JPH02241219A - Emitter coupling type multivibrator - Google Patents
Emitter coupling type multivibratorInfo
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- JPH02241219A JPH02241219A JP6101489A JP6101489A JPH02241219A JP H02241219 A JPH02241219 A JP H02241219A JP 6101489 A JP6101489 A JP 6101489A JP 6101489 A JP6101489 A JP 6101489A JP H02241219 A JPH02241219 A JP H02241219A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、IC化に好適なエミッタ結合形マルチバイブ
レータに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an emitter-coupled multivibrator suitable for IC implementation.
従来のエミッタ結合形マルチバイブレータの一例を第8
図に示す。同図においてQ1〜Q6はトランジスタ、C
1は容量、R1,R2は抵抗、A1−A4は電流源、V
CCは電圧源、T1、T2は出力端子である。トランジ
スタQ1、Q2のエミッタ間には容量C1が接続され、
トランジスタQ1、Q2のコレクタはそれぞれ抵抗R1
,R2を介して電圧源vCCに接続されると共に、トラ
ンジスタQ5.Q6のエミッタおよびトランジスタQ3
.Q4のベースにそれぞれ接続される。トランジスタQ
5.Q6のベース、コレクタは電圧源vCCに接続され
、トランジスタQ3.Q4のコレクタも電圧源vCCに
接続される。トランジスタQ3のエミッタは電圧源A3
を介して接地されると共にトランジスタQ2のベースお
よび出力゛3
端子T1にそれぞれ接続され、トランジスタQ4のエミ
ッタは電流源A4を介して接地されると共にトランジス
タQ1のベースおよび出力端子T2にそれぞれ接地され
る。また、トランジスタQl。An example of a conventional emitter-coupled multivibrator is shown in Part 8.
As shown in the figure. In the same figure, Q1 to Q6 are transistors, C
1 is the capacitance, R1 and R2 are the resistances, A1-A4 are the current sources, and V
CC is a voltage source, and T1 and T2 are output terminals. A capacitor C1 is connected between the emitters of transistors Q1 and Q2,
The collectors of transistors Q1 and Q2 are each resistor R1.
, R2 to voltage source vCC, and transistors Q5. Emitter of Q6 and transistor Q3
.. Each is connected to the base of Q4. transistor Q
5. The base and collector of Q6 are connected to voltage source vCC, and transistors Q3. The collector of Q4 is also connected to voltage source vCC. The emitter of transistor Q3 is connected to voltage source A3
The emitter of the transistor Q4 is grounded via the current source A4 and is also connected to the base of the transistor Q2 and the output terminal T2, respectively. . Also, the transistor Ql.
Q2のエミッタはそれぞれ電流源A1、A2を介して接
地されている。The emitters of Q2 are grounded via current sources A1 and A2, respectively.
上記従来回路の動作については角田秀夫著“PLLの基
本と応用“ (東京電機大学出版局) pp78−80
および特開昭52−77565号公報などにおいて詳し
く述べられており、ここでの詳細な説明は省略し以下簡
単に説明する。Regarding the operation of the above conventional circuit, please refer to Hideo Tsunoda's "Basics and Applications of PLL" (Tokyo Denki University Press) pp78-80.
It is described in detail in JP-A No. 52-77565, etc., and the detailed explanation here will be omitted and will be briefly explained below.
第8図において従来回路の発信周波数fは、電流源A1
、A2が供給する電流を共に等しくI。In FIG. 8, the oscillation frequency f of the conventional circuit is the current source A1
, A2 both supply equal current I.
とじ、容量C□の容量値をC1発発振出力振幅、■とす
れば下式で表わされる。If the capacitance value of the capacitor C□ is the C1 oscillation output amplitude and ■, then it is expressed by the following formula.
f=−り一・・・・・・ (1)
CAV
ここで発振出力振幅、■は、第8図において負荷となる
抵抗R1,R2の両端に付加されたトランジスタQ5.
Q6により振幅制限される。すなわち“4
トランジスタQ5.Q6がダイオード動作する範囲にお
いては、トランジスタQ5.Q6のベース・エミッタ間
電圧をVBBとすればa V = V Bv となり上
記(1)式に代入して下式を得る。f=−Ri1 (1) CAV Here, the oscillation output amplitude, ■, is the transistor Q5.
The amplitude is limited by Q6. That is, in the range in which transistors Q5 and Q6 operate as diodes, if the voltage between the base and emitter of transistors Q5 and Q6 is VBB, then a V = V Bv and by substituting it into the above equation (1), the following equation is obtained.
f=−ムー・・・・・・ (2)
4 CVBx
〔発明が解決しようとする課題〕
周知のようにトランジスタのベース・エミッタ間電圧■
。は温度によって変動する。変動はおよそ一2mV/℃
である。すなわち上記(2)式から明白であるように第
8図に示した従来回路において発振周波数は温度が変化
すると変動してしまうという不都合を生じる。たとえば
温度が100 ’C上昇するとVBI!はおよそ0.7
Vから0,5Vに低下し発振周波数は+40%増加して
しまう。f=-mu... (2) 4 CVBx [Problem to be solved by the invention] As is well known, the base-emitter voltage of a transistor ■
. varies with temperature. The fluctuation is approximately -2mV/℃
It is. That is, as is clear from equation (2) above, the conventional circuit shown in FIG. 8 has the disadvantage that the oscillation frequency fluctuates as the temperature changes. For example, if the temperature increases by 100'C, VBI! is approximately 0.7
V to 0.5V, and the oscillation frequency increases by +40%.
本発明の目的は、発振周波数が温度変化に対して安定な
エミッタ結合形マルチバイブレータを提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide an emitter-coupled multivibrator whose oscillation frequency is stable against temperature changes.
第1図を参照して課題を解決するための基本的な手段に
ついて説明する。Basic means for solving the problem will be explained with reference to FIG.
第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)のエミッタ間
にコンデンサ(C1)を接続すると共に、その各エミッ
タを定電流源(A1、A2)を介して基準電位に接続し
、前記第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)の各コ
レクタに第1の電圧源(VCC)からコレクタ電流を供
給するその電流経路上に第1、第2の抵抗(R1,R2
)を接続し、前記第1、第2のトランジスタ(Q1、Q
2)の各ベース側から出力を取り出すようにした無安定
マルチバイブレータにおいて、
エミッタが相互接続されると共に定電流源(A5)を介
して基準電位に接続され、コレクタが相互接続されると
共に前記第1の電圧源(VCC)に接続された第3、第
4のトランジスタ(Q7.Q8)から成る第1の差動対
と、エミッタが相互接続されると共に定電流源(八6)
を介して基準電位に接続され、コレクタが相互接続され
ると共に前記第1の電圧源(VCC)に接続された第5
、第6のトランジスタ(Q9、Q10)から成る第2の
差動対と、第2の電圧源(■1)を設け、前記第3、第
6のトランジスタ(Q7、Q10)のベースは共に前記
第2の電圧源(V1)に接続し、前記第4、第5のトラ
ンジスタ(Q8.Q9)のベースはそれぞれ前記第1、
第2の抵抗(R1゜R2)に接続し、前記第3、第4の
トランジスタ(Q7.Q8)のエミッタに出力される第
1の信号を前記第2の1−ランジスタ(Q2)のベース
に、前記第5、第6のトランジスタ(Q9、Q10)の
エミッタに出力される第2の信号を前記第1のトランジ
スタ(Q1)のベースに、それぞれ入力するようにした
エミッタ結合形マルチバイブレータが、課題を解決する
ための基本的な手段であり、これによって上記目的が達
成される。A capacitor (C1) is connected between the emitters of the first and second transistors (Q1, Q2), and each emitter is connected to a reference potential via a constant current source (A1, A2). First and second resistors (R1, R2) are provided on the current path that supplies collector current from the first voltage source (VCC) to the respective collectors of the second transistors (Q1, Q2).
), and the first and second transistors (Q1, Q
In the astable multivibrator in which the output is taken out from each base side of 2), the emitters are interconnected and connected to the reference potential via the constant current source (A5), the collectors are interconnected, and the A first differential pair consisting of third and fourth transistors (Q7, Q8) connected to one voltage source (VCC), and a constant current source (86) whose emitters are interconnected.
a fifth voltage source, the collectors of which are interconnected and connected to the first voltage source (VCC);
, a second differential pair consisting of sixth transistors (Q9, Q10) and a second voltage source (■1) are provided, and the bases of the third and sixth transistors (Q7, Q10) are both connected to the The bases of the fourth and fifth transistors (Q8 and Q9) are connected to a second voltage source (V1), respectively.
The first signal connected to the second resistor (R1°R2) and output to the emitters of the third and fourth transistors (Q7, Q8) is connected to the base of the second 1-transistor (Q2). , an emitter-coupled multivibrator in which a second signal output to the emitters of the fifth and sixth transistors (Q9, Q10) is inputted to the base of the first transistor (Q1), respectively. It is a basic means for solving problems, and achieves the above objectives.
前記第3、第4のトランジスタ(Q7.Q8)より成る
差動対は、前記第1の抵抗(R1)に発生する発振信号
を振幅制限し前記第2のトランジスタ(Q2)のベース
に出力する。The differential pair consisting of the third and fourth transistors (Q7, Q8) limits the amplitude of the oscillation signal generated at the first resistor (R1) and outputs it to the base of the second transistor (Q2). .
また、前記第5、第6のトランジスタ(Q9、Q10)
より成る差動対も、前記第2の抵抗(R2)に発生する
発振信号を振幅制限し前記第1のトランジスタ(Q1)
のベースに出力する。つまり、前記第4.第5のトラン
ジスタ(Q8.Q9)のベース電位が前記第1の電圧源
(VCC)の電位vCCと同電位で最大となったとき、
前記第3゜第6のトランジスタ(Q7、Q10)はオフ
状態となり前記第1.第2の1−ランジスタ(Q1、Q
2)のベース電位VsHは下式で表わされる。Further, the fifth and sixth transistors (Q9, Q10)
The differential pair also limits the amplitude of the oscillation signal generated at the second resistor (R2) and
Output to the base of. In other words, the above-mentioned 4. When the base potential of the fifth transistor (Q8, Q9) reaches the maximum potential at the same potential as the potential vCC of the first voltage source (VCC),
The third and sixth transistors (Q7, Q10) are turned off, and the first and sixth transistors (Q7, Q10) are turned off. The second 1-transistor (Q1, Q
The base potential VsH of 2) is expressed by the following formula.
Val(= Vcc VBg−−(3)また逆に、前
記第4.第5のトランジスタ(Q8、Q9)のベース電
位が前記第2の電圧源(V1)の電位■1以下となった
とき前記第4.第5のトランジスタ(Q8.Q9)がオ
フ状態となり前記第1.第2のトランジスタ(Q1、Q
2)のベース電位は下式で表わされる。Val(=Vcc VBg--(3) Also, conversely, when the base potential of the fourth and fifth transistors (Q8, Q9) becomes the potential of the second voltage source (V1) ■1 or less, The fourth and fifth transistors (Q8 and Q9) are turned off, and the first and second transistors (Q1, Q9) are turned off.
The base potential of 2) is expressed by the following formula.
V3L=V I VnE・=−(4)よって前記第1
.第2のトランジスタ(Ql。V3L=V I VnE・=−(4) Therefore, the first
.. The second transistor (Ql.
Q2)のベースに出力される発振出力振幅AVは下記で
表わされる。The oscillation output amplitude AV output to the base of Q2) is expressed as follows.
° 8 。° 8 .
ΔV=Vcc−V、 ・・・・・・(5)すなわち、
発振出力振幅は温度が変化しても増減せず上記(1)式
からも明白なように発振周波数を温度変化に対して安定
化することができる。ΔV=Vcc-V, (5) That is,
The oscillation output amplitude does not increase or decrease even if the temperature changes, and as is clear from the above equation (1), the oscillation frequency can be stabilized against temperature changes.
以下、本発明の実施例について説明する。 Examples of the present invention will be described below.
第1図は本発明によるエミッタ結合形マルチバイブレー
タの一実施例を示す回路図であり、第8図に示す従来回
路と同一のもの、または同一機能のものには同じ符号を
つけてその詳細な説明は省略する。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an emitter-coupled multivibrator according to the present invention. Components that are the same as those of the conventional circuit shown in FIG. Explanation will be omitted.
第1図においてQ7〜Q10はトランジスタ、A5.A
6は電流源、vlは電圧源である。トランジスタQ7.
Q8はエミッタが共通接続されて差動対を構成し、その
エミッタは電流源A5を介してアースに接続されると共
に出力端子T1とトランジスタQ2のベースにも接続さ
れる。トランジスタQ9、Q10はエミッタが共通接続
されて、差動対を構成し、そのエミッタは電流源A6を
介してアースに接続されると共に出力端子T2とトラン
ジスタQ1のベースにも接続される。トランジスタQ8
.Q9のベースはそれぞれ抵抗R1゜R2に接続され、
トランジスタQ7、Q10のベースは共に電圧源■1に
接続される。トランジスタQ7.QB、Q9、Q10の
コレクタは共に電圧源vccに接続される。In FIG. 1, Q7 to Q10 are transistors, A5. A
6 is a current source, and vl is a voltage source. Transistor Q7.
The emitters of Q8 are commonly connected to form a differential pair, and the emitters are connected to ground via current source A5 and also to the output terminal T1 and the base of transistor Q2. Transistors Q9 and Q10 have their emitters connected in common to form a differential pair, whose emitters are connected to ground via current source A6 and also to output terminal T2 and the base of transistor Q1. transistor Q8
.. The bases of Q9 are connected to resistors R1 and R2, respectively,
The bases of transistors Q7 and Q10 are both connected to voltage source 1. Transistor Q7. The collectors of QB, Q9, and Q10 are all connected to voltage source vcc.
次に本実施例の動作について説明する。第2図に第1図
の回路における各部信号波形を示す。同図においてVQ
8BはトランジスタQ8のベース電位を、VQ2Bはト
ランジスタQ2のベース電位を、横軸tは時間をそれぞ
れ表わす。以下、第2図を用い第1図の回路の動作説明
を行なう。なお説明の簡略化のため以下電流源A1、A
2の電流は共に等しく■。であるとして動作説明を行な
う。Next, the operation of this embodiment will be explained. FIG. 2 shows signal waveforms at various parts in the circuit of FIG. 1. In the same figure, VQ
8B represents the base potential of transistor Q8, VQ2B represents the base potential of transistor Q2, and the horizontal axis t represents time. The operation of the circuit shown in FIG. 1 will be explained below using FIG. 2. In order to simplify the explanation, the following current sources A1, A
The two currents are both equal■. The operation will be explained assuming that.
トランジスタQ8のベースには抵抗R1に発生する発振
信号が印加される。この発振信号振幅の上限電圧はVc
cであり振幅はトランジスタQ2がオフし抵抗R1に電
流源A1、A2の電流和2・■。が流れたとときの電圧
降下となる。一方、トランジスタQ7.Q8.電流源A
5.電圧源v1は前記発振信号振幅の下限値を制限しト
ランジスタQ2のベースに出力する。すなわち、トラン
ジスタQ8のベース電位が電圧源V c aであった場
合トランジスタQ7はオフしトランジスタQ2のベース
電位は■cc−■B□8となる。ここでvnpaはトラ
ンジスタQ8のベース・エミッタ間電圧である。また、
トランジスタQ8のベース電位が低下し電圧源v1の電
圧■、より下がるとトランジスタQ8はオフしトランジ
スタQ2のベース電位は■1V n E ?に制限され
これ以下の電位にはならない。An oscillation signal generated in resistor R1 is applied to the base of transistor Q8. The upper limit voltage of this oscillation signal amplitude is Vc
c, and the amplitude is 2·■, the sum of the currents of the current sources A1 and A2 in the resistor R1 when the transistor Q2 is turned off. This is the voltage drop when . On the other hand, transistor Q7. Q8. Current source A
5. The voltage source v1 limits the lower limit value of the oscillation signal amplitude and outputs it to the base of the transistor Q2. That is, when the base potential of the transistor Q8 is the voltage source V ca, the transistor Q7 is turned off and the base potential of the transistor Q2 becomes ■cc-■B□8. Here, vnpa is the base-emitter voltage of transistor Q8. Also,
When the base potential of the transistor Q8 decreases and becomes lower than the voltage of the voltage source v1, the transistor Q8 is turned off and the base potential of the transistor Q2 becomes 1V n E ? The potential will not go below this limit.
ここでV B E ?はトランジスタQ7のベース・エ
ミッタ間電圧であり、トランジスタQ7.Q8が同一構
造であればV Bl!? = V BEEである。よっ
てトランジスタQ2のベースに入力される発振信号の振
幅。V B E here? is the base-emitter voltage of transistor Q7, and transistor Q7. If Q8 has the same structure, V Bl! ? = V BEE. Therefore, the amplitude of the oscillation signal input to the base of transistor Q2.
■は、 aV=Vcc−V、となり、この振幅電圧は温
度変化しない。又、トランジスタQ9、Q109電流源
A6の動作については以上の動作説明から明白であり、
トランジスタQ1のベースには同様に振幅が温度変化し
ない発振信号が入力される。よって上記(1)式から明
白であるように、’11
本実施例によれば、発振周波数が温度変化に対して安定
化できる効果がある。(2) is aV=Vcc-V, and this amplitude voltage does not change with temperature. Furthermore, the operation of the transistors Q9 and Q109 and the current source A6 is clear from the above operation description.
Similarly, an oscillation signal whose amplitude does not change with temperature is input to the base of the transistor Q1. Therefore, as is clear from the above equation (1), this embodiment has the effect of stabilizing the oscillation frequency against temperature changes.
次に本発明による他の実施例について第3図以下順次説
明しておくが各回において先に第8図。Next, other embodiments according to the present invention will be described in order from FIG. 3 onwards, but in each case, FIG.
第1図、第2図にて示したものと同\もしくは同一機能
のものには同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する
。Components that are the same as or have the same functions as those shown in FIGS. 1 and 2 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.
第3図は本発明の他の実施例、第4図は第3図に示した
回路における各部信号波形を示す。同図においてV!l
E5は1ヘランジスタQ5のベース・エミッタ間電圧を
示す。以下、本実施例の動作を説明する。トランジスタ
Q8のベースには抵抗R1に発生する発振信号が印加さ
れる。抵抗R1には並列にダイオード接続されたトラン
ジスタQ5が接続されている。このため発振信号振幅は
トランジスタQ5のベース・エミッタ間電圧V B E
5を越えることはない。すなわち、トランジスタQ1
のコレクタ電圧はVcc VBE5以下になることが
ない。よって抵抗R1の抵抗値、電流源A1、A2の電
流値が任意な値であっても良く、トランジ°12 。FIG. 3 shows another embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows signal waveforms at various parts in the circuit shown in FIG. In the same figure, V! l
E5 indicates the base-emitter voltage of the one-herald transistor Q5. The operation of this embodiment will be explained below. An oscillation signal generated in resistor R1 is applied to the base of transistor Q8. A diode-connected transistor Q5 is connected in parallel to the resistor R1. Therefore, the oscillation signal amplitude is the base-emitter voltage V B E of transistor Q5.
It never exceeds 5. That is, transistor Q1
The collector voltage of is never lower than Vcc VBE5. Therefore, the resistance value of the resistor R1 and the current values of the current sources A1 and A2 may be arbitrary values, and the transistor 12.
スタQ1のコレクタ・ベース間電圧が逆バイアスされ動
作不良することがない。すなわち、設計自由度が高い。The voltage between the collector and base of star Q1 is reverse biased and there is no possibility of malfunction. In other words, the degree of freedom in design is high.
一方、電圧源■1の電圧v1は前記リミット電圧V c
c VBE5より高い電位に設定する。これにより
トランジスタQ2のベースに印加される発振信号の振幅
電圧、■は、第1図に示した実施例と同様、Vcc−V
、となり温度変化しないことは明白である。On the other hand, the voltage v1 of the voltage source 1 is the limit voltage V c
c Set to a potential higher than VBE5. As a result, the amplitude voltage (■) of the oscillation signal applied to the base of the transistor Q2 is Vcc-V as in the embodiment shown in FIG.
, so it is clear that the temperature does not change.
すなわち、本実施例によれば、設計自由度が高く多用途
に適応できる効果がある。That is, according to this embodiment, there is an effect that the degree of freedom in design is high and it can be applied to various purposes.
次に第5図に示す本発明によるその他の実施例について
説明する。第5図において、Q11〜Q18はトランジ
スタ、A7〜A10は電流源である。トランジスタQ1
1のエミッタは電流源A7を介して接地されると共にト
ランジスタQ7のベースに接続される。トランジスタQ
12.Q13゜Q14のエミッタはそれぞれ電流源A8
.A9゜A10を介して接地され、さらにそれぞれトラ
ンジスタQ8.Q9、Q10のベースに接続される。Next, another embodiment of the present invention shown in FIG. 5 will be described. In FIG. 5, Q11 to Q18 are transistors, and A7 to A10 are current sources. Transistor Q1
The emitter of transistor Q1 is grounded via current source A7 and connected to the base of transistor Q7. transistor Q
12. The emitters of Q13 and Q14 are respectively connected to current source A8.
.. A9.A10 are connected to ground through transistors Q8. Connected to the bases of Q9 and Q10.
トランジスタQ11、Q14のベースは共に電圧源■1
に接続され、トランジスタQ12.Q13のベースはそ
れぞれ抵抗R1,R2に接続される。The bases of transistors Q11 and Q14 are both voltage source ■1
are connected to transistors Q12. The bases of Q13 are connected to resistors R1 and R2, respectively.
トランジスタQ11、Q12.Q13.Ql4のコレク
タは共に電圧源Vccに接続される。トランジスタQ1
5.Q17のコレクタ、ベースは共に■CCに接続され
る。トランジスタ016のコレクタ、ベースは共にトラ
ンジスタQ15のエミッタに接続され、トランジスタQ
18のコレクタ。Transistors Q11, Q12. Q13. The collectors of Ql4 are both connected to voltage source Vcc. Transistor Q1
5. The collector and base of Q17 are both connected to CC. The collector and base of transistor 016 are both connected to the emitter of transistor Q15, and transistor Q
18 collectors.
ベースは共にトランジスタQ17のエミッタに接続され
、トランジスタQ16.Q18のエミッタはそれぞれ抵
抗R1,R2に接続させる。The bases are both connected to the emitter of transistor Q17, and transistors Q16. The emitters of Q18 are connected to resistors R1 and R2, respectively.
第6図は第5図に示した回路における各部信号波形を示
す。同図においてVQ12BはトランジスタQ12のベ
ース電位を示す。また、v11EI□。FIG. 6 shows signal waveforms at various parts in the circuit shown in FIG. In the figure, VQ12B indicates the base potential of transistor Q12. Also, v11EI□.
V B E 12 t V B E 15 t V B
E t sはそれぞれトランジスタQ11、Q12.
Q15.Ql6のベース・エミッタ間電圧を示す。以下
、本実施例の動作を説明する。V B E 12 t V B E 15 t V B
E t s are transistors Q11, Q12 .
Q15. The voltage between the base and emitter of Ql6 is shown. The operation of this embodiment will be explained below.
トランジスタQ11、Q12.Q13.Ql4と電流源
A7.A8.A9.A10とはそれぞれエミッタホロア
を構成する。また、トランジスタQ15.Q16とトラ
ンジスタQ17.Q18とはそれぞれR1,R2に出力
される発振振幅の制限を行ない、トランジスタQ1、Q
2のコレクタ・ベース間電圧が逆バイアスになるのを防
止する。Transistors Q11, Q12. Q13. Ql4 and current source A7. A8. A9. A10 constitutes an emitter follower, respectively. Also, transistor Q15. Q16 and transistor Q17. Q18 limits the oscillation amplitude output to R1 and R2, respectively, and
This prevents the collector-base voltage of No. 2 from becoming reverse biased.
すなわち、第1図、第3図に示した実施例の動作説明か
ら明らかなように、本実施例においても設計自由度が高
く、かつ、発振周波数は温度変化に対して安定である。That is, as is clear from the explanation of the operation of the embodiment shown in FIGS. 1 and 3, this embodiment also has a high degree of freedom in design, and the oscillation frequency is stable against temperature changes.
一方、発振周波数の高速化を考える。この場合抵抗R1
とその寄生容量との時定数が支配的となる。ここでトラ
ンジスタQ8はそのベース電位によりオン・オフを繰り
返すが、一般にトランジスタはオフのときベース・エミ
ッタ間容量が急激に増加することは周知である。すなわ
ちトランジスタQ8のベースと抵抗R1が直接接続され
た場合、発振器の高速化が困難となる。本実施例におい
てはトランジスタQ8のベースと抵抗R1の間にトラン
ジスタQ12で構成されるエミッタホロアが接続されて
おりトランジスタQ8がオフした場合のベース・エミッ
タ間容量が抵抗R1どの時定数に与える影響はトランジ
スタQ12の電流増幅率をhfeとすると 1 / h
f eに低減する。On the other hand, consider increasing the oscillation frequency. In this case resistance R1
The time constant between and its parasitic capacitance becomes dominant. Here, the transistor Q8 is repeatedly turned on and off depending on its base potential, and it is generally known that the base-emitter capacitance of a transistor increases rapidly when it is off. That is, if the base of transistor Q8 and resistor R1 are directly connected, it will be difficult to increase the speed of the oscillator. In this embodiment, an emitter follower constituted by a transistor Q12 is connected between the base of the transistor Q8 and the resistor R1, and when the transistor Q8 is turned off, the effect that the base-emitter capacitance has on the time constant of the resistor R1 is If the current amplification factor of Q12 is hfe, then 1/h
f Reduce to e.
すなわち、本実施例によれば、発振周波数を高めること
が容易になるという効果がある。That is, according to this embodiment, there is an effect that it becomes easy to increase the oscillation frequency.
次に第7図に示す本発明によるその他の実施例について
説明する。第7図において、Q1、9〜Q22はトラン
ジスタ、A11〜A13は電流源である。トランジスタ
Q19.Q20はエミッタが共通接続され差動対を構成
し、そのエミッタは電流源A11を介して接地されてい
る。また、トランジスタQ、19.Q20のコレクタは
それぞれトランジスタQ1、Q2のエミッタに接続され
ている。トランジスタQ21のコレクタ・ベースは共に
トランジスタQ2のベースに接続され、そのエミッタは
、電流源A12を介して接地されると共にトランジスタ
Q19のベースに接続される。さらに、トランジスタQ
22のコレクタ・ベースは共にトランジスタQ1のベー
スに接続され、そのエミッタは、電流源A13を介して
接地されると共にトランジスタQ20のベースに接続さ
れる。Next, another embodiment according to the present invention shown in FIG. 7 will be described. In FIG. 7, Q1, 9 to Q22 are transistors, and A11 to A13 are current sources. Transistor Q19. The emitters of Q20 are commonly connected to form a differential pair, and the emitters are grounded via a current source A11. Also, transistor Q, 19. The collectors of Q20 are connected to the emitters of transistors Q1 and Q2, respectively. The collector and base of transistor Q21 are both connected to the base of transistor Q2, and its emitter is grounded via current source A12 and connected to the base of transistor Q19. Furthermore, transistor Q
The collector and base of 22 are both connected to the base of transistor Q1, and its emitter is connected to ground via current source A13 and to the base of transistor Q20.
本実施例においては、電流源A11の電流IQをトラン
ジスタQ19.Q20より成る差動対により切り換え、
容量C1の充放電を行なうようにしたものである。本実
施例においても発振周波数fは上記(1)式と同様で下
式で表わされる。In this embodiment, current IQ of current source A11 is connected to transistor Q19. Switched by a differential pair consisting of Q20,
The capacitor C1 is charged and discharged. In this embodiment as well, the oscillation frequency f is similar to the above equation (1) and is expressed by the following equation.
しかし、本実施例において電流源は1つでよく。However, in this embodiment, only one current source is sufficient.
前記実施例に比べ■。たけ少ない電流で同じ発振周波数
を得ることができる。■Compared to the above example. The same oscillation frequency can be obtained with a smaller amount of current.
すなわち、本実施例しこよれば低消費電力化が容易にな
るという効果がある。That is, this embodiment has the effect of easily reducing power consumption.
本発明によれば、エミッタ結合形マルチバイブレータの
発振周波数を温度変化に対して安定化することができる
効果がある。According to the present invention, the oscillation frequency of the emitter-coupled multivibrator can be stabilized against temperature changes.
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図に示す実施例の信号波形図、第3図は本発明の他の実
施例を示す回路図、第4図は第3図に示す実施例の信号
波形図、第5図は本発明の更に別の実施例を示す回路図
、第6は第5図に示す実施例の信号波形図、第7図は本
発明のなお更に他の実施例を示す回路図、第8図はマル
チバイブレータ回路の従来例を示す回路図である。
Q1〜Q22・・・トランジスタ。
R1,R2・・・抵抗。
C1・・・容量。
A1−A13・・・電流源。
Vcc、Vl・・・電圧源。Fig. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention, FIG. 4 is a signal waveform diagram of the embodiment shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a further embodiment of the present invention. 6 is a signal waveform diagram of the embodiment shown in FIG. 5, FIG. 7 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a diagram of a multivibrator circuit. FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional example. Q1 to Q22...transistors. R1, R2...Resistance. C1... Capacity. A1-A13...Current source. Vcc, Vl...voltage source.
Claims (1)
タ間にコンデンサ(C1)を接続すると共に、その各エ
ミッタを定電流源(A1、A2)を介して基準電位に接
続し、前記第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)の
各コレクタに第1の電圧源(VCC)からコレクタ電流
を供給するその電流経路上に第1、第2の負荷素子(R
1、R2)を接続し、前記第1、第2のトランジスタ(
Q1、Q2)の各ベース側から出力を取り出すようにし
た無安定マルチバイブレータにおいて、 エミッタが相互接続されると共に定電流源(A5)を介
して基準電圧に接続され、コレクタが相互接続されると
共に前記第1の電圧源(VCC)に接続された第3、第
4のトランジスタ(Q7、Q8)から成る第1の差動対
と、 エミッタが相互接続されると共に定電流源(A6)を介
して基準電位に接続され、コレクタが相互接続されると
共に、前記第1の電圧源(VCC)に接続された第5、
第6のトランジスタ(Q9、Q10)から成る第2の差
動対と、第2の電圧源(V1)を設け、前記第3、第6
のトランジスタ(Q7、Q10)のベースは共に前記第
2の電圧源(V1)に接続し、前記第4、第のトランジ
スタ(Q8、Q9)のベースはそれぞれ前記第1、第2
の負荷素子(R1、R2)に接続し、前記第3、第4の
トランジスタ(Q7、Q8)のエミッタに出力される第
1の信号を前記第2のトランジスタ(Q2)のベースに
、前記第5、第6のトランジスタ(Q9、Q10)のエ
ミッタに出力される第2の信号を前記第1のトランジス
タ(Q1)のベースに、それぞれ入力することを特徴と
するエミッタ結合形マルチバイブレータ。 2、請求項1に記載のエミッタ結合形マルチバイブレー
タにおいて、 それぞれのエミッタが前記第1、第2の負荷素子(R1
、R2)の一端に接続された第7、第8のトランジスタ
(Q5、Q6)を具備し、前記第7、第8のトランジス
タ(Q5、Q6)のそれぞれのベース、コレクタを前記
第1、第2の負荷素子(R1、R2)の他端に接続して
成ることを特徴とするエミッタ結合形マルチバイブレー
タ。 3、請求項1又は2に記載のエミッタ結合形マルチバイ
ブレータにおいて、 前記第2の電圧源(V1)と前記第3、第6のトランジ
スタ(Q1、Q2)の各ベースとの間と、前記第1の負
荷素子(R1)と前記第4のトランジスタ(Q8)のベ
ースとの間と、前記第2の負荷素子(R2)と前記第5
のトランジスタ(Q9)のベースとの間と、にそれぞれ
第1、第2、第3、第4のエミッタホロワ回路(Q11
−A7、Q12−A8、Q13−A9、Q14−A10
)を接続して成ることを特徴とするエミッタ結合形マル
チバイブレータ。[Claims] A capacitor (C1) is connected between the emitters of the first and second transistors (Q1, Q2), and each emitter is connected to a reference potential through a constant current source (A1, A2). A first and second load element (R
1, R2), and the first and second transistors (
In the astable multivibrator whose output is taken out from each base side of Q1, Q2), the emitters are interconnected and connected to the reference voltage via the constant current source (A5), the collectors are interconnected and A first differential pair consisting of third and fourth transistors (Q7, Q8) connected to the first voltage source (VCC) and whose emitters are interconnected and connected via a constant current source (A6). a fifth, whose collectors are interconnected and connected to the first voltage source (VCC);
A second differential pair consisting of a sixth transistor (Q9, Q10) and a second voltage source (V1) are provided;
The bases of the transistors (Q7, Q10) are both connected to the second voltage source (V1), and the bases of the fourth and fourth transistors (Q8, Q9) are connected to the first and second voltage sources, respectively.
The first signal connected to the load element (R1, R2) and output to the emitters of the third and fourth transistors (Q7, Q8) is connected to the base of the second transistor (Q2). 5. An emitter-coupled multivibrator, characterized in that the second signal output to the emitters of the sixth transistors (Q9, Q10) is input to the bases of the first transistor (Q1), respectively. 2. The emitter-coupled multivibrator according to claim 1, wherein each emitter is connected to the first and second load elements (R1
, R2), the respective bases and collectors of the seventh and eighth transistors (Q5, Q6) are connected to the first and eighth transistors (Q5, Q6). An emitter-coupled multivibrator characterized in that it is connected to the other ends of two load elements (R1, R2). 3. The emitter-coupled multivibrator according to claim 1 or 2, wherein between the second voltage source (V1) and each base of the third and sixth transistors (Q1, Q2), between the first load element (R1) and the base of the fourth transistor (Q8), and between the second load element (R2) and the fifth
between the base of the transistor (Q9) and the first, second, third, and fourth emitter follower circuits (Q11), respectively.
-A7, Q12-A8, Q13-A9, Q14-A10
) is connected to the emitter-coupled multivibrator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6101489A JPH02241219A (en) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Emitter coupling type multivibrator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6101489A JPH02241219A (en) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Emitter coupling type multivibrator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02241219A true JPH02241219A (en) | 1990-09-25 |
Family
ID=13159049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6101489A Pending JPH02241219A (en) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Emitter coupling type multivibrator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02241219A (en) |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP6101489A patent/JPH02241219A/en active Pending
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