JPH02242549A - ガス放電装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はガス放電装置に係り、より詳細には、サイラト
ロンに係るが、これに限定されるものではない。

従来の技術 サイラトロンは、一般に、アノードと、カソードと、ガ
スが充填された管内に収容された介在するグリッド構造
体とを備えている。装置を通して導通を確立しようどす
るときには、制御グリッドに適当な電圧を印加すること
によってサイラＩ・ロン内に放電が形成される。

発明の構成 本発明は、改良されたガス放電装置を提供することであ
る。

本発明によれば、アノードと、カソードと、装置内に磁
界を発生するように構成された手段とを具備していて、
放電の荷電粒子は、磁界が存在する場合の方が存在しな
い場合よりも長い経路長さを有するようにされ、これに
より、装置内のイオン化の量が増大されたことを特徴と
するカス放電装置が提供される。磁力線に平行に進行す
る荷電粒子はゼロの力を受ける。磁力線に平行に進行し
ない荷電粒子は、その進行方向及び磁力線に対して垂直
な力を受ける。これにより、粒子は磁力線に対してカー
ブした経路をたどることになる。

従って、磁界に対して平行でない方向にカソードから放
射される電子は、アノードに向かって進むときに螺旋経
路に沿って進行する。それ故、磁界が存在するときの方
がそうでない場合よりも長い経路長さをもつことになる
。これにより、衝突が生じる数が増加し、ひいては、装
置内のイオン化密度が増加する。従って、本発明による
カス放電装置は、従来の装置で得られるものよりも大き
なイオン化密度を得ることかできる。これにより、トリ
ガ動作後の電圧下降率が改善され、必要なトリガエネル
キが減少されそしてカソードの寿命が改善される。又、
カソード領域においてより均一・なイオン化か生じ、こ
のイオン化はこれまで磁界か存在しないときに使用され
ていなかった領域まで延びることが分かった。

磁界は、アノードとカソードとの間に電流が流れるとき
のスイッチング中に存在するようにされるのが好ましい
。即ち、磁界は装置を通るパルスの導通中に存在する。

磁界は、装置内において放電の方向に実質的に平行な成
分を備えているのが好ましい。これは、磁界成分線のま
わりで螺旋路を描いて進行する荷電粒子が主放電領域内
に保持される傾向になるので特に効果的である。磁界が
放電の方向に対して傾斜した方向に１つの成分しかもた
ない場合には、荷電粒子が放電領域から引っ張られる傾
向となり、従って、あまり有効でない位置にもイオン化
粒子が発生されることになる。

磁界を発生するための上記手段は、磁性材料であるのが
好ましく、これはサマリウムコバルトであるのが効果的
であるが、電磁石を使用することもできる。装置の好ま
しい実施例においては、磁性材料がアノードに配置され
るが、これは例えばカソードに対して同心的に配置する
こともてきる。

本発明は、装置かサイラトロンである場合に特に効果的
に利用できる。グリッド構造体の少なくとも一部分は、
磁界を発生する」１記手段の一部分を形成する磁路に含
まれてもよい。

本発明を実施する幾つかの方法について、添付図面を参
照して以下に一例として説明する。

第１図を参照すれば、サイラトロンは、セラミックの管
１を備えており、その中に、アノード２、熱イオンカソ
ード３及びそれらの間に配置されたグリッド構造体４が
収容される。又、管１内には数トールの圧力の水素も収
容される。円筒状のサマリウムコバルト磁石５が管１の
外部でアノードステムの周りに同軸的に配置される。カ
ソードに最も近い磁石の部分がＳ極でありそしてその他
端がＮ極である。磁石５によってザイシトロン内に発生
される磁界は、磁力線を表わす破線で示されたように、
カソード及びアノードの表面に直角な方向に対して実質
的に平行である。サイラトロンの作動中に、カソード３
から電子が放出される、磁界に平行な方向に進行しない
電子は磁力線の周りの螺旋経路をたどり、グリッドに加
えられた電界によりグリッドに向けて引っ張られる。螺
旋経路に沿って進行する各電子は、それがグリッド４及
びアノード２に向かって移動するときに、それがアノー
ド２への実質的な直線経路において移動する場合（磁界
が存在しないときにはこのようになる）よりも多数のイ
オン化衝突をなす機会をもつ。従来のサイラトロンでは
通常カソード構造体の片側に位置する強力なグロー放電
の領域は、本発明によるサイラトロンではカソードの周
りに充分に均一に分散され、カソード３の利用性を改善
する。

第２図を参照すれば、本発明による別のサイラトロンは
、第１図に示したものと同様であるが。

磁性材料６がカソード７の周りに同軸的に配置されてい
て磁極片８を構成している。磁路の一部分はグリッド構
造体９によって形成されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるカス放電装置の概略図、 そして 第２図は、 本発明による別の装置の概略図で ある。 １・・ ３・・ ４．９ ５・・ ６・・ ８・・ 管　　　　　　２・・・アノード 熱イオンカソード ・・グリッド構造体 サマリウムコバルト磁石 磁性材料　　　７・・・カソード 磁極片

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）アノードと、カソードと、装置内に磁界を発生す
   るように構成された手段とを具備していて、放電の荷電
   粒子は、磁界が存在する場合の方が存在しない場合より
   も長い経路長さを有するようにされ、これにより、装置
   内のイオン化の量が増大されたことを特徴とするガス放
   電装置。
2. （２）上記磁界は、アノードとカソードとの間に電流が
   通過するときのスイッチング中に存在するように構成さ
   れる請求項１に記載の装置。
3. （３）上記磁界は、装置内の放電の方向に実質的に平行
   な成分を含んでいる請求項１又は２に記載の装置。
4. （４）磁界を発生するように構成された上記の手段は磁
   性材料より成る請求項のいずれかに記載の装置。
5. （５）上記磁性材料はサマリウムコバルトである請求項
   ４に記載の装置。
6. （６）上記磁性材料はアノードに配置される請求項４又
   は５に記載の装置。
7. （７）上記装置はサイラトロンであり、アノードとカソ
   ードとの間に配置されたグリッド構造体を含む請求項の
   いずれかに記載の装置。
8. （８）上記グリッド構造体の少なくとも一部分は磁路に
   含まれる請求項７に記載の装置。
9. （９）磁界を発生するように構成された上記の手段は、
   電極構造体の少なくとも一部分を含む請求項のいずれか
   に記載の装置。