JPH0884004A - 非可逆回路装置 - Google Patents
非可逆回路装置Info
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- JPH0884004A JPH0884004A JP21766794A JP21766794A JPH0884004A JP H0884004 A JPH0884004 A JP H0884004A JP 21766794 A JP21766794 A JP 21766794A JP 21766794 A JP21766794 A JP 21766794A JP H0884004 A JPH0884004 A JP H0884004A
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Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装時の熱処理温度、特に半田付け温度に充
分に耐え得る耐熱性を有し、かつ、安価な非可逆回路装
置を提供する。 【構成】 フェリ磁性基板１は、一面上に中心導体１１
を有し、他面上に接地導体１２を有している。磁石２
は、金属成分を導電成分としガラス質フリットまたは金
属酸化物の接合剤を含有するメタライズ層１３、１４に
よって、中心導体１１及び接地導体１２の少なくとも一
方に面接合されている。
分に耐え得る耐熱性を有し、かつ、安価な非可逆回路装
置を提供する。 【構成】 フェリ磁性基板１は、一面上に中心導体１１
を有し、他面上に接地導体１２を有している。磁石２
は、金属成分を導電成分としガラス質フリットまたは金
属酸化物の接合剤を含有するメタライズ層１３、１４に
よって、中心導体１１及び接地導体１２の少なくとも一
方に面接合されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主にマイクロ波通信機
器に使用されるサーキュレータまたはアイソレータ等の
非可逆回路装置に関する。
器に使用されるサーキュレータまたはアイソレータ等の
非可逆回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波通信機器の非可逆回路
装置としては、小形、低価格、取付容易等の理由から、
ストリップライン型のものが多用されている。ストリッ
プライン型非可逆回路装置では、フェリ磁性基板の一面
に接地導体、他面に中心導体を設け、接地導体及び中心
導体の何れか一方または両方の上に磁石を固定した構造
をとることが多い。フェリ磁性基板と磁石との固定方法
は種々提案されている。例えば、特開昭５８ー１５９６
３号公報、実開昭６０ー１７２４０２号公報は、フェリ
磁性基板と磁石とを有機系接着剤または半田付けで固定
する技術を開示している。特開平６ー８５５０８号公報
は、接地導体及び中心導体を銅で形成し、接地導体ある
いは中心導体と磁石とを、銅を溶融させて直接に接合す
る技術を開示している。
装置としては、小形、低価格、取付容易等の理由から、
ストリップライン型のものが多用されている。ストリッ
プライン型非可逆回路装置では、フェリ磁性基板の一面
に接地導体、他面に中心導体を設け、接地導体及び中心
導体の何れか一方または両方の上に磁石を固定した構造
をとることが多い。フェリ磁性基板と磁石との固定方法
は種々提案されている。例えば、特開昭５８ー１５９６
３号公報、実開昭６０ー１７２４０２号公報は、フェリ
磁性基板と磁石とを有機系接着剤または半田付けで固定
する技術を開示している。特開平６ー８５５０８号公報
は、接地導体及び中心導体を銅で形成し、接地導体ある
いは中心導体と磁石とを、銅を溶融させて直接に接合す
る技術を開示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術には次のような問題点がある。 （Ａ）この種の非可逆回路装置をプリント基板等に実装
する場合、近年はリフローによる半田付けが多く用いら
れる。従って、非可逆回路素子は、プリント基板への実
装時に、有機系接着剤の硬化温度以上に、あるいは半田
の溶融温度に近い温度にさらされる。このため、フェリ
磁性基板と磁石とを固定している有機系接着剤ないし半
田が劣化し、磁石が動いたり、脱落したりする。 （Ｂ）特開平６ー８５５０８号公報に開示された非可逆
回路装置は、銅を溶融させて直接接合するため、銅の溶
融温度以上の高温雰囲気であって、かつ、酸化を防ぐ雰
囲気中で処理しなければならず、コスト高になる。
た従来技術には次のような問題点がある。 （Ａ）この種の非可逆回路装置をプリント基板等に実装
する場合、近年はリフローによる半田付けが多く用いら
れる。従って、非可逆回路素子は、プリント基板への実
装時に、有機系接着剤の硬化温度以上に、あるいは半田
の溶融温度に近い温度にさらされる。このため、フェリ
磁性基板と磁石とを固定している有機系接着剤ないし半
田が劣化し、磁石が動いたり、脱落したりする。 （Ｂ）特開平６ー８５５０８号公報に開示された非可逆
回路装置は、銅を溶融させて直接接合するため、銅の溶
融温度以上の高温雰囲気であって、かつ、酸化を防ぐ雰
囲気中で処理しなければならず、コスト高になる。
【０００４】本発明の課題は、実装時の熱処理温度、特
に半田付け温度に充分に耐え得る耐熱性を有する非可逆
回路装置を提供することである。
に半田付け温度に充分に耐え得る耐熱性を有する非可逆
回路装置を提供することである。
【０００５】本発明のもう一つの課題は、安価な非可逆
回路装置を提供することである。
回路装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る非可逆回路装置は、フェリ磁性基板
と、磁石とを含む。前記フェリ磁性基板は、一面上に中
心導体を有し、他面上に接地導体を有している。前記磁
石は、金属成分を導電成分としガラス質フリットまたは
金属酸化物の接合剤を含有するメタライズ層によって、
前記中心導体及び接地導体の少なくとも一方に面接合さ
れている。
め、本発明に係る非可逆回路装置は、フェリ磁性基板
と、磁石とを含む。前記フェリ磁性基板は、一面上に中
心導体を有し、他面上に接地導体を有している。前記磁
石は、金属成分を導電成分としガラス質フリットまたは
金属酸化物の接合剤を含有するメタライズ層によって、
前記中心導体及び接地導体の少なくとも一方に面接合さ
れている。
【０００７】好ましくは、前記金属成分は、銀、白金、
パラジウム、金もしくは銅またはこれらの合金の少なく
とも一種を含有する。
パラジウム、金もしくは銅またはこれらの合金の少なく
とも一種を含有する。
【０００８】前記メタライズ層の具体的な態様として、
前記メタライズ層が前記中心導体及び前記接地導体の上
に設けられている場合と、前記中心導体及び接地導体の
少なくとも一方は前記メタライズ層でなり、前記磁石を
接合する前記メタライズ層として共用されている場合の
２つの態様がありえる。
前記メタライズ層が前記中心導体及び前記接地導体の上
に設けられている場合と、前記中心導体及び接地導体の
少なくとも一方は前記メタライズ層でなり、前記磁石を
接合する前記メタライズ層として共用されている場合の
２つの態様がありえる。
【０００９】
【作用】フェリ磁性基板は、一面側に中心導体、他面側
に接地導体が設けられ、磁石は中心導体及び接地導体の
いずれか一方または両方の上に面接合されているから、
中心導体に対する磁石の相対的位置関係が固定され、特
性の安定したストリップライン型の非可逆回路装置が得
られる。
に接地導体が設けられ、磁石は中心導体及び接地導体の
いずれか一方または両方の上に面接合されているから、
中心導体に対する磁石の相対的位置関係が固定され、特
性の安定したストリップライン型の非可逆回路装置が得
られる。
【００１０】磁石は、ガラス質フリットを含有するメタ
ライズ層を介して中心導体及び接地導体のいずれか一方
または両方に面接合されているから、ガラス質フリット
の溶融により、磁石を中心導体または接地導体に強固に
面接合できる。
ライズ層を介して中心導体及び接地導体のいずれか一方
または両方に面接合されているから、ガラス質フリット
の溶融により、磁石を中心導体または接地導体に強固に
面接合できる。
【００１１】ガラス質フリットの溶融温度は、一緒に用
いる金属成分によって異なるけれども、８５０〜９５０
℃の範囲である。この温度は、通常の半田溶融温度１８
０℃よりも高い。このため、回路基板等への実装時に、
その半田付け温度に充分に耐え、磁石が動いたり、脱落
したりするのを確実に防止できる。ガラス質フリットの
代わりに金属酸化物の接合剤を用いても同様の作用が得
られる。
いる金属成分によって異なるけれども、８５０〜９５０
℃の範囲である。この温度は、通常の半田溶融温度１８
０℃よりも高い。このため、回路基板等への実装時に、
その半田付け温度に充分に耐え、磁石が動いたり、脱落
したりするのを確実に防止できる。ガラス質フリットの
代わりに金属酸化物の接合剤を用いても同様の作用が得
られる。
【００１２】更に、メタライズ層はガラス質フリットま
たは金属酸化物の接合剤を含有するから、通常はフェラ
イト等の無機質材料によって構成される磁石との間で、
熱膨張係数のバランスをとることができる。しかも、メ
タライズ層は金属成分を含有するから、金属を主成分と
して構成される中心導体または接地導体との間でも、熱
膨張係数のバランスをとることができる。このため、メ
タライズ層全体として、熱ストレスが小さく、熱的に安
定した接合構造を有する非可逆回路装置が得られる。
たは金属酸化物の接合剤を含有するから、通常はフェラ
イト等の無機質材料によって構成される磁石との間で、
熱膨張係数のバランスをとることができる。しかも、メ
タライズ層は金属成分を含有するから、金属を主成分と
して構成される中心導体または接地導体との間でも、熱
膨張係数のバランスをとることができる。このため、メ
タライズ層全体として、熱ストレスが小さく、熱的に安
定した接合構造を有する非可逆回路装置が得られる。
【００１３】上述のようなメタライズ層は、導電ペース
トを塗布し、焼付けることによって形成できる。このよ
うな導電ペーストは、周知のように、金属微粉末と、ガ
ラス質フリットまたは金属酸化物の接合剤と、適当な有
機質ビヒクルとを混合してペースト化することによって
得られる。本発明において、金属微粉末は、銀、白金、
パラジウム、金もしくは銅またはこれらの合金の少なく
とも一種を含有する。導電性ペーストは、含有されてい
るガラス質フリットまたは金属酸化物の接合剤の溶融温
度で熱処理することにより、メタライズ層を形成できる
から、銅を直接接合する場合に必要な加熱温度１１００
℃よりも１５０〜２５０℃も低い熱処理温度でよい。こ
のため、接合工程におけるエネルギー消費量が少なくな
る。
トを塗布し、焼付けることによって形成できる。このよ
うな導電ペーストは、周知のように、金属微粉末と、ガ
ラス質フリットまたは金属酸化物の接合剤と、適当な有
機質ビヒクルとを混合してペースト化することによって
得られる。本発明において、金属微粉末は、銀、白金、
パラジウム、金もしくは銅またはこれらの合金の少なく
とも一種を含有する。導電性ペーストは、含有されてい
るガラス質フリットまたは金属酸化物の接合剤の溶融温
度で熱処理することにより、メタライズ層を形成できる
から、銅を直接接合する場合に必要な加熱温度１１００
℃よりも１５０〜２５０℃も低い熱処理温度でよい。こ
のため、接合工程におけるエネルギー消費量が少なくな
る。
【００１４】しかも、メタライズのための焼付け処理を
空気中で行なうことができるので、窒素雰囲気等の非酸
化性または中性の雰囲気中で熱処理を行なう必要のあっ
た従来技術に比較して、接合工程が著しく簡単になる。
空気中で行なうことができるので、窒素雰囲気等の非酸
化性または中性の雰囲気中で熱処理を行なう必要のあっ
た従来技術に比較して、接合工程が著しく簡単になる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明に係る非可逆回路装置の斜視
図、図２は図１のＡ２ーＡ２線上における断面図であ
る。本発明に係る非可逆回路装置は、フェリ磁性基板１
と、磁石２とを含む。フェリ磁性基板１は、一面上に中
心導体１１を有し、他面上に接地導体１２を有してい
る。中心導体１１及び接地導体１２は、ＡｇーＰｄ等の
厚膜導体により形成できる。中心導体１１は、周知のよ
うに、円形状である中心部から約１２０度の角度で導出
された３つの端子を有し、これらの３つの端子はサーキ
ュレータまたはアイソレータを構成するのに必要な回路
となるように外部回路に接続される。
図、図２は図１のＡ２ーＡ２線上における断面図であ
る。本発明に係る非可逆回路装置は、フェリ磁性基板１
と、磁石２とを含む。フェリ磁性基板１は、一面上に中
心導体１１を有し、他面上に接地導体１２を有してい
る。中心導体１１及び接地導体１２は、ＡｇーＰｄ等の
厚膜導体により形成できる。中心導体１１は、周知のよ
うに、円形状である中心部から約１２０度の角度で導出
された３つの端子を有し、これらの３つの端子はサーキ
ュレータまたはアイソレータを構成するのに必要な回路
となるように外部回路に接続される。
【００１６】磁石２は金属成分を導電成分としガラス質
フリットを含有するメタライズ層１３、１４によって、
中心導体１１及び接地導体１２の少なくとも一方に面接
合されている。メタライズ層１３、１４に含まれる金属
成分は、銀、白金、パラジウム、金もしくは銅またはこ
れらの合金の少なくとも一種を含有することが好まし
い。磁石２は非可逆回路動作に必要な磁界をフェリ磁性
基板１及び中心導体１１に印加する。
フリットを含有するメタライズ層１３、１４によって、
中心導体１１及び接地導体１２の少なくとも一方に面接
合されている。メタライズ層１３、１４に含まれる金属
成分は、銀、白金、パラジウム、金もしくは銅またはこ
れらの合金の少なくとも一種を含有することが好まし
い。磁石２は非可逆回路動作に必要な磁界をフェリ磁性
基板１及び中心導体１１に印加する。
【００１７】上述したように、フェリ磁性基板１は、一
面側に中心導体１１、他面側に接地導体１２が設けら
れ、磁石２は中心導体１１及び接地導体１２のいずれか
一方または両方の上に面接合されているから、中心導体
１１に対する磁石２の相対的位置関係が固定され、特性
の安定したストリップライン型の非可逆回路装置が得ら
れる。
面側に中心導体１１、他面側に接地導体１２が設けら
れ、磁石２は中心導体１１及び接地導体１２のいずれか
一方または両方の上に面接合されているから、中心導体
１１に対する磁石２の相対的位置関係が固定され、特性
の安定したストリップライン型の非可逆回路装置が得ら
れる。
【００１８】磁石２は、ガラス質フリットを含有するメ
タライズ層１３、１４を介して中心導体１１及び接地導
体１２のいずれか一方または両方に面接合されているか
ら、ガラス質フリットの溶融により、磁石２を中心導体
１１または接地導体１２に強固に面接合できる。
タライズ層１３、１４を介して中心導体１１及び接地導
体１２のいずれか一方または両方に面接合されているか
ら、ガラス質フリットの溶融により、磁石２を中心導体
１１または接地導体１２に強固に面接合できる。
【００１９】ガラス質フリットの溶融温度は、一緒に用
いる金属成分によって異なるけれども、８５０〜９５０
℃の範囲である。この温度は、通常の半田溶融温度１８
０℃よりも高い。このため、回路基板等への実装時に、
その半田付け温度に充分に耐え、磁石２が動いたり、脱
落したりするのを確実に防止できる。
いる金属成分によって異なるけれども、８５０〜９５０
℃の範囲である。この温度は、通常の半田溶融温度１８
０℃よりも高い。このため、回路基板等への実装時に、
その半田付け温度に充分に耐え、磁石２が動いたり、脱
落したりするのを確実に防止できる。
【００２０】更に、メタライズ層１３、１４はガラス質
フリットを含有するから、通常はフェライト等の無機質
材料によって構成される磁石２との間で、熱膨張係数の
バランスをとることができる。しかも、メタライズ層１
３、１４は金属成分を含有するから、金属を主成分とし
て構成される中心導体１１または接地導体１２との間で
も、熱膨張係数のバランスをとることができる。このた
め、メタライズ層全体として、熱ストレスが小さく、熱
的に安定した接合構造を有する非可逆回路装置が得られ
る。
フリットを含有するから、通常はフェライト等の無機質
材料によって構成される磁石２との間で、熱膨張係数の
バランスをとることができる。しかも、メタライズ層１
３、１４は金属成分を含有するから、金属を主成分とし
て構成される中心導体１１または接地導体１２との間で
も、熱膨張係数のバランスをとることができる。このた
め、メタライズ層全体として、熱ストレスが小さく、熱
的に安定した接合構造を有する非可逆回路装置が得られ
る。
【００２１】上述のようなメタライズ層１３、１４は、
磁石２の一面に導電ペーストを塗布し、フェリ磁性基板
１に搭載した後、導電ペーストの焼付け処理を行なうこ
とにより形成できる。また、フェリ磁性基板１に導電ペ
ーストを印刷等の手段によって塗布し、その上に磁石２
を搭載した後、焼付け処理を行なってもよい。このよう
な導電ペーストは、周知のように、金属微粉末と、ガラ
ス質フリットと、適当な有機質ビヒクルとを混合してペ
ースト化することによって得られる。本発明において、
金属微粉末は、銀、白金、パラジウム、金もしくは銅ま
たはこれらの合金の少なくとも一種を含有することがで
きる。導電性ペーストは、含有されているガラス質フリ
ットの溶融温度８５０〜９５０℃で熱処理することによ
り、金属化され、それによってメタライズ層１３、１４
を形成できるから、銅を直接接合する場合に必要な加熱
温度１１００℃よりも１５０〜２５０℃も低い熱処理温
度でよい。このため、接合工程におけるエネルギー消費
量が少なくなる。
磁石２の一面に導電ペーストを塗布し、フェリ磁性基板
１に搭載した後、導電ペーストの焼付け処理を行なうこ
とにより形成できる。また、フェリ磁性基板１に導電ペ
ーストを印刷等の手段によって塗布し、その上に磁石２
を搭載した後、焼付け処理を行なってもよい。このよう
な導電ペーストは、周知のように、金属微粉末と、ガラ
ス質フリットと、適当な有機質ビヒクルとを混合してペ
ースト化することによって得られる。本発明において、
金属微粉末は、銀、白金、パラジウム、金もしくは銅ま
たはこれらの合金の少なくとも一種を含有することがで
きる。導電性ペーストは、含有されているガラス質フリ
ットの溶融温度８５０〜９５０℃で熱処理することによ
り、金属化され、それによってメタライズ層１３、１４
を形成できるから、銅を直接接合する場合に必要な加熱
温度１１００℃よりも１５０〜２５０℃も低い熱処理温
度でよい。このため、接合工程におけるエネルギー消費
量が少なくなる。
【００２２】しかも、メタライズのための焼付け処理を
空気中で行なうことができるので、窒素雰囲気等の非酸
化性または中性の雰囲気中で熱処理を行なう必要のあっ
た従来技術に比較して、接合工程が著しく簡単になる。
空気中で行なうことができるので、窒素雰囲気等の非酸
化性または中性の雰囲気中で熱処理を行なう必要のあっ
た従来技術に比較して、接合工程が著しく簡単になる。
【００２３】図３は本発明に係る非可逆回路装置の別の
例を示す断面図である。図において、図２と同一参照符
号は同一性ある構成部分を示している。この例では、中
心導体１１及び接地導体１２の少なくとも一方は、メタ
ライズ層でなり、磁石２を接合するメタライズ層として
共用されている。メタライズ層でなる中心導体１１また
は接地導体１２は金属成分とガラス質フリットとを含有
するから、フェリ磁性基板１及び磁石２との間で熱膨張
係数のバランスをとることができる。このため、図２に
示す例と同様、熱ストレスが小さく、熱的に安定した接
合構造を有する非可逆回路装置が得られる。
例を示す断面図である。図において、図２と同一参照符
号は同一性ある構成部分を示している。この例では、中
心導体１１及び接地導体１２の少なくとも一方は、メタ
ライズ層でなり、磁石２を接合するメタライズ層として
共用されている。メタライズ層でなる中心導体１１また
は接地導体１２は金属成分とガラス質フリットとを含有
するから、フェリ磁性基板１及び磁石２との間で熱膨張
係数のバランスをとることができる。このため、図２に
示す例と同様、熱ストレスが小さく、熱的に安定した接
合構造を有する非可逆回路装置が得られる。
【００２４】上述の非可逆回路装置では、フェリ磁性基
板１に、適当なパターンで導電ペーストを塗布し、磁石
２を導電ペースト上に搭載した後、導電ペーストの焼付
け処理を行なうことにより、中心導体１１または接地導
体１２となるメタライズ層を形成し、このメタライズ層
に含まれるガラス質フリットによってフェリ磁性基板１
と磁石２とを固着すると同時に、金属成分によって中心
導体１１及び接地導体１２に必要な導電性を確保するこ
とができる。このため、磁石２を固着するためのメタラ
イズ層を独自に形成する必要がなくなり、更に安価な非
可逆回路装置が得られる。
板１に、適当なパターンで導電ペーストを塗布し、磁石
２を導電ペースト上に搭載した後、導電ペーストの焼付
け処理を行なうことにより、中心導体１１または接地導
体１２となるメタライズ層を形成し、このメタライズ層
に含まれるガラス質フリットによってフェリ磁性基板１
と磁石２とを固着すると同時に、金属成分によって中心
導体１１及び接地導体１２に必要な導電性を確保するこ
とができる。このため、磁石２を固着するためのメタラ
イズ層を独自に形成する必要がなくなり、更に安価な非
可逆回路装置が得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
ような効果を得ることができる。 （ａ）実装時の熱処理温度、特に半田付け温度に充分に
耐え得る耐熱性を有する非可逆回路装置を提供すること
ができる。 （ｂ）安価な非可逆回路装置を提供することができる。
ような効果を得ることができる。 （ａ）実装時の熱処理温度、特に半田付け温度に充分に
耐え得る耐熱性を有する非可逆回路装置を提供すること
ができる。 （ｂ）安価な非可逆回路装置を提供することができる。
【図１】本発明に係る非可逆回路装置の斜視図である。
【図２】図１のＡ２ーＡ２線上における断面図である。
【図３】本発明に係る非可逆回路装置の別の例を示す断
面図である。
面図である。
１ フェリ磁性基板 １１ 中心導体 １２ 接地導体 １３、１４ メタライズ層 ２ 磁石
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項２】 前記メタライズ層は、前記中心導体及び
前記接地導体の上に設けられている請求項１に記載の非
可逆回路装置。
前記接地導体の上に設けられている請求項１に記載の非
可逆回路装置。
【請求項３】 前記中心導体及び接地導体の少なくとも
一方は、前記メタライズ層でなり、前記磁石を接合する
前記メタライズ層として共用されている請求項１に記載
の非可逆回路装置。
一方は、前記メタライズ層でなり、前記磁石を接合する
前記メタライズ層として共用されている請求項１に記載
の非可逆回路装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 フェリ磁性基板と、磁石とを含む非可逆
回路装置であって、 前記フェリ磁性基板は、一面上に中心導体を有し、他面
上に接地導体を有しており、 前記磁石は、金属成分を導電成分としガラス質フリット
または金属酸化物の接合剤を含有するメタライズ層によ
って、前記中心導体及び接地導体の少なくとも一方に面
接合されている非可逆回路装置。 【請求項３】 前記メタライズ層は、前記中心導体及び
前記接地導体の上に設けられている請求項１に記載の非
可逆回路装置。 【請求項４】 前記中心導体及び接地導体の少なくとも
一方は、前記メタライズ層でなり、前記磁石を接合する
前記メタライズ層として共用されている請求項１に記載
の非可逆回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21766794A JPH0884004A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 非可逆回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21766794A JPH0884004A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 非可逆回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0884004A true JPH0884004A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16707838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21766794A Pending JPH0884004A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 非可逆回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0884004A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015525495A (ja) * | 2012-05-18 | 2015-09-03 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 挿入損性能が向上した接合型フェライトデバイスに関する装置および方法 |
| WO2023089804A1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 三菱電機株式会社 | 磁性セラミック基板、基板製造方法、およびサーキュレータ |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP21766794A patent/JPH0884004A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015525495A (ja) * | 2012-05-18 | 2015-09-03 | スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. | 挿入損性能が向上した接合型フェライトデバイスに関する装置および方法 |
| WO2023089804A1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | 三菱電機株式会社 | 磁性セラミック基板、基板製造方法、およびサーキュレータ |
| JP7305051B1 (ja) * | 2021-11-22 | 2023-07-07 | 三菱電機株式会社 | 磁性セラミック基板、基板製造方法、およびサーキュレータ |
| EP4439591A4 (en) * | 2021-11-22 | 2025-01-15 | Mitsubishi Electric Corporation | MAGNETIC CERAMIC SUBSTRATE, SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND CIRCULATOR |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030305 |