JPH02241114A - Output buffer circuit - Google Patents
Output buffer circuitInfo
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- JPH02241114A JPH02241114A JP1063067A JP6306789A JPH02241114A JP H02241114 A JPH02241114 A JP H02241114A JP 1063067 A JP1063067 A JP 1063067A JP 6306789 A JP6306789 A JP 6306789A JP H02241114 A JPH02241114 A JP H02241114A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は貫通電流を減少させることが可能な出力バッ
ファ回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an output buffer circuit that can reduce through current.
第3図は従来の出力バッファ回路を示す回路図である。 FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional output buffer circuit.
同図に示すように、出力バッファ1は、直列に接続され
たpチャネルMO8)ランジスタ(以下、「pMO3T
Jという。)2とnチャネルMOSトランジスタ(以下
、「n M OS T Jという。)3とにより構成さ
れている。この出力バッファ1の入力部N1は、出力バ
ッファ駆動用インバータ4の出力が接続されており、出
力部N2は出力端子5に接続されている。また、インバ
ータ4の入力は入力信号接続端子6に接続されている。As shown in the figure, the output buffer 1 consists of p-channel MO8) transistors (hereinafter referred to as "pMO3T") connected in series.
It's called J. ) 2 and an n-channel MOS transistor (hereinafter referred to as "nMOSTJ") 3.The input section N1 of this output buffer 1 is connected to the output of an output buffer driving inverter 4. , the output section N2 is connected to the output terminal 5. Further, the input of the inverter 4 is connected to the input signal connection terminal 6.
第4図は、第3図で示した出力バッファ回路の動作を示
すタイミング図である。なお、同図において、INは入
力信号接続端子6に印加される入力信号、S4はインバ
ータ4の出力信号、OUTは出力端子5より得られる出
力信号を示している。FIG. 4 is a timing diagram showing the operation of the output buffer circuit shown in FIG. 3. In the figure, IN indicates an input signal applied to the input signal connection terminal 6, S4 indicates an output signal of the inverter 4, and OUT indicates an output signal obtained from the output terminal 5.
同図に示すように、入力信号INがインバータ4を介す
ることにより時間Δを遅延して、出力信号OUTとして
現れている。As shown in the figure, the input signal IN is delayed by a time Δ by passing through the inverter 4, and appears as the output signal OUT.
一般に出力バッファ1は外部信号駆動のため大電流が流
せるよう設計されている。一方、第3図の例のように出
力バッファ1のpMO8T2とnMO8T3のゲートに
与えられる信号(第3図の例ではインバータ4の出力信
号S4)が同一である場合、この信号の電位反転時に、
pMO8T2とn M OS T 3とか共にオンする
期間が生じ、この瞬間電源、接地間に大きな貫通電流が
流れてしまう。Generally, the output buffer 1 is designed to allow a large current to flow in order to drive an external signal. On the other hand, when the signals applied to the gates of pMO8T2 and nMO8T3 of output buffer 1 are the same (in the example of FIG. 3, the output signal S4 of inverter 4) as in the example of FIG. 3, when the potential of this signal is inverted,
There is a period in which both the pMO8T2 and the nMOST3 are turned on, and at this moment a large through current flows between the power supply and ground.
この貫通電流は、出力バッファ1を含むIC内部で電圧
降下をもたらし、特に同時に多数の出力バッファの出力
が変化するときには誤動作に至ることもあるという欠点
がある。This through current causes a voltage drop inside the IC including the output buffer 1, which has the disadvantage that it may lead to malfunction, especially when the outputs of a large number of output buffers change at the same time.
この欠点を回避するための出力バッファ回路として、例
えば第5図に示すものがある。第5図に示すように、出
力バッファ1のpMO3T2とnMOS T 3とのゲ
ートに入力する信号を別々にし、pMO8T2のゲート
入力にNANDゲート7の出力信号S7が、n M O
S T 3のゲート入力にNORゲート8の出力信号S
8が入力されるように、出力バッファ1とNANDゲー
ト7、NORゲート8とを接続している。For example, there is an output buffer circuit shown in FIG. 5 to avoid this drawback. As shown in FIG. 5, the signals input to the gates of pMO3T2 and nMOS T3 of output buffer 1 are separated, and the output signal S7 of NAND gate 7 is input to the gate input of pMO8T2.
The output signal S of NOR gate 8 is input to the gate input of S T 3.
The output buffer 1 is connected to a NAND gate 7 and a NOR gate 8 so that a signal 8 is input.
NANDゲート7及びNORゲート8の入力信号は同一
であり、−万人力は入力信号INであり、他方入力は入
力信号INか直列に接続された2つのインバータ9,1
0を介して得られる信号S]0となっている。The input signals of the NAND gate 7 and the NOR gate 8 are the same, - the universal input is the input signal IN, and the other input is the input signal IN or the two inverters 9, 1 connected in series.
The signal S] obtained through 0 is 0.
第6図は第5図で示した出力バッファ回路の動作を示す
タイミング図である。なお、同図において、T2.T3
はそれぞれpMO8T2.nM。FIG. 6 is a timing diagram showing the operation of the output buffer circuit shown in FIG. In addition, in the same figure, T2. T3
are pMO8T2., respectively. nM.
Sr1のオン オフ状態を示している。This shows the on/off state of Sr1.
同図に示すように、NANDゲート7及びNORゲート
8の他方入力であるインバータ10の出力信号SIOは
インバータ9,10を介することにより時間2Δを分、
NANDゲート7、NORゲート8の一方入力である入
力信号INより遅延している。このため、入力信号IN
の“L”→“H”変化時は、NORゲート8の出力信号
S8の方がNANDゲート7の出力信号S7より2Δを
時間早く “L”レベルに立下り、入力信号INの“H
”−“L”変化時は、信号S7の方が信号S8より2Δ
を時間早く“H″レベル立上る。As shown in the figure, the output signal SIO of the inverter 10, which is the other input of the NAND gate 7 and the NOR gate 8, is passed through the inverters 9 and 10 for a time of 2Δ.
It is delayed from the input signal IN which is one input of the NAND gate 7 and the NOR gate 8. Therefore, the input signal IN
When the input signal IN changes from "L" to "H", the output signal S8 of the NOR gate 8 falls to the "L" level 2Δ earlier than the output signal S7 of the NAND gate 7, and the output signal S8 of the NOR gate 8 falls to the "L" level 2Δ earlier than the output signal S7 of the NAND gate 7.
”-“L” change, the signal S7 is 2Δ lower than the signal S8.
rises to “H” level quickly.
したがって、信号S7.S8の立上り、立下り時刻に2
Δtの時間差が生じるため、信号S7.S8がそれぞれ
ゲートに入力されるpMO3T2゜n M OS T
3が同時にオンすることが回避される。Therefore, the signal S7. 2 at the rising and falling times of S8
Since a time difference of Δt occurs, the signal S7. S8 is input to each gate pMO3T2゜n M OS T
3 are prevented from turning on at the same time.
しかしながら、インバータ9,10を介することにより
生じる遅延時間2Δtは、インバータ9゜′10を構成
するトランジスタの閾値電圧、ゲート酸化膜厚等のIC
製造上の要因及び電源電圧、温度等の動作周囲環境上の
影響を受けて変動してしまう。However, the delay time 2Δt caused by passing through the inverters 9 and 10 depends on the threshold voltage of the transistors constituting the inverters 9'10, the gate oxide film thickness, etc.
It fluctuates due to manufacturing factors and the influence of the operating environment such as power supply voltage and temperature.
このため、所望の遅延時間を正確に得ることができず、
n M OS T 2とpMO8T3が同時にオン状態
になる可能性があり、確実に出力バッファ1の貫通電流
を回避できないという問題点があった。For this reason, it is not possible to obtain the desired delay time accurately.
There is a possibility that the nMOS T 2 and the pMO8T3 are turned on at the same time, and there is a problem that the through current of the output buffer 1 cannot be reliably avoided.
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、出力バッファに貫通電流が流れることを、確
実に回避した出力バッファ回路を得ることを目的とする
。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain an output buffer circuit that reliably prevents a through current from flowing through the output buffer.
この発明にがかる出力バッファ回路は、入力及び出力端
子と、第1および第2の電源と、大電流供給可能なトラ
ンジスタサイズを有し、一方電極がそれぞれ前記第1及
び第2の電源に接続され他方電極が前記出力端子に共通
に接続された第1及び第2のトランジスタからなり、前
記第1のトランジスタがオンすると前記第1の電源によ
って規定される第1の電圧レベルの信号を前記出力端子
に出力し、前記第2のトランジスタがオンすると前記第
2の電源によって規定される第2の電圧レベルの信号を
前記出力端子に出力する出力バッファと、前記入力端子
より得られる入力信号の電位に基づき、前記出力端子の
電位を前記第1あるいは第2の電圧レベルに導く電位設
定手段と、前記出力端子の電位を検出し、該電位が前記
第1の電圧レベルの場合、前記入力信号の電位に基づき
前記第1のトランジスタのオン、オフを制御し、それ以
外の場合は前記第1のトランジスタをオフ状態にする第
1の制御手段と、前記出力端子の電位を検出し、該電位
が前記第2の電源レベルの場合、前記入力信号の電位に
基づき前記第2のトランジスタのオン、オフを制御し、
それ以外の場合は前記第2のトランジスタをオフ状態に
する第2の制御手段とを備えている。The output buffer circuit according to the present invention has input and output terminals, first and second power supplies, and a transistor size capable of supplying a large current, and one electrode is connected to the first and second power supplies, respectively. It consists of first and second transistors whose other electrodes are commonly connected to the output terminal, and when the first transistor is turned on, a signal at a first voltage level defined by the first power source is transmitted to the output terminal. an output buffer that outputs a signal at a second voltage level defined by the second power source to the output terminal when the second transistor is turned on; a potential setting means for guiding the potential of the output terminal to the first or second voltage level based on the voltage level; a first control means that controls on/off of the first transistor based on the above-mentioned voltage and turns off the first transistor in other cases; in the case of a second power supply level, controlling on/off of the second transistor based on the potential of the input signal;
and second control means that turns off the second transistor in other cases.
この発明における第1の制御手段は、出力端子の電位を
検出し、該電位が前記第1の電圧レベルの場合、入力信
号の電位に基づき第1のトランジスタのオン、オフを制
御し、それ以外の場合は第1のトランジスタをオフ状態
にしており、一方、第2の制御手段は、出力端子の電位
を検出し、該電位が前記第2の電圧レベルの場合、前記
入力信号の電位に基づき前記第2のトランジスタのオン
。The first control means in this invention detects the potential of the output terminal, and when the potential is at the first voltage level, controls on/off of the first transistor based on the potential of the input signal; In this case, the first transistor is turned off, and on the other hand, the second control means detects the potential of the output terminal, and when the potential is at the second voltage level, the second control means detects the potential of the output terminal, and when the potential is at the second voltage level, the second control means detects the potential of the output terminal. Turning on the second transistor.
オフを制御し、それ以外の場合は前記第2のトランジス
タをオフ状態にしている。In other cases, the second transistor is turned off.
このため、第1及び第2のトランジスタが同時にオン状
態になる可能性は全くない。Therefore, there is no possibility that the first and second transistors are turned on at the same time.
第1図はこの発明の一実施例である出力バッファ回路を
示す回路図である。同図に示すように、新たに電源、接
地間に、pMO3T2.nMO3T3と比べてトランジ
スタサイズ(ゲート幅/ゲート長)の小さいnMO8T
11(電源側)、9MO8T12(接地側)が直列に設
けられている。FIG. 1 is a circuit diagram showing an output buffer circuit as an embodiment of the present invention. As shown in the figure, pMO3T2. nMO8T has a smaller transistor size (gate width/gate length) than nMO3T3
11 (power supply side) and 9MO8T12 (ground side) are provided in series.
これらのn M OS T 11 、 p M OS
T 12のゲートには、入力信号接続端子6が共通に
接続されている。また、n M OS T 11のソー
スと9MO8T12のソースとの接続点N3は、出力バ
ッファ1の出力部N2と接続されている。These n M OS T 11 , p M OS
The input signal connection terminal 6 is commonly connected to the gates of T12. Further, a connection point N3 between the source of the nMOST 11 and the source of the 9MO8T12 is connected to the output section N2 of the output buffer 1.
NANDゲート7、NORゲート8の出力〜出力端子5
に至る構成は、第5図の従来例と同じであり説明は省略
するが、NANDゲート7、N。Output of NAND gate 7, NOR gate 8 ~ Output terminal 5
The configuration leading to NAND gates 7 and N is the same as that of the conventional example shown in FIG. 5, and the explanation thereof will be omitted.
Rゲート8双方の他方人力が従来と異なり、出力バッフ
ァ1の出力信号OUTになるように、出力端子5が接続
点N3に接続されている。The output terminal 5 is connected to the connection point N3 so that the output signal of the output buffer 1 becomes the output signal OUT of the output buffer 1, unlike the conventional one.
第2図は、第1図で示した出力バッファ回路の動作を示
すタイミング図である。以下、同図を参照しつつ動作の
説明をする。FIG. 2 is a timing diagram showing the operation of the output buffer circuit shown in FIG. 1. The operation will be explained below with reference to the same figure.
入力信号INが“H”−“L“に立下ると、NANDゲ
ート7の一方入力が“L”となるため、その出力信号S
7が“L”−“H”レベルに立上る。その結果、オン状
態であったpMO3T2がオフする。また、NORゲー
ト8の他方入力(出力信号0UT)が“H”であるため
、その出力信号S8は“L”を保っており、n M O
S T 3はオフ状態を維持している。When the input signal IN falls from "H" to "L", one input of the NAND gate 7 becomes "L", so its output signal S
7 rises to the "L"-"H" level. As a result, pMO3T2, which was in the on state, is turned off. Furthermore, since the other input of the NOR gate 8 (output signal 0UT) is "H", its output signal S8 remains "L", and n M O
ST3 maintains the off state.
一方、入力信号INの立下りに伴い、n M O5Tl
l、9MO8T12のオン、オフが切換わり、n M
OS T 11がオフ、pMO3T12がオンする。そ
の結果、出力信号OUTはオン状態の9MO8T12に
より“L”レベルに導かれる。On the other hand, as the input signal IN falls, nM O5Tl
l, 9MO8T12 is switched on and off, n M
OS T 11 is turned off and pMO3T12 is turned on. As a result, the output signal OUT is guided to the "L" level by the 9MO8T12 in the on state.
そして、出力信号OUTが、NORゲート8により“L
”レベルと認識される電位にまで低下すると、NORゲ
ート8の2人力が共に“L”レベルとなるため、その出
力信号S8が“H”レベルに立上る。その結果、オフ状
態であったn M OST3がオンし、電流駆動能力の
大きい出力バッファ1を通じて“L”レベルの信号が出
力信号OUTとして出力される。Then, the output signal OUT is set to “L” by the NOR gate 8.
When the potential is lowered to a level that is recognized as "L" level, both of the two outputs of NOR gate 8 become "L" level, and the output signal S8 rises to "H" level. As a result, the n MOST3 is turned on, and an "L" level signal is outputted as output signal OUT through output buffer 1 having a large current driving capability.
入力信号が“L”−“H”に立上ると、NORゲート8
の一方入力が“H”となるため、その出力信号S8が“
L”レベルに立下る。その結果、オン状態であったn
M OS T 3がオフする。また、NANDゲート7
の他方入力(出力信号0UT)が“L″であるため、そ
の出力信号S7は“H”を保っておりpMO3T2はオ
フ状態を維持する。When the input signal rises from “L” to “H”, the NOR gate 8
Since one of the inputs becomes “H”, its output signal S8 becomes “H”.
falls to L” level. As a result, n, which was in the on state,
MOST 3 turns off. Also, NAND gate 7
Since the other input (output signal 0UT) is "L", its output signal S7 remains "H" and pMO3T2 maintains the off state.
一方、入力信号INの立上りに伴い、n M O5Tl
l、pMO3T12のオフ、オンが切換り、nMO8T
11がオン、pMO8T12がオフする。その結果、出
力信号OUTは、オン状態のnMO3TIIにより“H
″レベル導かれる。On the other hand, with the rise of the input signal IN, nM O5Tl
l, pMO3T12 is switched off and on, nMO8T
11 is on and pMO8T12 is off. As a result, the output signal OUT is “H” due to nMO3TII in the on state.
``Level led.
そして、出力信号OUTが、NANDゲート7により“
H”レベルと認識される電位にまで上昇すると、NAN
Dゲート7の2人力が共に“H”レベルとなるため、そ
の出力信号が“L”レベルに立下る。その結果、オフ状
態であったpMO3T2がオンし、電流駆動能力の大き
い出力バッファ1を通じて“H”レベルの信号が出力信
号OUTとして出力される。Then, the output signal OUT is output by the NAND gate 7.
When the potential rises to a level that is recognized as “H” level, the NAN
Since the two outputs of the D gate 7 both go to the "H" level, their output signals fall to the "L" level. As a result, pMO3T2, which was in the off state, is turned on, and an "H" level signal is output as the output signal OUT through the output buffer 1 having a large current driving capability.
このように、出力信号OUTの電位をモニタし、出力信
号OUTのH″、”L” レベルに基づき、pMO8T
2.nMO8T3のうち一方のみを、オン可能にする、
pMO3T2.nMO3T3のオン、オフ制御を、NA
NDゲート7、NORゲート8により行っている。この
ため、pMO8T2、nMO8T3が同時にオンする可
能性はゼロとなる。したがって、この出力バッファ1に
貫通電流が流れる可能性はゼロになる。In this way, the potential of the output signal OUT is monitored, and based on the H" and "L" levels of the output signal OUT, the pMO8T
2. Enables only one of nMO8T3 to be turned on.
pMO3T2. nMO3T3 on/off control, NA
This is done using an ND gate 7 and a NOR gate 8. Therefore, the possibility that pMO8T2 and nMO8T3 are turned on at the same time is zero. Therefore, there is no possibility that a through current will flow through this output buffer 1.
また、nMO8T11’、pMO8T12からなる電位
設定手段により、入力信号INに基づいた電位に出力信
号OUTを導くため、pMO3T2n M OS T
3が共にオフ状態となり、出力バッファ1の出力部N2
がフローティングとなる場合でも、出力信号OUTの電
位を確実に“H”、“L”レベルに設定できる。したが
って、pMO8T2゜n M OS T 3が共にオフ
状態の期間が長期間続くことはない。Furthermore, in order to guide the output signal OUT to a potential based on the input signal IN by the potential setting means consisting of nMO8T11' and pMO8T12, pMO3T2n MOS T
3 are both turned off, and the output part N2 of output buffer 1
Even when the output signal OUT is floating, the potential of the output signal OUT can be reliably set to the "H" or "L" level. Therefore, the period in which both pMO8T2゜nMOST3 are in the off state does not continue for a long period of time.
なお、入力信号INの立上り、立下り時に、nMO8T
II、pMO3T12を介し電源、接地間に貫通電流が
流れるが、nMO3T11.pMO8T12のトランジ
スタサイズは十分小さいため、さほど問題にならない。Note that when the input signal IN rises and falls, nMO8T
II, a through current flows between the power supply and ground through pMO3T12, but nMO3T11. Since the transistor size of pMO8T12 is sufficiently small, this does not pose much of a problem.
また、n M OS T 11 、 pM OS T
12の閾値電圧は、p M OS T 2 、 n
M OS T 3が共にオフ状態の時、NANDゲー
)7.NORゲート8により、出力信号OUTの“H”
IIL”が認識できるレベルに設定されている。Also, n M OS T 11 , p M OS T
The threshold voltage of 12 is p M OS T 2 , n
When both MOS T3 are off, NAND game) 7. The output signal OUT is set to “H” by the NOR gate 8.
IIL” is set at a level that can be recognized.
以上説明したように、この発明によれば、第1゜第2の
制御手段により、出力端子より得られる電位に基づき、
出力バッファ内の第1.第2のトランジスタが同時にオ
ンしないように制御するため、出力バッファに貫通電流
が流れることはない。As explained above, according to the present invention, the first and second control means, based on the potential obtained from the output terminal,
The first . Since the second transistors are controlled so that they are not turned on at the same time, no through current flows through the output buffer.
第1図はこの発明の一実施例である出力バッファ回路を
示す回路図、第2図は第1図で示した出力バッファ回路
の動作を示すタイミング図、第3図及び第5図は従来の
出力バッファ回路を示す回路図、第4図は第3図で示し
た出力バッファ回路の動作を示すタイミング図、第6図
は第5図で示した出力バッファ回路の動作を示すタイミ
ング図である。
図において、1は出力バッファ、2はpMO3T、3は
n M OS T、5は出力端子、6は入力信号接続端
子、7はNANDゲート、8はNORゲート、11はn
MO8T、12はpMO3Tである。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。FIG. 1 is a circuit diagram showing an output buffer circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a timing diagram showing the operation of the output buffer circuit shown in FIG. 1, and FIGS. 4 is a timing diagram showing the operation of the output buffer circuit shown in FIG. 3, and FIG. 6 is a timing chart showing the operation of the output buffer circuit shown in FIG. 5. In the figure, 1 is an output buffer, 2 is a pMO3T, 3 is an nMOST, 5 is an output terminal, 6 is an input signal connection terminal, 7 is a NAND gate, 8 is a NOR gate, and 11 is an nMOST.
MO8T, 12 is pMO3T. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
がそれぞれ前記第1及び第2の電源に接続され他方電極
が前記出力端子に共通に接続された第1及び第2のトラ
ンジスタからなり、前記第1のトランジスタがオンする
と前記第1の電源によって規定される第1の電圧レベル
の信号を前記出力端子に出力し、前記第2のトランジス
タがオンすると前記第2の電源によって規定される第2
の電圧レベルの信号を前記出力端子に出力する出力バッ
ファと、 前記入力端子より得られる入力信号の電位に基づき、前
記出力端子の電位を前記第1あるいは第2の電圧レベル
に導く電位設定手段と、 前記出力端子の電位を検出し、該電位が前記第1の電圧
レベルの場合、前記入力信号の電位に基づき前記第1の
トランジスタのオン、オフを制御し、それ以外の場合は
前記第1のトランジスタをオフ状態にする第1の制御手
段と、 前記出力端子の電位を検出し、該電位が前記第2の電源
レベルの場合、前記入力信号の電位に基づき前記第2の
トランジスタのオン、オフを制御し、それ以外の場合は
前記第2のトランジスタをオフ状態にする第2の制御手
段とを備えた出力バッファ回路。(1) It has input and output terminals, first and second power supplies, and a transistor size capable of supplying a large current, one electrode is connected to the first and second power supplies, respectively, and the other electrode is the output terminal. The first transistor includes first and second transistors connected in common to the first transistor, and when the first transistor is turned on, it outputs a signal at a first voltage level defined by the first power source to the output terminal, and When the second transistor is turned on, the second transistor defined by the second power supply is turned on.
an output buffer that outputs a signal at a voltage level to the output terminal; and potential setting means for guiding the potential of the output terminal to the first or second voltage level based on the potential of the input signal obtained from the input terminal. , detects the potential of the output terminal, and if the potential is at the first voltage level, controls on/off of the first transistor based on the potential of the input signal; otherwise, the first transistor is turned on or off based on the potential of the input signal; a first control means for turning off the transistor; detecting the potential of the output terminal; when the potential is at the second power supply level, turning on the second transistor based on the potential of the input signal; and second control means for controlling the off state of the second transistor, and otherwise turning off the second transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063067A JPH02241114A (en) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | Output buffer circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063067A JPH02241114A (en) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | Output buffer circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02241114A true JPH02241114A (en) | 1990-09-25 |
Family
ID=13218625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1063067A Pending JPH02241114A (en) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | Output buffer circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH02241114A (en) |
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| JP2008271307A (en) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nec Electronics Corp | Semiconductor circuit |
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1989
- 1989-03-14 JP JP1063067A patent/JPH02241114A/en active Pending
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