JPH02240285A - 低表面張力硫酸組成物 - Google Patents
低表面張力硫酸組成物Info
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- JPH02240285A JPH02240285A JP1060765A JP6076589A JPH02240285A JP H02240285 A JPH02240285 A JP H02240285A JP 1060765 A JP1060765 A JP 1060765A JP 6076589 A JP6076589 A JP 6076589A JP H02240285 A JPH02240285 A JP H02240285A
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- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、特に、半導体製造工程で使用するのに適した
低表面張力硫酸組成物に関する。さらに詳しく言えば、
本発明は、特定のフルオロアルキルスルホンアミド化合
物を含有してなる低表面張力硫酸組成物に関する。
低表面張力硫酸組成物に関する。さらに詳しく言えば、
本発明は、特定のフルオロアルキルスルホンアミド化合
物を含有してなる低表面張力硫酸組成物に関する。
[技術的背景とその間組点]
半導体製造工程において、硫酸は、シリコン基板の洗浄
、レジスト膜の除去、エツチング液の組成の一部などに
単独で、または他の物質と組み合わせて使用されている
。
、レジスト膜の除去、エツチング液の組成の一部などに
単独で、または他の物質と組み合わせて使用されている
。
近年、集積回路の高密度化にともない、パターンの微細
化、トレンチ構造(II細な深い講)などの複雑化が余
1なくされているが、このような場合において、従来の
硫酸を使用すると。
化、トレンチ構造(II細な深い講)などの複雑化が余
1なくされているが、このような場合において、従来の
硫酸を使用すると。
表面張力が大きく、濡れ性が悪いため1例えば、トレン
チ内に浸透し難く、洗浄が不十分になるなどの不都合が
あり、従って、表面張力が小さく、濡れ性の良い硫酸組
成物の開発が強く望まれている現状にある。
チ内に浸透し難く、洗浄が不十分になるなどの不都合が
あり、従って、表面張力が小さく、濡れ性の良い硫酸組
成物の開発が強く望まれている現状にある。
界面活性剤を用いることにより硫酸の表面張力を低下さ
せることが期待されるが、高温の硫酸、特に酸化力の非
常に強い、硫酸と過酸1ヒ水素水の混合液中で安定な界
面活性剤はその種型が非常に限定される結果、実用に洪
し得るほどの界面活性剤もなかなか見出すことは国難な
情況にある。
せることが期待されるが、高温の硫酸、特に酸化力の非
常に強い、硫酸と過酸1ヒ水素水の混合液中で安定な界
面活性剤はその種型が非常に限定される結果、実用に洪
し得るほどの界面活性剤もなかなか見出すことは国難な
情況にある。
本発明者らは、種々研究を行った結果、特定のフッ素系
界面活性剤が硫酸と過酸1ヒ水素水の高温の混合液中で
安定であり5表面張力を低下させることを見いだした。
界面活性剤が硫酸と過酸1ヒ水素水の高温の混合液中で
安定であり5表面張力を低下させることを見いだした。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたものである。
[発明の開示]
本発明は、低表面張力で、濡れ性がよく、さらに耐熱性
、耐酸化性の点においても極めて優れた性質を有する硫
酸組成物を提供することを目的とするものて・ある。
、耐酸化性の点においても極めて優れた性質を有する硫
酸組成物を提供することを目的とするものて・ある。
本発明は、特に、半導体製造工程で使用される低表面張
力硫酸組成物に関する。すなわち、本発明は、−数式、 R’ SO2旧+”C2H4QA
[I ](式中、R1はフルオロアルキル基を表わ
し、R2は水素原子または低級アルキル基を表わし、^
は)1または5O3Hを表わす、)で示されるフルオロ
アルキルスルホンアミド化合物よりなるフッ素系界面活
性剤を硫酸に含有せしめたことを特徴とする低表面張力
硫酸組成物を提供するものである。以下に、本発明の詳
細な説明する。
力硫酸組成物に関する。すなわち、本発明は、−数式、 R’ SO2旧+”C2H4QA
[I ](式中、R1はフルオロアルキル基を表わ
し、R2は水素原子または低級アルキル基を表わし、^
は)1または5O3Hを表わす、)で示されるフルオロ
アルキルスルホンアミド化合物よりなるフッ素系界面活
性剤を硫酸に含有せしめたことを特徴とする低表面張力
硫酸組成物を提供するものである。以下に、本発明の詳
細な説明する。
本発明の組成物において使用されるフルオロアルキルス
ルボンアミド化合物は、例えば、米国特許2,803,
656号に記載され、市販もされている物質であり、容
易に入手可能のものである。
ルボンアミド化合物は、例えば、米国特許2,803,
656号に記載され、市販もされている物質であり、容
易に入手可能のものである。
このスルホンアミド化合物は、分子中にナトリウム、カ
リウム、カルシウム等の金属を含有していないので、半
導体に対し、何らの悪影響を及ぼすことがない。
リウム、カルシウム等の金属を含有していないので、半
導体に対し、何らの悪影響を及ぼすことがない。
本発明の低表面張力硫酸組成物においては、上記の式[
IIで表わされるスルホンアミド化合物の適当な量を硫
酸に添加し溶解させる。
IIで表わされるスルホンアミド化合物の適当な量を硫
酸に添加し溶解させる。
上記のスルホンアミド化合物の添加量は、硫酸に対して
0.001〜0.1重量%であり、より好ましくはo
、 oos〜0.05重量%である4上記下限量より少
ない場合は添加効果が見られず、一方、上記の上限量を
越えて使用しても、それ以上の効果は得られないので、
その意味がない。
0.001〜0.1重量%であり、より好ましくはo
、 oos〜0.05重量%である4上記下限量より少
ない場合は添加効果が見られず、一方、上記の上限量を
越えて使用しても、それ以上の効果は得られないので、
その意味がない。
本発明の低表面張力硫酸組成物は、従来の硫酸に比べて
表面張力が約174と小さく、またシリコン基板に対す
る接触角も小さく、トレンチ構造の微mlな講に浸透し
易くなり、そのため洗浄効果が著しく向上する。また、
過酸化水素水との混合液の状態、すなわち非常に大きな
酸化力に対する状態におかれても安定であり、その性質
は持続される。
表面張力が約174と小さく、またシリコン基板に対す
る接触角も小さく、トレンチ構造の微mlな講に浸透し
易くなり、そのため洗浄効果が著しく向上する。また、
過酸化水素水との混合液の状態、すなわち非常に大きな
酸化力に対する状態におかれても安定であり、その性質
は持続される。
以下に、本発明の実施例を比較例と共に示す。
実施例1:表面張力
89重量%硫酸にフッ素系界面活性剤としてフルオロア
ルキルスルホンアミドc式(I)においてR1がCaF
17、R2がC9II、、AがHまなは5O31(]を
0.005重量%含有せしめた組成物ならびに同じ(0
,01重量%含有せしめた組成物をそれぞれ調製し、そ
の各組成物の20°Cにおける表面張力をウイルヘルミ
ー法により測定した。また、比較のためフッ素系界面活
性剤を添加しない場合および市販の他のフッ素系界面活
性剤2種(表1中、Fl、F2として表示されている)
を使用した場合についても測定した。結果を表1に示す
。
ルキルスルホンアミドc式(I)においてR1がCaF
17、R2がC9II、、AがHまなは5O31(]を
0.005重量%含有せしめた組成物ならびに同じ(0
,01重量%含有せしめた組成物をそれぞれ調製し、そ
の各組成物の20°Cにおける表面張力をウイルヘルミ
ー法により測定した。また、比較のためフッ素系界面活
性剤を添加しない場合および市販の他のフッ素系界面活
性剤2種(表1中、Fl、F2として表示されている)
を使用した場合についても測定した。結果を表1に示す
。
Fl:パーフルオロアルキルベタイン
F2:バーフルオロアルキルアミンオキサイド実施例2
:安定性 フッ素系界面活性剤としてフルオロアルキルスルホンア
ミド[式(I)中、R1が、C6Fs y、R″2がC
,H,、^は11]を0.01重量%添加溶解させた硫
酸と30重量%過酸1ヒ水素水とを4:1〈容量比)に
混合して試験用組成物を調製した。その組成物について
、各々80℃、100℃、130°Cの各温度で加温維
持し、次に、各々、30分後、60分後、90分後、1
20分後のそれぞれの時点でサンプリングして25℃に
おける表面張力をウイルヘルミー法により測定した。ま
た、比較のためフッ素系界面活性剤を添加しない場合お
よび市販の池のフッ素系界面活性剤2種(表2中、Fs
、F4として表示されている)を使用した場合について
も測定した。結果を表2に示す。
:安定性 フッ素系界面活性剤としてフルオロアルキルスルホンア
ミド[式(I)中、R1が、C6Fs y、R″2がC
,H,、^は11]を0.01重量%添加溶解させた硫
酸と30重量%過酸1ヒ水素水とを4:1〈容量比)に
混合して試験用組成物を調製した。その組成物について
、各々80℃、100℃、130°Cの各温度で加温維
持し、次に、各々、30分後、60分後、90分後、1
20分後のそれぞれの時点でサンプリングして25℃に
おける表面張力をウイルヘルミー法により測定した。ま
た、比較のためフッ素系界面活性剤を添加しない場合お
よび市販の池のフッ素系界面活性剤2種(表2中、Fs
、F4として表示されている)を使用した場合について
も測定した。結果を表2に示す。
表2
Fs:パーフルオロアルキルスルホン酸塩[4ニパ一フ
ルオロアルキルカルボン酸塩実施例並びに比較例の結果
からも明らかなように、本発明の低表面張力硫酸組成物
は、加熱および酸1ヒに対する抵抗性の点においても極
めて浸れた性質を有している。
ルオロアルキルカルボン酸塩実施例並びに比較例の結果
からも明らかなように、本発明の低表面張力硫酸組成物
は、加熱および酸1ヒに対する抵抗性の点においても極
めて浸れた性質を有している。
Claims (2)
- (1)一般式 R^1SO_2NR^2C_2H_4OA[ I ](式
中、R^1はフルオロアルキル基を表わし、R^2は水
素原子または低級アルキル基を表わし、AはHまたはS
O_3Hを表わす。)で示されるフルオロアルキルスル
ホンアミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤を硫酸に
含有せしめたことを特徴とする低表面張力硫酸組成物。 - (2)前記のフルオロアルキルスルホンアミド化合物の
添加量が、硫酸に対して0.001〜0.1重量%であ
る請求項1に記載の低表面張力硫酸組成物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060765A JP2894717B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 低表面張力硫酸組成物 |
| KR1019900702174A KR100193345B1 (ko) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | 저 표면장력 황산 조성물 |
| US07/602,223 US5326490A (en) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | Surface tension sulfuric acid composition |
| DE69027266T DE69027266T2 (de) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | Schwefelsäurezusammensetzung mit niedriger oberflächenspannung |
| PCT/JP1990/000345 WO1990010730A1 (fr) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | Preparation a base d'acide sulfurique presentant une faible tension superficielle |
| EP90904682A EP0416126B1 (en) | 1989-03-15 | 1990-03-15 | Sulfuric acid composition having low surface tension |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060765A JP2894717B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 低表面張力硫酸組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02240285A true JPH02240285A (ja) | 1990-09-25 |
| JP2894717B2 JP2894717B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=13151700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1060765A Expired - Lifetime JP2894717B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 低表面張力硫酸組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5326490A (ja) |
| EP (1) | EP0416126B1 (ja) |
| JP (1) | JP2894717B2 (ja) |
| KR (1) | KR100193345B1 (ja) |
| DE (1) | DE69027266T2 (ja) |
| WO (1) | WO1990010730A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007526944A (ja) * | 2004-03-03 | 2007-09-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 水性クリーニング溶液のためのフッ素化スルホンアミド界面活性剤 |
| KR100848107B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3217116B2 (ja) * | 1992-03-06 | 2001-10-09 | 日産化学工業株式会社 | 低表面張力洗浄用組成物 |
| KR100528266B1 (ko) * | 1996-03-22 | 2006-03-09 | 바스프 악티엔게젤샤프트 | 건식에칭후측벽잔류물제거용용액및제거방법 |
| EP0888578B1 (en) * | 1996-03-22 | 2004-06-16 | MERCK PATENT GmbH | Solutions and processes for removal of sidewall residue after dry-etching |
| US5861064A (en) * | 1997-03-17 | 1999-01-19 | Fsi Int Inc | Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries |
| TWI304439B (en) * | 2003-01-30 | 2008-12-21 | Merck Kanto Advanced Chemical | Solution for removal residue of post dry etch |
| US20040163681A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Applied Materials, Inc. | Dilute sulfuric peroxide at point-of-use |
| JP4428995B2 (ja) | 2003-12-03 | 2010-03-10 | 関東化学株式会社 | 金属膜のエッチング液組成物 |
| US20100155657A1 (en) * | 2008-12-23 | 2010-06-24 | 3M Innovative Properties Company | Aqueous composition containing fluorinated sulfonamide and sulfonamidate compounds |
| US11193059B2 (en) | 2016-12-13 | 2021-12-07 | Current Lighting Solutions, Llc | Processes for preparing color stable red-emitting phosphor particles having small particle size |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3038985A1 (de) * | 1980-10-15 | 1982-05-27 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zum saeurepolieren von glas |
| EP0182306B1 (en) * | 1984-11-17 | 1991-07-24 | Daikin Industries, Limited | Etchant composition |
| JPS62109985A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Asahi Glass Co Ltd | エツチング用組成物 |
| JPS6345461A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-26 | Nissan Motor Co Ltd | デイ−ゼル機関の燃料噴射時期検出装置 |
| GB8701759D0 (en) * | 1987-01-27 | 1987-03-04 | Laporte Industries Ltd | Processing of semi-conductor materials |
| JPS63276774A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気ディスク装置 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1060765A patent/JP2894717B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-15 KR KR1019900702174A patent/KR100193345B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-15 US US07/602,223 patent/US5326490A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-15 WO PCT/JP1990/000345 patent/WO1990010730A1/ja not_active Ceased
- 1990-03-15 DE DE69027266T patent/DE69027266T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-15 EP EP90904682A patent/EP0416126B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100848107B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
| JP2007526944A (ja) * | 2004-03-03 | 2007-09-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 水性クリーニング溶液のためのフッ素化スルホンアミド界面活性剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69027266T2 (de) | 1996-10-02 |
| EP0416126A1 (en) | 1991-03-13 |
| EP0416126B1 (en) | 1996-06-05 |
| KR100193345B1 (ko) | 1999-06-15 |
| JP2894717B2 (ja) | 1999-05-24 |
| US5326490A (en) | 1994-07-05 |
| DE69027266D1 (de) | 1996-07-11 |
| WO1990010730A1 (fr) | 1990-09-20 |
| KR920700279A (ko) | 1992-02-19 |
| EP0416126A4 (en) | 1991-10-02 |
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