JPH02241020A - Ｘ線マスクブランクス、ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体製造装置、特にＸ線マスクと被露光材と
のアライメント性に優れたＸ線マスクブランクス、Ｘ線
マスク構造体、Ｘ線露光装置及びＸ線露光方法に関する
。

（従来の技術） 近年、半導体集積回路の高密度化及び高速化に伴い、集
積回路のパターン線幅が約３年間で７０％に縮小される
傾向にある。

大容量メモリ素子（例えば４ＭＤＲＡＭ）の更なる集積
化により、１６Ｍｂｉｔ容量のもの等では０，５μｍル
ールのデバイス設計が行われる様になってきた。この為
焼付装置も一層の高性能化が要求され、転写可能な最小
線幅が０．５μｍ以下という高性能が要求され始めて来
ている。その為露光光源波長としてＸ線領域（７乃至１
４人）の光を利用したＸ線露光装置が開発されつつある
。

上記Ｘ線露光装置は第５図示の様に、Ｘ線発生源（Ｘ−
Ｒａｙ）と露光チャンバー１０とシリコンウェハ等の被
露光材１５を所定位置に固定するウェハチャック１６と
Ｘ線マスク１４を所定位置に固定するマスクチャック１
２とアライメント光源とアライメント検出部１３等を主
要な要素として構成されている。

これらＸ線露光装置に用いられるマスク構造体としては
、例えば、第４図に示す様に、シリコンウェハ１上に化
学気相堆積法等により２μｍ程度の硅素化合物、特に窒
化硅素、炭化硅素、ポリシリコン等の膜２が僅かに引っ
張り応力をもつ様に形成される（第４図ａ）。次に膜２
の表面に金等のＸ線を良く吸収する材料により吸収体の
パターン４を形成しく第４図ｂ）、次いでシリコンウェ
ハ１を、裏面から必要な領域（Ｘ＊を透過せしめる為の
領域）をエツチングにより除去すると、無機薄膜２がシ
リコンウェハ１上に緊張保持された状態のマスクが得ら
れる。しかしながらこのままの状態ではシリコンウェハ
１が薄い為、強度が小さく取扱いにも実用にも不便であ
る為、第４図Ｃに示す様に補強体５を接着剤６により接
着して用いる場合もある。

（発明が解決しようとしている問題点）以上の如きＸ線
マスクの吸収体を保持するＸ線透過膜としては、炭化硅
素、窒化硅素、ポリシリコン等の無機膜が保持枠となる
シリコン基板と近い熱膨張係数を有することから有望視
されている。これらのＸ線透過膜はｘＩＩ透過率から見
れば薄い程よいが、逆に機械的強度の点からは厚い方が
よい。これらの両方の性能を考慮して従来は約２μｍ程
度の膜厚のものが多く用いられている。

又、これらのＸ線透過膜はそのＸ線透過領域において膜
厚むらがあると、透過Ｘ線に強度むらが発生するので、
均一な厚さの膜であることが望ましいが、透過Ｘ線の強
度むらは、装置の反射ミラーやＢｅ窓の厚さむら等によ
っても生じるので、透過Ｘ線の強度むらは３．５％以内
に抑える必要がある。

ところが、これらの炭化硅素膜、窒化硅素膜、ポリシリ
コン膜等は、Ｘ線露光に先立って半導体レーザー（例え
ば８，３００人）を例えば１７．５”の角度で入射して
、マスクのアライメントを行う場合に最大で約５５％（
炭化硅素）、約３６％（窒化硅素）、約７６％（ポリシ
リコン）もの反射があり、透過Ｘ線強度むらが３．５％
以内の膜であっても、膜厚の僅かの違いにより反射率が
大きく変動する為アライメント光のＳ／Ｎ比を下げ、ア
ライメント効率が劣るという問題がある。

又、アライメントの検出部の配置にもよるが、反射光に
より検出が妨げられることもある。

従って本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、
アライメント性に優れ、適正且つ寸法精度に優れたＸ線
マスクブランクス、Ｘ線マスク構造体、Ｘ線露光装置及
びＸ線露光方法を提供することである。

（問題点を解決する為の手段） 上記目的は以下の本発明によって達成される。

即ち、本発明は、Ｘ線吸収体を保持する為のＸ線透過膜
とこれを保持する保持枠とからなるＸ線マスクブランク
スにおいて、上記Ｘ線透過膜のＸ線透過領域の厚さ変動
率が０．５％乃至５％の範囲内であることを特徴とする
Ｘ線マスクブランクス、該ブランクスのＸ線透過領域の
一方の面に透過膜の厚さ変動によるアライメント光の反
射率変動を緩和する反射防止膜を形成したＸ線マスクブ
ランクス及びこれらのマスクブランクスを利用したＸ線
マスク構造体、Ｘ線露光装置及びＸ線露光方法である。

（作　　用） Ｘ線透過膜のＸ線透過領域の厚さ変動率を、０．５％乃
至５％の範囲内とし、更に好ましくはＸ線透過領域の一
方の面に透過膜の厚さ変動によるアライメント光の反射
率変動を緩和する反射防止膜を形成することによって、
透過Ｘ線の強度むらを３．５％以内に抑えつつ、アライ
メント光に対する反射率及びその厚さ変化による反射率
変動率が低下し、アライメント性に優れ、適正且つ寸法
精度に優れたＸ線露光が実現される。

（実施例） 以下図面に示す実施例により本発明を更に詳しくする。

実施例１ 第１図は本発明のＸ線マスクブランクス及びＸ線マスク
構造体の製造工程の断面図である。

先ず、シリコン基板１を、プラズマＣＶＤ用チャンバー
内にセットし、背圧を２　Ｘ　１０−＠Ｔｏｒｒ迄引い
た後、水素で１０％に希釈されたシランガス１０１０５
ｅとメタンガス１０１０５ｅとを下部電極に開けられた
穴から供給した。基板１の温度を６５０℃に加熱し、圧
力５　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒで高周波パワー５０Ｗを印
加して基板１上に炭化硅素膜２を成膜した（第１図ａ）
。

次にシリコン基板１の背面の周辺に酸化硅素からなるエ
ツチング保護膜を形成し、基板１をピロカテコール：エ
チレンジアミン：水＝４：４６−４　：　４９．６の混
合液でバックエツチングし、その後弗酸と弗化アンモニ
ウム＝１：１の混合液で酸化硅素保護膜を除去し、第１
図（ｂ）の様なマスクブランクスを形成した。

このブランクスのＸ線透過領域のＸ線透過膜２の厚さは
、１．９６乃至２．０４μｍであり、最大で０．０８μ
ｍの厚さむらを有していた。この膜の厚さむらにより発
生する透過Ｘ線の強度むらは２．１％であった。

上記ブランクスのＸ線透過膜２上に金メツキによりＸ線
吸収体パターン４を形成してマスク構造体とした（第１
図Ｃ）。

第５図は本発明のＸ線露光装置の簡略図であり、１０は
露光チャンバーである。１１はＢｅ窓ポートであり、２
０は排気ボートであり、露光チャンバー１０はＢｅでＸ
線発生源と遮断され、チャンバー内は大気、真空、Ｈｅ
雰囲気等あらゆる状態での露光が可能である。

１２はマスクステージ、１３はアライメント検出部、１
４はマスク、１５はウェハ、１６はウェハチャック、１
７はウェハステージ、１８はＸ軸ステージ駆動モーター
　１９はＹ軸ガイドである。

マスク１４はマスクステージ１２に吸着される際、ある
程度定められた方向に位置決めビン又はオリエンテーシ
ョンフラット等を用い機械的にセット、される。ウェハ
１５も同様にウェハチャック１６にセットされ、その後
マスク１４とウェハ１５の相対的な位置関係を７ライメ
ント検出部１３からの指示により定められ、その後Ｘ線
により露光される。

前記マスクを上記の様な露光チャンバー１０にセットし
、入射角１７．５°の半導体レーザー（８３００人）ア
ライメント光を用い、マスク（ブランクス）１４とウェ
ハ１５のアライメントを行ったところ、反射率が場所に
より２７．５％から５５％迄大きく変動し、アライメン
ト光のＳ／Ｎ比を一定にすることが困難であった。

その為に第１図ｄに示す様に上記マスクの裏面にスパッ
タ法により酸化硅素を０．１４６μｍ±１０％の厚さに
蒸着して反射防止膜３を形成して本発明のＸ線マスクと
した。

該マスクを前記と同様にしてＸ線露光装置に装着し、同
様にアライメント光の反射率を測定したところ、場所に
よる反射率及びその変動率は１３．９％から２９．３％
迄の範囲となり、アライメント精度が向上した。又、ア
ライメント光の反射によるアラ・イメント検出部へのノ
イズも著しく減少した。又、最終的なＸ線透過膜（２＋
３）の透過Ｘ線の強度分布は最大で２．７％となった。

又、第１図（ｅ）のように補強体５を接着剤６により接
着して用いてもよい。

実施例２ 第２図は本発明のマスク構造体の製造工程の断面図であ
る。

先ず、シリコン基板１を、マグネトロンスパッタ装置に
セットし、背圧を２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ迄引いた後
、アルゴンガスを３０５ｃｃａ＋流し、圧力５×１０−
３Ｔｏｒｒとし、高周波パワー１００Ｗを炭化硅素ター
ゲットに印加し、十分放電が安定した後にシャッターを
開き基板１上に炭化硅素膜２を成膜した（第２図ａ）。

次に基板１の雪面にＳｉ、Ｎ４からなるエツチング保護
膜を形成して３０重量％苛性カリ溶液でバックエツチン
グして基板を除去した（第２図ｂ）。尚、Ｓｉ、Ｎ、か
らなる保護膜は熱燐酸液で除去できるが、必ずしも除去
する必要はない。このブランクスのＸ線透過領域のＸ線
透過膜２の厚さは、１．９５乃至２．０５μｍであり、
最大で０．１０μｍの厚さむらを有していた。この膜の
厚さむらにより発生する透過Ｘ線の強度むらは２．６％
であった。

前記ｘｍマスクブランクスを前記の様な露光チャンバー
１０にセットし、入射角１７．５°の半導体レーザー（
８３００人）アライメント光を用い、アライメントを行
ったところ、場所による反射率及びその変動率は１５％
から５５％迄と大きく変動し、アライメント光のＳ／Ｎ
比を一定にすることが困難であった。

その為に第２図Ｃに示す様に上記マスクブランクスの表
面にスパッタ法により酸化硅素を０．１４６μｍ±１０
％の厚さに蒸着して反射防止膜３を形成して本発明のＸ
線マスクブランクスとした。

次に第２図ｄに示す様に反射防止膜３の上にタンタル層
を形成し、ドライエツチングにより吸収体パターン４を
形成して本発明のＸ線マスク構造体とした。

該マスクを前記と同様にしてＸ線露光装置に装着し、同
様にアライメント光の反射率を測定したところ、場所に
よる反射率及びその変動率は１１．８％から２９．３％
迄の範囲となり、アライメント精度が向上した。又、ア
ライメント光の反射によるアライメント検出部へのノイ
ズも著しく減少した。又、最終的なＸ線透過膜（２＋３
）の透過Ｘ線の強度分布は最大で３．２％となった。。

実施例３ 第３図は本発明のマスク構造体の製造工程の断面図であ
る。

実施例２において、炭化硅素膜２の厚さむらは最大で０
．１０μｎｎ’Ｑあり、透過Ｘ線の強度むらは２．６％
程度であるが、この程度の厚さむらであっても、アライ
メント光の反射率は、例えば、波長８．３００人、入射
角１７．５°のアライメント光で１５％から５５％迄大
きく変動する。

その為、シリコン基板１の表面に予め反射防止膜３とし
て厚み０．１０５μｍ±１０％の窒化硅素膜をマグネト
ロンスパッタリング法にて形成し、更にその表面に実施
例２と同様な条件で炭化硅素膜２を形成した（第３図ｂ
）。

次に表面にタングステン膜を形成し、これをドライエツ
チングしてＸ線吸収体のパターン４を形成しく第３図ｃ
）、更に基板１の背面にエツチング保護膜を形成してバ
ックエツチングして本発明のＸ線マスク構造体を得た（
第３図ｄ）。

前記Ｘ線マスクを前記の様な露光チャンバー１０にセッ
トし、入射角１７．５°の半導体レーザー（８３００人
）アライメント光を用い、アライメントを行ったところ
、場所による反射率及びその変動率は５．８％から３６
．６％迄の範囲となり、アライメント精度が向上した。

又、アライメント光の反射によるアライメント検出部へ
のノイズも著しく減少した。又、最終的なＸ線透過膜（
２◆３）の透過Ｘ線の強度分布は最大で３．２％となっ
た。

実施例４ 実施例２と同様にして基板１上に炭化硅素膜２を成膜し
た。

この炭化硅素膜２の膜厚は１．９８μｍから２．０２μ
ｍであり、最大で０．０４μｍの厚みむらを有している
。この膜２は、前記と同様にアライメントした時の反射
率は、波長８，３００人、入射角１７．５°のアライメ
ント光で４６％から５５％迄大きく変動する。

次に＠２上に金の吸収体パターン４を形成後、その表面
全体に反射防止膜３として厚み０．６２０μｍ±５％の
ポリイミド膜を塗布法で形成した。

前記Ｘ線マスクを前記の様な露光チャンバー１０にセッ
トし、入射角１７．５°の半導体レーザー（８３００人
）アライメント光を用い、アライメントを行ったところ
、場所による反射率及びその変動率は１０．５％から３
４．２％迄の範囲に減少し、アライメント精度が向上し
た。又、アライメント光の反射によるアライメント検出
部へのノイズも著しく減少した。又、最終的なＸ線透過
膜（２◆３）の透過Ｘ線の強度分布は最大で１．５％と
なった。又、ポリイミド膜の形成によってマスク全体の
強度が向上して取扱いが容易になった。

実施例５ 第１図と同様な工程であるが、Ｘ線透過膜を窒化硅素で
形成する。

先ず、シリコン基板１を、プラズマＣＶＤ用チャンバー
内にセットし、背圧を２　ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ迄引い
た後、水素で１０％に希釈されたシランガス５　ｓｅｃ
ｍとアンモニアガス２０ｓｃｃ■を下部電極に開けられ
た穴から供給した。基板１の温度を２５０℃に加熱し、
圧カフ、　ｓｘ　１０−’Ｔｏｒｒで高周波パワー２０
Ｗを印加して基板１上に窒化硅素膜２を成膜した。

次に実施例１と同様にして基板をバックエツチングして
マスクブランクスを作成した（第１図ｂ）。このブラン
クスの膜厚は１．９５μｍから２．０５μｍの間であり
、透過Ｘ線の強度むらは１．６％であったが、波長８，
３００人、入射角１７．５°のアライメント光に対する
反射率は場所により１６％から３６％迄の間で大きく変
動した。

膜２の上に金からなるＸ線吸収体パターン４を形成（第
１図Ｃ）後、膜２の裏面に酸化硅素からなる厚さ０．１
４６μｍ±１０％の反射防止膜３を蒸着法で形成した（
第１図ａ）。

前記Ｘ線マスクを前記の様にアライメントを行ったとこ
ろ、場所による反射率及びその変動率は７．８％から１
５％迄の範囲となり、アライメント精度が向上した。又
、アライメント光の反射によるアライメント検出部への
ノイズも著しく減少した。又、最終的なＸ線透過膜（２
＋３）の透過Ｘ線の強度分布は最大で３．５％となった
。

実施例６ 実施例５と同様にして窒化硅素からＸ線透過膜を形成す
る。

先ず、シリコン基板１を、マグネトロンスパッタ装置に
セットし、背圧を２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ迄引いた後
、アルゴンガスを３０ｓｃｃ■流し、圧力５×１０−’
Ｔｏｒｒとし、高周波゛パワーｔｏｏｗを窒化硅素ター
ゲットに印加し、十分放電が安定した後にシャッターを
開き基板１上に窒化硅素膜２を成膜した（第１図ａ）。

次に実施例５と同様にして基板をバックエッチングして
マスクブランクスを作成したく第１図ｂ）。このブラン
クスの膜厚は１．９７μｍから２．０３μｍ迄の間であ
り、波長８，３００人、入射角１７．５°のアライメン
ト光に対する反射率は場所により２６％から３６％の間
で大きく変動した。

次に上記マスクブランクスの膜２の裏面に０．６２０μ
ｍ±３％のポリイミド膜を塗布法で形成して焼成し、同
様にしてアライメントを行ったところ、場所による反射
率の及びそ変動率は２．３％から１９゜２％の範囲に迄
減少し、アライメント精度が向上した。又、アライメン
ト光の反射によるアライメント検出部へのノイズも著し
く減少した。又、最終的なＸ線透過膜（２◆３）の透過
Ｘ線の強度分布は最大で２．０％となった。

又、窒化硅素のみの場合に比べ、弾性限界が大となり、
マスク全体の強度が向上して取扱いが容易になった。

実施例７ 実施例３と同様であるが、Ｘ線透過膜をポリシリコンか
ら形成する。

先ず、シリコン基板１の表面に予め反射防止膜３として
、厚み０．１０５μｍ±１０％の窒化硅素膜をマグネト
ロンスパッタリング法にて形成した（第３図ａ）。

次に熱分解ＣＶＤ装置において、背圧を２×１０−’Ｔ
ｏｒｒ迄引いた後、水素で１０％に希釈されたシランガ
スを５０　ｓｅｃｍ流し、圧力を０．３乃至０　、５　
Ｔｏｒｒとし、基板１の温度を６００乃至６５０℃に加
熱し、基板１上にポリシリコン膜２を成膜した（第３図
ｂ）。　　　、、４このポリシリコン膜の膜厚は１．９
５μｍから２．０５μｍの間であり、同様に成膜したポ
リシリコン膜のみを用いて測定したところ、透過Ｘ線の
強度むらは２．２％であった。波長８，３００人、入射
角１７゜５°のアライメント光に対する反射率は、場所
により４％から７６％の間で大きく変動した。

更に表面にタングステン膜を形成し、これをドライエツ
チングしてＸ線吸収体のパターン４を形成しく第３図ｃ
）、更に基板ｌの背面にエツチング保護膜を形成してバ
ックエツチングして本発明のＸ線マスク構造体を得た（
第３図ｄ）。

このマスクブランクスを用いて前記と同様にアライメン
トを行ったところ、場所による反射率及びその変動率は
２４．９％から４２．６％の範囲となり、アライメント
精度が向上した。又、アライメント光の反射によるアラ
イメント検出部へのノイズも著しく減少した。又、最終
的なＸ線透過１１！（２◆３）の透過膜Ｘ線の強度分布
は最大で２．８％となった。

実施例８ 実施例１と同様の方法で基板１上に炭化硅素２を成膜し
てマスクブランクスを作製し、炭化硅素膜２の厚さを１
．９６乃至２．０４μｍの間とした。この膜の透過Ｘ線
の強度むらは２．１％であった。

Ｈｅ−Ｎｏレーザー（６３２８人）、入射角１５゜のア
ライメント光を用い前記と同様にアライメントを行った
ところ、場所により反射率が１４．０％から５６．０％
迄と大きく変動した。

次に反射防止膜３として酸化硅素を０．１１μｍ±１０
％の厚さに窒化硅素膜２の表面にスパッタ蒸着し、同様
にアライメントを行ったところ、反射率及びその変動率
は１１．５％から３０％迄の範囲になった。

又、最終的なＸ線透過膜（２＋３）の厚さむらによる透
過Ｘ線の強度分布は３．１％であった。

以上本発明を特定の実施例により説明したが、本発明は
これらの実施例に限定されない。即ち、本発明のマスク
ブランクス、マスク構造体、Ｘ線露光装置及び露光方法
は、マスクのＸ線透過膜の厚み変動率を規定し、好まし
くはその一方の面に反射防止膜を形成したことを除き、
他の構成はいずれも従来公知の構成でよく上記実施例に
限定されない。

特に、本発明の効果を最大限発揮させるためには、Ｘ線
透過膜の厚み変動率を、透過Ｘ線の強度むらを３゜５％
以内にする為に、線透過領域において０．５乃至５％の
範囲に抑えることが必要である。厚み変動率を０．５％
未満とすることは実際上困難であり、不可能ではないが
経済的には適当ではなく、一方、５％を越える変動率で
は、透過Ｘ線の強度むらを３．５％以内に抑えるのが困
難となる。

尚、本発明で云う厚みの変動率とは下記式により算出さ
れる値である。

Ｔ：Ｘ線透過膜の厚さの平均値 Δｔ＝Ｘ線透過膜の膜厚むら（最大膜厚−最少膜厚） 又、本発明におけるＸ線透過膜の厚みは使用する材料に
よって異なるので一概には規定出来ないが、Ｘ線透過率
で云えば、好ましくはＸ線透過率が３０乃至８５％、よ
り好ましくは５０乃至８５％となる厚みである。

又、反射防止膜については、Ｘ線透過膜よりも屈折率が
低い材料から形成する限り、前記実施例側以外に、例え
ば、ポリシリコン膜のＸ線透過膜に炭化硅素や酸化硅素
の反射防止膜等も同様に使用できる。

又、これらの反射防止膜の最適な厚さは、その材料、ア
ライメント光の波長及び入射角に依存し、次の様にして
求めることが出来る。

アライメント光の波長：　　λ アライメント光の入射角：　θ。

反射防止膜中での入射角：　θ。

反射防止膜の屈折率：ｎｌ 反射防止膜の最適厚さ：　　ｄ 整数二　　　　　　　　　　ｍ とすると Ｂｒａｇｇの式より ２ｎ、ｄ、ｃｏｓθｒ　＝　（ｍ＋Ｈ）λ−・（１）Ｓ
ｎｅｌｌの式より ｓｉｎθ。＝ｎ、ｓｉｎθ、−（２） （１）と（２）より 反射防止膜の最適の厚さは以上の式で規定されるが、±
１０％程度の膜厚むらがあっても充分に反射防止膜とし
ての効果を示す。

又、ｍは整数であればかまわないが、ｍが大きすぎると
、反射防止膜が厚くなり、Ｘ線透過率を減少させるので
、ｍ＝０．１．２．３程度が好ましい。

（効　果） 以上の様に本発明によれば、Ｘ線透過膜のＸ線透過領域
の厚さ変動率を０．５％乃至５％の範囲内とし、更に好
ましくはＸ線透過領域の一方の面に透過膜の厚さ変動に
よるアライメント光の反射率変動を緩和する反射防止膜
を形成することによって、透過Ｘ線の強度むらを３．５
％以内に抑えつつ、アライメント光に対する反射率及び
その厚さ変化による反射率変動率が低下し、アライメン
ト性に優れ、適正且つ寸法精度に優れたＸ線露光が実現
される。又、アライメント光に波長変動（±１００人程
度）が生じた場合のアライメント光反射率変動率を低下
することもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明におけるＸ線マスク製造工程
の断面図であり、第４図は従来のＸ線マスクの製造工程
の断面図であり、第５図は本発明におけるＸ線露光装置
の簡略図である。 １：シリコン基板 ２：Ｘ線透過膜 ３：反射防止膜 ４：Ｘ線吸収体 ５：補強体 ６：接着剤 １０：露光チャンバー １１：Ｂｅ窓ポート １２：マスクステージ １３：アライメント検出部 １４：マスク １５：ウェハ １６：ウエハチャック １７：クエハステージ １８：ｘ軸ステージ駆動モーター １９：Ｙ軸ガイド ２０：排気ボート 第３図 第４図 第 図 第２図 第５図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｘ線吸収体を保持する為のＸ線透過膜とこれを保
   持する保持枠とからなるＸ線マスクブランクスにおいて
   、上記Ｘ線透過膜のＸ線透過領域の厚さ変動率が０．５
   ％乃至５％の範囲内であることを特徴とするＸ線マスク
   ブランクス。
2. （２）Ｘ線吸収体を保持する為のＸ線透過膜とこれを保
   持する保持枠とからなるＸ線マスクブランクスにおいて
   、上記Ｘ線透過膜のＸ線透過領域の厚さ変動率が０．５
   ％乃至５％の範囲内であり、且つ上記領域の一方の面に
   透過膜の厚さ変動によるアライメント光の反射率変動を
   緩和する反射防止膜を形成したことを特徴とするＸ線マ
   スクブランクス。
3. （３）Ｘ線吸収体と該吸収体を保持する為のＸ線透過膜
   とこれらを保持する保持枠とからなるＸ線マスク構造体
   において、上記Ｘ線透過膜のＸ線透過領域の厚さ変動率
   が０．５％乃至５％の範囲内であることを特徴とするＸ
   線マスク。
4. （４）Ｘ線吸収体と該吸収体を保持する為のＸ線透過膜
   とこれらを保持する保持枠とからなるＸ線マスク構造体
   において、上記Ｘ線透過膜のＸ線透過領域の厚さ変動率
   が０．５％乃至５％の範囲内であり、且つ上記領域の一
   方の面に透過膜の厚さ変動によるアライメント光の反射
   率変動を緩和する反射防止膜を形成したことを特徴とす
   るＸ線マスク。
5. （５）Ｘ線発生源と露光チャンバーと被露光材を所定位
   置に固定する手段とＸ線マスクを所定位置に固定する手
   段とアライメント光源とアライメント検出部とを含むＸ
   線露光装置において、上記Ｘ線マスクが、Ｘ線吸収体と
   該吸収体を保持する為のＸ線透過膜とこれらを保持する
   保持枠とからなり、上記Ｘ線透過膜のＸ線透過領域の厚
   さ変動率が０．５％乃至５％の範囲内であり、且つ上記
   領域の一方の面に透過膜の厚さ変動によるアライメント
   光の反射率変動を緩和する反射防止膜を形成したＸ線マ
   スクであることを特徴とするＸ線露光装置。
6. （６）被露光材の表面にＸ線マスクを重ね、アライメン
   ト光によりＸ線マスクのアライメントを行ない且つ該マ
   スクを通してＸ線を露光するＸ線露光方法において、上
   記Ｘ線マスクが、Ｘ線吸収体と該吸収体を保持する為の
   Ｘ線透過膜とこれらを保持する保持枠とからなり、上記
   Ｘ線透過膜のＸ線透過領域の厚さ変動率が０．５％乃至
   ５％の範囲内であり、且つ上記領域の一方の面に透過膜
   の厚さ変動によるアライメント光の反射率変動を緩和す
   る反射防止膜を形成したＸ線マスクであることを特徴と
   するＸ線露光方法。