JPH02241219A - エミッタ結合形マルチバイブレータ - Google Patents
エミッタ結合形マルチバイブレータInfo
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- JPH02241219A JPH02241219A JP6101489A JP6101489A JPH02241219A JP H02241219 A JPH02241219 A JP H02241219A JP 6101489 A JP6101489 A JP 6101489A JP 6101489 A JP6101489 A JP 6101489A JP H02241219 A JPH02241219 A JP H02241219A
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- transistors
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- emitter
- emitters
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、IC化に好適なエミッタ結合形マルチバイブ
レータに関する。
レータに関する。
従来のエミッタ結合形マルチバイブレータの一例を第8
図に示す。同図においてQ1〜Q6はトランジスタ、C
1は容量、R1,R2は抵抗、A1−A4は電流源、V
CCは電圧源、T1、T2は出力端子である。トランジ
スタQ1、Q2のエミッタ間には容量C1が接続され、
トランジスタQ1、Q2のコレクタはそれぞれ抵抗R1
,R2を介して電圧源vCCに接続されると共に、トラ
ンジスタQ5.Q6のエミッタおよびトランジスタQ3
.Q4のベースにそれぞれ接続される。トランジスタQ
5.Q6のベース、コレクタは電圧源vCCに接続され
、トランジスタQ3.Q4のコレクタも電圧源vCCに
接続される。トランジスタQ3のエミッタは電圧源A3
を介して接地されると共にトランジスタQ2のベースお
よび出力゛3 端子T1にそれぞれ接続され、トランジスタQ4のエミ
ッタは電流源A4を介して接地されると共にトランジス
タQ1のベースおよび出力端子T2にそれぞれ接地され
る。また、トランジスタQl。
図に示す。同図においてQ1〜Q6はトランジスタ、C
1は容量、R1,R2は抵抗、A1−A4は電流源、V
CCは電圧源、T1、T2は出力端子である。トランジ
スタQ1、Q2のエミッタ間には容量C1が接続され、
トランジスタQ1、Q2のコレクタはそれぞれ抵抗R1
,R2を介して電圧源vCCに接続されると共に、トラ
ンジスタQ5.Q6のエミッタおよびトランジスタQ3
.Q4のベースにそれぞれ接続される。トランジスタQ
5.Q6のベース、コレクタは電圧源vCCに接続され
、トランジスタQ3.Q4のコレクタも電圧源vCCに
接続される。トランジスタQ3のエミッタは電圧源A3
を介して接地されると共にトランジスタQ2のベースお
よび出力゛3 端子T1にそれぞれ接続され、トランジスタQ4のエミ
ッタは電流源A4を介して接地されると共にトランジス
タQ1のベースおよび出力端子T2にそれぞれ接地され
る。また、トランジスタQl。
Q2のエミッタはそれぞれ電流源A1、A2を介して接
地されている。
地されている。
上記従来回路の動作については角田秀夫著“PLLの基
本と応用“ (東京電機大学出版局) pp78−80
および特開昭52−77565号公報などにおいて詳し
く述べられており、ここでの詳細な説明は省略し以下簡
単に説明する。
本と応用“ (東京電機大学出版局) pp78−80
および特開昭52−77565号公報などにおいて詳し
く述べられており、ここでの詳細な説明は省略し以下簡
単に説明する。
第8図において従来回路の発信周波数fは、電流源A1
、A2が供給する電流を共に等しくI。
、A2が供給する電流を共に等しくI。
とじ、容量C□の容量値をC1発発振出力振幅、■とす
れば下式で表わされる。
れば下式で表わされる。
f=−り一・・・・・・ (1)
CAV
ここで発振出力振幅、■は、第8図において負荷となる
抵抗R1,R2の両端に付加されたトランジスタQ5.
Q6により振幅制限される。すなわち“4 トランジスタQ5.Q6がダイオード動作する範囲にお
いては、トランジスタQ5.Q6のベース・エミッタ間
電圧をVBBとすればa V = V Bv となり上
記(1)式に代入して下式を得る。
抵抗R1,R2の両端に付加されたトランジスタQ5.
Q6により振幅制限される。すなわち“4 トランジスタQ5.Q6がダイオード動作する範囲にお
いては、トランジスタQ5.Q6のベース・エミッタ間
電圧をVBBとすればa V = V Bv となり上
記(1)式に代入して下式を得る。
f=−ムー・・・・・・ (2)
4 CVBx
〔発明が解決しようとする課題〕
周知のようにトランジスタのベース・エミッタ間電圧■
。は温度によって変動する。変動はおよそ一2mV/℃
である。すなわち上記(2)式から明白であるように第
8図に示した従来回路において発振周波数は温度が変化
すると変動してしまうという不都合を生じる。たとえば
温度が100 ’C上昇するとVBI!はおよそ0.7
Vから0,5Vに低下し発振周波数は+40%増加して
しまう。
。は温度によって変動する。変動はおよそ一2mV/℃
である。すなわち上記(2)式から明白であるように第
8図に示した従来回路において発振周波数は温度が変化
すると変動してしまうという不都合を生じる。たとえば
温度が100 ’C上昇するとVBI!はおよそ0.7
Vから0,5Vに低下し発振周波数は+40%増加して
しまう。
本発明の目的は、発振周波数が温度変化に対して安定な
エミッタ結合形マルチバイブレータを提供することにあ
る。
エミッタ結合形マルチバイブレータを提供することにあ
る。
第1図を参照して課題を解決するための基本的な手段に
ついて説明する。
ついて説明する。
第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)のエミッタ間
にコンデンサ(C1)を接続すると共に、その各エミッ
タを定電流源(A1、A2)を介して基準電位に接続し
、前記第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)の各コ
レクタに第1の電圧源(VCC)からコレクタ電流を供
給するその電流経路上に第1、第2の抵抗(R1,R2
)を接続し、前記第1、第2のトランジスタ(Q1、Q
2)の各ベース側から出力を取り出すようにした無安定
マルチバイブレータにおいて、 エミッタが相互接続されると共に定電流源(A5)を介
して基準電位に接続され、コレクタが相互接続されると
共に前記第1の電圧源(VCC)に接続された第3、第
4のトランジスタ(Q7.Q8)から成る第1の差動対
と、エミッタが相互接続されると共に定電流源(八6)
を介して基準電位に接続され、コレクタが相互接続され
ると共に前記第1の電圧源(VCC)に接続された第5
、第6のトランジスタ(Q9、Q10)から成る第2の
差動対と、第2の電圧源(■1)を設け、前記第3、第
6のトランジスタ(Q7、Q10)のベースは共に前記
第2の電圧源(V1)に接続し、前記第4、第5のトラ
ンジスタ(Q8.Q9)のベースはそれぞれ前記第1、
第2の抵抗(R1゜R2)に接続し、前記第3、第4の
トランジスタ(Q7.Q8)のエミッタに出力される第
1の信号を前記第2の1−ランジスタ(Q2)のベース
に、前記第5、第6のトランジスタ(Q9、Q10)の
エミッタに出力される第2の信号を前記第1のトランジ
スタ(Q1)のベースに、それぞれ入力するようにした
エミッタ結合形マルチバイブレータが、課題を解決する
ための基本的な手段であり、これによって上記目的が達
成される。
にコンデンサ(C1)を接続すると共に、その各エミッ
タを定電流源(A1、A2)を介して基準電位に接続し
、前記第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)の各コ
レクタに第1の電圧源(VCC)からコレクタ電流を供
給するその電流経路上に第1、第2の抵抗(R1,R2
)を接続し、前記第1、第2のトランジスタ(Q1、Q
2)の各ベース側から出力を取り出すようにした無安定
マルチバイブレータにおいて、 エミッタが相互接続されると共に定電流源(A5)を介
して基準電位に接続され、コレクタが相互接続されると
共に前記第1の電圧源(VCC)に接続された第3、第
4のトランジスタ(Q7.Q8)から成る第1の差動対
と、エミッタが相互接続されると共に定電流源(八6)
を介して基準電位に接続され、コレクタが相互接続され
ると共に前記第1の電圧源(VCC)に接続された第5
、第6のトランジスタ(Q9、Q10)から成る第2の
差動対と、第2の電圧源(■1)を設け、前記第3、第
6のトランジスタ(Q7、Q10)のベースは共に前記
第2の電圧源(V1)に接続し、前記第4、第5のトラ
ンジスタ(Q8.Q9)のベースはそれぞれ前記第1、
第2の抵抗(R1゜R2)に接続し、前記第3、第4の
トランジスタ(Q7.Q8)のエミッタに出力される第
1の信号を前記第2の1−ランジスタ(Q2)のベース
に、前記第5、第6のトランジスタ(Q9、Q10)の
エミッタに出力される第2の信号を前記第1のトランジ
スタ(Q1)のベースに、それぞれ入力するようにした
エミッタ結合形マルチバイブレータが、課題を解決する
ための基本的な手段であり、これによって上記目的が達
成される。
前記第3、第4のトランジスタ(Q7.Q8)より成る
差動対は、前記第1の抵抗(R1)に発生する発振信号
を振幅制限し前記第2のトランジスタ(Q2)のベース
に出力する。
差動対は、前記第1の抵抗(R1)に発生する発振信号
を振幅制限し前記第2のトランジスタ(Q2)のベース
に出力する。
また、前記第5、第6のトランジスタ(Q9、Q10)
より成る差動対も、前記第2の抵抗(R2)に発生する
発振信号を振幅制限し前記第1のトランジスタ(Q1)
のベースに出力する。つまり、前記第4.第5のトラン
ジスタ(Q8.Q9)のベース電位が前記第1の電圧源
(VCC)の電位vCCと同電位で最大となったとき、
前記第3゜第6のトランジスタ(Q7、Q10)はオフ
状態となり前記第1.第2の1−ランジスタ(Q1、Q
2)のベース電位VsHは下式で表わされる。
より成る差動対も、前記第2の抵抗(R2)に発生する
発振信号を振幅制限し前記第1のトランジスタ(Q1)
のベースに出力する。つまり、前記第4.第5のトラン
ジスタ(Q8.Q9)のベース電位が前記第1の電圧源
(VCC)の電位vCCと同電位で最大となったとき、
前記第3゜第6のトランジスタ(Q7、Q10)はオフ
状態となり前記第1.第2の1−ランジスタ(Q1、Q
2)のベース電位VsHは下式で表わされる。
Val(= Vcc VBg−−(3)また逆に、前
記第4.第5のトランジスタ(Q8、Q9)のベース電
位が前記第2の電圧源(V1)の電位■1以下となった
とき前記第4.第5のトランジスタ(Q8.Q9)がオ
フ状態となり前記第1.第2のトランジスタ(Q1、Q
2)のベース電位は下式で表わされる。
記第4.第5のトランジスタ(Q8、Q9)のベース電
位が前記第2の電圧源(V1)の電位■1以下となった
とき前記第4.第5のトランジスタ(Q8.Q9)がオ
フ状態となり前記第1.第2のトランジスタ(Q1、Q
2)のベース電位は下式で表わされる。
V3L=V I VnE・=−(4)よって前記第1
.第2のトランジスタ(Ql。
.第2のトランジスタ(Ql。
Q2)のベースに出力される発振出力振幅AVは下記で
表わされる。
表わされる。
° 8 。
ΔV=Vcc−V、 ・・・・・・(5)すなわち、
発振出力振幅は温度が変化しても増減せず上記(1)式
からも明白なように発振周波数を温度変化に対して安定
化することができる。
発振出力振幅は温度が変化しても増減せず上記(1)式
からも明白なように発振周波数を温度変化に対して安定
化することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
第1図は本発明によるエミッタ結合形マルチバイブレー
タの一実施例を示す回路図であり、第8図に示す従来回
路と同一のもの、または同一機能のものには同じ符号を
つけてその詳細な説明は省略する。
タの一実施例を示す回路図であり、第8図に示す従来回
路と同一のもの、または同一機能のものには同じ符号を
つけてその詳細な説明は省略する。
第1図においてQ7〜Q10はトランジスタ、A5.A
6は電流源、vlは電圧源である。トランジスタQ7.
Q8はエミッタが共通接続されて差動対を構成し、その
エミッタは電流源A5を介してアースに接続されると共
に出力端子T1とトランジスタQ2のベースにも接続さ
れる。トランジスタQ9、Q10はエミッタが共通接続
されて、差動対を構成し、そのエミッタは電流源A6を
介してアースに接続されると共に出力端子T2とトラン
ジスタQ1のベースにも接続される。トランジスタQ8
.Q9のベースはそれぞれ抵抗R1゜R2に接続され、
トランジスタQ7、Q10のベースは共に電圧源■1に
接続される。トランジスタQ7.QB、Q9、Q10の
コレクタは共に電圧源vccに接続される。
6は電流源、vlは電圧源である。トランジスタQ7.
Q8はエミッタが共通接続されて差動対を構成し、その
エミッタは電流源A5を介してアースに接続されると共
に出力端子T1とトランジスタQ2のベースにも接続さ
れる。トランジスタQ9、Q10はエミッタが共通接続
されて、差動対を構成し、そのエミッタは電流源A6を
介してアースに接続されると共に出力端子T2とトラン
ジスタQ1のベースにも接続される。トランジスタQ8
.Q9のベースはそれぞれ抵抗R1゜R2に接続され、
トランジスタQ7、Q10のベースは共に電圧源■1に
接続される。トランジスタQ7.QB、Q9、Q10の
コレクタは共に電圧源vccに接続される。
次に本実施例の動作について説明する。第2図に第1図
の回路における各部信号波形を示す。同図においてVQ
8BはトランジスタQ8のベース電位を、VQ2Bはト
ランジスタQ2のベース電位を、横軸tは時間をそれぞ
れ表わす。以下、第2図を用い第1図の回路の動作説明
を行なう。なお説明の簡略化のため以下電流源A1、A
2の電流は共に等しく■。であるとして動作説明を行な
う。
の回路における各部信号波形を示す。同図においてVQ
8BはトランジスタQ8のベース電位を、VQ2Bはト
ランジスタQ2のベース電位を、横軸tは時間をそれぞ
れ表わす。以下、第2図を用い第1図の回路の動作説明
を行なう。なお説明の簡略化のため以下電流源A1、A
2の電流は共に等しく■。であるとして動作説明を行な
う。
トランジスタQ8のベースには抵抗R1に発生する発振
信号が印加される。この発振信号振幅の上限電圧はVc
cであり振幅はトランジスタQ2がオフし抵抗R1に電
流源A1、A2の電流和2・■。が流れたとときの電圧
降下となる。一方、トランジスタQ7.Q8.電流源A
5.電圧源v1は前記発振信号振幅の下限値を制限しト
ランジスタQ2のベースに出力する。すなわち、トラン
ジスタQ8のベース電位が電圧源V c aであった場
合トランジスタQ7はオフしトランジスタQ2のベース
電位は■cc−■B□8となる。ここでvnpaはトラ
ンジスタQ8のベース・エミッタ間電圧である。また、
トランジスタQ8のベース電位が低下し電圧源v1の電
圧■、より下がるとトランジスタQ8はオフしトランジ
スタQ2のベース電位は■1V n E ?に制限され
これ以下の電位にはならない。
信号が印加される。この発振信号振幅の上限電圧はVc
cであり振幅はトランジスタQ2がオフし抵抗R1に電
流源A1、A2の電流和2・■。が流れたとときの電圧
降下となる。一方、トランジスタQ7.Q8.電流源A
5.電圧源v1は前記発振信号振幅の下限値を制限しト
ランジスタQ2のベースに出力する。すなわち、トラン
ジスタQ8のベース電位が電圧源V c aであった場
合トランジスタQ7はオフしトランジスタQ2のベース
電位は■cc−■B□8となる。ここでvnpaはトラ
ンジスタQ8のベース・エミッタ間電圧である。また、
トランジスタQ8のベース電位が低下し電圧源v1の電
圧■、より下がるとトランジスタQ8はオフしトランジ
スタQ2のベース電位は■1V n E ?に制限され
これ以下の電位にはならない。
ここでV B E ?はトランジスタQ7のベース・エ
ミッタ間電圧であり、トランジスタQ7.Q8が同一構
造であればV Bl!? = V BEEである。よっ
てトランジスタQ2のベースに入力される発振信号の振
幅。
ミッタ間電圧であり、トランジスタQ7.Q8が同一構
造であればV Bl!? = V BEEである。よっ
てトランジスタQ2のベースに入力される発振信号の振
幅。
■は、 aV=Vcc−V、となり、この振幅電圧は温
度変化しない。又、トランジスタQ9、Q109電流源
A6の動作については以上の動作説明から明白であり、
トランジスタQ1のベースには同様に振幅が温度変化し
ない発振信号が入力される。よって上記(1)式から明
白であるように、’11 本実施例によれば、発振周波数が温度変化に対して安定
化できる効果がある。
度変化しない。又、トランジスタQ9、Q109電流源
A6の動作については以上の動作説明から明白であり、
トランジスタQ1のベースには同様に振幅が温度変化し
ない発振信号が入力される。よって上記(1)式から明
白であるように、’11 本実施例によれば、発振周波数が温度変化に対して安定
化できる効果がある。
次に本発明による他の実施例について第3図以下順次説
明しておくが各回において先に第8図。
明しておくが各回において先に第8図。
第1図、第2図にて示したものと同\もしくは同一機能
のものには同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する
。
のものには同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する
。
第3図は本発明の他の実施例、第4図は第3図に示した
回路における各部信号波形を示す。同図においてV!l
E5は1ヘランジスタQ5のベース・エミッタ間電圧を
示す。以下、本実施例の動作を説明する。トランジスタ
Q8のベースには抵抗R1に発生する発振信号が印加さ
れる。抵抗R1には並列にダイオード接続されたトラン
ジスタQ5が接続されている。このため発振信号振幅は
トランジスタQ5のベース・エミッタ間電圧V B E
5を越えることはない。すなわち、トランジスタQ1
のコレクタ電圧はVcc VBE5以下になることが
ない。よって抵抗R1の抵抗値、電流源A1、A2の電
流値が任意な値であっても良く、トランジ°12 。
回路における各部信号波形を示す。同図においてV!l
E5は1ヘランジスタQ5のベース・エミッタ間電圧を
示す。以下、本実施例の動作を説明する。トランジスタ
Q8のベースには抵抗R1に発生する発振信号が印加さ
れる。抵抗R1には並列にダイオード接続されたトラン
ジスタQ5が接続されている。このため発振信号振幅は
トランジスタQ5のベース・エミッタ間電圧V B E
5を越えることはない。すなわち、トランジスタQ1
のコレクタ電圧はVcc VBE5以下になることが
ない。よって抵抗R1の抵抗値、電流源A1、A2の電
流値が任意な値であっても良く、トランジ°12 。
スタQ1のコレクタ・ベース間電圧が逆バイアスされ動
作不良することがない。すなわち、設計自由度が高い。
作不良することがない。すなわち、設計自由度が高い。
一方、電圧源■1の電圧v1は前記リミット電圧V c
c VBE5より高い電位に設定する。これにより
トランジスタQ2のベースに印加される発振信号の振幅
電圧、■は、第1図に示した実施例と同様、Vcc−V
、となり温度変化しないことは明白である。
c VBE5より高い電位に設定する。これにより
トランジスタQ2のベースに印加される発振信号の振幅
電圧、■は、第1図に示した実施例と同様、Vcc−V
、となり温度変化しないことは明白である。
すなわち、本実施例によれば、設計自由度が高く多用途
に適応できる効果がある。
に適応できる効果がある。
次に第5図に示す本発明によるその他の実施例について
説明する。第5図において、Q11〜Q18はトランジ
スタ、A7〜A10は電流源である。トランジスタQ1
1のエミッタは電流源A7を介して接地されると共にト
ランジスタQ7のベースに接続される。トランジスタQ
12.Q13゜Q14のエミッタはそれぞれ電流源A8
.A9゜A10を介して接地され、さらにそれぞれトラ
ンジスタQ8.Q9、Q10のベースに接続される。
説明する。第5図において、Q11〜Q18はトランジ
スタ、A7〜A10は電流源である。トランジスタQ1
1のエミッタは電流源A7を介して接地されると共にト
ランジスタQ7のベースに接続される。トランジスタQ
12.Q13゜Q14のエミッタはそれぞれ電流源A8
.A9゜A10を介して接地され、さらにそれぞれトラ
ンジスタQ8.Q9、Q10のベースに接続される。
トランジスタQ11、Q14のベースは共に電圧源■1
に接続され、トランジスタQ12.Q13のベースはそ
れぞれ抵抗R1,R2に接続される。
に接続され、トランジスタQ12.Q13のベースはそ
れぞれ抵抗R1,R2に接続される。
トランジスタQ11、Q12.Q13.Ql4のコレク
タは共に電圧源Vccに接続される。トランジスタQ1
5.Q17のコレクタ、ベースは共に■CCに接続され
る。トランジスタ016のコレクタ、ベースは共にトラ
ンジスタQ15のエミッタに接続され、トランジスタQ
18のコレクタ。
タは共に電圧源Vccに接続される。トランジスタQ1
5.Q17のコレクタ、ベースは共に■CCに接続され
る。トランジスタ016のコレクタ、ベースは共にトラ
ンジスタQ15のエミッタに接続され、トランジスタQ
18のコレクタ。
ベースは共にトランジスタQ17のエミッタに接続され
、トランジスタQ16.Q18のエミッタはそれぞれ抵
抗R1,R2に接続させる。
、トランジスタQ16.Q18のエミッタはそれぞれ抵
抗R1,R2に接続させる。
第6図は第5図に示した回路における各部信号波形を示
す。同図においてVQ12BはトランジスタQ12のベ
ース電位を示す。また、v11EI□。
す。同図においてVQ12BはトランジスタQ12のベ
ース電位を示す。また、v11EI□。
V B E 12 t V B E 15 t V B
E t sはそれぞれトランジスタQ11、Q12.
Q15.Ql6のベース・エミッタ間電圧を示す。以下
、本実施例の動作を説明する。
E t sはそれぞれトランジスタQ11、Q12.
Q15.Ql6のベース・エミッタ間電圧を示す。以下
、本実施例の動作を説明する。
トランジスタQ11、Q12.Q13.Ql4と電流源
A7.A8.A9.A10とはそれぞれエミッタホロア
を構成する。また、トランジスタQ15.Q16とトラ
ンジスタQ17.Q18とはそれぞれR1,R2に出力
される発振振幅の制限を行ない、トランジスタQ1、Q
2のコレクタ・ベース間電圧が逆バイアスになるのを防
止する。
A7.A8.A9.A10とはそれぞれエミッタホロア
を構成する。また、トランジスタQ15.Q16とトラ
ンジスタQ17.Q18とはそれぞれR1,R2に出力
される発振振幅の制限を行ない、トランジスタQ1、Q
2のコレクタ・ベース間電圧が逆バイアスになるのを防
止する。
すなわち、第1図、第3図に示した実施例の動作説明か
ら明らかなように、本実施例においても設計自由度が高
く、かつ、発振周波数は温度変化に対して安定である。
ら明らかなように、本実施例においても設計自由度が高
く、かつ、発振周波数は温度変化に対して安定である。
一方、発振周波数の高速化を考える。この場合抵抗R1
とその寄生容量との時定数が支配的となる。ここでトラ
ンジスタQ8はそのベース電位によりオン・オフを繰り
返すが、一般にトランジスタはオフのときベース・エミ
ッタ間容量が急激に増加することは周知である。すなわ
ちトランジスタQ8のベースと抵抗R1が直接接続され
た場合、発振器の高速化が困難となる。本実施例におい
てはトランジスタQ8のベースと抵抗R1の間にトラン
ジスタQ12で構成されるエミッタホロアが接続されて
おりトランジスタQ8がオフした場合のベース・エミッ
タ間容量が抵抗R1どの時定数に与える影響はトランジ
スタQ12の電流増幅率をhfeとすると 1 / h
f eに低減する。
とその寄生容量との時定数が支配的となる。ここでトラ
ンジスタQ8はそのベース電位によりオン・オフを繰り
返すが、一般にトランジスタはオフのときベース・エミ
ッタ間容量が急激に増加することは周知である。すなわ
ちトランジスタQ8のベースと抵抗R1が直接接続され
た場合、発振器の高速化が困難となる。本実施例におい
てはトランジスタQ8のベースと抵抗R1の間にトラン
ジスタQ12で構成されるエミッタホロアが接続されて
おりトランジスタQ8がオフした場合のベース・エミッ
タ間容量が抵抗R1どの時定数に与える影響はトランジ
スタQ12の電流増幅率をhfeとすると 1 / h
f eに低減する。
すなわち、本実施例によれば、発振周波数を高めること
が容易になるという効果がある。
が容易になるという効果がある。
次に第7図に示す本発明によるその他の実施例について
説明する。第7図において、Q1、9〜Q22はトラン
ジスタ、A11〜A13は電流源である。トランジスタ
Q19.Q20はエミッタが共通接続され差動対を構成
し、そのエミッタは電流源A11を介して接地されてい
る。また、トランジスタQ、19.Q20のコレクタは
それぞれトランジスタQ1、Q2のエミッタに接続され
ている。トランジスタQ21のコレクタ・ベースは共に
トランジスタQ2のベースに接続され、そのエミッタは
、電流源A12を介して接地されると共にトランジスタ
Q19のベースに接続される。さらに、トランジスタQ
22のコレクタ・ベースは共にトランジスタQ1のベー
スに接続され、そのエミッタは、電流源A13を介して
接地されると共にトランジスタQ20のベースに接続さ
れる。
説明する。第7図において、Q1、9〜Q22はトラン
ジスタ、A11〜A13は電流源である。トランジスタ
Q19.Q20はエミッタが共通接続され差動対を構成
し、そのエミッタは電流源A11を介して接地されてい
る。また、トランジスタQ、19.Q20のコレクタは
それぞれトランジスタQ1、Q2のエミッタに接続され
ている。トランジスタQ21のコレクタ・ベースは共に
トランジスタQ2のベースに接続され、そのエミッタは
、電流源A12を介して接地されると共にトランジスタ
Q19のベースに接続される。さらに、トランジスタQ
22のコレクタ・ベースは共にトランジスタQ1のベー
スに接続され、そのエミッタは、電流源A13を介して
接地されると共にトランジスタQ20のベースに接続さ
れる。
本実施例においては、電流源A11の電流IQをトラン
ジスタQ19.Q20より成る差動対により切り換え、
容量C1の充放電を行なうようにしたものである。本実
施例においても発振周波数fは上記(1)式と同様で下
式で表わされる。
ジスタQ19.Q20より成る差動対により切り換え、
容量C1の充放電を行なうようにしたものである。本実
施例においても発振周波数fは上記(1)式と同様で下
式で表わされる。
しかし、本実施例において電流源は1つでよく。
前記実施例に比べ■。たけ少ない電流で同じ発振周波数
を得ることができる。
を得ることができる。
すなわち、本実施例しこよれば低消費電力化が容易にな
るという効果がある。
るという効果がある。
本発明によれば、エミッタ結合形マルチバイブレータの
発振周波数を温度変化に対して安定化することができる
効果がある。
発振周波数を温度変化に対して安定化することができる
効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図に示す実施例の信号波形図、第3図は本発明の他の実
施例を示す回路図、第4図は第3図に示す実施例の信号
波形図、第5図は本発明の更に別の実施例を示す回路図
、第6は第5図に示す実施例の信号波形図、第7図は本
発明のなお更に他の実施例を示す回路図、第8図はマル
チバイブレータ回路の従来例を示す回路図である。 Q1〜Q22・・・トランジスタ。 R1,R2・・・抵抗。 C1・・・容量。 A1−A13・・・電流源。 Vcc、Vl・・・電圧源。
図に示す実施例の信号波形図、第3図は本発明の他の実
施例を示す回路図、第4図は第3図に示す実施例の信号
波形図、第5図は本発明の更に別の実施例を示す回路図
、第6は第5図に示す実施例の信号波形図、第7図は本
発明のなお更に他の実施例を示す回路図、第8図はマル
チバイブレータ回路の従来例を示す回路図である。 Q1〜Q22・・・トランジスタ。 R1,R2・・・抵抗。 C1・・・容量。 A1−A13・・・電流源。 Vcc、Vl・・・電圧源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)のエミッ
タ間にコンデンサ(C1)を接続すると共に、その各エ
ミッタを定電流源(A1、A2)を介して基準電位に接
続し、前記第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)の
各コレクタに第1の電圧源(VCC)からコレクタ電流
を供給するその電流経路上に第1、第2の負荷素子(R
1、R2)を接続し、前記第1、第2のトランジスタ(
Q1、Q2)の各ベース側から出力を取り出すようにし
た無安定マルチバイブレータにおいて、 エミッタが相互接続されると共に定電流源(A5)を介
して基準電圧に接続され、コレクタが相互接続されると
共に前記第1の電圧源(VCC)に接続された第3、第
4のトランジスタ(Q7、Q8)から成る第1の差動対
と、 エミッタが相互接続されると共に定電流源(A6)を介
して基準電位に接続され、コレクタが相互接続されると
共に、前記第1の電圧源(VCC)に接続された第5、
第6のトランジスタ(Q9、Q10)から成る第2の差
動対と、第2の電圧源(V1)を設け、前記第3、第6
のトランジスタ(Q7、Q10)のベースは共に前記第
2の電圧源(V1)に接続し、前記第4、第のトランジ
スタ(Q8、Q9)のベースはそれぞれ前記第1、第2
の負荷素子(R1、R2)に接続し、前記第3、第4の
トランジスタ(Q7、Q8)のエミッタに出力される第
1の信号を前記第2のトランジスタ(Q2)のベースに
、前記第5、第6のトランジスタ(Q9、Q10)のエ
ミッタに出力される第2の信号を前記第1のトランジス
タ(Q1)のベースに、それぞれ入力することを特徴と
するエミッタ結合形マルチバイブレータ。 2、請求項1に記載のエミッタ結合形マルチバイブレー
タにおいて、 それぞれのエミッタが前記第1、第2の負荷素子(R1
、R2)の一端に接続された第7、第8のトランジスタ
(Q5、Q6)を具備し、前記第7、第8のトランジス
タ(Q5、Q6)のそれぞれのベース、コレクタを前記
第1、第2の負荷素子(R1、R2)の他端に接続して
成ることを特徴とするエミッタ結合形マルチバイブレー
タ。 3、請求項1又は2に記載のエミッタ結合形マルチバイ
ブレータにおいて、 前記第2の電圧源(V1)と前記第3、第6のトランジ
スタ(Q1、Q2)の各ベースとの間と、前記第1の負
荷素子(R1)と前記第4のトランジスタ(Q8)のベ
ースとの間と、前記第2の負荷素子(R2)と前記第5
のトランジスタ(Q9)のベースとの間と、にそれぞれ
第1、第2、第3、第4のエミッタホロワ回路(Q11
−A7、Q12−A8、Q13−A9、Q14−A10
)を接続して成ることを特徴とするエミッタ結合形マル
チバイブレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6101489A JPH02241219A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | エミッタ結合形マルチバイブレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6101489A JPH02241219A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | エミッタ結合形マルチバイブレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02241219A true JPH02241219A (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=13159049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6101489A Pending JPH02241219A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | エミッタ結合形マルチバイブレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02241219A (ja) |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP6101489A patent/JPH02241219A/ja active Pending
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