JPH02239715A - ダイヤモンドを用いた弾性表面波基板 - Google Patents
ダイヤモンドを用いた弾性表面波基板Info
- Publication number
- JPH02239715A JPH02239715A JP5955289A JP5955289A JPH02239715A JP H02239715 A JPH02239715 A JP H02239715A JP 5955289 A JP5955289 A JP 5955289A JP 5955289 A JP5955289 A JP 5955289A JP H02239715 A JPH02239715 A JP H02239715A
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- diamond
- surface acoustic
- acoustic wave
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、弾性波の伝搬速度が地球上で最も大きな材料
であるダイヤモンドを用いた弾性表面波基板に関する。
であるダイヤモンドを用いた弾性表面波基板に関する。
ダイヤモンドは縦波の音速が約18000m/sec,
横波の音速が約12000m/sec,弾性表面波の音
速が約11000m/seaと地球上にある物質の中で
最も大きな音速をもつ材料である。一方、弾性表面波デ
バイスの超高周波化のためには、音速の大きな弾性表面
波基板材料が必要であり、そのためには、ダイヤモンド
が最適の材料である。しかし、ダイヤモンドは圧電性を
持たないため、ダイヤモンドのみでは、電気信号により
弾性波を励振できないので、弾性表面波デバイスに用い
るには、不適当である。また、天然のダイヤモンドは高
価であるばかりでなく、弾性表面波の伝搬に適した大き
さの基板を得ることは困難である。本発明は、人工的に
育成したダイヤモンドと圧電体薄膜、或いはダイヤモン
ドと圧電体単結晶を組み合わせた構造の弾性表面波基板
に関するものである。
横波の音速が約12000m/sec,弾性表面波の音
速が約11000m/seaと地球上にある物質の中で
最も大きな音速をもつ材料である。一方、弾性表面波デ
バイスの超高周波化のためには、音速の大きな弾性表面
波基板材料が必要であり、そのためには、ダイヤモンド
が最適の材料である。しかし、ダイヤモンドは圧電性を
持たないため、ダイヤモンドのみでは、電気信号により
弾性波を励振できないので、弾性表面波デバイスに用い
るには、不適当である。また、天然のダイヤモンドは高
価であるばかりでなく、弾性表面波の伝搬に適した大き
さの基板を得ることは困難である。本発明は、人工的に
育成したダイヤモンドと圧電体薄膜、或いはダイヤモン
ドと圧電体単結晶を組み合わせた構造の弾性表面波基板
に関するものである。
第1(a)図のように、ダイヤモンド基板或いはダイヤ
モンドに近い結晶構造の基板lの上に付着させた圧電体
薄膜2から成る構造の弾性表面波基板、或いは第1図(
b)のように、基板3の上にダイヤモンド或いはダイヤ
モンドに近い構造の材料2を付着させ更にその上に圧電
体薄膜2を付着させた構造の基板を作製することにより
、音速の大きなな弾性表面波基板を得ることができる。
モンドに近い結晶構造の基板lの上に付着させた圧電体
薄膜2から成る構造の弾性表面波基板、或いは第1図(
b)のように、基板3の上にダイヤモンド或いはダイヤ
モンドに近い構造の材料2を付着させ更にその上に圧電
体薄膜2を付着させた構造の基板を作製することにより
、音速の大きなな弾性表面波基板を得ることができる。
特許請求の範囲第1項において、第2図(a)のように
、第1図(a)或いは第1図(b)の基板において、ダ
イヤモンドlと圧電体薄膜2の間に、インターディジタ
ル電極4を付着させることにより、電気的に弾性表面波
を励振、受信することのできる弾性表面波基板を得るこ
とができる。
、第1図(a)或いは第1図(b)の基板において、ダ
イヤモンドlと圧電体薄膜2の間に、インターディジタ
ル電極4を付着させることにより、電気的に弾性表面波
を励振、受信することのできる弾性表面波基板を得るこ
とができる。
また、第2図(b)のように、インターディジタル電極
4を圧電体薄膜上に付着させたことにより、同様の弾性
表面波基板が得られる。また、第2図(C)のように第
2図(a)の構造の基板表面に導体膜5を付着させた構
造の弾性表面波基板、或いは第2図(d)のように第2
図(b)基板において、ダイヤモンドlと圧電体薄膜2
の間に導体膜5を付着させたことにより、電気機械結合
係数の大きな弾性表面波基板が得られる。これらの場合
の全体的な鳥観図の一例として、第2図(1)の場合の
図を第2図(e)に示す。第2図(b),(c),(d
)の鳥観図も第2図(e)と同様の図が得られる。
4を圧電体薄膜上に付着させたことにより、同様の弾性
表面波基板が得られる。また、第2図(C)のように第
2図(a)の構造の基板表面に導体膜5を付着させた構
造の弾性表面波基板、或いは第2図(d)のように第2
図(b)基板において、ダイヤモンドlと圧電体薄膜2
の間に導体膜5を付着させたことにより、電気機械結合
係数の大きな弾性表面波基板が得られる。これらの場合
の全体的な鳥観図の一例として、第2図(1)の場合の
図を第2図(e)に示す。第2図(b),(c),(d
)の鳥観図も第2図(e)と同様の図が得られる。
第3図のように、圧電体基板6の上にインターディジタ
ル電極を付着させた基板上にダイヤモンドを付着させた
基板、或いは圧電体基板上にダイヤモンド7を付着させ
た基板を作製することにより、圧電体基板より大きな音
速の弾性表面波基板が得られる。また、第4図のように
、圧電体基板6の上にストリップ状のダイヤモンド8を
付着させたることにより、大きな反射係数をもつ弾性表
面波基板が得られる。上記のインターディジタル電極と
しては、一方向性変換器、或いは送受のインターディジ
タル電極を組み合わせた構造の電極も含まれる。また、
ダイヤモンドとして、人工的に合成されたダイヤモンド
、及び基板上に合成されたダイヤモンドについて述べた
が、天然のダイヤモンドを用いた弾性表面波基板も本特
許に含まれる。
ル電極を付着させた基板上にダイヤモンドを付着させた
基板、或いは圧電体基板上にダイヤモンド7を付着させ
た基板を作製することにより、圧電体基板より大きな音
速の弾性表面波基板が得られる。また、第4図のように
、圧電体基板6の上にストリップ状のダイヤモンド8を
付着させたることにより、大きな反射係数をもつ弾性表
面波基板が得られる。上記のインターディジタル電極と
しては、一方向性変換器、或いは送受のインターディジ
タル電極を組み合わせた構造の電極も含まれる。また、
ダイヤモンドとして、人工的に合成されたダイヤモンド
、及び基板上に合成されたダイヤモンドについて述べた
が、天然のダイヤモンドを用いた弾性表面波基板も本特
許に含まれる。
以上は、弾性表面波基板について述べたが、上記の構造
を用いた弾性波機能素子、或いは電子機能素子も本特許
に含まれる。
を用いた弾性波機能素子、或いは電子機能素子も本特許
に含まれる。
第1図(a).(b)は、ダイヤモンド基板上に圧電体
膜を付着させた構造の弾性表面波基板であり、第1図(
a)は、ダイヤモンド基板上に圧電体膜を付着させた構
造の断面図、(b)は基板上にダイヤモンドを付着させ
、更に圧電体膜を付着させた構造の基板の断面図である
。l・・・ダイヤモンド、2・・・圧電体膜、3・・・
基板、第2図(a).(b).(c).(d)は、基板
、ダイヤモンド、圧電体膜からなる基板にインターディ
ジタル電極を用いて弾性表面波を励振、受信する構造の
基板の断面図であり、その断面の一例として、第2図(
a)は第2図(e)のA−A゜面の断面図である。 第2図(e)は第2図(a)の鳥観図であり、第2図(
b),(c).(d)もインターディジタル電極、及び
金属膜の位置が異なるのみで、同様の鳥観図が得られる
。 4・・・インターディジタル電極、5・・・金属膜、第
3図は、圧電体基板の上にダイヤモンド膜を付着させた
基板にインターディジタル電極を用いて弾性表面波を励
振する構造の基板の断面図である。 6・・・圧電体基板、7・・・ダイヤモンド膜第4図は
、圧電体基板上にストリップ状のダイヤモンド膜を付着
させた構造の基板の説明図である。
膜を付着させた構造の弾性表面波基板であり、第1図(
a)は、ダイヤモンド基板上に圧電体膜を付着させた構
造の断面図、(b)は基板上にダイヤモンドを付着させ
、更に圧電体膜を付着させた構造の基板の断面図である
。l・・・ダイヤモンド、2・・・圧電体膜、3・・・
基板、第2図(a).(b).(c).(d)は、基板
、ダイヤモンド、圧電体膜からなる基板にインターディ
ジタル電極を用いて弾性表面波を励振、受信する構造の
基板の断面図であり、その断面の一例として、第2図(
a)は第2図(e)のA−A゜面の断面図である。 第2図(e)は第2図(a)の鳥観図であり、第2図(
b),(c).(d)もインターディジタル電極、及び
金属膜の位置が異なるのみで、同様の鳥観図が得られる
。 4・・・インターディジタル電極、5・・・金属膜、第
3図は、圧電体基板の上にダイヤモンド膜を付着させた
基板にインターディジタル電極を用いて弾性表面波を励
振する構造の基板の断面図である。 6・・・圧電体基板、7・・・ダイヤモンド膜第4図は
、圧電体基板上にストリップ状のダイヤモンド膜を付着
させた構造の基板の説明図である。
Claims (3)
- (1)第1(a)図のように、ダイヤモンド基板或いは
ダイヤモンドに近い結晶構造の基板1の上に付着させた
圧電体薄膜2から成る構造の弾性表面波基板、或いは第
1図(b)のように、基板3の上にダイヤモンド或いは
ダイヤモンドに近い構造の材料2を付着させ、更にその
上に圧電体薄膜2を付着させた構造の弾性表面波基板。 - (2)特許請求の範囲第1項において、第2図(a)の
ように、第1図(a)或いは第1図(b)の基板におい
て、ダイヤモンド1と圧電体薄膜2の間に、インターデ
ィジタル電極4を付着させた構造の弾性表面波基板、或
いは第2図(b)のように、インターディジタル電極4
を圧電体薄膜上に付着させた構造の弾性表面波基板、或
いは第2図(c)のように第2図(a)の構造の基板表
面に導体膜5を付着させた構造の弾性表面波基板、或い
は第2図(d)のように第2図(b)の基板において、
ダイヤモンド1と圧電体薄膜2の間に導体膜5を付着さ
せた構造の弾性表面波基板。 - (3)第3図のように、圧電体基板6の上にインターデ
ィジタル電極4を付着させ、更にその上にダイヤモンド
7を付着させた構造の基板、或いは圧電体基板6の上に
ダイヤモンド7を付着させた構造の弾性表面波基板、或
いは第4図のように、圧電体基板6の上にストリップ状
のダイヤモンド8を付着させた構造の弾性表面波基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5955289A JPH02239715A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | ダイヤモンドを用いた弾性表面波基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5955289A JPH02239715A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | ダイヤモンドを用いた弾性表面波基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02239715A true JPH02239715A (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=13116529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5955289A Pending JPH02239715A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | ダイヤモンドを用いた弾性表面波基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02239715A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5440189A (en) * | 1991-09-30 | 1995-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US5920143A (en) * | 1996-07-18 | 1999-07-06 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Surface acoustic wave device |
-
1989
- 1989-03-14 JP JP5955289A patent/JPH02239715A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5440189A (en) * | 1991-09-30 | 1995-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US5920143A (en) * | 1996-07-18 | 1999-07-06 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Surface acoustic wave device |
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