JPH02241680A - マイクロストリップ線路サーキット - Google Patents
マイクロストリップ線路サーキットInfo
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- JPH02241680A JPH02241680A JP6129589A JP6129589A JPH02241680A JP H02241680 A JPH02241680 A JP H02241680A JP 6129589 A JP6129589 A JP 6129589A JP 6129589 A JP6129589 A JP 6129589A JP H02241680 A JPH02241680 A JP H02241680A
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- Japan
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- copper
- metal
- ceramics
- ceramic
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- Ceramic Products (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、銅とセラミックとの直接接合の改良に係り
、特に銅層を含む積層複合金属とセラミックとの接合構
造及びその接合構造を用いたマイクロストリップ線路サ
ーキュレータに関する。
、特に銅層を含む積層複合金属とセラミックとの接合構
造及びその接合構造を用いたマイクロストリップ線路サ
ーキュレータに関する。
（従来の技術）
一般に、銅等の金属にセラミックを接合しようとする場
合には、まず、セラミックにその金属の粉末を焼結させ
、その焼結面にその金属を銀ろうあるいははんだ等によ
り接合させている。
合には、まず、セラミックにその金属の粉末を焼結させ
、その焼結面にその金属を銀ろうあるいははんだ等によ
り接合させている。
また、最近は銅とセラミックを接合するのに、銅にセラ
ミックを密着させた状態で、直接接合することも行われ
るようになった。
ミックを密着させた状態で、直接接合することも行われ
るようになった。
即ち、密着状態の鋼とセラミックを、適度な酸素濃度を
存する不活性ガス（例えば窒素ガス等）中で加熱し、鋼
の表面とその雰囲気中の酸素及びセラミック中の酸素と
の結合により酸化鋼を形成させ、引続き酸化銅の溶融温
度程度に保つことにより、銅の表面だけ活性化され、鋼
とセラミックとが直接接合されるものである。
存する不活性ガス（例えば窒素ガス等）中で加熱し、鋼
の表面とその雰囲気中の酸素及びセラミック中の酸素と
の結合により酸化鋼を形成させ、引続き酸化銅の溶融温
度程度に保つことにより、銅の表面だけ活性化され、鋼
とセラミックとが直接接合されるものである。
この直接接合によれば、セラミックに金属粉末を焼結さ
せる工程が省略できるとともに、銀ろうやはんだ等の他
の金属による接合材層を介在させることがないので、セ
ラミックがら銅への熱伝導特性が改善される。このこと
がら、第３図に示すような、銅ｌとセラミック２との直
接接合構造は半導体チップのキャリア基板やマイクロ波
集積回路基板として使用されている。
せる工程が省略できるとともに、銀ろうやはんだ等の他
の金属による接合材層を介在させることがないので、セ
ラミックがら銅への熱伝導特性が改善される。このこと
がら、第３図に示すような、銅ｌとセラミック２との直
接接合構造は半導体チップのキャリア基板やマイクロ波
集積回路基板として使用されている。
しかしながら、第３図に示す構造では、銅ｌは、元来曲
げ等の機械的強度が弱い上に、接合過程で１０００℃以
上の温度により焼鈍されると、より一層機械的な強度が
低下し、基板構造体としての使用上に問題があった。
げ等の機械的強度が弱い上に、接合過程で１０００℃以
上の温度により焼鈍されると、より一層機械的な強度が
低下し、基板構造体としての使用上に問題があった。
そこで、従来は第４図に示すように、銅１とセラミック
２との直接接合後に、機械的強度の補強用として、異種
の他の金属３板を銀ろうやはんだ。
２との直接接合後に、機械的強度の補強用として、異種
の他の金属３板を銀ろうやはんだ。
あるいは導電性接着剤４等により接合させていた。
銅１と他の金属３との接合のため銀ろう付けやはんだ付
けという新たな製造工程を必要とし、再度高温炉に入れ
たり、接合に使用されるフラックスの処理等後工程を必
要とする等製造が面倒であった。
けという新たな製造工程を必要とし、再度高温炉に入れ
たり、接合に使用されるフラックスの処理等後工程を必
要とする等製造が面倒であった。
また、第３図ないし第４図に示す接合構造体において、
セラミック２にフェライトを使用し、マイクロストリッ
プ線路サーキュレータでの接地導体として用いていたが
、同様に製造工程が複雑化するという理由で、改善が要
望されていた。
セラミック２にフェライトを使用し、マイクロストリッ
プ線路サーキュレータでの接地導体として用いていたが
、同様に製造工程が複雑化するという理由で、改善が要
望されていた。
（発明が解決しようとする課題）
従来、銅とセラミックスとの接合において、機械的強度
を補強するため、接合後に新たに他の金属補強材を接合
させるので、その接合に際しては、銀ろう付けやはんだ
付は等の接合材を使用した別工程が加わることとなり、
製造工程が複雑化するという欠点があった。
を補強するため、接合後に新たに他の金属補強材を接合
させるので、その接合に際しては、銀ろう付けやはんだ
付は等の接合材を使用した別工程が加わることとなり、
製造工程が複雑化するという欠点があった。
そこで、第１の発明は、簡単な工程により、機械的強度
をも満足させ得る銅とセラミックとの接合構造を提供す
ることを目的とする。
をも満足させ得る銅とセラミックとの接合構造を提供す
ることを目的とする。
第２の発明は、第１の発明による接合構造を使用して、
製造容品なマイクロストリップ線路サーキュレータを提
供することを目的とする。
製造容品なマイクロストリップ線路サーキュレータを提
供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
第１の発明は、銅とセラミックとが所定の酸素濃度を有
する高温加熱雰囲気中で直接接合されてなる金属とセラ
ミックとの接合構造において、銅層の一方の面に予め他
の金属層が接合形成され、他方の面に前記セラミックが
直接接合されたことを特徴とする。
する高温加熱雰囲気中で直接接合されてなる金属とセラ
ミックとの接合構造において、銅層の一方の面に予め他
の金属層が接合形成され、他方の面に前記セラミックが
直接接合されたことを特徴とする。
第２の発明は、マイクロストリップ線路サーキュレータ
において、２つの銅層間に磁性体金属を介挿して形成さ
れた接地導体と、この接地導体の前記鋼層の他方の面に
直接接合されたフェライトと、このフェライトの他方の
面上に配置した中心導体及び磁石とから構成されたこと
を特徴とする。
において、２つの銅層間に磁性体金属を介挿して形成さ
れた接地導体と、この接地導体の前記鋼層の他方の面に
直接接合されたフェライトと、このフェライトの他方の
面上に配置した中心導体及び磁石とから構成されたこと
を特徴とする。
（作 用）
第１の発明は、銅層の一方の面に予め他の金属層を積層
形成し、この金属積層体の銅層表面にセラミックを直接
接合する構造としたので、実際には銅とセラミックとの
直接接合を主要工程とするだけで、機械的強度の優れた
銅とセラミックの接合体を製造することができる。
形成し、この金属積層体の銅層表面にセラミックを直接
接合する構造としたので、実際には銅とセラミックとの
直接接合を主要工程とするだけで、機械的強度の優れた
銅とセラミックの接合体を製造することができる。
予め形成される金属積層体は、銅の金属材料に対し、熱
膨張の等しい他の金属材例えばモリブデン等を選択する
ことにより、高温高圧のもとて圧着形成できる。従って
、この金属積層体は銅とセラミックとの高温加熱による
直接接合工程の前段階で予め容易に製造できる。
膨張の等しい他の金属材例えばモリブデン等を選択する
ことにより、高温高圧のもとて圧着形成できる。従って
、この金属積層体は銅とセラミックとの高温加熱による
直接接合工程の前段階で予め容易に製造できる。
第２の発明は、マイクロストリップ線路サーキュレータ
において、予め２つの銅層間に磁性体金属を介在させて
接地導体を形成した後、第１の発明と同様に、フェライ
トからなるセラミックを直接接合させ、そのフェライト
の上に中心導体及び磁石を配置させたものである。
において、予め２つの銅層間に磁性体金属を介在させて
接地導体を形成した後、第１の発明と同様に、フェライ
トからなるセラミックを直接接合させ、そのフェライト
の上に中心導体及び磁石を配置させたものである。
接地導体は第１の発明における金属積層体の構成の１つ
で、この接地導体にフェライトを直接接合させる工程の
中で容易に製造可能である。また、他の金属を選択し、
例えば磁性体金属を選択することにより、接地効果と同
時にシールド効果をも併せ持つと同時に、機械的強度の
保証された基板を持つサーキュレータを提供できるもの
である。
で、この接地導体にフェライトを直接接合させる工程の
中で容易に製造可能である。また、他の金属を選択し、
例えば磁性体金属を選択することにより、接地効果と同
時にシールド効果をも併せ持つと同時に、機械的強度の
保証された基板を持つサーキュレータを提供できるもの
である。
（実施例）
以下、この発明による実施例を図面を参照し、詳細に説
明する。なお、第３図ないし第４図に示したものと同一
構成には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
明する。なお、第３図ないし第４図に示したものと同一
構成には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
第１図は第１の発明による銅層を含む積層複合金属とセ
ラミックとの接合構造の一実施例を示す斜視図である。
ラミックとの接合構造の一実施例を示す斜視図である。
即ち、まず、銅１はモリブデン等の異種の他の金属３と
は予め高温高圧のもとて圧着接合されて積層複合金属５
が形成されている。他の金属３は、モリブデンのように
銅ｌの熱膨脹率と略等しい金属であることが望ましい。
は予め高温高圧のもとて圧着接合されて積層複合金属５
が形成されている。他の金属３は、モリブデンのように
銅ｌの熱膨脹率と略等しい金属であることが望ましい。
熱膨脹率が等しい他の金属３を選択することは、８２Ｈ
Ｉ複合金属５を形成するときはもとより、後の銅１とセ
ラミック２との直接接合に際しても、高温化のもとで銅
１と他の金属３との間で反り等が生じることが少なく良
好な接合体を得ることができる。
Ｉ複合金属５を形成するときはもとより、後の銅１とセ
ラミック２との直接接合に際しても、高温化のもとで銅
１と他の金属３との間で反り等が生じることが少なく良
好な接合体を得ることができる。
この圧着接合して得られた積層複合金属５は、適度な酸
素濃度を有する高温加熱の不活性ガスの雰囲気中で、セ
ラミック２と直接接合が行われる。
素濃度を有する高温加熱の不活性ガスの雰囲気中で、セ
ラミック２と直接接合が行われる。
直接接合は前述のように、雰囲気中の酸素及びセラミッ
ク中の酸素により銅１の表面が酸化され、その酸化鋼の
溶融温度付近の高温維持により、銅１の表面が活性化さ
れて行われる。なお、酸化鋼は銅自体よりも若干低い温
度で溶融される。
ク中の酸素により銅１の表面が酸化され、その酸化鋼の
溶融温度付近の高温維持により、銅１の表面が活性化さ
れて行われる。なお、酸化鋼は銅自体よりも若干低い温
度で溶融される。
また、積層複合金属５を構成するモリブデンの溶融温度
は２６１７℃と言われており、酸化銅の溶融温度より十
分高いので、モリブデンと銅との接合面がその直接接合
工程により影響を受けることはない。
は２６１７℃と言われており、酸化銅の溶融温度より十
分高いので、モリブデンと銅との接合面がその直接接合
工程により影響を受けることはない。
このように、この発明による接合構造によれば、銅１層
が予め他の金属３により積層複合されているので、機械
的強度が保持され、またその積層複合金属５は高温圧着
等により、セラミック２と銅ｌとの直接接合工程の前処
理工程で容易に形成できるものである。さらに、セラミ
ック２がこの積層複合金属５の銅１層と直接接合され、
従来のような、銀ろう層やはんだ層を介さないので、良
好な熱伝導が保証されるものである。
が予め他の金属３により積層複合されているので、機械
的強度が保持され、またその積層複合金属５は高温圧着
等により、セラミック２と銅ｌとの直接接合工程の前処
理工程で容易に形成できるものである。さらに、セラミ
ック２がこの積層複合金属５の銅１層と直接接合され、
従来のような、銀ろう層やはんだ層を介さないので、良
好な熱伝導が保証されるものである。
第２図は第２の発明によるマイクロストリップ線路サー
キュレータを示す斜視図である。
キュレータを示す斜視図である。
即ち、第１の発明の構成と同様に、まず２つの銅層１ａ
、 ｌｂ間に鉄等の磁性体金属３ａを挟み高温高圧下の
もとて直接接合され、接地導体５ａとしての積層複合金
属５が構成される。磁性体金属３ａにＣ−銖の他にニッ
ケルあるいはコバール（Ｃｏｖａｒ）等を使用すること
もできる。
、 ｌｂ間に鉄等の磁性体金属３ａを挟み高温高圧下の
もとて直接接合され、接地導体５ａとしての積層複合金
属５が構成される。磁性体金属３ａにＣ−銖の他にニッ
ケルあるいはコバール（Ｃｏｖａｒ）等を使用すること
もできる。
接地導体５ａの一方の銅層１ａ面には、第１の発明と同
様な手段で、セラミックの１種であるフェライト２ａが
直接接合され、フェライト２ａの表面には従来と同様に
、中心導体８及び磁石７がａｔされ、マイクロストリッ
プ線路サーキュレータが構成される。
様な手段で、セラミックの１種であるフェライト２ａが
直接接合され、フェライト２ａの表面には従来と同様に
、中心導体８及び磁石７がａｔされ、マイクロストリッ
プ線路サーキュレータが構成される。
なお、前記第１の発明でも同様であるが、鉄等の磁性体
金ｒＡ３ａは通常十分な機械的強度を持つので％ ｊｌ
ｌｉｌａ層は少なくともフェライト２ａ等を直接接合で
きる程度の厚さであればよい。
金ｒＡ３ａは通常十分な機械的強度を持つので％ ｊｌ
ｌｉｌａ層は少なくともフェライト２ａ等を直接接合で
きる程度の厚さであればよい。
接地導体５ａが第２図に示すように構成され、この磁性
体金属３ａを銅層１ａ、 ｌｂ間に介在させたことがら
いわゆ番サンドイッチ構造となり、反りが少なくまた必
要な機械的強度が得られるとともに、磁性体により磁石
７に対する整磁作用及びシールド作用を併せ持つ良好な
サーキュレータが得られる。
体金属３ａを銅層１ａ、 ｌｂ間に介在させたことがら
いわゆ番サンドイッチ構造となり、反りが少なくまた必
要な機械的強度が得られるとともに、磁性体により磁石
７に対する整磁作用及びシールド作用を併せ持つ良好な
サーキュレータが得られる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、鋼とセラミックとの
直接接合に際し、予め銅と他の金属との８３層複合金属
を形成したものを使用した結果、簡単な製造工程により
、必要な機械的強度を保持する接合構造が得られるとと
もに、これをマイクロストリップ線路サーキュレータに
適用して、更にその電気的特性の向上が図られ、実用に
際して、大きな効果が得られるものである。
直接接合に際し、予め銅と他の金属との８３層複合金属
を形成したものを使用した結果、簡単な製造工程により
、必要な機械的強度を保持する接合構造が得られるとと
もに、これをマイクロストリップ線路サーキュレータに
適用して、更にその電気的特性の向上が図られ、実用に
際して、大きな効果が得られるものである。
第１図は第１の発明による銅層を含む積層複合金属とセ
ラミックとの接合構造の一実施例を示す斜視図、第２図
は第２の発明による銅層を含む積層複合金属とセラミッ
クとの接合構造を用いたマイクロストリップ線路サーキ
ュレータの一実施例を示す斜視図、第３図は従来の銅と
セラミックとの接合構造を示す斜視図、第４図は同じ〈
従来の銅とセラミックとの接合構造に更に他の金属を接
合した状態を示す斜視図である。 ■・・・銅 ２・・・セラミック ２ａ・・・フェライト ３・・・他の金属 ３ａ・・・磁性体金属 ４・・・接合材 ５・・・積層複合金属 ５ａ・・・接地導体 Ｂ・・・中心導体 ７・・・磁石 １、鶴 代理人 弁理士 大 胡 典 夫
ラミックとの接合構造の一実施例を示す斜視図、第２図
は第２の発明による銅層を含む積層複合金属とセラミッ
クとの接合構造を用いたマイクロストリップ線路サーキ
ュレータの一実施例を示す斜視図、第３図は従来の銅と
セラミックとの接合構造を示す斜視図、第４図は同じ〈
従来の銅とセラミックとの接合構造に更に他の金属を接
合した状態を示す斜視図である。 ■・・・銅 ２・・・セラミック ２ａ・・・フェライト ３・・・他の金属 ３ａ・・・磁性体金属 ４・・・接合材 ５・・・積層複合金属 ５ａ・・・接地導体 Ｂ・・・中心導体 ７・・・磁石 １、鶴 代理人 弁理士 大 胡 典 夫
Claims (2)
- （１）銅とセラミックとが所定の酸素濃度を有する高温
加熱雰囲気中で直接接合されてなる金属とセラミックと
の接合構造において、銅層の一方の面に予め他の金属層
が接合形成され、他方の面に前記セラミックが直接接合
されたことを特徴とした銅層を含む積層複合金属とセラ
ミックとの接合構造。 - （２）２つの銅層間に磁性体金属を介挿して形成された
接地導体と、この接地導体の前記銅層の他方の面に直接
接合されたフェライトと、このフェライトの他方の面上
に配置した中心導体及び磁石とから構成されたことを特
徴とするマイクロストリップ線路サーキュレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061295A JP2823222B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | マイクロストリップ線路サーキット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061295A JP2823222B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | マイクロストリップ線路サーキット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02241680A true JPH02241680A (ja) | 1990-09-26 |
| JP2823222B2 JP2823222B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=13167061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1061295A Expired - Lifetime JP2823222B2 (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | マイクロストリップ線路サーキット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2823222B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001099225A1 (fr) * | 2000-06-23 | 2001-12-27 | Nec Corporation | Circulateur du type a substrat composite |
-
1989
- 1989-03-14 JP JP1061295A patent/JP2823222B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001099225A1 (fr) * | 2000-06-23 | 2001-12-27 | Nec Corporation | Circulateur du type a substrat composite |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2823222B2 (ja) | 1998-11-11 |
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Legal Events
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