JPH05238705A - 硫酸組成物 - Google Patents
硫酸組成物Info
- Publication number
- JPH05238705A JPH05238705A JP517392A JP517392A JPH05238705A JP H05238705 A JPH05238705 A JP H05238705A JP 517392 A JP517392 A JP 517392A JP 517392 A JP517392 A JP 517392A JP H05238705 A JPH05238705 A JP H05238705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- carbon atoms
- group
- acid composition
- integer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 62
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 5
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 4
- -1 fluoroalkyl sulfonamide compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 claims description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 硫酸に下式で示されるフッ素系界面活性剤を
配合してなる硫酸組成物 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数３以上のフルオロアルキル基を、
Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜４の低級アルキル基
を、Ｒ3 、Ｒ4 は炭素数１〜４の低級アルキル基、また
はベンゼン環を１つもつアリール基もしくはアラルキル
基を表わし、ｍは１〜１０の整数を、ｎは１〜５の整数
を表わす） 【効果】 シリコンウエハに対する接触角が小さく濡れ
性の優れた組成物で半導体製造工程の洗浄剤として有用
である。
配合してなる硫酸組成物 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数３以上のフルオロアルキル基を、
Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜４の低級アルキル基
を、Ｒ3 、Ｒ4 は炭素数１〜４の低級アルキル基、また
はベンゼン環を１つもつアリール基もしくはアラルキル
基を表わし、ｍは１〜１０の整数を、ｎは１〜５の整数
を表わす） 【効果】 シリコンウエハに対する接触角が小さく濡れ
性の優れた組成物で半導体製造工程の洗浄剤として有用
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は硫酸組成物に係るもので
あり、特に半導体製造工程にて洗浄剤として使用される
硫酸組成物に関する。詳しくは、本発明は特定のフッ素
系界面活性剤を配合した硫酸組成物の改良に関するもの
である。
あり、特に半導体製造工程にて洗浄剤として使用される
硫酸組成物に関する。詳しくは、本発明は特定のフッ素
系界面活性剤を配合した硫酸組成物の改良に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】集積回路に代表される微細加工技術は近
年益々その加工精度を向上させており、ダイナミックラ
ンダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、現
在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの技
術として確立されている。微細加工技術においてはウエ
ハ上に存在するパーティクルが加工精度に重大な影響を
与え、フォトリソグラフィー等の各工程では硫酸等の洗
浄剤を用い、ウエハ上のパーティクルを除去して使用す
るのが通例である。上記集積回路の集積度が向上するに
伴いパターンの微細化、凹凸の複雑化なども相まって洗
浄工程に要求されるパーティクルの除去もより厳しい要
求がなされてきている。
年益々その加工精度を向上させており、ダイナミックラ
ンダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、現
在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの技
術として確立されている。微細加工技術においてはウエ
ハ上に存在するパーティクルが加工精度に重大な影響を
与え、フォトリソグラフィー等の各工程では硫酸等の洗
浄剤を用い、ウエハ上のパーティクルを除去して使用す
るのが通例である。上記集積回路の集積度が向上するに
伴いパターンの微細化、凹凸の複雑化なども相まって洗
浄工程に要求されるパーティクルの除去もより厳しい要
求がなされてきている。
【０００３】硫酸は半導体製造工程において、シリコン
基板の洗浄、レジスト膜の除去などに単独にて、または
他の物質と混合にて使用されている。従来の高純度硫酸
を使用するとウエハに対する接触角が大きく濡れ性が悪
いために洗浄剤が微細なパターン間内に浸透し難く、洗
浄が不十分になるなどの不都合があった。これらの問題
を解決するため、特定の界面活性剤を添加することによ
り硫酸の表面張力を低下させ濡れ性を向上させる方法が
提案されている（特開平２−２４０２８５）。しかし、
濡れ性を向上させるには表面張力も大切であるが、それ
以上に接触角を低下させることも重要である。上述の公
開特許に提案されている界面活性剤は表面張力を低下さ
せても必ずしも濡れ性向上の効果は十分とは言えない。
基板の洗浄、レジスト膜の除去などに単独にて、または
他の物質と混合にて使用されている。従来の高純度硫酸
を使用するとウエハに対する接触角が大きく濡れ性が悪
いために洗浄剤が微細なパターン間内に浸透し難く、洗
浄が不十分になるなどの不都合があった。これらの問題
を解決するため、特定の界面活性剤を添加することによ
り硫酸の表面張力を低下させ濡れ性を向上させる方法が
提案されている（特開平２−２４０２８５）。しかし、
濡れ性を向上させるには表面張力も大切であるが、それ
以上に接触角を低下させることも重要である。上述の公
開特許に提案されている界面活性剤は表面張力を低下さ
せても必ずしも濡れ性向上の効果は十分とは言えない。
【０００４】通常、硫酸は過酸化水素水と混合してシリ
コンウエハの洗浄に用いることが多く、この系での濡れ
性が特に問題になる。また、この洗浄は１００〜１３０
℃の温度で実施されるので、高温下での濡れ性がより重
要となる。
コンウエハの洗浄に用いることが多く、この系での濡れ
性が特に問題になる。また、この洗浄は１００〜１３０
℃の温度で実施されるので、高温下での濡れ性がより重
要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の背景に鑑み、既に提案されている界面活性剤を配合し
た硫酸組成物に比し、更にシリコンウエハに対する接触
角が小さく濡れ性の優れた硫酸組成物を提供することに
ある。
の背景に鑑み、既に提案されている界面活性剤を配合し
た硫酸組成物に比し、更にシリコンウエハに対する接触
角が小さく濡れ性の優れた硫酸組成物を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような問題点を解決
するために我々は種々検討を重ねた結果、特定のフッ素
系界面活性剤を用いれば上記目的を達成することが出来
ることを見出し本発明を完成した。すなわち、本発明の
要旨は一般式（Ｉ）
するために我々は種々検討を重ねた結果、特定のフッ素
系界面活性剤を用いれば上記目的を達成することが出来
ることを見出し本発明を完成した。すなわち、本発明の
要旨は一般式（Ｉ）
【０００７】
【化２】
【０００８】（式中、Ｒ1 は炭素数３以上のフルオロア
ルキル基を、Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜４の低級
アルキル基を、Ｒ3 、Ｒ4 は炭素数１〜４の低級アルキ
ル基または、ベンゼン環を１つもつアリール基もしくは
アラルキル基を表わし、ｍは１〜１０の整数を、ｎは１
〜５の整数を表わす。）で示されるフルオロアルキルス
ルフォンアミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤を配
合することを特徴とする硫酸組成物に存する。
ルキル基を、Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜４の低級
アルキル基を、Ｒ3 、Ｒ4 は炭素数１〜４の低級アルキ
ル基または、ベンゼン環を１つもつアリール基もしくは
アラルキル基を表わし、ｍは１〜１０の整数を、ｎは１
〜５の整数を表わす。）で示されるフルオロアルキルス
ルフォンアミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤を配
合することを特徴とする硫酸組成物に存する。
【０００９】以下本発明を詳細に説明する。上式中、Ｒ
1 のフルオロアルキル基としては、通常、炭素数３以
上、好ましくは炭素数５〜２０のアルキル基のフッ素置
換物が挙げられ、そのフッ素置換率は５０％以上、好ま
しくは８０％以上である。Ｒ2としては水素原子または
炭素数１〜４のアルキル基が挙げられる。Ｒ3 、Ｒ4 と
しては炭素数１〜４のアルキル基または、ベンゼン環を
１つ持つアリール基、もしくはアラルキル基が挙げられ
る。また、これらのアルキル基は直鎖でも分岐鎖でもよ
い。また、アリール基としては、例えば、低級アルキル
基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基などで置換されても
よいフェニル基が挙げられ、アラルキル基としては、通
常、ベンジル基またはフェネチル基が挙げられる。ｍは
通常１〜１０、好ましくは１〜５の整数である。また、
ｎは通常１〜５、好ましくは１〜３の整数である。
1 のフルオロアルキル基としては、通常、炭素数３以
上、好ましくは炭素数５〜２０のアルキル基のフッ素置
換物が挙げられ、そのフッ素置換率は５０％以上、好ま
しくは８０％以上である。Ｒ2としては水素原子または
炭素数１〜４のアルキル基が挙げられる。Ｒ3 、Ｒ4 と
しては炭素数１〜４のアルキル基または、ベンゼン環を
１つ持つアリール基、もしくはアラルキル基が挙げられ
る。また、これらのアルキル基は直鎖でも分岐鎖でもよ
い。また、アリール基としては、例えば、低級アルキル
基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基などで置換されても
よいフェニル基が挙げられ、アラルキル基としては、通
常、ベンジル基またはフェネチル基が挙げられる。ｍは
通常１〜１０、好ましくは１〜５の整数である。また、
ｎは通常１〜５、好ましくは１〜３の整数である。
【００１０】本発明の硫酸組成物においては、上記一般
式に示されるフルオロアルキルスルフォンアミド化合物
を適当量添加し溶解させることを必須とするものであ
り、その添加量は、硫酸に対して０．００１〜０．１重
量％であり、より好ましい添加量は０．００５〜０．０
５重量％である。上記添加量より少なすぎると効果が十
分でなく、また多すぎてもそれ以上の効果が得られず意
味がない。
式に示されるフルオロアルキルスルフォンアミド化合物
を適当量添加し溶解させることを必須とするものであ
り、その添加量は、硫酸に対して０．００１〜０．１重
量％であり、より好ましい添加量は０．００５〜０．０
５重量％である。上記添加量より少なすぎると効果が十
分でなく、また多すぎてもそれ以上の効果が得られず意
味がない。
【００１１】また、界面活性剤を配合する硫酸（水溶
液）はあまり薄すぎると洗浄効果が十分でないため、一
般的には６０重量％以上、好ましくは７０重量％以上の
ものが使用される。通常、硫酸組成物は過酸化水素と混
合され洗浄液とされるが、その場合の過酸化水素の混合
比率は硫酸に対して５〜３０重量％程度である。本発明
で用いられるフルオロアルキルスルフォンアミド化合物
はこのような強酸化性の雰囲気にても安定である。また
通常、洗浄は１００〜１３０℃の高温で行われるが、本
発明の硫酸組成物はこのような高温下でも十分にその効
果を発揮する。本発明の硫酸組成物は半導体製造工程で
の使用を目的とするものであるから、使用される硫酸、
界面活性剤等は高純度のものが使用される。
液）はあまり薄すぎると洗浄効果が十分でないため、一
般的には６０重量％以上、好ましくは７０重量％以上の
ものが使用される。通常、硫酸組成物は過酸化水素と混
合され洗浄液とされるが、その場合の過酸化水素の混合
比率は硫酸に対して５〜３０重量％程度である。本発明
で用いられるフルオロアルキルスルフォンアミド化合物
はこのような強酸化性の雰囲気にても安定である。また
通常、洗浄は１００〜１３０℃の高温で行われるが、本
発明の硫酸組成物はこのような高温下でも十分にその効
果を発揮する。本発明の硫酸組成物は半導体製造工程で
の使用を目的とするものであるから、使用される硫酸、
界面活性剤等は高純度のものが使用される。
【００１２】
【実施例】次に、具体例を挙げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はその要旨を越えないかぎりは以下の
実施例により何ら制限を受けるものではない。
明するが、本発明はその要旨を越えないかぎりは以下の
実施例により何ら制限を受けるものではない。
【００１３】実施例−１〜４及び比較例−１〜２ ８９重量％硫酸に表１に示すフッ素系界面活性剤を０．
０１重量％添加した硫酸組成物の２２℃におけるベアシ
リコンに対する接触角を測定した。また、界面活性剤を
用いない硫酸、及び特開平２−２４０２８５記載の界面
活性剤を用いた硫酸組成物についても、同様に接触角を
測定した。なお、接触角の測定は以下に示す液滴法によ
った。
０１重量％添加した硫酸組成物の２２℃におけるベアシ
リコンに対する接触角を測定した。また、界面活性剤を
用いない硫酸、及び特開平２−２４０２８５記載の界面
活性剤を用いた硫酸組成物についても、同様に接触角を
測定した。なお、接触角の測定は以下に示す液滴法によ
った。
【００１４】（接触角の測定法）シリコンウエハ上に測
定する液滴を作り、測角器のついた顕微鏡で読み取るも
ので、この際、接線の規定が難しいため液滴の頂点と液
滴と面との接点を結ぶ角度の２倍を接触角と見なした。
以下の例に於ても同じ。表１に使用した界面活性剤を、
表２に実験結果を示す。
定する液滴を作り、測角器のついた顕微鏡で読み取るも
ので、この際、接線の規定が難しいため液滴の頂点と液
滴と面との接点を結ぶ角度の２倍を接触角と見なした。
以下の例に於ても同じ。表１に使用した界面活性剤を、
表２に実験結果を示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】実施例−５〜６及び比較例−３〜４ 実施例２〜３、比較例１〜２の硫酸組成物と３０重量％
過酸化水素水とを４：１（容量比）にて混合した混合組
成物について、実施例１と同様に２２℃におけるベアシ
リコンに対する接触角を測定した。結果を表３に示す。
過酸化水素水とを４：１（容量比）にて混合した混合組
成物について、実施例１と同様に２２℃におけるベアシ
リコンに対する接触角を測定した。結果を表３に示す。
【００１８】
【表３】
【００１９】実施例−７〜８及び比較例−５ 実施例−５〜６、比較例４の混合組成物を１３０℃の温
度で２時間加熱処理したのち、これを冷却して、同様に
２２℃におけるベアシリコンに対する接触角を測定し
た。結果を表４に示す。
度で２時間加熱処理したのち、これを冷却して、同様に
２２℃におけるベアシリコンに対する接触角を測定し
た。結果を表４に示す。
【００２０】
【表４】
【００２１】
【発明の効果】本発明の硫酸組成物は、シリコンウエハ
の洗浄剤とした場合、シリコンウエハに対する接触角が
小さく、濡れ性に優れ、その結果、良好な洗浄効果が発
揮される。また、表３、表４から判るように、本発明の
硫酸組成物は高酸化性雰囲気下、高温下でも安定に存在
するので、実際の生産ラインにおいても変質することな
く良好な効果を発揮することができる。
の洗浄剤とした場合、シリコンウエハに対する接触角が
小さく、濡れ性に優れ、その結果、良好な洗浄効果が発
揮される。また、表３、表４から判るように、本発明の
硫酸組成物は高酸化性雰囲気下、高温下でも安定に存在
するので、実際の生産ラインにおいても変質することな
く良好な効果を発揮することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 硫酸に下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数３以上のフルオロアルキル基を、
Ｒ2 は水素原子または炭素数１〜４の低級アルキル基
を、Ｒ3 、Ｒ4 は炭素数１〜４の低級アルキル基また
は、ベンゼン環を１つもつアリール基もしくはアラルキ
ル基を表わし、ｍは１〜１０の整数を、ｎは１〜５の整
数を表わす。）で示されるフルオロアルキルスルフォン
アミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤を配合するこ
とを特徴とする硫酸組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP517392A JPH05238705A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 硫酸組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP517392A JPH05238705A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 硫酸組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05238705A true JPH05238705A (ja) | 1993-09-17 |
Family
ID=11603850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP517392A Pending JPH05238705A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 硫酸組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05238705A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8729138B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-05-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Mixture of polyfluoroalkylsulfonamido alkyl amines |
| US8779196B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-07-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Polyfluoroalkylsulfonamido alkyl halide intermediate |
| US9168408B2 (en) | 2010-03-25 | 2015-10-27 | The Chemours Company Fc, Llc | Surfactant composition from polyfluoroalkylsulfonamido alkyl amines |
| CN106350296A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-01-25 | 大连奥首科技有限公司 | 一种高效环保led芯片清洗剂及使用方法 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP517392A patent/JPH05238705A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8729138B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-05-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Mixture of polyfluoroalkylsulfonamido alkyl amines |
| US8779196B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-07-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Polyfluoroalkylsulfonamido alkyl halide intermediate |
| US9168408B2 (en) | 2010-03-25 | 2015-10-27 | The Chemours Company Fc, Llc | Surfactant composition from polyfluoroalkylsulfonamido alkyl amines |
| CN106350296A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-01-25 | 大连奥首科技有限公司 | 一种高效环保led芯片清洗剂及使用方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960013146B1 (ko) | 마이크로 프로세싱용 표면처리 조성물 | |
| US7985723B2 (en) | Fluorinated sulfonamide surfactants for aqueous cleaning solutions | |
| US6890452B2 (en) | Fluorinated surfactants for aqueous acid etch solutions | |
| EP1558697B1 (en) | Fluorinated surfactants for buffered acid etch solutions | |
| JPS6219509B2 (ja) | ||
| JP3217116B2 (ja) | 低表面張力洗浄用組成物 | |
| JPH0694596B2 (ja) | Ｎｈ４ｆ／ｈｆ系の二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 | |
| US5326490A (en) | Surface tension sulfuric acid composition | |
| JPH05238705A (ja) | 硫酸組成物 | |
| JPH0613364A (ja) | シリコンウエハーおよび半導体素子洗浄液 | |
| JPH05275406A (ja) | 硫酸組成物 | |
| JPH05275407A (ja) | 硫酸組成物 | |
| CN100483641C (zh) | 微细加工处理剂以及使用其的微细加工处理方法 | |
| JP3353359B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JP3261819B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPH06200296A (ja) | 硫酸組成物 | |
| JPH09286999A (ja) | シリコンウェハ洗浄用組成物 | |
| KR100223768B1 (ko) | 반도체 소자 제조시 실리콘 산화막의 습식 식각방법 | |
| JPH04325599A (ja) | 低表面張力を有する硫酸組成物 | |
| JPH04323300A (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPH0433833B2 (ja) | ||
| JPH11238725A (ja) | エッチング組成物 | |
| WO2022244275A1 (ja) | 微細加工処理剤、及び微細加工処理方法 |