領域にストレスが加
わり信頼性が低下することを防止することができる効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例による半
導体レーザ装置を示す断面図、第２図は第１図の半導体
レーザ装置をヒートシンク上にジャンクションダウンで
マウントした状況を示す断面図、第３図は従来の半導体
レーザ装置を示す断面図である。 図において（１）はｎ−ＧａＡｓ基板、（２）はｎ　−
　Ａ１（ｌ３Ｇａ６．７　Ａｓ第１クラツド層、（３）
はｕｎ−ＧａＡｓ活性層、（４）はｐ　−　Ａｌｏ，３
Ｇａｏ，ｔＡｓ第２クラツド層、（５），　（８）はス
トライプ状凸部、（６）はｐ　−　ＧａＡｓ第１コンタ
クト層、（力はｎ−ＧａＡｓｌ［流阻止層、（９）はＺ
ｎ拡散ｐ型領域、（１０）はｐ側電極、（ｌ１）はｎ側
電極、（１２）はＳ１０２膜（１３）は金属層、（１４
）はヒートシンク、（ｌ５）ははん疋材である， なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示すロ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板上に設けられた能動領域を有し該能動領域
   が他の部分よりも凸に構成されている半導体装置におい
   て、該凸部の高さよりも厚い金属層を該凸部以外の領域
   上に設けたことを特徴とする半導体装置。